TWI624346B - 樹脂成形裝置及樹脂成形方法 - Google Patents

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Abstract

在樹脂成形裝置(1)，下模(4)具備側面構件(8)與在側面構件(8)內可升降的底面構件(9)。將基板扣銷(17)設置於底面構件(9)內。將已形成貫穿孔及連接電極部的基板(6)固定於上模(3)。使下模(4)上升，並使基板扣銷(17)的前端部與已形成貫穿孔及連接電極部的既定區域密接並推壓。使下模(4)上升，藉側面構件(8)的上面夾緊基板(6)，藉基板扣銷(17)進一步推壓既定區域。因為基板扣銷(17)推壓貫穿孔之周圍及連接電極部的表面，所以可防止流動性樹脂流入貫穿孔之周圍及連接電極部的表面。因此，在既定區域不會形成樹脂成形，可維持進行樹脂密封之前之表面露出的狀態。

Description

樹脂成形裝置及樹脂成形方法
本發明係有關於一種在對電晶體、積體電路(Integrated Circuit：IC)、發光二極體(Light Emitting Diode：LED)等之晶元狀的電子元件(以下以「晶元」稱之)進行樹脂密封的情況等所使用之樹脂成形裝置及樹脂成形方法。
自以往，使用轉移成形法、壓縮成形法(compression mold method)、射出成形法(injection mold method)等之樹脂成形技術，進行藉硬化樹脂對被安裝於導線架、印刷基板、陶瓷基板等之電路基板的IC進行樹脂密封。近年來，由於電路基板之大形化或薄膜化，進而藉三維組裝之電路基板的積層化等的傾向，根據壓縮成形法之樹脂密封的必要性高漲。在本專利說明書，將電路基板適當地稱為「基板」。
根據壓縮成形法之樹脂密封係如以下所示進行。在樹脂成形裝置，將顆粒樹脂供給至設置於下模的模槽並加熱，使其熔化，藉此，產生熔化樹脂(流動性樹脂)。接著，對上模與下模進行鎖模，使被安裝於基板之半導體晶元浸泡於流動性樹脂中。藉模槽底面構件對流動性樹脂施加既定樹脂壓力，使流動性樹脂變硬，而形成硬化樹脂。藉此，藉硬化樹脂對被安裝於基板之半導體晶元進行樹脂密封。
在手機、數位相機等使用稱為PoP(Package on Package)型之被三維組裝的半導體裝置。在三維組裝技術，為了將被安裝半導體晶元之基板積層，需要預先在事後形成在基板之一部分，例如墊等之連接電極部不形成密封樹脂的露出部(開口)。提議藉由將雷射光照射於密封樹脂，形成與墊相通之開口部的方法(例如參照專利文獻1之段落[0008]、第1圖)。藉由經由突起電極連接設置於此露出部的連接電極部與設置於其他的基板之連接電極部，將基板逐漸積層。又，藉由將基板積層，配線之自由度增加，可使配線電阻變小。又，藉由將基板積層，可使製品之組裝面積變小。因此，可實現高性能、高密集的半導體裝置。為了應付這種需要，期望可使基板之一部分露出並進行樹脂密封的樹脂成形裝置。
作為半導體晶元之壓縮成形方法，提議一種壓縮成形方法，「係(省略)半導體晶元之壓縮成形方法，其包含：(省略)配設步驟，係將所要個數之連接電極配設於半導體晶元之周圍；(省略)被覆步驟，係將具有所要之厚度的脫模膜被覆於上述的模具模槽內；(省略)加熱熔化步驟，係將所要量之樹脂材料供給至已被覆脫模膜之模具模槽內並加熱而熔化；(省略)浸泡步驟，係該半導體晶元與其周圍的連接電極浸泡於已被加熱熔化的樹脂材料中；壓縮成形步驟，係以設置於該模具模槽之底面的模槽底面構件對已被加熱熔化之樹脂材料加壓而進行壓縮成形；以及(省略)壓接步驟，係在對該模具模槽內之樹脂材料加壓時，將該連接電極壓接於該脫模膜」(例如參照專利文獻2之段落[0014]、第1圖~第5圖)。
【先行專利文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]特開2013-12522號公報
[專利文獻2]特開2009-181970號公報
可是，在專利文獻2所揭示之壓縮成形方法發生如下所示的課題。如專利文獻2之第1圖、第5圖所示，下模模槽(總大模槽)10構成為設置對應於半導體晶元2的半導體晶元對應部(中模槽)15、與對應於積層用連接電極5的連接電極對應部(小模槽)16。在下模模槽(凹部)10內，半導體晶元對應部(凹部)15的深度形成為比較深，連接電極對應部(凹部)16的深度形成為比較淺。
藉由在與下模模槽(總大模槽)10的形狀對應之總樹脂部17內對半導體晶元與其周圍的連接電極5一起進行壓縮成形，得到已成形基板18。在此時，藉由以被覆於連接電極對應部16之底面16a的脫模膜13對連接電極5的前端部5a壓接，使連接電極5的前端部5a咬入脫模膜13。因此，不使連接電極5的前端部5a浸泡於已加熱熔化的樹脂材料14，而可在使連接電極5的前端部5a從總樹脂部17露出之狀態形成連接電極。
在這種壓縮成形裝置，在下模模槽10明確地分離半導體晶元對應部15與連接電極對應部16。因此，在設計製品時發生設計成完全分離作用為半導體晶元之區域與形成連 接電極之區域的限制。又，因為藉由使用脫模膜將半導體晶元對應部與連接電極對應部分離，所以需要在各成形更換脫模膜。因此，導致製品之費用變高。
本發明係為了解決上述之課題，其目的在於提供一種樹脂成形裝置及樹脂成形方法，在樹脂成形裝置，藉由使用簡單之壓縮成形用的模具，不使用脫模膜，可將露出部設置於基板的既定區域，並進行樹脂密封。
為了解決上述之課題，本發明之樹脂成形裝置係包括：上模；下模，係設置成與該上模相對向；框構件，係至少設置於下模；底面構件，係在至少設置於下模之框構件的內側可對框構件相對地升降；模槽，係由藉框構件與底面構件所包圍之空間所構成；樹脂材料供給機構，係將樹脂材料供給至模槽；基板搬運機構，係將在主面已安裝電子元件之基板搬運至下模與上模之間；第1驅動機構，係使框構件升降；以及第2驅動機構，係使底面構件升降；其特徵為包括：基板扣銷，係設置於框構件或底面構件；及前端部，係設置於基板扣銷；使用第1驅動機構或第2驅動機構，使基板扣銷上升，藉此，使基板扣銷的前端部與設置於基板之主面的既定區域密接並推壓；在使框構件與底面構件上升而上模與下模已被鎖模之狀態，電子元件浸泡於在模槽從樹脂材料所產生的流動性樹脂中，藉流動性樹脂變硬所形成的硬化樹脂，使既定區域從硬化樹脂露出，並對電子元件進行樹脂密封。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之 樹脂成形裝置，在對上模與下模已進行開模之狀態，基板扣銷的前端部形成為比框構件的上面高。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之樹脂成形裝置，具備支撐基板扣銷的彈性體。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之樹脂成形裝置，包括：一個或複數個基板扣銷；安裝板，係被安裝一個或複數個基板扣銷；以及支撐安裝板之一個或複數個的彈性體。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之樹脂成形裝置，基板扣銷的前端部係具有錐部；藉由使用包含錐部的前端部塞住設置於既定區域的孔，防止流動性樹脂流入該孔。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之樹脂成形裝置，基板扣銷的前端部係具有前端面；藉由前端面與基板之既定區域密接，防止流動性樹脂流入既定區域。
又，本發明之樹脂成形裝置的特徵為：在上述之樹脂成形裝置，包括：至少一個成形模組，係具有對上模與下模進行鎖模的鎖模機構；及樹脂材料供給模組，係將樹脂材料供給至一個成形模組；樹脂材料供給模組與一個成形模組係可拆裝，一個成形模組係對其他的成形模組可拆裝。
為了解決上述之課題，本發明之樹脂成形方法係包括：配置步驟，係將在主面已安裝電子元件之基板配置於上模及與該上模相對向的下模之間；供給步驟，係將樹脂材料供給至至少由下模所含的框構件與底面構件所包圍之空間所構 成的模槽；升降步驟，係藉第1驅動機構使框構件升降；以及升降步驟，係在框構件內藉第2驅動機構使底面構件升降；其特徵為包括：上升步驟，係使設置於框構件或底面構件之基板扣銷上升；推壓步驟，係使基板扣銷的前端部與基板之既定區域密接並推壓；推壓步驟，係藉由使框構件上升而藉框構件推壓基板的周緣部；產生步驟，係在模槽內從樹脂材料產生流動性樹脂；浸泡步驟，係使底面構件上升，並使電子元件浸泡於流動性樹脂；以及形成步驟，係使流動性樹脂變硬，而形成硬化樹脂；藉在基板之主面在既定區域以外的區域已硬化的硬化樹脂對電子元件進行樹脂密封。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之樹脂成形方法，在供給樹脂材料的步驟，基板扣銷的前端部位於比框構件之上面更高的位置。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之樹脂成形方法，在推壓之步驟，使用藉彈性體所支撐之基板扣銷。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之樹脂成形方法，在推壓之步驟，使用被安裝於藉一個或複數個彈性體所支撐之安裝板的一個或複數個基板扣銷。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之樹脂成形方法，基板扣銷的前端部係具有錐部；在推壓之步驟，藉由使用包含錐部的前端部塞住設置於既定區域的孔，防止流動性樹脂流入孔。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之 樹脂成形方法，基板扣銷的前端部係具有前端面；在推壓之步驟，藉由使前端面與既定區域密接，防止流動性樹脂流入既定區域。
又，本發明之樹脂成形方法的特徵為：在上述之樹脂成形方法，包括：準備步驟，係準備具有對上模與下模進行鎖模之鎖模機構的至少一個成形模組；及準備步驟，係準備將樹脂材料供給至一個成形模組的樹脂材料供給模組；樹脂材料供給模組與一個成形模組係可拆裝；一個成形模組係對其他的成形模組可拆裝。
若依據本發明，在樹脂成形裝置，包括：上模；下模，係設置成與該上模相對向；框構件，係設置於下模；底面構件，係在設置於下模之框構件的內側可對框構件相對地升降；模槽，係由藉框構件與底面構件所包圍之空間所構成；樹脂材料供給機構，係將樹脂材料供給至模槽；基板搬運機構，係將在主面已安裝電子元件之基板搬運至下模與上模之間；第1驅動機構，係使框構件升降；以及第2驅動機構，係使底面構件升降。使用第1驅動機構或第2驅動機構，使設置於框構件或底面構件之基板扣銷上升，而使基板扣銷的前端部與設置於基板之主面的既定區域密接並推壓。在對該上模與該下模已進行鎖模之狀態，使電子元件浸泡於在模槽從樹脂材料所產生的流動性樹脂中。因為藉基板扣銷推壓基板之既定區域，所以可防止流動性樹脂流入既定區域。因此，在基板之既定區域不會形成密封樹脂，可維持進行樹脂密封之前之表面露出的狀 態。
1‧‧‧樹脂成形裝置
2‧‧‧成形模
3‧‧‧上模
4‧‧‧下模
5‧‧‧半導體晶元(電子元件)
6‧‧‧基板
7‧‧‧吸附孔
8‧‧‧側面構件(框構件)
8a‧‧‧上部構件
8b‧‧‧下部構件
9‧‧‧底面構件
9a‧‧‧上部構件
9b‧‧‧下部構件
10‧‧‧模槽
11‧‧‧彈性構件
12‧‧‧驅動構件
13‧‧‧驅動機構(第1驅動機構、第2驅動機構)
14‧‧‧基座
15‧‧‧驅動機構(第2驅動機構、第1驅動機構)
16‧‧‧空間
17‧‧‧基板扣銷(基板扣件)
17a‧‧‧前端面
17b‧‧‧錐部(前端部)
18‧‧‧彈性構件(彈性體)
19‧‧‧貫穿孔(孔)
20‧‧‧連接電極部
21‧‧‧樹脂材料
22‧‧‧流動性樹脂
23‧‧‧硬化樹脂
24‧‧‧樹脂成形品
25‧‧‧空間
26‧‧‧空間
27‧‧‧基板壓板(安裝板)
28‧‧‧空間
29‧‧‧基板扣銷(基板扣件)
30‧‧‧彈性構件(彈性體)
31‧‧‧基板供給‧收容模組
32A、32B、32C‧‧‧成形模組
33‧‧‧樹脂材料供給模組
34‧‧‧密封前基板
35‧‧‧密封前基板供給部
36‧‧‧已密封基板
37‧‧‧已密封基板收容部
38‧‧‧基板載置部
39‧‧‧基板搬運機構
40‧‧‧X-Y工作台
41‧‧‧樹脂材料收容部
42‧‧‧樹脂材料投入機構
43‧‧‧樹脂材料供給機構
S1、P1、C1、M1‧‧‧既定位置
第1圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示裝置之構成的示意部分剖面圖。
第2圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示將基板配置於上模並將樹脂材料供給至下模之狀態的示意部分剖面圖。
第3圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示使下模上升並使基板扣銷與基板密接之狀態的示意部分剖面圖。
第4圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示使下模更上升並藉側面構件夾緊基板之狀態的示意部分剖面圖。
第5圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示使底面構件上升並對流動性樹脂加壓而產生硬化樹脂之狀態的示意部分剖面圖。
第6圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示使底面構件下降而進行脫模之狀態的示意部分剖面圖。
第7圖係在本發明之樹脂成形裝置的第1實施例，表示使下模下降而進行開模並取出樹脂成形品之狀態的示意部分剖面圖。
第8圖(a)、(b)係表示在第1實施例所使用之基板扣銷的前端部之形狀的示意圖。
第9圖係在本發明之樹脂成形裝置的第2實施例，表示裝置之構成的示意部分剖面圖。
第10圖係在本發明之樹脂成形裝置的第3實施例，表示裝置之構成的示意部分剖面圖。
第11圖係在本發明之樹脂成形裝置的第3實施例，表示使下模上升並藉側面構件夾緊基板之狀態的示意部分剖面圖。
第12圖係在本發明之樹脂成形裝置的第3實施例，表示使底面構件上升並對流動性樹脂加壓而產生硬化樹脂之狀態的示意部分剖面圖。
第13圖係在本發明之樹脂成形裝置的第3實施例，表示使下模下降而進行開模並取出樹脂成形品之狀態的示意部分剖面圖。
第14圖係在本發明之樹脂成形裝置的第4實施例，表示裝置之構成的示意部分剖面圖。
如第1圖所示，在樹脂成形裝置1，下模4包括側面構件8與在側面構件8內可升降之底面構件9。將基板扣銷17設置於構成下模4之底面構件9內。將已形成貫穿孔及連接電極部之基板6固定於上模3。使下模4(側面構件8及底面構件9)上升，並將基板扣銷17的前端部推壓成與貫穿孔及連接電極部密接。使下模4更上升，藉側面構件8的上夾緊基板6，並藉基板扣銷17更推壓貫穿孔及連接電極部。因為基板扣銷17推壓貫穿孔之周圍及連接電極部的表面，所以可防止流動性樹脂流入貫穿孔之周圍及連接電極部的表面。因此，在已形成貫穿孔及連接電極部之既定區域不會形成密封樹脂，而可維持在進行樹脂密封之前之表面露出的狀態。
[第1實施例]
參照第1圖~第8圖，說明本發明之樹脂成形裝置的第1實施例。在本專利說明書中之任一個圖，都為了易於了解，在模式上畫成適當地省略或誇大。對相同之構成元件附加相同的符號，並適當地省略說明。
如第1圖所示，在樹脂成形裝置1，壓縮成形用的成形模2包括上模3、及配置成與上模3相對向的下模4。在上模3，例如設置吸附已安裝半導體晶元5之基板6並固定於上模3的吸附孔7。半導體晶元5被安裝於基板6的主面(在第1圖係下面)。亦可替代吸附孔7，設置藉鉤將基板6固定於上模3的基板固定機構。
下模4包括框狀之側面構件8、及在側面構件8內可對側面構件8相對地升降的底面構件9。由側面構件8及底面構件9所包圍之空間構成在下模4之模槽10。在上模3及下模4，設置對被供給至模槽10的樹脂材料加熱的加熱手段(未圖示)。
側面構件8係經由壓縮彈簧等之彈性構件(第1彈性構件)11與驅動構件12連結。驅動構件12係藉由使用驅動機構(第1驅動機構)13升降。驅動機構13被固定於樹脂成形裝置1的基座14。
底面構件9係藉由使用設置於驅動構件12之驅動機構(第2驅動機構)15，可在側面構件8內獨立地升降。驅動機構15被固定於驅動構件12。在第1圖，將驅動機構15設置於驅動構件12之上。未限定為此，亦可將驅動機構15設置於 驅動構件12的內部。
藉由使用驅動機構13使驅動構件12升降，可使側面構件8與底面構件9同時地上升或下降。即，可藉驅動機構13使下模4升降。藉由使用驅動機構15，底面構件9可在側面構件8內單獨地升降。又，藉由使驅動機構13與驅動機構15同步，外表上，換言之，從樹脂成形裝置1之外部觀察時，可使側面構件8單獨地升降。藉驅動機構13，鎖緊上模3與下模4。
將空間16形成於構成下模4之底面構件9的既定區域，並將基板扣銷17設置於此空間16內。基板扣銷17係藉彈性構件(第2彈性構件)18彈性支撐，並可在空間16內升降。在上模3與下模4已開模之狀態，基板扣銷17構成為其前端部比側面構件8的上面，換言之，模槽10的開口面高。因此，基板扣銷17係以前端部從模槽10突出之方式設置於底面構件9內。在第1圖，以基板扣銷17的前端部所具有之前端面成為平面的方式所形成。基板扣銷17之個數係因應於需要，一個或複數個都可。
基板扣銷17係在進行樹脂密封時推壓成與基板6之既定區域密接。藉此，可防止流動性樹脂進入既定區域。因此，在既定區域不會形成密封樹脂，而可使基板6的一部分露出。基板扣銷17係對應於進行樹脂密封之製品，以其前端部從模槽10突出之方式設置於底面構件9內。在第1實施例所示之樹脂成形裝置1係在不使用脫模膜下進行樹脂成形的裝置。
參照第2圖~第7圖，說明在本發明之樹脂成形裝置1，對基板6進行樹脂密封的動作。在第2圖~第7圖，在省略第1圖所示之驅動機構(第1驅動機構)13與驅動機構(第2驅動機構)15下說明。如第2圖所示，對上模3與下模4進行開模。接著，使用基板搬運機構(無圖示)，將已安裝半導體晶元5之基板6搬運至上模3與下模4之間的既定位置。接著，使基板6向上移動，並使設置於上模3之吸附孔7吸附。在此狀態，基板6係以已安裝半導體晶元5之主面朝向下側的方式被固定於上模3的下面。
在基板6，例如用以插入安裝螺絲、安裝銷、定位銷等之固定件的貫穿孔19或墊等連接電極部20形成於既定區域。此貫穿孔19或連接電極部20係不會形成密封樹脂而在表面仍然露出之狀態下預先殘留的區域。因此，以與此貫穿孔19或連接電極部20對應的方式例如分別將基板扣銷17設置於下模4之底面構件9的既定位置。藉由基板扣銷17的前端面推壓貫穿孔19之周圍或連接電極部20的表面，可在不會形成密封樹脂而使表面露出之區域仍然殘留下進行樹脂密封。此外，亦可替代貫穿孔19，將盲孔形成於既定區域。
接著，使用樹脂材料供給機構(無圖示)，將既定量之樹脂材料21供給至設置於下模4的模槽10。作為樹脂材料21，可使用顆粒狀、粉狀、粒狀、膏狀、果膠狀等之樹脂、或在常溫液狀之樹脂(液狀樹脂)等。在本實施例，說明作為樹脂材料21，使用顆粒狀之樹脂(顆粒樹脂)的情況。藉樹脂材料供給機構將樹脂材料21供給成大致充滿模槽10的容積。
然後，如第3圖所示，藉設置於上模3及下模4之加熱手段(無圖示)對顆粒樹脂21加熱。藉加熱使顆粒樹脂21熔化，而產生流動性樹脂22。樹脂材料21係藉由熔化，其體積大為減少。因此，需要在考慮進行樹脂密封之封裝的厚度下，將既定量之顆粒樹脂21供給至模槽10。此外，在作為樹脂材料21，將液狀樹脂供給至模槽10的情況，該液狀樹脂相當於流動性樹脂22。
接著，使用驅動機構13(參照第1圖)，使驅動構件12上升。藉由使驅動構件12上升，構成下模4之側面構件8與底面構件9同時上升。驅動機構15(參照第1圖)係在仍然停止之狀態與驅動構件12一起上升。藉由底面構件9上升，設置於底面構件9之基板扣銷17的前端部與設置於基板6之貫穿孔19及連接電極部20密接。2支基板扣銷17的前端面分別與貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面密接，並推壓之。藉此，在進行樹脂密封時可防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。
然後，如第4圖所示，藉由使驅動構件12更上升，側面構件8與底構件9同時上升。藉由側面構件8上升，側面構件8的上面與基板6之在主面(在第4圖為下面)的周緣部接觸，並夾緊基板6。藉此，對上模3與下模4進行鎖模。因此，模槽10係被上模3與下模4所密閉。在此狀態，半導體晶元5係尚未浸泡於流動性樹脂22。此外，在此情況，使側面構件8與底面構件9同時上升，並夾緊基板6。未限定為此，亦可僅使側面構件8上升，並夾緊基板6。
藉由底面構件9上升，推壓基板扣銷17之彈性構件(第2彈性構件)18係承受來自基板6的反作用，在空間16被壓縮。藉由彈性構件18被壓縮，基板扣銷17更強力且均勻地推壓貫穿孔19之周圍與連接電極部20的表面。
此外，在對上模3與下模4進行鎖模的過程，使用抽真空機構(無圖示)，對模槽10內抽真空而降壓較佳。藉此，可將殘留於模槽10內之空氣或流動性樹脂22中所含的氣泡等排出至成形模2的外部。
接著，如第5圖所示，使用驅動機構15(參照第1圖)，僅使底面構件9上升。底面構件9在側面構件8內上升。藉此，使半導體晶元5浸泡於模槽10的流動性樹脂22中。因為貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面被基板扣銷17強力地推壓，所以可防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。在此狀態，以既定壓力壓縮流動性樹脂22。藉由以既定溫度加壓既定時間，使流動性樹脂22變硬，而形成硬化樹脂23。藉此，在模槽10之被安裝於基板6的半導體晶元5與基板6的主面(在第5圖為下面)係除了被基板扣銷17推壓的部分(既定區域)以外，藉硬化樹脂23進行樹脂密封。
在樹脂成形裝置1，可使用驅動機構15僅使底面構件9單獨地升降。在基板扣銷17的前端部與貫穿孔19及連接電極部20接觸後，在空間16內彈性構件18變形的範圍內，可使底面構件9上升。因此，在該範圍內，可調整硬化樹脂23的厚度，換言之，封裝的厚度。
然後，如第6圖所示，在形成具有基板6、半導體晶元5以及硬化樹脂23的樹脂成形品24後，在仍然藉側面構件8夾緊基板6之狀態下，使用驅動機構15(參照第1圖)，使底面構件9下降。藉由使底面構件9下降，使底面構件9從樹脂成形品24脫模。使底面構件9下降至基板扣銷17的前端部脫離樹脂成形品24的位置而脫模。因為不使側面構件8下降，僅使底面構件9下降，所以可使底面構件9從樹脂成形品24穩定地脫模。藉由底面構件9下降，被壓縮之彈性構件18係被放開，並上升至起始位置。
藉由底面構件9脫模，在樹脂成形品24，與基板扣銷17的形狀對應之空間25及空間26分別形成於在基板6所形成的貫穿孔19及連接電極部20之上(在第6圖朝向基板6的下側)。因此，在形成貫穿孔19及連接電極部20的既定區域，可維持進行樹脂密封之前之表面露出的狀態。
接著，如第7圖所示，一面使驅動機構13(參照第1圖)與驅動機構15(參照第1圖)同步，一面使驅動構件12下降。在此狀態，上模3與下模4進行開模。然後，在對被進行樹脂密封之樹脂成形品24的吸附停止後，從上模3取出樹脂成形品24。藉基板搬運機構(無圖示)將所取出之樹脂成形品24收容於基板收容部。
在使下模4與樹脂成形品24進行脫模的情況，首先，使底面構件9下降。接著，藉由使側面構件8下降，進行脫模。未限定為此，首先，使側面構件8下降，接著藉由使底面構件9下降，可進行脫模。
第8圖(a)、(b)表示推壓形成於基板6之貫穿孔19的基板扣銷17之前端部的形狀。在第8圖(a)，將基板扣銷17之前端面17a的大小形成為比貫穿孔19的大小更大。因此，藉由基板扣銷17之前端面17a推壓貫穿孔19之周圍，可防止流動性樹脂22從貫穿孔19之周圍流入貫穿孔19內。基板扣銷17之前端面17a係平面或具有大之曲率半徑的曲面(實質上的平面)。此外，第8圖(a)之基板扣銷17係亦可推壓形成於基板6之連接電極部20(第2圖~第7圖)的表面。
在第8圖(b)，將進入貫穿孔19內(基板6的表面與背面之間)之形狀的錐部17b設置於基板扣銷17的前端部。將此錐部17b插入貫穿孔19內，藉錐塞住貫穿孔19。藉由設置錐部17b，可使推壓基板6之推壓變成更大為穩定。因此，藉由錐部17b塞住貫穿孔19，可防止流動性樹脂22從貫穿孔19之周圍流入貫穿孔19內。
亦可將工程塑膠(PTFE、PEEK等)的膜形成於第8圖(a)之基板扣銷17的前端面17a(圖的上面)、與第8圖(b)之基板扣銷17的至少錐部17b的面。藉此，抑制在基板6產生傷痕或變形等。
若依據本實施例，在樹脂成形裝置1，將基板扣銷17設置於構成下模4的底面構件9內。將已形成貫穿孔19及連接電極部20的基板6固定於上模3。藉由使下模4(側面構件8及底面構件9)上升，基板扣銷17的前端部與貫穿孔19及連接電極部20密接並推壓。進而，藉由使下模4上升，側面構件8的上面夾緊基板6，基板扣銷17進一步推壓貫穿孔19 及連接電極部20。因為基板扣銷17推壓貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面，所以可防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。因此，在已形成貫穿孔19及連接電極部20的既定區域不會形成密封樹脂，可維持進行樹脂密封之前之表面露出的狀態。
又，若依據本實施例，在上模3與下模4已進行開模之狀態，基板扣銷17的前端部構成為比側面構件8的上面高。換言之，基板扣銷17的前端部以從模槽10突出之方式設置於底面構件9內。藉由使下模4上升，首先，基板扣銷17與貫穿孔19及連接電極部20密接並推壓。接著，側面構件8的上面與基板6密接，並夾緊基板6。在此狀態，可藉基板扣銷17穩定地強力推壓貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。因此，可確實地防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。
又，若依據本實施例，在樹脂成形裝置1，作成設置2個驅動機構，可分別驅動側面構件8與底面構件9。可使用驅動機構(第1驅動機構)13使側面構件8與底面構件9同時升降。可使用驅動機構(第2驅動機構)15僅使底面構件9升降。進而，藉由使驅動機構13與驅動機構15同步，亦可使側面構件8單獨地升降。因此，在樹脂成形後，可使底面構件9與側面構件8分別地下降，進行脫模。因為可對底面構件9與側面構件8分別進行脫模，所以可易於脫模。
又，若依據本實施例，藉由分別地驅動側面構件8與底面構件9，可易於脫模。因此，不使用脫模膜，就可進行 樹脂密封。因為不使用脫模膜，所以可減少在樹脂密封的材料費，並簡化樹脂成形裝置1的構成。
又，若依據本實施例，在樹脂成形裝置1，將基板扣銷17設置於底面構件9內的空間16。在此空間16內，基板扣銷17係藉彈性構件18彈性支撐。基板扣銷17的前端部與貫穿孔19及連接電極部20接觸後，在空間16內彈性構件18變形的範圍內，可使底面構件9上升。因此，在該範圍內，可調整硬化樹脂23的厚度(封裝的厚度)。
又，若依據本實施例，可藉基板扣銷17使進行樹脂密封之基板6的既定區域露出。因此，不必為了對基板6積層而事後將新的開口設置於樹脂成形品24。因為可易於將露出部形成於基板6的既定區域，所以配線之自由度增加。因此，因為可使製品之配線電阻變小，並可使組裝面積變小，所以可實現高性能、高密集的半導體裝置。
[第2實施例]
參照第9圖，說明本發明之樹脂成形裝置1的第2實施例。與第1實施例之相異係將一個大的空間16形成於底面構件9，並將已配置複數支基板扣銷17的基板壓板27設置於此空間16內。關於除此以外的構成或動作，因為係與第1實施例一樣，所以省略說明。
如第9圖所示，大的空間16形成於底面構件9。將已配置複數支基板扣銷17的基板壓板27設置於此空間16內。基板壓板27係藉一個或複數個彈性構件18彈性支撐，並可在空間16內升降。藉由利用複數個彈性構件18彈性支撐基 板壓板27，可均勻地推壓配置於基板壓板27之複數支基板扣銷17。與第1實施例一樣，在上模3與下模4已開模之狀態，基板扣銷17構成為其前端部比側面構件8的上面高。因此，以基板扣銷17的前端部從模槽10突出的方式將基板壓板27設置於底面構件9的空間16內。
若依據本實施例，具有與第1實施例一樣之效果。此外，因為僅將一個大的空間16形成於底面構件9內，所以可使底面構件9的加工變得簡單。下模4的製作變得容易，而可抑制費用。因此，可降低樹脂成形裝置1之耗費。
[第3實施例]
參照第10圖，說明本發明之樹脂成形裝置1的第3實施例。與第1實施例之相異係將空間形成於側面構件8的既定區域，並將基板扣銷17設置於此空間內。因此，構成下模4之側面構件8與底面構件9的形狀與第1實施例的情況相異。關於除此以外的構成或動作，係與第1實施例一樣。
如第10圖所示，側面構件8係由上部構件8a與下部構件8b所構成。對上部構件8a，下部構件8b係以在內側突出之方式所形成。底面構件9係由上部構件9a與下部構件9b所構成。對下部構件9b，上部構件9a係以在外側突出之方式所形成。由側面構件8之上部構件8a的上部(包含上端面之部分)與底面構件9之上部構件9a所包圍之空間構成在下模4的模槽10。藉驅動機構15，底面構件9的下部構件9b沿著側面構件8之下部構件8b的側面升降。與第1實施例一樣，在上模3與下模4已開模之狀態，側面構件8及底面構件9係可 分別藉不同之驅動機構13及驅動機構15升降。
將空間28形成於構成側面構件8之下部構件8b的既定區域，並將基板扣銷29設置於此空間16內。基板扣銷29係藉彈性構件(第3彈性構件)30彈性支撐，並可在空間28內升降。與第1實施例一樣，在上模3與下模4已開模之狀態，基板扣銷29構成為其前端比側面構件8的上面高。因此，基板扣銷29係以前端從模槽10突出之方式設置於底面構件9內。
參照第11圖~第13圖，說明在本發明之樹脂成形裝置1的第3實施例，對基板6進行樹脂密封的動作。在第11圖~第13圖，在省略第10圖所示之驅動機構(第1驅動機構)13與驅動機構(第2驅動機構)15下說明。在第10圖，因為將基板6固定於上模3的動作與將樹脂材料21供給至模槽10並加熱而產生流動性樹脂22的動作係與第1實施例一樣，所以省略說明。
如第11圖所示，使用驅動機構13(參照第10圖)，使驅動構件12上升，藉此，構成下模4之側面構件8與底面構件9同時上升。首先，設置於側面構件8之基板扣銷29的前端部與設置於基板6之貫穿孔19及連接電極部20密接並推壓。進而，藉驅動機構13使側面構件8與底構件9同時上升。側面構件8的上面與基板6之主面(在第11圖為下面)密接，並夾緊基板6。藉此，對上模3與下模4進行鎖模。
藉由側面構件8上升，推壓基板扣銷29之彈性構件(第3彈性構件)30係承受來自基板6的反作用，在空間28被壓縮。藉由彈性構件30被壓縮，基板扣銷29更強力且均勻 地推壓貫穿孔19之周圍與連接電極部20的表面。
接著，如第12圖所示，使用驅動機構15(參照第10圖)，使底面構件9上升。藉此，使半導體晶元5浸泡於模槽10的流動性樹脂22中。因為貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面被基板扣銷29強力地推壓，所以可防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。在此狀態，以既定壓力壓縮流動性樹脂22。藉由以既定溫度加壓既定時間，使流動性樹脂22變硬，而形成硬化樹脂23。藉此，在模槽10之被安裝於基板6的半導體晶元5與基板6的主面係除了被基板扣銷29推壓的部分(既定區域)以外，藉硬化樹脂23進行樹脂密封。
接著，與第6圖、第7圖所示之步驟一樣，在仍然藉側面構件8夾緊基板6之狀態下，首先，使底面構件9下降。藉由使底面構件9下降，使底面構件9從樹脂成形品24脫模。因為不使側面構件8下降，僅使底面構件9下降，所以可使底面構件9從樹脂成形品24穩定地脫模。接著，一面使驅動機構13(參照第10圖)與驅動機構15(參照第10圖)同步，一面使側面構件8與底面構件9下降至起始位置。如第13圖所示，在此狀態，上模3與下模4進行開模。然後，從上模3取出已進行樹脂密封之樹脂成形品24。
若依據本實施例，在樹脂成形裝置1，將基板扣銷29設置於構成下模4的側面構件8內。將已形成貫穿孔19及連接電極部20的基板6固定於上模3。藉由使下模4(側面構件8及底面構件9)上升，基板扣銷29的前端部與貫穿孔19及 連接電極部20密接並推壓。進而，藉由使下模4上升，側面構件8的上面夾緊基板6，基板扣銷29進一步推壓貫穿孔19及連接電極部20。因為基板扣銷29推壓貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面，所以可防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。因此，在已形成貫穿孔19及連接電極部20的既定區域不會形成密封樹脂，可維持進行樹脂密封之前之表面露出的狀態。
又，若依據本實施例，在上模3與下模4已進行開模之狀態，基板扣銷29的前端部構成為比側面構件8的上面高。換言之，基板扣銷29的前端部以從模槽10突出之方式設置於側面構件8內。藉由使下模4上升，首先，基板扣銷29與貫穿孔19及連接電極部20密接，接著，側面構件8的上面與基板6密接並夾緊。在此狀態，基板扣銷29穩定地強力推壓貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。因此，可確實地防止流動性樹脂22流入貫穿孔19之周圍及連接電極部20的表面。
又，若依據本實施例，在樹脂成形裝置1，將基板扣銷29設置於側面構件8內的空間28。在此空間28內，基板扣銷29係被彈性構件30彈性支撐。基板扣銷29的前端部與貫穿孔19及連接電極部20密接並推壓，在側面構件8夾緊基板6後，彈性構件30係保持在空間28內被壓縮之狀態。在此狀態，可藉驅動機構15使底面構件9上升，因此，在底面構件9上升的範圍內，可不會受到限制地調整硬化樹脂23的厚度(封裝的厚度)。
此外，如第10圖所示，若依據本實施例，分別將一個彈性構件30與基板扣銷29設置於空間28。亦可替代之，使用第9圖所示之已安裝複數支(在第9圖為2支)基板扣銷17的基板壓板27、與彈性支撐基板壓板27之一個或複數個彈性構件18。在此情況，分別將第9圖所示之已安裝複數支基板扣銷17的基板壓板27、與彈性支撐基板壓板27之彈性構件18配置於第10圖中的空間28。
[第4實施例]
參照第14圖，說明本發明之樹脂成形裝置1的第4實施例。第14圖所示之樹脂成形裝置1分別在構成元件上包括基板供給‧收容模組31、3個成形模組32A、32B、32C以及樹脂材料供給模組33。是構成元件之基板供給‧收容模組31、成形模組32A、32B、32C以及樹脂材料供給模組33係分別對其他的構成元件可彼此拆裝，而且可更換。
在基板供給‧收容模組31，設置供給密封前基板34之密封前基板供給部35、收容已密封基板36之已密封基板收容部37、交換密封前基板34及已密封基板36的基板載置部38、以及搬運密封前基板34及已密封基板36的基板搬運機構39。基板載置部38係在基板供給‧收容模組31內，在Y方向移動。基板搬運機構39係在基板供給‧收容模組31及各個成形模組32A、32B、32C內，在X方向及Y方向移動。既定位置S1係在基板搬運機構39不動作之狀態等待的位置。
在各成形模組32A、32B、32C，設置下模4、及配置成與下模4相對向的上模3(參照第1圖)。上模3與下模4 構成成形模2，下模4係由可獨立地升降之側面構件8與底面構件9(參照第1圖)所構成。各成形模組32A、32B、32C具有使側面構件8升降之驅動機構13與使底面構件9升降之驅動機構15(參照第1圖)。由側面構件8與底面構件9所包圍之模槽10被設置於下模4。
在樹脂材料供給模組33，設置X-Y工作台40、被載置於X-Y工作台40上之樹脂材料收容部41、將樹脂材料21(參照第2圖)投入樹脂材料收容部41的樹脂材料投入機構42、以及搬運樹脂材料收容部41並將樹脂材料21供給至模槽10的樹脂材料供給機構43。X-Y工作台40係在樹脂材料供給模組33內在X方向及Y方向移動。樹脂材料供給機構43係在樹脂材料供給模組33及各個成形模組32A、32B、32C內在X方向及Y方向移動。既定位置M1係在樹脂材料供給機構43不動作之狀態等待的位置。
參照第14圖，說明使用樹脂成形裝置1進行樹脂密封的動作。首先，在基板供給‧收容模組31，從密封前基板供給部35將密封前基板34送出至基板載置部38。接著，使基板搬運機構39從既定位置S1在-Y方向移動，並從基板載置部38接受密封前基板34。使基板搬運機構39回到既定位置S1。然後，例如使基板搬運機構39在+X方向移至成形模組32B的既定位置P1。接著，在成形模組32B，使基板搬運機構39在-Y方向移動，並停在下模4上的既定位置C1，然後，使底面構件9向上移動，並將密封前基板34固定於上模3(參照第1圖)。使基板搬運機構39回到基板供給‧收容模組31 的既定位置S1。
然後，在樹脂材料供給模組33，使X-Y工作台40在-Y方向移動，並使樹脂材料收容部41停在樹脂材料投入機構42之下方的既定位置。接著，一面從樹脂材料投入機構42將樹脂材料21(參照第2圖)投入樹脂材料收容部41，一面使X-Y工作台40在X方向及Y方向移動。藉此，從樹脂材料投入機構42將既定量之樹脂材料21投入樹脂材料收容部41。使X-Y工作台40在+Y方向移動，回到原來的位置。
接著，使樹脂材料供給機構43從既定位置M1在-Y方向移動，並接受被載置於X-Y工作台40上的樹脂材料收容部41。使樹脂材料供給機構43回到原來的位置M1。然後，使樹脂材料供給機構43在-X方向移至成形模組32B的既定位置P1。接著，在成形模組32B，使樹脂材料供給機構43在-Y方向移動，並停在下模4上的既定位置C1。然後，使樹脂材料供給機構43下降，並將樹脂材料收容部41所收容的樹脂材料21供給至模槽10。使樹脂材料供給機構43回到既定位置M1。
接著，在成形模組32B，藉由使側面構件8與底面構件9上升，對上模3與下模4進行鎖模(參照第3圖~第5圖)。在經過既定時間後，對上模3與下模4進行開模(參照第6圖、第7圖)。然後，使基板搬運機構39從基板供給、收容模組31的既定位置S1移至下模4上的既定位置C1，並接受已密封基板36。接著，使基板搬運機構39經由既定位置S1移至基板載置部38的上方，並將已密封基板36交給基板載置部38。從 基板載置部38將已密封基板36收容於已密封基板收容部37。依此方式，樹脂密封結束。
在本實施例，將3個成形模組32A、32B、32C在X方向排列地安裝於基板供給‧收容模組31與樹脂材料供給模組33之間。亦可將基板供給‧收容模組31與樹脂材料供給模組33作成一個模組，並將一個成形模組32A在X方向排列地安裝於該模組。藉此，可使成形模組32A、32B、...增減。因此，因為可對應於生產形態或產量，使樹脂成形裝置1的構成變成最佳，所以可提高生產力。
此外，在各實施例，說明了在對半導體晶元進行樹脂密封時所使用的樹脂成形裝置及樹脂成形方法。進行樹脂密封之對象係亦可是IC、電晶體等之半導體晶元，亦可是被動元件之晶元。藉硬化樹脂對被安裝於導線架、印刷基板、陶瓷基板等之基板的一個或複數個晶元進行樹脂密封時可應用本發明。因此，在製造多晶元封裝、多晶元模組、混合IC、電力系之控制模組等時亦可應用本發明。
使用一片基板6所製造之製品的個數係一個或複數個都可。在從一片基板6製造複數個製品的情況，在已密封基板36中之既定邊界線將已密封基板36分離。藉此，使已密封基板36變成個，而製造複數個製品。
作為驅動機構13及驅動機構15與側面構件8及底面構件9的關係，亦可採用如下的構成。首先，為了使底面構件9升降，如第1圖所示，使用被固定於樹脂成形裝置1之基座14的驅動機構13，使驅動構件12升降。以下的構成係在 第1圖未表示。經由與設置於驅動構件12之底面構件9連結之適當的連結構件，使用驅動機構(第2驅動機構)13，使驅動構件12升降，藉此，使底面構件9升降。接著，為了使側面構件8升降，驅動被固定於驅動構件12之驅動機構(第1驅動機構)15。藉此，經由與設置於側面構件8之驅動機構(第1驅動機構)15連結之適當的連結構件，使側面構件8升降。
作為將驅動機構13及驅動機構15固定於樹脂成形裝置1的形態，亦可採用如下的構成。將第1驅動機構13固定於樹脂成形裝置1的基座14，使用第1驅動機構13，使驅動構件12升降。以下的構成係在第1圖未表示。將框狀之架座固定於基座14，並將第1驅動機構13配置於架座的內側。將貫穿孔設置於驅動構件12，將架座配置成在平面圖上與該貫穿孔重疊，藉此，驅動構件12不會被架座妨礙地升降。將安裝板設置於架座，並將驅動機構15固定於該安裝板。根據如下之任一種形態，可使底面構件9與側面構件8完全獨立地升降。作為第1形態，藉使用驅動機構(第1驅動機構)13來升降之驅動構件12使側面構件8升降，並使用驅動機構(第2驅動機構)15使底面構件9升降。
在樹脂成形裝置1說明了將模槽10設置於下模4的例子。未限定為此構成，亦可將模槽10設置於上模3，亦可將模槽10設置於上模3與下模4之雙方。在將模槽10設置於上模3的情況，使用具有高黏度之膏狀、果膠狀等的樹脂材料。在此情況，可將樹脂材料供給至設置於上模3之模槽10的內部。亦可將樹脂材料供給至配置成與設置於上模3之模槽10 相對向的基板6之上。
本發明係未限定為上述之各實施例，可在不超出本發明之主旨的範圍內，因應於需要，任意且適當地組合、變更、或選擇後採用。

Claims (10)

  1. 一種樹脂成形裝置，包括：上模；下模，係設置成與該上模相對向；框構件，係至少設置於該下模；底面構件，係在至少設置於該下模之該框構件的內側可對該框構件相對地升降；模槽，係由藉該框構件與該底面構件所包圍之空間所構成；樹脂材料供給機構，係將樹脂材料供給至該模槽；基板搬運機構，係將在主面已安裝電子元件之基板搬運至該下模與該上模之間；第1驅動機構，係使該框構件升降；以及第2驅動機構，係使該底面構件升降；其特徵為包括：基板扣銷，係設置於該底面構件；及錐部，係設置於該基板扣銷的前端部；彈性支撐該基板扣銷的彈性構件；使用該第2驅動機構，使該基板扣銷上升，藉此，藉由該基板扣銷的該前端部的該錐部推壓設置於該基板之貫穿孔的周圍；在使該框構件與該底面構件上升而對該上模與該下模已進行鎖模之狀態，該電子元件浸泡於在該模槽從該樹脂材料所產生的流動性樹脂中，該流動性樹脂變硬形成硬化樹脂，用該框構件夾緊該基板的狀態下，使該底面構件下降，使該底面構件下降後使該框構件下降，藉此使得該基板及該硬化樹脂從該下模脫模，使該貫穿孔從該硬化樹脂露出，並對該電子元件進行樹脂密封；使該基板扣銷的該前端部與該基板的該貫穿孔的周圍接觸後，在該彈性構件變形的範圍內，用該第2驅動機構使該底面構件上升，調整硬化樹脂的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂成形裝置，其中在對該上模與該下模已進行開模之狀態，該基板扣銷的該前端部形成為比該框構件的上面高。
  3. 如申請專利範圍第1項之樹脂成形裝置，其中包括：安裝板，設置於該基板扣銷和該彈性構件之間。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的樹脂成形裝置，藉由包含該錐部的該前端部塞住該貫穿孔，以防止該流動性樹脂流入該貫穿孔。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的樹脂成形裝置，其中包括：至少一個成形模組，係具有對該上模與該下模進行鎖模的鎖模機構；及樹脂材料供給模組，係將該樹脂材料供給至該一個成形模組；該樹脂材料供給模組與該一個成形模組係可拆裝，該一個成形模組係對其他的成形模組可拆裝。
  6. 一種樹脂成形方法，包括：配置步驟，係將在主面已安裝電子元件之基板配置於上模及與該上模相對向的下模之間；供給步驟，係將樹脂材料供給至至少由該下模所含的框構件與底面構件所包圍之空間所構成的模槽；升降步驟，係藉該第1驅動機構使該框構件升降；以及升降步驟，係在該框構件內藉該第2驅動機構使該底面構件升降；其特徵為包括：上升步驟，係使設置於底面構件並由彈性構件彈性支撐之基板扣銷上升；藉由設置於該基板扣銷的前端部的錐部推壓設置於該基板之貫穿孔的周圍的步驟；藉由使該框構件上升而藉該框構件推壓該基板的周緣部的步驟；產生步驟，係在該模槽內從該樹脂材料產生流動性樹脂；浸泡步驟，係使該底面構件上升，並使該電子元件浸泡於該流動性樹脂；以及形成步驟，係使該流動性樹脂變硬，而形成硬化樹脂；藉在該基板之主面在該貫穿孔的周圍以外的區域已硬化的該硬化樹脂對該電子元件進行樹脂密封，用該框構件夾緊該基板的狀態下，使該底面構件下降，使該底面構件下降後使該框構件下降，藉此使得該基板及該硬化樹脂從該下模脫模；使該基板扣銷的該前端部與該基板的該貫穿孔的周圍接觸後，在該彈性構件變形的範圍內，用該第2驅動機構使該底面構件上升，調整硬化樹脂的厚度。
  7. 如申請專利範圍第6項之樹脂成形方法，其中在該供給樹脂材料的步驟，該基板扣銷的該前端部位於比該框構件之上面更高的位置。
  8. 如申請專利範圍第6項之樹脂成形方法，其中在該推壓之步驟，使用設置於該基板扣銷和該彈性構件之間之安裝板。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項的樹脂成形方法，在該推壓之步驟中，藉由包含該錐部的該前端部塞住該貫穿孔，以防止該流動性樹脂流入該貫穿孔。
  10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項的樹脂成形方法，其中包括：準備步驟，係準備具有對該上模與該下模進行鎖模之鎖模機構的至少一個成形模組；及準備步驟，係準備將該樹脂材料供給至該一個成形模組的樹脂材料供給模組；該樹脂材料供給模組與該一個成形模組係可拆裝；該一個成形模組係對其他的成形模組可拆裝。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6876637B2 (ja) * 2018-01-22 2021-05-26 Ｔｏｗａ株式会社 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6845822B2 (ja) * 2018-03-13 2021-03-24 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法
JP6651582B1 (ja) * 2018-08-21 2020-02-19 アサヒ・エンジニアリング株式会社 樹脂封止成形装置および樹脂封止成形方法
JP6923502B2 (ja) * 2018-11-21 2021-08-18 Ｔｏｗａ株式会社 トランスファ駆動機構、樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法
US20220176602A1 (en) * 2019-04-20 2022-06-09 Inoac Corporation Method of manufacturing composite member, and mold used therein
JP7324634B2 (ja) * 2019-07-18 2023-08-10 Ｔｏｗａ株式会社 骨治療用インプラント、骨治療用インプラントの製造方法及び骨治療用インプラント製造装置
JP2022037315A (ja) 2020-08-25 2022-03-09 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TWI822159B (zh) * 2022-06-30 2023-11-11 萬潤科技股份有限公司 壓合裝置及壓合設備
CN116504702B (zh) * 2023-06-26 2023-09-05 山东联高智能科技有限公司 一种半导体元件加工设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0976282A (ja) * 1995-09-20 1997-03-25 Mitsubishi Eng Plast Kk 電気・電子部品の樹脂封止成形方法及びそれに用いる金型
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2005088395A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Apic Yamada Corp 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
TW201334234A (zh) * 2012-02-02 2013-08-16 Towa Corp 半導體晶片之壓縮樹脂密封成形方法及裝置及樹脂毛邊防止用之帶材

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1086188A (ja) * 1996-09-18 1998-04-07 Sony Corp Ｉｃ用パッケージのモールド装置
KR100401622B1 (ko) * 2000-12-28 2003-10-11 현대자동차주식회사 차량의 글라스 인캡슐레이션용 사출금형
JP4336502B2 (ja) * 2003-01-30 2009-09-30 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
WO2008126527A1 (ja) * 2007-03-13 2008-10-23 Towa Corporation 電子部品の圧縮成形方法およびそれに用いられる装置
JP5192749B2 (ja) * 2007-08-10 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法及び装置
JP5285285B2 (ja) 2008-01-29 2013-09-11 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの圧縮成形方法
JP5086945B2 (ja) * 2008-09-05 2012-11-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP5237346B2 (ja) * 2010-10-14 2013-07-17 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの圧縮成形方法及び圧縮成形型
JP5803014B2 (ja) 2011-06-28 2015-11-04 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5723800B2 (ja) * 2012-02-02 2015-05-27 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの圧縮樹脂封止成形方法及び装置
JP6071216B2 (ja) * 2012-02-28 2017-02-01 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止用材料の製造方法及び樹脂封止装置
JP6057824B2 (ja) * 2013-04-19 2017-01-11 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0976282A (ja) * 1995-09-20 1997-03-25 Mitsubishi Eng Plast Kk 電気・電子部品の樹脂封止成形方法及びそれに用いる金型
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2005088395A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Apic Yamada Corp 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
TW201334234A (zh) * 2012-02-02 2013-08-16 Towa Corp 半導體晶片之壓縮樹脂密封成形方法及裝置及樹脂毛邊防止用之帶材

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