JP2015099944A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層と、
   前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造と、
   前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域と、
   前記閉じ込めヘテロ構造上に形成されかつ透明導電体の位相整合層と、
   前記位相整合層上に形成され、電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層と、
   を備え、
   前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する、
   半導体発光デバイス。
2. 前記非エピタキシャル・クラッド層が、銀（Ａｇ）から構成される、請求項１に記載の半導体発光デバイス。
3. 前記非エピタキシャル・クラッド層が、この発光デバイスの上方クラッド層でもありｐ接触層でもある、請求項１に記載の半導体発光デバイス。
4. 前記非エピタキシャル・クラッド層が、光透過性導電層と前記光透過性導電層上に付着された金属層とから構成される、請求項１に記載の半導体発光デバイス。
5. 前記閉じ込めヘテロ構造上且つ前記非エピタキシャル・クラッド層下にストライプとして形成された誘電層を更に備え、
   前記非エピタキシャル・クラッド層が、前記誘電層上に選択的に形成された不連続な横方向リッジ型導波路素子を構成する周期的格子である、請求項１に記載の半導体発光デバイス。
6. 前記位相整合層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を備える、請求項１に記載の半導体発光デバイス。