KR101703184B1 - 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 - Google Patents

수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 Download PDF

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쯔요시 아마카와
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Abstract

비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 갖는 수지 밀봉 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법이 제공된다. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법으로서, 제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 기판 상에 배선 패턴이 형성된 전자 부품이다. 상기 제조 방법은 전자 부품을 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖고, 상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 돌기 전극이 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 돌기 전극 고정면과, 기판의 배선 패턴 형성면 사이에서 전자 부품을 수지에 의해 밀봉하고, 돌기 전극을 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

Description

수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING RESIN-ENCAPSULATED ELECTRONIC COMPONENT, BUMP-FORMED PLATE-LIKE MEMBER, RESIN-ENCAPSULATED ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING BUMP-FORMED PLATE-LIKE MEMBER}
이 출원은 2014년 4월 24일 출원된 일본 특허 출원 2014-090753을 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시된 내용은 모두 여기에 원용된다.
본 발명은 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법에 관한 것이다.
집적회로, 반도체 칩 등의 전자 부품은 수지 밀봉된 수지 밀봉 전자 부품으로 성형되어 이용되는 것이 많다.
상기 수지 밀봉 전자 부품은 수지중에 비아(via) 전극이 매립되어 형성되는 경우가 있다. 이 비아 전극은 예를 들어, 수지 밀봉된 전자 부품(패키지)의 상기 수지에, 패키지 상면으로부터 비아 형성용 홀 또는 홈(이하 '비아 형성공'이라고 함.)을 형성하고, 상기 비아 형성공을 상기 비아 전극 형성 재료(예를 들어, 도금, 실드재 등)로 채워 형성할 수 있다. 상기 비아 형성공은 예를 들어, 패키지 상면으로부터 상기 수지에 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 또한, 비아 전극 형성을 위한 다른 방법으로서, 돌기를 갖는 금속구조체의 상기 돌기를 반도체 칩과 함께 수지 밀봉한 후에, 상기 금속구조체의 상기 돌기 외의 부분을 제거하는 방법이 제안된 바 있다(일본 특허 공개 2012-015216호 공보). 이 경우, 수지 밀봉 전자 부품중에 상기 금속구조체에서의 상기 돌기만이 수지 밀봉된 상태로 남아, 이것이 비아 전극이 된다.
한편, 수지 밀봉 전자 부품은 상기 전자 부품이 발생시키는 열을 방출하여 냉각하기 위한 방열판(히트싱크), 또는 상기 전자 부품이 발생시키는 전자파를 차폐하기 위한 실드판(차폐판) 등 판상 부재와 함께 성형되는 경우가 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보) 및 일본 특허 공개 2007-287937호 공보).
수지에 비아 형성공을 형성하는 방법에는, 예를 들어, 하기 (1)~(5) 등의 문제가 있다.
(1) 수지 밀봉된 전자 부품(패키지)의 두께의 편차 등으로 인해, 기판의 배선 패턴 상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않을 우려가 있다.
(2) 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 상에 남기 쉽다.
(3) 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 조건에 따라서는, 전자 부품이 실장된 기판 상의 배선 패턴에 손상을 입힐 우려가 있다.
(4) 상기 (3)과 관련해, 수지 재료의 필러 밀도가 상이하면 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 레이저 가공 조건을 변경할 필요가 있다. 즉, 비아 형성공의 형성 조건의 제어가 번잡하다.
(5) 상기 (1)~(4)의 영향에 의해, 수지 밀봉 전자 부품 제조의 수율이 향상되기 어렵다.
한편, 일본 특허 공개 2012-015216호 공보의 방법에서는, 금속구조체의 상기 돌기를 수지 밀봉한 후에, 상기 금속구조체의 상기 돌기 외의 부분을 제거하는 공정이 필요하다. 따라서, 수지 밀봉 전자 부품의 제조 공정이 번잡하고, 재료 낭비가 생긴다.
또한, 상기의 모든 방법에서, 판상 부재는 비아 전극 형성 후에 도금 등에 의해 형성해야 하므로 공정이 번잡하다.
또한, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보 및 일본 특허 공개 2007-287937호 공보에는 판상 부재를 갖는 수지 밀봉 전자 부품 및 그 제조 방법이 기재되어 있으나, 비아 전극의 형성에서 상기 각 방법의 과제를 해결할 수 있는 방법은 기재되어 있지 않다.
이와 같이, 비아 전극 및 판상 부재를 모두 갖는 수지 밀봉 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 기술은 존재하지 않는다.
따라서, 본 발명은 비아 전극 및 판상 부재를 모두 갖는 수지 밀봉 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법(이하, 단순하게 '본 발명의 제조 방법'이라고 하는 경우가 있다.)은, 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법으로서, 제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이 기판, 전자 부품, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고 또한, 상기 기판 상에 배선 패턴이 형성된 수지 밀봉 전자 부품이며, 상기 제조 방법은 상기 전자 부품을 상기 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖고, 상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 돌기 전극 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서 상기 전자 부품을 상기 수지에 의해 밀봉함과 함께, 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는, 상기 본 발명의 제조 방법에서 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재이며, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 수지 밀봉 전자 부품은 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품으로서, 상기 수지 밀봉 전자 부품은 기판, 전자 부품, 수지, 및 상기 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고, 상기 전자 부품은 상기 기판 상에 배치되고 상기 수지에 의해 밀봉되어 있으며, 상기 기판 상의 상기 전자 부품 배치측에 배선 패턴이 형성되고, 상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통해 상기 배선 패턴에 접촉하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 갖는 수지 밀봉 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재 구조의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 돌기 전극의 구조를 예시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 수지 밀봉 전자 부품 구조의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는 트랜스퍼 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법을 예시하는 단면도이다.
도 5는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 일례에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 6은 도 5와 동일한 제조 방법에서의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 7은 도 5와 동일한 제조 방법에서의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 8은 도 5와 동일한 제조 방법에서의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 9는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 10은 도 9와 동일한 제조 방법에서의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 11은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 12는 도 11과 동일한 제조 방법에서의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 13은 도 11과 동일한 제조 방법에서의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 14는 도 11과 동일한 제조 방법에서의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 15는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 16은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 17은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예를 예시하는 단면도이다.
도 18은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예를 예시하는 단면도이다.
도 19는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 20은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예에서, 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 21은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예를 예시하는 단면도이다.
도 22는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 예를 예시하는 단면도이다.
다음으로, 본 발명에 대해 예를 들어 더 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 의해 한정되지 않는다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 수는 특별히 한정되지 않고 임의적이며, 1이어도 되고 복수 개여도 된다. 상기 돌기 전극의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 돌기 전극이 복수 개인 경우, 이들 형상은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. 예를 들어, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 보다 구체적으로는, 상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공이 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하는 관통공이어도 된다. 상기 관통공이 있는 돌기 전극이 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부부에, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하는 돌기를 갖고 있어도 된다. 이러한 관통공이 있는 돌기 전극의 형상은, 보다 구체적으로는, 예를 들어 후술하는 도 2의 (A) 내지 (C)와 같은 형상이어도 된다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 갖는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로는, 예를 들어 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 상기 전자 부품이 복수 개이고, 상기 수지 밀봉 공정에서 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구획함과 함께, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 수지 밀봉해도 된다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 갖고, 상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하며, 상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조 방법에 있어서 상기 판상 부재는 특별히 한정되지 않으나, 방열판(히트싱크) 또는 실드판(차폐판)인 것이 바람직하다. 상기 실드판은 예를 들어, 상기 전자 부품으로부터 방출되는 전자파를 차폐하는 것이어도 된다. 상기 방열판은 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 판상 부재의 형상은 상기 돌기 전극이 고정되어 있다는 것 외에는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 판상 부재가 방열판인 경우, 상기 방열판은 상기 돌기 전극 이외에, 방열 효율을 높이기 위한 돌기가 1 또는 복수 결합된 형상(예를 들어, 핀 형상) 등이어도 된다. 상기 판상 부재의 재질도 특별히 한정되지 않으나, 상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 경우에는, 예를 들어 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지, 금속 증착 필름 등을 사용할 수 있다. 상기 금속 증착 필름은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 알루미늄, 은 등을 필름에 증착시킨 금속 증착 필름이어도 된다. 또한, 상기 돌기 전극의 재질도 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지 등을 사용할 수 있다. 상기 금속 재료로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 스테인리스스틸, 퍼멀로이(Permalloy; 철과 니켈의 합금) 등의 철계 재료, 놋쇠, 동몰리브덴 합금, 베릴륨동(Beryllium copper) 등의 동계 재료, 두랄루민(Duralumin) 등의 알루미늄계 재료 등을 들 수 있다. 상기 세라믹스 재료로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 질화알루미늄 등의 알루미나계 재료, 질화규소 등의 규소계 재료, 지르코니아계 재료 등을 들 수 있다. 상기 수지로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 엘라스토머 수지 등의 고무계 재료, 실리콘계 기재에 도전성 재료를 혼합한 재료, 및 이들 재료를 압출 성형 또는 사출 성형한 수지 재료 등을 들 수 있다. 또한, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 있어서, 상기 판상 부재의 표면 등에 도금, 도포 등의 표면처리를 하여 도전층을 형성해도 된다. 한편, 상기 판상 부재는 어떠한 기능을 갖는 기능 부재(작용 부재)이기도 하다. 예를 들어, 상기 판상 부재가 방열판(히트싱크)인 경우에는 방열 기능(방열 작용)을 갖는 기능 부재(작용 부재)이며, 실드판(차폐판)인 경우에는 차폐 기능(차폐 작용)을 갖는 기능 부재(작용 부재)이다.
상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 수지 밀봉에 이용하는 방법(성형 방법)은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 트랜스퍼 성형(transfer molding), 압축 성형 등 어떠한 방법이어도 된다.
상기 수지 밀봉 공정에 압축 성형을 이용하는 경우, 본 발명의 제조 방법은, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극이 고정된 면 상에 상기 수지를 탑재하는 수지 탑재 공정을 더 포함해도 된다. 또한, 이 경우, 본 발명의 제조 방법은, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정을 더 포함해도 된다. 또한, 상기 몰드 캐비티 내에서, 상기 판상 부재 상에 탑재된 상기 수지에 상기 전자 부품을 침지시킨 상태로, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 전자 부품과 함께 압축 성형함으로써, 상기 수지 밀봉 공정을 행해도 된다.
상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느 쪽이 먼저여도 되고, 동시여도 된다. 예를 들어, 상기 반송 공정에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 또는, 상기 반송 공정에 있어서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 수지가 탑재되어 있지 않은 상태에서, 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 이 경우, 본 발명의 제조 방법은, 상기 수지 탑재 공정에 앞서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 더 포함해도 된다. 그리고, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 행해도 된다.
상기 반송 공정에 있어서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하게 이형필름(release film) 상에 올려진 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송해도 된다. 이 경우, 상기 반송 공정에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지고, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송해도 된다. 상기 수지 탑재 공정에 있어서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지고, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지를 공급함으로써, 상기 돌기 전극 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 것이 바람직하다. 그러한 경우에 있어서 상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느 쪽이 먼저여도 되고, 동시여도 되지만, 상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이, 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있어도 된다.
상기 반송 공정을 행하는 반송 수단은, 상기 수지를 탑재한 상기 판상 부재가 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 수지를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송하는 수단이어도 된다. 이 경우, 상기 수지 밀봉을 행하는 수지 밀봉 수단이 이형필름 흡착 수단을 갖고, 또한 상기 이형필름을 상기 이형필름 흡착 수단에 흡착시킨 상태에서 상기 압축 성형을 행하는 수단이어도 된다. 또한, 상기 성형틀은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 금형, 또는 세라믹스형이다.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는, 전술한 바와 같이, 상기 본 발명의 제조 방법에서 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재이며, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 것을 특징으로 한다. 상기 돌기 전극의 수 및 형상은, 전술한 바와 같이, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 상기 판상 돌기 전극이어도 된다. 전술한 바와 같이, 상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 갖고, 상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하며, 상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 보다 구체적으로는, 전술한 바와 같이, 상기 관통공이 있는 돌기 전극(12)에서의 상기 관통공이, 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하는 관통공(12b)이어도 된다. 또한, 상기 관통공이 있는 돌기 전극이, 상기 판상 부재에 고정된 단부(12a측)와는 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하는 돌기(12c)를 갖고 있어도 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상(예를 들어, 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등)을 갖는 주상 돌기 전극이어도 된다.
또한, 전술한 바와 같이, 상기 판상 부재의 형상은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 상기 판상 부재가 수지 수용부를 갖고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면측으로 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 제조 방법은, 상기 수지 탑재 공정에 있어서 상기 판상 부재의 상기 수지 수용부 내에 상기 수지를 탑재하고, 상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지가 탑재된 상태에서 행해도 된다.
또한, 상기 수지 밀봉 공정에서 압축 성형을 이용하는 경우, 상기 배선 패턴 형성면에 상기 전자 부품이 배치된 상기 기판을, 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하도록 기판 탑재대 상에 탑재하고, 또한 상기 배선 패턴 형성면 상에 상기 수지를 탑재한 상태에서 상기 수지를 가압해도 된다.
본 발명의 제조 방법에 있어서 상기 수지는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 열가소성 수지 또는 열경화성 수지의 어느 것이어도 된다. 상기 수지는, 예를 들어, 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트상 수지, 필름상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나라도 된다. 또한, 상기 수지는 예를 들어, 투명 수지, 반투명 수지, 및 불투명 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나라도 된다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초해 설명한다. 각 도면은, 설명의 편의를 위해, 적절하게 생략, 과장 등을 하여 모식적으로 나타내고 있다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 일례, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 본 발명의 수지 밀봉 전자 부품의 일례, 및 트랜스퍼 성형을 이용한 상기 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.
도 1의 사시도에, 본 실시예의 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조를 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)의 패턴이 고정되어 형성되어 있다. 돌기 전극(12)의 길이(높이)는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 완성품의 수지 밀봉 전자 부품(성형 패키지)의 두께에 따라 적절히 설정할 수 있다. 또한, 본 발명에서 상기 돌기 전극의 패턴은 본 실시예(도 1)의 패턴에 한정되지 않고, 임의적이다.
도 1의 사시도에 나타내는 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조는, 도 1a 및 도 1b와 같다. 우선, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는, 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 편면에 돌기 전극(12)의 패턴이, 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 면 방향에 수직 방향으로 고정되어 있다. 한편, 도 1b에서는, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는, 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 일부가 절개되고, 상기 절개된 일부가 판상 부재(11)의 면 방향에 수직 방향으로 절곡되어 돌기 전극을 형성하고 있다. 판상 부재(11)에서, 상기 일부가 절개된 부분은 도시한 바와 같이, 홀(13)을 형성하고 있다. 그 외에는 도 1a와 동일하다.
도 1a 또는 도 1b에 있어서, 돌기 전극(12)의 형상은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 도 2에 나타내는 형상이어도 된다. 도 2에서, 위쪽 도면은 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 2 아래쪽의 (A) 내지 (C)는, 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 2의 (A) 내지 (C)에 각각 나타내는 바와 같이, 돌기 전극(12)의 하부(12a)(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽의 부분)에는 홀이 형성되어 있지 않다. 한편, 돌기 전극(12)의 상부(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽의 반대쪽 부분)에는, 판상 부재(11)의 판면에 평행한 방향으로 돌기 전극(12)을 관통하는 홀(관통공)(12b)이 형성되어 있다. 또한, 돌기 전극(12)의 상단부(판상 부재(11)에 고정된 단부의 반대쪽 단부)는, 그 일부가 위쪽으로(판상 부재(11)의 판면에 수직 방향으로) 돌출되어 돌기(12c)를 형성하고 있다. 돌기 전극(12)은 돌기(12c)의 선단 부분에서 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접하는 것이 가능하다. 또한, 도 2의 (A)에서는 돌기(12c)의 수가 2개이다. 도 2의 (B)는 돌기(12c)의 수가 하나이며, 돌기 전극(12)의 폭이 약간 좁은 것 외에는 도 2의 (A)와 동일하다. 도 2의 (C)는 돌기 전극(12)의 폭이 더욱 좁은 것 외에는 도 2의 (B)와 동일하다. 이와 같이, 돌기(12c)의 수는 특별히 한정되지 않으며, 하나라도 되고, 복수 개라도 된다. 돌기(12c)의 수는, 도 2의 (A) 내지 (C)에서는 1 또는 2이나, 3 이상이어도 된다. 또한, 홀(관통공)(12b)의 수 역시 도 2의 (A) 내지 (C)에서는 1이나, 특별히 한정되지 않고 임의적이며, 복수여도 된다.
돌기(12c)를 가짐으로써, 돌기 전극(12)은 수지에 의해 방해받지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉하기 쉬워진다. 즉, 돌기(12c)에 의해, 돌기 전극(12)과 도 3에서의 배선 패턴(22) 사이의 수지(예를 들어, 용융 수지, 또는 액상 수지)를 밀어내, 배선 패턴(22)에 돌기(12c)의 선단이 맞닿게(물리적으로 접촉)되고, 전기적으로 접속된다. 또한, 돌기 전극(12)이 관통공(12b)을 가짐으로써, 전자 부품의 수지 밀봉을 보다 행하기 쉬워진다. 즉, 수지가 관통공(12b)을 통과해 유동할 수 있기 때문에, 수지의 유동이 보다 원활해져 수지 밀봉의 효율이 보다 향상된다. 이 효과는 트랜스퍼 성형의 경우에 특히 현저하다. 또한, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 맞닿을(접촉할) 때, 도 2의 (D)에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극(12)이 관통공(12b) 부근에서 구부러짐으로써, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 이에 따라, 돌기 전극(12)의 높이를 수지 밀봉 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 따라 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 미리 상기 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.
한편, 돌기 전극(12)의 형상은, 도 2의 (A) 내지 (C)의 형상에 더하여, 또는 이를 대신하여, 다른 형상이라도 된다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 기둥 형상을 갖는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로는, 전술한 바와 같이, 예를 들어 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에서의 상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구획하고, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 수지 밀봉해도 된다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 도 2의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극과 동일하게, 관통공 및 돌기를 갖고 있어도 된다. 상기 관통공은, 도 2의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하고 있어도 된다. 또한, 상기 돌기는 도 2의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하고 있는 것이 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극의 상기 관통공 및 상기 돌기의 수 역시 특별히 한정되지 않고 임의적이나, 복수가 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 및 상기 돌기를 가짐으로써, 도 2의 (A) 내지 (C)의 관통공(12b) 및 돌기(12c)와 마찬가지의 이점을 갖는다. 즉, 우선, 상기 판상 돌기 전극이 상기 돌기를 가짐으로써, 상기 판상 돌기 전극은 수지에 의해 방해받지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉하기 쉬워진다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공을 가짐으로써, 수지가 상기 관통공을 통과해 유동할 수 있기 때문에, 수지의 유동이 보다 원활해져 수지 밀봉의 효율이 보다 향상된다. 이 효과는 트랜스퍼 성형의 경우 특히 현저하다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 부근에서 구부러짐으로써, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상기 판상 돌기 전극의 높이를 수지 밀봉 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응해 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 미리 상기 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.
한편, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 예를 들어, 판상 부재(금속 플레이트)와 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법, 금속 플레이트를 판상 부재로 이용하고 상기 금속 플레이트를 절개하고 구부려 돌기 전극을 제조하는 방법 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어, 하기 (1) 내지 (6)에 나타내는 방법을 일반적인 방법에 준하여 행함으로써, 도 1a에 나타낸 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조해도 된다.
(1) 금속 플레이트의 에칭으로 제조하는 방법
(2) 금속 플레이트와 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법
(3) 전기 주형에 의해 판상 부재와 돌기 전극을 동시에 성형하는 방법
(4) 도전성(실드성)을 갖는 수지에 의해 판상 부재와 돌기 전극을 동시에 성형하는 방법
(5) 도전성(실드성)을 갖는 수지(판상 부재)에 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법
(6) 수지 플레이트와 돌기부를 갖는 것에 도전성(실드성) 도막을 붙이는 방법
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 전술한 바와 같이, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 하기 (7)에 나타내는 방법을 일반적인 방법에 준하여 행함으로써, 도 1b에 나타낸 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조해도 된다.
(7) 금속 플레이트를 판상 부재로 이용하고, 상기 금속 플레이트를 절개하고 구부려 돌기 전극을 제조하는 방법.
도 3의 단면도에, 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해 제조되는 본 실시예의 수지 밀봉 전자 부품의 구조를 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 수지 밀봉 전자 부품(20)은 기판(21), 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 포함한다. 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 편면에 고정되고, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)이 일체가 되어 돌기 전극 구비 판상 부재를 형성하고 있다. 전자 부품(31)은 기판(21) 상에 고정되고, 수지(41)에 의해 밀봉되어 있다. 전자 부품(31)이 배치된 쪽의 기판(21) 상에는, 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 돌기 전극(12)은 도 1에서도 설명한 바와 같이, 판상 부재(11)의 편면에 고정되어 있다. 또한, 돌기 전극(12)은 상기 수지(41)를 관통해 배선 패턴(22)에 접촉하고 있다.
한편, 판상 부재(11)는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 전술한 바와 같이, 방열판, 또는 차폐판(실드판) 등이어도 된다. 예를 들어, 하나의 IC(수지 밀봉 전자 부품)중에 복수의 칩(전자 부품)이 배치되어 있는 경우 등에서, 각각의 칩의 기능 관계상, 차폐판(실드판)에 의해 전자적으로 차폐해도 된다.
또한, 돌기 전극 구비 판상 부재는, 하나의 기판(하나의 수지 밀봉 전자 부품)에 대응한 판상 부재여도 되나, 도 1a 및 도 1b에 나타낸 바와 같이, 복수의 기판(복수의 수지 밀봉 전자 부품)에 대응한 판상 부재(매트릭스형)여도 된다. 매트릭스형의 경우, 예를 들어, 각각에 전자 부품 및 배선 패턴이 고정된 복수의 기판을 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉한다. 그 후, 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재를 절단 등에 의해, 각 기판에 대응하는 영역별로 분할해도 된다. 또한, 예를 들어, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 기판면 상에서의 하나의 수지 밀봉 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요 범위(임의의 특정 기능을 갖는 범위)를, 상기 판상 돌기 전극으로 구획할(구획 지을) 수 있다.
또한, 전자 부품(31)은, 이미 전자 부품이 수지 밀봉된 형태(즉, 수지 밀봉 전자 부품)여도 된다. 이 경우, 수지 밀봉 전자 부품(20)은, 수지 밀봉 전자 부품(31)을 다시 수지 밀봉하는 형태이기 때문에, 전자 부품이 여러 차례 수지 밀봉 되는 것이 된다.
도 4의 단면도에, 도 3의 전자 부품의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타낸다. 이 제조 방법은 전술한 바와 같이, 트랜스퍼 성형을 이용한 제조 방법이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 이 제조 방법은 일반적인 트랜스퍼 성형용 성형틀(50)을 이용해 실시할 수 있다. 도시한 바와 같이, 성형틀(50)은 상형(51) 및 하형(52)으로 형성되어 있다. 상형(51)의 몰드면에는 수지 성형용 몰드 캐비티(56)가 마련되고, 하형(52)의 몰드면에는 전자 부품(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 공급 세팅하는 기판 세트부(57)가 마련되어 있다.
또한, 하형(52)에는 수지 재료 공급용 포트(홀)(54)가 마련되어 있고, 포트 내에 수지 가압용 플런저(53)가 삽입되어 있다.
도 4의 장치를 이용한 트랜스퍼 성형 방법은 특별히 한정되지 않으며, 일반적인 트랜스퍼 성형 방법에 따라 실시해도 된다. 즉, 우선, 상기 포트(54) 내에 수지 태블릿 등의 수지 재료를 공급하고, 상기 기판 세트부(57)에 기판(21)을 세팅하여, 상기 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결한다. 다음으로, 상기 포트(54) 내에서 수지를 가열해 용융하고, 포트(54) 내의 용융 수지(41)를 플런저(53)를 위로 움직여 가압함으로써, 하형(52)의 포트(54) 내로부터 수지 통로(컬, 런너, 게이트)(55)를 통해 상형(51)의 몰드 캐비티(56) 내로 주입할 수 있도록 구성되어 있다. 이때, 플런저(53)로 몰드 캐비티(56) 내의 수지에 필요한 압력을 가할 수 있다.
경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 개방함으로써, 몰드 캐비티(56) 내에서 캐비티의 형상에 대응한 패키지(수지 성형체) 내에 전자 부품(31) 등을 밀봉 성형할 수 있다(도 3에 나타내는 수지 밀봉 전자 부품(20)을 참조).
본 실시예에 있어서, 도 4에 나타내는 제조 방법(도 3에 나타내는 수지 밀봉 전자 부품(20)의 제조)은 예를 들어, 아래와 같이 행할 수 있다. 즉, 우선 하형(52)의 몰드면 상(기판 세트부)에, 상형(51)의 몰드 캐비티에 대응하는 위치로 전자 부품(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 배치하고, 그 위에 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 완성품의 수지 밀봉 전자 부품(20)(도 3)과 같은 위치 관계가 되도록 배치한다. 이때, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(21)의 전자 부품(31) 배치면의 반대쪽이 하형(52)과 접하도록 하고, 전자 부품(31) 배치측 면 상에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))가 올려짐으로써, 배선 패턴(22)과 돌기 전극(12)의 선단부는 물리적, 전기적으로 접속되게 된다.
한편, 기판(21), 전자 부품(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)은 도 4의 상하를 반전시킨 상태로 하형(52)의 몰드면 상에 올려놓아도 된다. 즉, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 형성면의 반대쪽이 되는 면이 하형(52)과 접하도록 하고, 상기 돌기 전극(12) 형성면쪽에 기판(21) 및 전자 부품(31)을 배치해도 된다.
다음으로, 도 4에 나타내는 바와 같이, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결한다. 이때, 상형(51)을 하형(52) 위에 올려놓고, 상형의 몰드 캐비티 내에 기판(21), 전자 부품(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 수용되며, 판상 부재(11)는 몰드 캐비티의 천장면에 맞닿게 된다.
이 상태에서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 플런저(53)로 하형(52)의 포트(54)로부터 상형(51)의 몰드 캐비티 내로 수지 통로(55)를 통해 수지(41)를 주입한다. 이에 따라, 기판(21) 상에 배치된 전자 부품(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)과 함께 수지 밀봉한다. 이와 같이 하여, 도 3에 나타낸 수지 밀봉 전자 부품(20)을 제조할 수 있다.
한편, 몰드 캐비티(56) 내로 수지를 주입할 때, 몰드 캐비티(56) 내에서 수지(용융 수지)(41)는 돌기 전극(12) 사이를 흐르거나, 또는 돌기 전극(12)의 관통공(12b) 내를 통과해 유동할 수 있다.
또한, 상기에서는 하형의 몰드면 상에 기판 및 돌기 전극 구비 판상 부재를 모두 올려놓고 나서 몰드 체결하는 방법을 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 하형(52)의 몰드면에 기판(21)을 공급 세팅하고, 상형(51)의 몰드 캐비티 천장면에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11))를 장착한 후, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결해 몰드 캐비티 내에 수지를 주입해도 된다. 이때, 전술한 바와 같이, 판상 부재(11) 및 기판(21)의 위치를 상하 반대로 해도 된다.
또한, 트랜스퍼 성형에서의 성형(수지 밀봉)시에는, 예를 들어, 몰드 캐비티 내 등을 소정의 진공도로 설정해 트랜스퍼 성형해도 된다. 상기 소정의 진공도로 설정하는 방법 역시 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 일반적인 트랜스퍼 성형에 의한 방법에 따라도 된다.
상기 트랜스퍼 성형에 이용하는 장치는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 일반적인 트랜스퍼 성형용 장치와 동일해도 된다. 또한, 상기 수지 밀봉 공정의 구체적인 조건 역시 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 일반적인 트랜스퍼 성형과 동일해도 된다.
또한, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 접속을 보다 확실하게 하기 위해, 미리 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22) 사이에 땜납을 삽입해 두어도 된다. 이 경우, 예를 들어, 상기 수지 밀봉 공정 후에 리플로우 등에 의해 상기 땜납을 용융시켜 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접합해도 된다. 아래의 각 실시 형태에 있어서도 동일하다.
본 발명에 따르면, 이와 같이 비아 전극을 형성하기 위해 수지에 비아 형성공(홈 또는 홀)을 천공할 필요가 없다. 이 때문에, 예를 들어, 하기 (1) 내지 (5)의 효과를 얻을 수 있다. 단, 이러한 효과는 예시이며, 본 발명을 한정하지 않는다.
(1) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 밀봉된 전자 부품(패키지)의 두께의 편차 등으로 인해 기판의 배선 패턴 상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않는 경우가 없다.
(2) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 상에 남을 일이 없다.
(3) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 전자 부품이 탑재된 기판 상의 배선 패턴에 손상을 입히는 일이 없다.
(4) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 밀봉 전자 부품의 제조 조건이 수지 재료의 필러 밀도의 영향을 받을 일이 없다.
(5) 상기 (1) 내지 (4)의 영향에 의해, 수지 밀봉 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있어, 수율이 높다. 또한, 기판의 배선 패턴과 돌기 전극(비아 전극)의 접속 등이 양호해지기 때문에, 수지 밀봉 전자 부품의 성능 향상, 또는 불량품 발생률의 저하 등에도 기여한다.
[실시예 2]
다음으로, 도 5 내지 도 8을 이용해 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 압축 성형을 이용한 상기 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.
우선, 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)를 준비한다. 도 5의 공정 단면도에, 이 압축 성형 장치의 일부인 성형틀의 일부 구조를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 압축 성형 장치는 상형(101)과, 하형(111)과, 중간형(중간 플레이트)(102)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(111)은 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와, 하형 외주 누름부(하형 본체)(112 및 113)를 포함한다. 하형 외주 누름부(하형 본체)(112 및 113)는 프레임 형상의 하형 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 누름부(112)는 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 하형 외주 누름부(113)는 또한, 하형 외주 누름부(112)의 외주를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 누름부(112) 사이에는 간극(흡착공)(111c)이 있다. 하형 외주 누름부(112)와 하형 외주 누름부(113) 사이에는 간극(흡착공)(111d)이 있다. 이들 공극(111c 및 111d)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(미도시)로 감압해, 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 하형 외주 누름부(112) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 및 하형 외주 누름부(113) 상면의 높이보다 높다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 상면과 하형 외주 누름부(112) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(111b)가 형성된다. 또한, 상형(101)에는 홀(관통공)(103)이 뚫려 있다. 후술하는 바와 같이, 몰드 체결 후에 홀(103)로부터 진공 펌프(미도시)로 흡인함으로써, 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 감압할 수 있다. 중간형(중간 플레이트)(102)은 프레임(환형) 형상이고, 하형 외주 누름부(113)의 바로 위에 위치하도록 배치되어 있다. 중간형(102) 하면과 하형 외주 누름부(113) 상면 사이에서 이형필름(100)을 파지해 고정할 수 있다. 중간형(102)의 상면의 둘레부에는 탄력성을 갖는 O-링(102a)이 장착되어 있다. 또한, 이 압축 성형 장치는, 도시한 바와 같이, 도면의 좌우 양측에 롤(104)을 갖는다. 그리고, 길이가 긴 이형필름(100) 한 장의 양단이 좌우 롤(104)에 각각 권취되어 있다. 좌우 롤(104)에 의해 이형필름(100)을 도 5의 오른쪽에서 왼쪽으로, 또는 왼쪽에서 오른쪽으로 내보내는 것이 가능하다. 이에 따라, 후술하는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재를 이형필름(100) 상에 올려놓은 상태로 상기 하형 캐비티의 위치까지 반송할 수 있다. 즉, 롤(104)은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 수단에 해당한다. 또한, 도시하지 않았으나, 이 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단을 더 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 올려놓는다.
다음으로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 전자 부품(31)이 편면에 고정된 기판(21)을 클램퍼(101a)에 의해 상형(101)의 하면에 고정한다. 이때, 기판(21)의 전자 부품(31) 형성면이 아래를 향하도록 한다. 한편, 기판(21) 및 전자 부품(31)은 실시예 1과 동일하고, 기판(21)에는 실시예 1과 동일하게 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 또한, 상기 수지 탑재 수단에 의해, 도시한 바와 같이, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 수지(41)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 한편, 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 수지(41)는 실시예 1과 동일하다. 수지(41)의 형태는 특별히 한정되지 않으나, 상기 수지 탑재 공정에서 수지(41)가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에서 흘러 넘치지 않게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 수지 탑재 공정에서 시트상의 수지(41)를 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 라미네이트(적층)시켜 가압해도 된다. 또한, 도시한 바와 같이, 이형필름(100) 상에 수지(41)를 탑재한 판상 부재(11)를 올려놓는다. 이때, 도시한 바와 같이, 판상 부재(11)의 수지(41) 탑재면(돌기 전극(12) 형성면)이 위를 향하도록(즉, 돌기 전극(12) 형성면의 반대쪽 면이 이형필름(100) 상면과 접하도록) 한다. 또한, 도시하지 않았으나, 점착제(접착층)가 이형필름(100) 상면과 판상 부재(11) 사이에 존재해, 상기 점착제(접착층)에 의해 판상 부재(11)가 이형필름(100) 상면에 고정되어 있어도 된다. 이와 같이, 상기 점착제(접착층)가 존재하면, 예를 들어, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 판상 부재(11)에 홀(13)이 뚫려 있어도 홀(13)로부터 수지(41)가 쉽게 새지 않는다는 등의 이점이 있어서 바람직하다. 또한, 상기 반송 수단에 의해 도 5에 나타내는 바와 같이, 수지(41)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 이형필름(100)과 함께 하형 캐비티(111b)의 위치까지 반송한다.
다음으로, 도 6의 화살표(114)로 나타내는 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 누름부(112) 사이의 틈새(공극(111c))를 진공 펌프(미도시)로 감압한다. 이와 함께, 도 6의 화살표(115)로 나타내는 바와 같이, 하형 외주 누름부(112)와 하형 외주 누름부(113) 사이의 틈새(공극(111d))를 진공 펌프(미도시)로 감압한다. 또한, 중간형(102)을 O-링(102a)과 함께 하강시켜, 중간형(102) 하면과 하형 외주 누름부(113) 상면 사이에서 이형필름(100)을 파지한다. 이에 따라, 이형필름(100)을 하형 외주 누름부(112) 및 하형 외주 누름부(113)의 상면에 고정한다. 또한, 하형 캐비티(111b) 내의 감압(114)으로 이형필름(100)을 하형 캐비티(111b)의 면에 피복시킬 수 있다. 그렇게 함으로써, 도시한 바와 같이, 수지(41)를 판상 부재(11) 상에 탑재한 상태에서 하형 캐비티의 캐비티면 상에 올려놓을 수 있다.
다음으로, 도 7 및 8에 나타내는 바와 같이, 상기 수지 밀봉 공정을 행한다. 한편, 도 7에서는 편의상, 클램퍼(101a)의 도시를 생략하고 있다.
즉, 우선, 도 7에 나타내는 바와 같이, 하형(111)(하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와, 하형 외주 누름부(112 및 113)를 중간형(102) 및 외기 차단용 O-링(102a)과 함께 상승시킨다. 이때, 상형(101)의 몰드면과 O-링(102a)의 상면을 접하게 함으로써, 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 외기 차단 상태로 설정해 상형, 중간형, 하형으로 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 이 상태에서, 화살표(107)로 나타내는 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통해 적어도 하형 캐비티(111b) 내(외기 차단 공간부 내)를 진공 펌프(미도시)로 흡인해 감압할 수 있다. 또한, 하형(111)과 중간형(102)을 일체적으로 상승시킨다. 이때, 이형필름(100)을 통해 하형 외주 누름부(112)의 상면(하형(111))과 기판(21)의 면을 접하게 할 수 있다.
다음으로, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 상승시킨다. 이때, 수지(41)는 유동성을 갖는 상태로 해둔다. 이에 따라, 우선, 하형 캐비티(111b) 내에서 수지(41)에 전자 부품(31)을 침지시키고, 다음으로 하형 캐비티(111b) 내의 수지(41)를 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)로 가압할 수 있다. 따라서, 하형 캐비티(111b) 내에서 기판(21)에 장착한 전자 부품(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 하형 캐비티(111b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)할 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 성형 패키지(41)의 기판(21)의 반대쪽 상면에 장착된 상태가 된다. 또한, 이때, 기판(21)과 이형필름(100) 사이에 약간의 클리어런스(간극)가 있어도 된다.
이 상태에서, 화살표(107)로 나타내는 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통해 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 진공 펌프(미도시)로 흡인해 감압한다. 그리고, 그 상태에서 수지(41)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 전자 부품(31), 및 기판(21)과 함께 압축 성형하고, 전자 부품(31)을 수지 밀봉한다. 이때, 돌기 전극(12)이 기판(21) 상에 형성된 배선 패턴(22)에 접촉하도록 한다. 이와 같이 하여, 상기 '수지 밀봉 공정'을 행해 수지 밀봉 전자 부품을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내의 수지(41)에 전자 부품(31)을 침지시킬 때, 수지(41)는 유동성을 갖는 상태로 한다. 이 유동성을 갖는 수지(41)는, 예를 들어, 액체의 수지(경화 전의 열경화성 수지 등)여도 되고, 또는, 과립상, 분말상, 페이스트상 등의 고체상의 수지를 가열해 용융화한 용융 상태여도 된다. 수지(41)의 가열은, 예를 들어, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 실시할 수도 있다. 또한, 예를 들어, 수지(41)가 열경화성 수지인 경우, 하형 캐비티(111b) 내의 수지(41)를 가열하고, 또한 가압하여 열경화시켜도 된다. 이에 따라, 하형 캐비티의 형상에 대응한 수지 성형체(패키지) 내에 전자 부품(31)을 수지 밀봉 성형(압축 성형)할 수 있다. 이와 같이 하면, 예를 들어, 수지 성형체(패키지)의 상면(기판의 반대쪽 면)에 판상 부재(11)를 노출한 상태에서 형성하는 것도 가능하다.
 압축 성형(수지 밀봉) 후, 즉 수지(41)를 경화시킨 후, 도 8에 나타내는 바와 같이, 하형(111)(하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 누름부(112 및 113))을 중간형(102) 및 O-링(102a)과 함께 하강시킨다. 이에 따라, 하형 캐비티(111b) 내를 개방해 감압을 해제한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 누름부(112) 사이의 공극의 감압(진공 흡입)을 해제한다. 화살표(116)로 나타내는 바와 같이, 반대로 상기 공극에 공기를 공급해도 된다. 이에 따라, 도시한 바와 같이, 이형필름(100)이 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 상면으로부터 떨어진다. 이때, 하형 외주 누름부(112)와 하형 외주 누름부(113) 사이의 공극의 감압(진공 흡입)은 해제되어 있지 않다. 또한, 중간형(102)은 하형 외주 누름부(113)와 함께 이형필름(100)을 파지한 채로 있다. 이 때문에, 이형필름(100)은 도시한 바와 같이, 하형 외주 누름부(112 및 113) 상면에 계속 흡착(고정)되어 있다. 또한, 기판(21)은 클램퍼(101a)에 의해 상형(101) 하면(몰드면)에 계속 고정되어 있다. 그리고, 수지(41) 및 판상 부재(11)는 기판(21) 및 전자 부품(31)과 함께 압축 성형되어 있기 때문에, 하형(111)의 하강에 의해, 기판(21), 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 전자 부품(31) 및 수지(41)에 의해 형성된 수지 밀봉 전자 부품으로부터, 이형필름(100)이 박리된다. 그리고, 롤(104)에 의해 이형필름(100)을 도면 오른쪽 방향 또는 왼쪽 방향으로 송출한다(권취한다).
본 발명에서는, 예를 들어, 본 실시예에 나타낸 바와 같이, 전자 부품의 수지 밀봉을 행할 때 하형 캐비티(111b) 내의 수지(41)(용융 수지 또는 액상 수지) 내에 돌기 전극(12) 전체가 존재한다. 이 상태에서, 전술한 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 위로 움직이면, 수지(41) 내에서 돌기 전극(12)의 선단부와, 기판(21)의 배선 패턴(22)이 물리적으로 맞닿아 접속된다. 이와 같이 함으로써, 예를 들어, 전자 부품의 수지 밀봉 후에 비아 형성공을 천공하는 방법과 비교해, 돌기 전극의 선단과 기판의 배선 패턴이, 그 사이에 수지가 끼어들지 않아 접촉하기 쉽다. 즉, 돌기 전극과 기판의 배선 패턴의 전기적인 접속이 유리해진다. 이는, 예를 들어, 판상 부재가 실드판인 경우의 실드 성능 면에서 유리하다. 또한, 예를 들어, 도 2의 (A) 내지 (D)에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)이 축소될 수 있어도(높이가 낮아질 수 있어도) 된다. 즉, 돌기 전극(12)의 높이가 수지(41)의 두께보다 약간 높아도, 돌기(12c)의 선단이 배선 패턴(22)에 맞닿았을 때, 돌기(12c)가 관통공(12b)측의 공간으로 탄성적으로 이동함(내려감)으로써, 돌기 전극(12)이 줄어들 수 있다. 이에 따라, 전술한 바와 같이, 돌기 전극(12)의 높이를 수지 밀봉 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응해 조정할 수 있다.
다음으로, 도 9 및 도 10에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 8에서는 수지(41)를 판상 부재(11) 상에 탑재하는 '수지 탑재 공정'을 행하고, 그 후, 돌기 전극 구비 판상 부재를 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 '반송 공정'을 행하는 방법에 대해 설명했다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 수지 탑재 공정과 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않는다. 도 9 및 도 10에, 상기 반송 공정 후에 상기 수지 탑재 공정을 행하는 상기 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법의 예를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 방법에서 이용하는 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)는 수지 공급 수단(60)을 갖는 것 외에는, 도 5 내지 도 8의 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)와 동일하다. 단, 도 9 및 도 10에 있어서는, 간략화하기 위해 상형(101), 상형의 홀(관통공)(103), 클램퍼(101a), 기판(21), 배선 패턴(22) 및 전자 부품(31)의 도시를 생략했다. 수지 공급 수단(60)은 도시한 바와 같이, 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성되어 있다. 수지 공급부(61)는 상단 및 하단에 개구가 형성된 프레임 형상이다. 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구는 셔터(62)에 의해 닫혀 있다. 이에 따라, 도 9에 나타내는 바와 같이, 수지 공급부(프레임)(61)와 하부 셔터(62)로 둘러싸인 공간 내에 수지(41)를 수용할 수 있다. 이 상태에서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 수지 공급 수단(60)을 하형 캐비티(111b)의 바로 위(하형(111)과 상형(101) 사이의 공간 내)에 진입시킨다. 그리고, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하부 셔터(62)를 당겨서 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지(41)를 낙하시켜 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)할 수 있다. 또한, 수지(41)는 도 9 및 도 10에서는 과립 수지이나, 특별히 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 5 내지 도 8의 공정 이전의 상기 수지 탑재 공정에서, 도 9 및 도 10과 동일하게 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성된 수지 공급 수단(60)을 이용해도 된다.
도 9 및 도 10에 나타내는 방법에서는, 우선, 상기 반송 공정에서 판상 부재(11) 상에 수지(41)를 탑재하지 않는 것 외에는, 도 5 및 도 6과 동일한 공정을 행한다. 이에 따라, 도 9에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))가 수지(41)를 탑재하고 있지 않은 것 외에는 도 6과 동일한 상태에서, 하형 캐비티(111b)의 캐비티면 상에(이형필름(100)을 개재하고) 올려진다.
다음으로, 상기 수지 탑재 공정에 앞서, 도 9에 나타낸 상태에서, 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열한다(가열 공정). 상기 가열은, 예를 들어, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 행할 수 있다. 이 가열 공정에서, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열팽창시키는 것이 바람직하다. 즉, 이후에 행하는 수지 밀봉 공정에서, 가열에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 팽창이 일어나지 않게 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 수지 밀봉 공정에서 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 위치가 쉽게 어긋나지 않게 되어 위치 정합이 쉬워진다.
또한, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내에서 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 수지(41)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 이 공정은, 예를 들어, 하부 셔터(62)를 당겨서 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지(41)를 낙하시켜 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)한다. 그 후, 도 7 및 도 8과 동일하게 하여 상기 수지 밀봉 공정을 행한다. 한편, 수지(41)는 도 10에서는 과립 수지이나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지(41)가 열가소성 수지(예를 들어, 과립 수지, 분말 수지 등)이고, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 수지(41)를 용융화한 후 냉각해 고화(固化)해도 된다. 또한, 수지(41)가 경화되기 전의 액상의 열경화성 수지이고, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 경화시켜도 된다.
또한, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치의 구조는 도 5 내지 도 10에 나타낸 구조로 한정되지 않고 어떠한 구조여도 되며, 예를 들어, 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나, 또는 그에 준해도 된다. 구체적으로는, 상기 압축 성형 장치의 구조는, 예를 들어, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보, 일본 특허 공개 2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 2010-069656호 공보, 일본 특허 공개 2007-125783호 공보, 일본 특허 공개 2010-036542호 공보 등에 개시된 구조와 동일하거나, 또는 그것에 준해도 된다. 예를 들어, 압축 성형 장치는 도 5 내지 도 10에 나타낸 구조를 대신해, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보의 도 2 내지 도 6과 동일한 구조(중간형을 갖지 않는 대신, 상형에 필름 누름부가 부속되어 있는 구조)여도 된다. 이러한 압축 성형 장치를 이용한 압축 성형 방법(수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법)은, 예를 들어, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보에 기재된 방법과 동일하게 하여 행할 수 있다. 또한, 수지 공급 수단에 대해서는 도 9 및 도 10의 수지 공급 수단(60)을 대신하는 임의의 구성이어도 된다. 예를 들어, 상기 수지 공급 수단은, 일본 특허 공개 2010-036542호 공보에 기재된 수지 재료의 배포 수단(수지 재료의 투입 수단, 계량 수단, 호퍼, 리니어 진동 피더 등을 포함)이어도 된다. 또는, 상기 수지 공급 수단은 일본 특허공개 2007-125783호 공보에 기재된 수지 공급 기구와 같이, 저장부, 계량부, 투입부, 공급부, 셔터, 트레이, 슬릿 등을 구비한 구성이어도 된다. 또한, 예를 들어, 도 5 내지 도 10에 도시하지 않은 하형의 상하 이동기구 등에 대해서는, 상기 일본 특허 공개 2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 2010-069656호 공보 등과 동일하거나 또는 그것에 준해도 되며, 예를 들어 하형 캐비티 바닥면 부재의 아래쪽에 탄성 부재를 접속해도 된다.
또한, 본 실시예에서는 하형 캐비티 내를 감압해 압축 성형하는 방법을 이용했다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 압축 성형(컴프레션 몰드; compression molding)을 이용해도 된다.
또한, 본 발명의 제조 방법은 전술한 바와 같이, 상기 수지 밀봉 공정을 포함하는 제조 방법이지만, 예를 들어, 본 실시예에서 나타낸 바와 같이, 그 외의 임의의 공정을 포함해도 된다.
본 실시예에서는, 전술한 바와 같이, 이형필름 상에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 올려놓고, 그 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송한다. 이에 따라, 예를 들어, 판상 부재 및 그 반송 수단의 구조를 단순화하기 쉽다. 또한, 본 실시예에서는, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 이형필름 상에 올려놓은 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 상기 수지를 탑재한다. 이에 따라, 예를 들어, 도 5 내지 도 10에서, 수지(41)와 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 접촉, 및 하형(111)과 하형 외주 누름부(112)의 공극 내에 수지(41)가 끼어드는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재(수지를 탑재한 상태, 또는 탑재하지 않는 상태)를 반송하는 수단(기구)은, 도 5 내지 도 10의 구성으로 한정되지는 않으며, 다른 임의의 구성을 갖는 반송 수단(반송 기구)이어도 된다. 예를 들어, 상기 이형필름의 형상은, 도 5 내지 도 10에서는 길이가 긴 이형필름을 롤 권취한 이형필름이나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 이형필름의 형상은 길이가 짧은 이형필름, 길이가 긴 이형필름, 롤 권취한 이형필름 등, 어떠한 형상이어도 된다. 예를 들어, 길이가 긴 이형필름 또는 롤권취한 이형필름을 본 발명의 제조 방법에 제공하기에 앞서, 커팅(pre-cut)하여 길이가 짧은 이형필름으로 해도 된다. 프리컷을 한 이형필름을 이용하는 경우, 상기 반송 공정(상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 공정)은 예를 들어, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보의 도 1 및 그 설명과 동일하게 행해도 된다.
[실시예 3]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 압축 성형을 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
도 11 내지 도 14의 공정 단면도에 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 본 실시예는 이형필름(100)을 이용하지 않는 점과, 판상 부재(11)의 형상이 상이한 점에서 실시예 2(도 5 내지 10)와 상이하다.
본 실시예에서는 판상 부재(11)의 둘레부가 융기해 중앙부가 수지 수용부로 되어 있다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이, 판상 부재(11)의 둘레부가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면측으로 융기함으로써, 벽상 부재(11b)를 형성하고 있다. 이에 따라, 판상 부재(11)의 중앙부가 수지 수용부(11c)를 형성한다. 즉, 판상 부재(11)는 그 둘레부가 융기해 벽상 부재(11b)를 형성함으로써, 트레이(상면이 개방된 상자)의 형상을 하고 있다. 그리고, 판상 부재(11)의 중앙부가, 판상 부재(11)의 본체(바닥면부)와 벽상 부재(둘레부)(11b)로 둘러싸인 수지 수용부(상기 트레이형의 오목부)(11c)를 형성하고 있다. 한편, 돌기 전극(12)은 도시한 바와 같이, 판상 부재(11) 본체(바닥면부)에서 상기 수지 수용부(오목부)(11c)측 면에 고정되어 있다. 또한, 벽상 부재(11b)는 판상 부재(11)의 일부이며, 돌기 전극(12)과는 상이하다. 벽상 부재(11b)는, 예를 들어, 방열 부재, 또는 전자파를 실드하는 실드 부재로서의 기능을 갖고 있어도 된다. 판상 부재(11)가 벽상 부재(11b)를 갖는 경우, 돌기 전극(12)의 형상은 특별히 한정되지 않고 임의이나, 예를 들어, 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 상기 판상 돌기 전극인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 수지 수용부(11c) 때문에, 이형필름을 이용하지 않아도 수지(41)와 하형 캐비티 바닥면 부재의 접촉, 및 수지(41)가 하형 외주 누름부와 하형 캐비티 바닥면 부재 사이의 공극 내에 끼어 들어가는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이 때문에, 이형필름 생략에 따른 비용 절감과 함께, 이형필름을 부착하거나 흡착시키는 공정을 생략할 수 있기 때문에 수지 밀봉 전자 부품의 제조 효율 향상으로 연결된다.
본 실시예에 있어서, 성형틀(상형 및 하형)을 포함하는 압축 성형 장치로는, 도 11 내지 도 14에 나타내는 바와 같이, 이형필름의 롤 및 중간형을 갖지 않는 점 외에는 실시예 2와 동일한 것을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 도시한 바와 같이, 상기 압축 성형 장치는 상형(1001)과 하형(1011)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(1011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와, 하형 외주 누름부(하형 본체)(1012)를 포함한다. 하형 외주 누름부(하형 본체)(1012)는 프레임 형태의 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 누름부(1012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 누름부(1012) 사이에는 간극(흡착공)(1011c)이 있다. 이 공극(1011c)을 도 12 및 도 13의 화살표(1014)로 나타내는 바와 같이, 진공 펌프(미도시)로 감압해 판상 부재를 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 압축 성형 후에는 도 14의 화살표(1016)로 나타내는 바와 같이, 이 공극(1011c)으로부터 반대로 공기를 공급해, 상기 판상 부재를 탈리시키는 것이 가능하다. 하형 외주 누름부(1012) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면의 높이보다 높다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면과 하형 외주 누름부(1012) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(1011b)가 형성된다. 또한, 상형(1001)에는 홀(관통공)(1003)이 천공되어 있다. 이에 따라, 도 13의 화살표(1007)로 나타내는 바와 같이, 몰드 체결 후, 홀(1003)로부터 진공 펌프(미도시)로 흡인함으로써, 적어도 하형 캐비티(1011b) 내를 감압할 수 있다. 하형 누름부(1012) 상면의 둘레부에는 탄력성을 갖는 O-링(1012a)이 장착되어 있다. 또한, 도시하지 않았으나, 이 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단 및 반송 수단을 더 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 탑재한다. 상기 반송 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송한다.
본 실시예의 제조 방법에서는, 도 11 내지 도 14에 나타내는 바와 같이, 이형필름을 이용하지 않고 수지 수용부(11c)에 수지(41)를 탑재한 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)의 위치까지 반송한다. 또한, 이형필름을 하형 및 하형 외주 누름부에 흡착시키는 것을 대신해, 도 12의 화살표(1014)로 나타내는 바와 같이, 하형 외주 누름부(1012)와 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 사이의 공극(1011c)을 진공 펌프(미도시)로 감압함으로써, 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면 및 하형 외주 누름부(1012) 내주면)에 흡착시킨다. 그 외에는, 본 실시예(도 11 내지 도 14)의 제조 방법은 실시예 2의 도 5 내지 도 8과 동일하게 행할 수 있다.
도 13 및 도 14에 나타내는 공정(수지 밀봉 공정)은, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 아래와 같이 행할 수 있다. 즉, 우선, 도 12의 상태에서 하형(1011)을 위로 움직이고, 상형(1001)의 몰드면을 하형의 O-링(1012a)의 상단에 맞닿게 한다. 이때, 상형면(상형(1001)의 몰드면)과 하형면(하형(1011)의 몰드면) 사이에 필요한 간격을 유지해 둔다. 즉, 상형(1001)과 하형(1011)의 완전 몰드 체결에 앞서, 양자 사이에 필요한 간격을 유지시킨 중간 몰드 체결을 행한다. 이 중간 몰드 체결시, O-링(1012a)으로 적어도 상하 양쪽 몰드면 사이와 캐비티 공간부를 외기 차단 상태로 설정해, 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 또한, 이때, 도 13의 화살표(1007)로 나타내는 바와 같이, 상기 외기 차단 공간부 내의 공기를 상형의 홀(1003)로부터 강제적으로 흡인해 배출하여, 상기 외기 차단 공간부 내를 소정의 진공도로 설정할 수 있다. 다음으로, 상형면(상형(1001)의 몰드면)과 하형면(하형(1011)의 몰드면)을 닫아 완전 몰드 체결을 행한다. 또한, 캐비티 바닥면 부재(1011a)를 위로 움직인다. 한편, 이때, 수지(41)는 유동성을 갖는 상태로 해둔다. 이에 따라, 도 13에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접촉시키고, 또한 수지(41)에 전자 부품(31)을 침지시키고, 하형 캐비티(1011b) 내의 수지(41)를 가압한다. 이로 인해, 기판(21)에 실장한 전자 부품(31)을 필요한 형상의 수지(41)(경화 수지) 내에 압축 성형(밀봉 성형)할 수 있다. 보다 구체적으로는, 하형 캐비티(1011b) 내에서 기판(21)에 실장한 전자 부품(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 하형 캐비티(1011b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)할 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 성형 패키지(41)의 기판(21)의 반대쪽에 장착된 상태가 된다. 그리고, 수지(41)의 경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 도 14에 나타내는 바와 같이, 상하 양형을 몰드 개방한다. 구체적으로는, 하형(1011)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와, 하형 외주 누름부(1012))을 O-링(1012a)과 함께 하강시킨다. 이에 따라, 하형 캐비티(1011b) 내를 개방해 감압을 해제한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 누름부(1012) 사이의 공극의 감압(진공 흡입)을 해제한다. 화살표(1016)로 나타낸 바와 같이, 반대로 상기 공극에 공기를 공급해도 된다. 이에 따라, 수지 수용부(11c)를 갖는 판상 부재(11), 기판(21), 전자 부품(31), 배선 패턴(22), 및 돌기 전극(12)을 갖는 수지 밀봉 전자 부품(성형품)을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 실시예 2의 도 9 및 도 10과 마찬가지로, 상기 반송 공정 후에 상기 수지 탑재 공정을 행해도 된다. 이 경우, 실시예 2와 마찬가지로 상기 수지 탑재 공정에 앞서, 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열하는 것이 바람직하다(가열 공정). 또한, 이 가열 공정에서 실시예 2와 동일한 이유로 인해, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열팽창시키는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 판상 부재의 형상은 본 실시예 및 실시예 1 및 실시예 2의 형상으로 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 된다. 예를 들어, 상기 판상 부재의 형상은 돌기 전극이 편면에 고정되어 있는 것 외에는, 특허 문헌 2(일본 특허 공개 2013-187340)에 개시된 판상 부재와 동일한 형상이어도 된다. 도 15 및 도 16에, 판상 부재의 형상을 변경한 제조 방법(변형예)의 일례를 각각 나타낸다. 도 15는 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 15에서, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 갖는 것 외에는, 도 5 내지 도 8(실시예 2)과 동일하고, 도 5 내지 도 8과 동일한 압축 성형 장치를 이용해 실시예 2와 마찬가지로 행할 수 있다. 도 16은 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 16에서, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 갖는 것 외에는, 도 11 내지 도 14(실시예 3)와 동일하고, 도 11 내지 도 14와 동일한 압축 성형 장치를 이용해 실시예 3과 동일하게 행할 수 있다. 또한, 도 16의 압축 성형 장치에서는, 도시한 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면에 방열 핀(11a)의 요철 형상과 결합될 수 있는 요철 형상이 형성되어 있다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티 내에서 판상 부재(11)가 안정되고, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면이 방열 핀에 의해 손상되기 어렵다는 이점이 있다. 또한, 방열 핀(11a)은 도 16에 나타내는 바와 같이, 하형 외주 누름부(1012)와 판상 부재(11) 사이에 틈새가 생길 수 없는 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티 내에서 감압에 의한 흡인(화살표(1014))을 효과적으로 행하기 쉽다.
[실시예 4]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 압축 성형을 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
도 17의 단면도에, 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 제조 방법은 하형(121), 상형(마운터)(122) 및 진공 챔버(123)를 이용해 행한다. 하형(121)의 상면은 평탄면으로 되어 있어 수지 밀봉 전자 부품의 기판을 올려놓을 수 있다. 진공 챔버(123)는 수지 밀봉 전자 부품의 형상에 맞춘 통 형상이며, 상기 수지 밀봉 전자 부품의 기판 상에 탑재 가능하다. 상형(122)은 진공 챔버(123)의 내벽에 결합 가능하다.
본 실시예의 제조 방법에서는 우선, 편면에 전자 부품(31) 및 배선 패턴(22)이 고정된 기판(21)의, 상기 전자 부품(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에 액상 수지(열강화성 수지)(41)를 인쇄한다. 다음으로, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극(12)을, 액상 수지(41)를 관통시켜 배선 패턴(22)에 접촉시킨다. 이에 따라, 기판(21), 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 완성품의 수지 밀봉 전자 부품(20)(도 3)과 같은 위치 관계가 되도록 배치된다. 그리고, 예를 들어, 도 17에 나타내는 바와 같이, 하형(121)의 상면에 기판(21), 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 상기 위치 관계(배치)가 되도록 올려놓는다. 이때, 도시한 바와 같이, 기판(21)에서 전자 부품(31)이 배치된 쪽의 반대면이 하형(121)의 상면과 접하도록 하고, 전자 부품(31)이 배치된 면 위에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))를 올리도록 한다.
다음으로, 기판(21) 상면 둘레부의 수지(41)가 배치(탑재)되어 있지 않은 부분에 진공 챔버(123)를 탑재한다. 이에 따라, 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 주위가 진공 챔버(123)로 둘러싸인다. 그리고, 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 위쪽으로부터, 상형(122)을 하강시켜 진공 챔버(123)의 내벽에 끼운다. 이에 따라, 판상 부재(11), 진공 챔버(123) 및 상형(122)으로 둘러싸여 밀폐된 내부 공간 내에, 전자 부품(31), 수지(41) 및 돌기 전극(12)이 수용된다. 또한, 상기 내부 공간 내를 진공 펌프(미도시)로 감압한다. 이에 따라, 전자 부품(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 상형(122)으로 가압된다. 그리고, 그 상태에서 액상 수지(열강화성 수지)(41)를 가열하고, 경화시켜 전자 부품(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)과 함께 수지 밀봉한다. 액상 수지(41)의 가열은, 예를 들어, 하형(121)의 가열에 의해 행할 수 있다. 이와 같이 하여, 도 3에 나타낸 수지 밀봉 전자 부품(20)과 동일한 수지 밀봉 전자 부품을 제조할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 예를 들어, 진공 챔버에 의한 감압을 생략해도 된다. 단, 예를 들어, 판상 부재와 수지 사이에 공기나 틈새가 허용되지 않는 경우 등은, 진공 챔버에 의한 감압을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 진공 챔버에 의한 감압을 생략하는 경우, 상형(마운터)에 의한 가압은 해도 되고, 하지 않아도 된다.
또한, 도 18의 단면도에, 본 실시예의 제조 방법의 변형예를 모식적으로 나타낸다. 도 18의 제조 방법은 기판(21)의 상기 전자 부품(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에 인쇄를 대신해 액상 수지(열경화성 수지)(41a)를 도포하는 것, 및 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 18에서 상형(122)과 대향하는 면)에 방열 핀(11a)을 갖는 것 외에는, 도 17의 제조 방법과 동일하다. 한편, 도 17의 제조 방법에서, 도 18과 동일하게 방열 핀을 갖는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 되고, 반대로 도 18의 제조 방법에서 도 17과 동일하게 방열 핀을 갖지 않는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 된다. 또한, 예를 들어, 도 17 또는 도 18에서 수지의 인쇄 또는 도포를 대신해, 시트 수지의 라미네이트, 수지의 스핀코트 등에 의해 기판(21)의 상기 전자 부품(31) 및 배선 배턴(22) 고정면 상에 수지(41 또는 41a)를 배치해도 된다.
[실시예 5]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 압축 성형을 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
본 실시예에서는, 프리컷을 한 이형필름과, 관통공(수지 공급부)을 갖는 직사각형의 프레임(프레임)를 이용하는 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법 및 압축 성형 장치(전자 부품의 수지 밀봉 장치)에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 수지 재료(과립 수지)를 탑재한 상태로, 하형 캐비티의 위치까지 반송해 하형 캐비티 내에 공급 세팅한다.
본 실시예에서는, 프리컷을 한 이형필름 위에 프레임을 배치하고, 프레임 관통공(수지 공급부) 내의 이형필름 상에, 과립 수지를 탑재한 돌기 전극 구비 판상 부재를 배치한다. 이에 따라, 상기 과립 수지가 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상으로부터 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 수지 재료가 과립 수지인 경우에 대해 설명하나, 과립 수지 외의 임의의 수지(예를 들어, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트상 수지, 필름상 수지, 페이스트상 수지 등)에 대해서도 동일하게 행할 수 있다.
이하, 도 19 내지 22를 이용해, 본 실시예에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
우선, 도 19를 이용해 본 실시예에서의 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)에 대해 설명한다. 도 19는 상기 압축 성형 장치의 일부인 성형틀(금형)의 일부 구조를 나타내는 개략도이다. 또한, 도 19는 이 성형틀에 수지 재료를 공급하기 전의 몰드 개방 상태를 나타내고 있다.
도 19의 압축 성형 장치는 실시예 3(도 11 내지 도 14)에 비해 성형틀이 상형 및 하형을 포함하는 점에서 동일하나, 상형 외기 차단 부재 및 하형 외기 차단 부재를 포함하는 점이 상이하다. 보다 구체적으로는 아래와 같다. 즉, 도 19의 압축 성형 장치는 도시한 바와 같이, 상형(2001)과, 상형에 대향배치된 하형(2011)을 주요 구성 요소로 한다. 상형(2001)은 상형 베이스 플레이트(2002)에 매달린 상태로 마련되어 있다. 상형 베이스 플레이트(2002) 상에서의 상형(2001)의 외주 위치에는, 상형 외기 차단 부재(2004)가 마련되어 있다. 상형 외기 차단 부재(2004)의 상단면(상형 베이스 플레이트(2002)와 상형 외기 차단 부재(2004)의 사이 부분)에는, 외기 차단용 O-링(2004a)이 마련되어 있다. 또한, 상형 외기 차단 부재(2004)의 하단면에도 외기 차단용 O-링(2004b)이 마련되어 있다. 또한, 상형 베이스 플레이트(2002)에는 몰드 내 공간부의 공기를 강제적으로 흡인해 배출하기 위한 홀(2003)이 마련되어 있다. 상형(2001)의 몰드면(하면)에는 전자 부품(31)을 실장한 기판(21)을, 전자 부품(31) 실장면측이 하방을 향한 상태로 공급 세팅(장착)하는 기판 세트부(2001a)가 마련되어 있다. 기판(21)은 예를 들어, 클램퍼(미도시) 등에 의해 기판 세트부(2001a)에 장착할 수 있다. 또한, 기판(21)에서의 전자 부품(31) 실장면에는, 상기 각 실시예와 동일하게 배선 패턴(22)이 마련되어 있다.
또한, 하형(2011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a), 하형 외주 누름부(2012) 및 탄성 부재(2012a)로 형성되어 있다. 또한, 하형(2011)은 그 몰드면에 수지 성형용 공간인 캐비티(하형 캐비티)(2011b)를 포함한다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)는 하형 캐비티(2011b)의 아래쪽에 마련되어 있다. 하형 외주 누름부(하형의 프레임, 캐비티 측면 부재)(2012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 외주 누름부(2012) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면의 높이보다 높다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면과 하형 외주 누름부(2012) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(2011b)가 형성된다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011)와 하형 외주 누름부(2012) 사이에는, 간극(흡착공)(2011c)이 있다. 이 공극(2011c)을, 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(미도시)로 감압해 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 하형(2011 및 하형 외주 누름부(2012)는 하형 베이스 플레이트(2010)에 올려놓은 상태로 마련되어 있다. 하형 외주 누름부(2012)와 하형 베이스 플레이트(2010) 사이에는, 완충용 탄성 부재(2012a)가 마련되어 있다. 또한, 하형 베이스 플레이트(2010) 상에서 하형 외주 누름부(2012)의 외주 위치에는, 하형 외기 차단 부재(2013)가 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)의 하단면(하형 베이스 플레이트(2010)와 하형 외기 차단 부재(2013)의 사이 부분)에는, 외기 차단용 O-링(2013a)이 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)는 상형 외기 차단 부재(2004) 및 외기 차단용 O-링(2004b)의 바로 아래에 배치되어 있다. 이상의 구성을 가짐으로써, 상하 양형의 몰드 체결시에, O-링(2004a 및 2004b)을 포함하는 상형 외기 차단 부재(2004)와, O-링(2013a)를 포함하는 하형 외기 차단 부재(2013)를 접하게 함으로써, 적어도 하형 캐비티 내를 외기 차단 상태로 할 수 있다.
다음으로, 이 압축 성형 장치를 이용한 본 실시예의 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법에 대해 설명한다. 즉, 우선, 도 19에 나타내는 바와 같이, 상형(2001)의 몰드면(기판 세트부(2001a))에, 전술한 바와 같이 기판(31)을 장착한다. 또한, 도시한 바와 같이, 관통공을 갖는 직사각형의 프레임(프레임)(70)를 이용해 하형 캐비티(2011b) 내에 과립 수지(41)를 공급한다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이, 미리 필요한 길이로 절단된(프리컷을 한) 이형필름(100) 상에 프레임(70)을 올려놓는다. 이때, 프레임(70)의 하면에서 프리컷을 한 이형필름(100)을 흡착해 고정해도 된다. 다음으로, 프레임(70) 관통공의 위쪽 개구부(수지 공급부)로부터 이형필름(100) 위에, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재를 탑재한다. 이때, 돌기 전극(12)이 위쪽을(이형필름(100)의 반대쪽을) 향한 상태로 한다. 또한, 본 실시예에서는, 돌기 전극 구비 판상 부재는 실시예 2(도 5 내지 도 10)와 동일하게 벽 형상 부재(11b) 및 수지 수용부(오목부)(11c)를 갖고 있지 않다. 또한, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 과립 수지(41)를 평탄화한 상태로 공급(탑재)한다. 이와 같이, 도 19에 나타내는 바와 같이, 판상 부재(11) 및 프레임(70)으로 둘러싸인 공간 내에 수지(41)가 공급되고, 이들이 이형필름(100) 상에 탑재된 '수지 공급 프레임'을 형성할 수 있다. 또한, 상기 수지 공급 프레임을 반송해, 도 19에 나타내는 바와 같이, 몰드 개방 상태에 있는 상형(2001)과 하형(2011) 사이(하형 캐비티(2011b)의 위치)에 진입시킨다.
다음으로, 하형(2011)의 몰드면 상에 상기 수지 공급 프레임을 올려놓는다. 이때, 도 20에 나타내는 바와 같이, 프레임(70)과 하형 외주 누름부(2012) 사이에 이형필름(100)을 끼우고, 하형 캐비티(2011b)의 개구부(하형면)에 프레임(70) 관통공의 하측 개구부를 합치시킨다. 또한, 도 20의 화살표(2014)로 나타내는 바와 같이, 하형의 흡착공(2011c)을 진공 펌프로 흡착해 감압한다. 이에 따라, 도시하는 바와 같이, 하형 캐비티(2011b)의 캐비티 면에 이형필름(100)을 흡착시켜 피복함과 함께, 과립 수지(41)를 하형 캐비티(2011b) 내에 공급해 세팅한다. 또한, 하형(2011)을 가열함으로써, 도시하는 바와 같이, 수지(41)를 용융시킨다. 그 후, 감압(2014)에 의해 하형 캐비티(2011b)의 캐비티 면에 이형필름(100)을 흡착시킨 채로 프레임(70)을 제거한다.
다음으로, 상형과 하형을 몰드 체결한다. 우선, 도 21에 나타내는 바와 같이, 기판면(기판(21)의 전자 부품(31) 고정면)과 하형면을 필요한 간격으로 유지한 상태로 하는 중간적인 몰드 체결을 행한다. 즉, 우선, 도 20에서 프레임(70)을 제거한 상태에서 하형(2011)측을 위로 움직인다. 이에 따라, 도 21에 나타내는 바와 같이, 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)를, O-링(2004b)을 사이에 둔 상태에서 함께 닫는다. 이와 같이 하여, 도 21에 나타내는 바와 같이, 상형(2001), 하형(2011), 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)로 둘러싸인 외기 차단 공간부를 형성한다. 이 상태에서, 도 21의 화살표(2007)로 나타내는 바와 같이, 상형 베이스 플레이트(2002)의 홀(2003)을 통해 적어도 상기 외기 차단 공간부를 진공 펌프(미도시)로 흡인해 감압하여, 소정의 진공도로 설정한다.
또한, 도 22에 나타내는 바와 같이, 기판면과 하형면을 접하게 해 완전 몰드 체결을 행한다. 즉, 도 21의 상태에서 하형(2011)을 보다 위로 움직인다. 이에 따라, 도 22에 나타내는 바와 같이, 상형(2001)에 공급 세팅된 기판(21)의 기판면(전자 부품(31) 고정면)에 하형 외주 누름부(2012)의 상면을, 이형필름(100)을 개재하여(사이에 끼우고) 맞닿게 한다. 그리고, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)를 하형 베이스 플레이트(2010) 및 하형(2011)의 다른 부재와 함께 더 위로 움직인다. 이때, 수지(41)가 유동성을 갖는 상태로 해둔다. 이에 따라, 도 22에 나타내는 바와 같이, 기판(21)의 배선 패턴(22)에 돌기 전극(12)의 선단을 맞닿게 할(접촉시킬) 뿐만 아니라, 하형 캐비티(2011b) 내에서 수지(41)에 전자 부품(31)을 침지시키고, 또한 수지(41)를 가압한다. 한편, 이때, 도시하는 바와 같이, 탄성 부재(2012a 및 O-링2004a, 2004b, 2013a)이 수축해 쿠션의 기능을 한다. 이에 따라, 전술한 바와 같이, 수지(41)를 가압해 압축 성형한다. 그리고, 수지(41)를 경화시킨다. 이와 같이 하여, 판상 부재(11)에서의 돌기 전극(12) 고정면과, 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면 사이에서, 전자 부품(31)을 수지(41)에 의해 밀봉할 뿐만 아니라, 돌기 전극(12)을 배선 패턴(22)에 접촉시킬 수 있다(수지 밀봉 공정). 수지(41)의 경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 실시예 2 또는 실시예 3(도 8 또는 도 14)과 동일한 순서로 상하 양형을 몰드 개방한다. 이에 따라, 하형 캐비티(2011b) 내에서 기판(21), 전자 부품(31), 배선 패턴(22), 수지(41), 돌기 전극(12) 및 판상 부재(11)로 이루어지는 성형품(수지 밀봉 전자 부품)을 얻을 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치(수지 밀봉 전자 부품의 제조 장치)의 구조는 도 19 내지 22의 구조에 한정되지 않으며, 예를 들어, 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나 또는 그것에 준해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어, 일본 특허 공개 2013-187340호 공보, 일본 특허 공개 2005-225133호 공보, 일본 특허 공개 2010-069656호 공보, 일본 특허 공개 2007-125783호 공보, 일본 특허 공개 2010-036542호 공보 등에 나타난 구조와 동일하거나 또는 그것에 준해도 된다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 취지에서 일탈하지 않는 범위 내에서 필요에 따라 임의로 적절하게 조합, 변경하거나, 또는 선택하여 채용할 수 있다.
예를 들어, 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극의 형상은 도 2에 나타낸 형상에 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 된다. 일례로, 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극 가운데 적어도 일부가 판상의 형상을 하고 있어도 된다. 그리고, 기판면 상에서 하나의 수지 밀봉 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요 범위를 상기 판상의 전극에서 구획해도 좋다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

Claims (38)

  1. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법으로서,
    제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 수지 밀봉 전자 부품이며,
    상기 제조 방법은,
    성형틀의 상형 또는 하형의 일방에 기판을 장착하는 공정과,
    상기 성형틀의 상형 또는 하형의 타방에 판상 부재 및 돌기 전극을 장착하는 공정과,
    상기 성형틀을 몰드 체결하는 공정과,
    상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖고,
    상기 성형틀을 몰드 체결하는 공정에서는, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극 고정면과, 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키고,
    상기 수지 밀봉 공정에서는, 상기 성형틀이 몰드 체결된 상태에서, 상기 돌기 전극 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  2. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법으로서,
    제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 수지 밀봉 전자 부품이며,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이고,
    상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공은 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하는 관통공이며, 또한
    상기 관통공이 있는 돌기 전극은 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하는 돌기를 갖고,
    상기 제조 방법은, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖고,
    상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극 고정면과, 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉함과 함께, 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  3. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법으로서,
    제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 수지 밀봉 전자 부품이며,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이고,
    상기 전자 부품이 복수 개이며,
    상기 제조 방법은, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖고,
    상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극 고정면과, 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구획하고, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉함과 함께, 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이고,
    상기 전자 부품이 복수 개이며,
    상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구획할 뿐만 아니라, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품을 수지 밀봉하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 갖고,
    상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하며,
    상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 갖는 주상 돌기 전극인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서 트랜스퍼 성형에 의해 상기 전자 부품을 수지 밀봉하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서 압축 성형에 의해 상기 전자 부품을 수지 밀봉하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면 상에 수지 재료를 탑재하는 수지 탑재 공정과,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정을 더 포함하고,
    상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 재료로부터 생성된 유동성 수지에 상기 전자 부품을 침지시킨 상태에서, 상기 유동성 수지를 경화시켜 수지 성형체를 형성하여, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 전자 부품을 수지 밀봉함으로써 상기 수지 밀봉 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서 상기 수지 재료를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 수지 재료가 탑재되어 있지 않은 상태에서 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하고,
    상기 수지 탑재 공정에 앞서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 더 포함하며,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하게 이형필름 상에 탑재된 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반송 공정에서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 탑재되고, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 
    상기 수지 탑재 공정에서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 탑재되고, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지 재료를 공급함으로써, 상기 돌기 전극 고정면 상에 상기 수지 재료를 탑재하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서, 
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이, 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 판상 부재가 수지 수용부를 갖고,
    상기 수지 탑재 공정에서 상기 수지 수용부 내에 상기 수지 재료를 탑재하며,
    상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지 재료가 탑재된 상태에서 행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서,
    상기 배선 패턴 형성면에 상기 전자 부품이 배치된 상기 기판을, 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하게 기판 탑재대 상에 탑재하고, 또한 상기 배선 패턴 형성 면 상에 상기 수지 재료를 올려놓은 상태에서, 상기 수지 재료를 가압하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  20. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판상 부재가 방열판이고,
    상기 방열판이 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  21. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 성형체를 형성하는 수지가 열가소성 수지 또는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  22. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 성형체를 형성하는 수지가 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트상 수지, 필름상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  23. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 성형체를 형성하는 수지가 투명 수지, 반투명 수지 및 불투명 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  24. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조에 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재로서,
    제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성되며, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 거쳐 제조되는 수지 밀봉 전자 부품이고,
    상기 전자 부품이 복수 개이며,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재는,
    판상 부재와,
    상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 돌기 전극을 포함하고,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이고,
    상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극 고정면과, 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 기판이 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구획되고, 각각의 상기 영역 내에서 상기 전자 부품이 상기 수지 성형체에 의해 밀봉됨과 함께, 상기 돌기 전극이 상기 배선 패턴에 접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 갖고,
    상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하며,
    상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  26. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품의 제조에 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재로서,
    제조되는 상기 수지 밀봉 전자 부품이, 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 상기 기판상에 배선 패턴이 형성되며, 상기 전자 부품을 상기 수지 성형체에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 거쳐 제조되는 수지 밀봉 전자 부품이고,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재는,
    판상 부재와,
    상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 돌기 전극을 포함하고,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이고,
    상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공은 상기 판상 부재의 판면에 평행한 방향으로 관통하는 관통공이며, 또한
    상기 관통공이 있는 돌기 전극은 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면에 수직 방향으로 돌출하는 돌기를 갖고
    상기 수지 밀봉 공정에 있어서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극 고정면과, 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 전자 부품이 상기 수지 성형체에 의해 밀봉됨과 함께, 상기 돌기 전극이 상기 배선 패턴에 접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 갖는 주상 돌기 전극인 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  28. 제24항 또는 제26항에 있어서,
    상기 판상 부재가 수지 수용부를 갖는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면쪽으로 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  30. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 
    상기 판상 부재의 일부가 절개되고, 상기 절개된 일부가 상기 판상 부재의 면 방향에 수직 방향으로 절곡되어 상기 돌기 전극을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  31. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    금속 플레이트에 의해 형성된 상기 판상 부재의 에칭에 의해 상기 돌기 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  32. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    금속 플레이트에 의해 형성된 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 접합하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  33. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    전기 주형에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  34. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    도전성 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  35. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    도전성 수지로 형성된 상기 판상 부재에 상기 돌기 전극을 접합하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  36. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    상기 판상 부재가 수지 플레이트로 형성되고,
    상기 판상 부재 및 상기 돌기 전극에 도전성 도막을 붙이는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  37. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    상기 판상 부재가 금속 플레이트로 형성되고,
    상기 금속 플레이트의 일부를 절개하고, 접어서 상기 돌기 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 전극이 있는 판상 부재의 제조 방법.
  38. 전자 부품을 수지 밀봉한 수지 밀봉 전자 부품으로서,
    상기 수지 밀봉 전자 부품은 기판, 전자 부품, 수지 성형체, 및 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고,
    상기 전자 부품은 상기 기판 상에 배치되고, 상기 수지 성형체에 의해 밀봉되어 있으며,
    상기 기판 상에서 상기 전자 부품이 배치된 쪽에 배선 패턴이 형성되고,
    상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통해 상기 배선 패턴과 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 전자 부품.
KR1020140168298A 2014-04-24 2014-11-28 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 KR101703184B1 (ko)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5767268B2 (ja) * 2013-04-02 2015-08-19 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP6506680B2 (ja) * 2015-11-09 2019-04-24 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP6639931B2 (ja) * 2016-02-02 2020-02-05 Towa株式会社 電子部品の製造装置及び製造方法並びに電子部品
US10964631B2 (en) 2016-02-25 2021-03-30 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor package and module
US10797025B2 (en) * 2016-05-17 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advanced INFO POP and method of forming thereof
JP6723185B2 (ja) * 2017-03-29 2020-07-15 Towa株式会社 成形型、樹脂成形装置、樹脂成形方法、及び樹脂成形品の製造方法
WO2019124024A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 三菱電機株式会社 半導体パッケージおよびその製造方法
JP6655148B1 (ja) * 2018-10-16 2020-02-26 Towa株式会社 搬送装置、樹脂成形装置、搬送方法、及び樹脂成形品の製造方法
USD956833S1 (en) * 2019-10-31 2022-07-05 Towa Corporation Plunger unit
JP2022037315A (ja) * 2020-08-25 2022-03-09 Towa株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP7428384B2 (ja) * 2020-10-06 2024-02-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2022061238A (ja) * 2020-10-06 2022-04-18 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058516A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Murata Mfg Co Ltd モジュールの製造方法
JP2013187340A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Towa Corp 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3241509A1 (de) 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
EP1198005A4 (en) * 1999-03-26 2004-11-24 Hitachi Ltd SEMICONDUCTOR MODULE AND ITS MOUNTING METHOD
US6784541B2 (en) * 2000-01-27 2004-08-31 Hitachi, Ltd. Semiconductor module and mounting method for same
KR20070065455A (ko) * 1999-11-01 2007-06-22 로무 가부시키가이샤 반도체 발광장치
US6680015B2 (en) 2000-02-01 2004-01-20 Cool Options, Inc. Method of manufacturing a heat sink assembly with overmolded carbon matrix
US6909180B2 (en) * 2000-05-12 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same
JP2002025729A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 接触端子素子、接触端子装置およびその製造方法、ならびに半導体装置の測定方法
US20020118465A1 (en) 2001-02-28 2002-08-29 Konica Corporation Molding die for optical element, optical element and master die
US6580167B1 (en) 2001-04-20 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Heat spreader with spring IC package
JP3750646B2 (ja) * 2001-10-29 2006-03-01 住友電気工業株式会社 金属微細構造体の製造方法
US7259445B2 (en) 2002-09-30 2007-08-21 Advanced Interconnect Technologies Limited Thermal enhanced package for block mold assembly
US6775140B2 (en) 2002-10-21 2004-08-10 St Assembly Test Services Ltd. Heat spreaders, heat spreader packages, and fabrication methods for use with flip chip semiconductor devices
JP4326786B2 (ja) * 2002-11-26 2009-09-09 Towa株式会社 樹脂封止装置
TWI220467B (en) * 2003-01-21 2004-08-21 Jau-Ming Chen High efficiency heat dissipation sheet and manufacturing method of the same
JP4373237B2 (ja) 2004-02-13 2009-11-25 Towa株式会社 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
US7235877B2 (en) * 2004-09-23 2007-06-26 International Rectifier Corporation Redistributed solder pads using etched lead frame
JP2006287101A (ja) 2005-04-04 2006-10-19 Toyota Motor Corp パワーモジュール、及び、その製造方法
JP4953619B2 (ja) 2005-11-04 2012-06-13 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形装置
US7989707B2 (en) 2005-12-14 2011-08-02 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Chip embedded substrate and method of producing the same
US8395254B2 (en) 2006-03-30 2013-03-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with heatspreader
JP2007287937A (ja) 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2008277325A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009123863A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Tessera Interconnect Materials Inc バンプ構造形成方法及びバンプ構造
JP2009140962A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
US8390117B2 (en) * 2007-12-11 2013-03-05 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8178956B2 (en) 2007-12-13 2012-05-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system for shielding electromagnetic interference
JP4825784B2 (ja) * 2007-12-13 2011-11-30 新光電気工業株式会社 半導体装置用パッケージおよびその製造方法
JP5153509B2 (ja) 2008-08-08 2013-02-27 Towa株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び金型装置
JP5153536B2 (ja) 2008-09-17 2013-02-27 Towa株式会社 半導体チップの圧縮成形用金型
JP4634497B2 (ja) 2008-11-25 2011-02-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US8513062B2 (en) * 2010-02-16 2013-08-20 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device with a carrier having a cavity and semiconductor device
US8012799B1 (en) 2010-06-08 2011-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of assembling semiconductor device with heat spreader
JP5573422B2 (ja) 2010-06-29 2014-08-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP5678727B2 (ja) * 2011-03-03 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器
JP5840377B2 (ja) * 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
TWI434629B (zh) * 2011-08-19 2014-04-11 Unimicron Technology Corp 半導體封裝結構及其製法
TWI465678B (zh) * 2011-08-29 2014-12-21 Asia Vital Components Co Ltd 均溫板結構及其製造方法
CN102364683A (zh) * 2011-10-21 2012-02-29 华为终端有限公司 封装结构、方法、及电子设备
US8937376B2 (en) 2012-04-16 2015-01-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods
JP5950684B2 (ja) 2012-05-14 2016-07-13 三菱電機株式会社 半導体装置
US20130337614A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 Infineon Technologies Ag Methods for manufacturing a chip package, a method for manufacturing a wafer level package, and a compression apparatus
JP6224960B2 (ja) 2012-09-27 2017-11-01 Dowaメタルテック株式会社 放熱板およびその製造方法
JP6016611B2 (ja) 2012-12-20 2016-10-26 三菱電機株式会社 半導体モジュール、その製造方法およびその接続方法
US9337073B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D shielding case and methods for forming the same
US9257341B2 (en) * 2013-07-02 2016-02-09 Texas Instruments Incorporated Method and structure of packaging semiconductor devices
US9450547B2 (en) * 2013-12-12 2016-09-20 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having an isolation wall to reduce electromagnetic coupling

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058516A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Murata Mfg Co Ltd モジュールの製造方法
JP2013187340A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Towa Corp 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
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