JP2015536566A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 平坦な支持体の上のナノワイヤのアレイを備えるＬＥＤ構造を物質によって処理する方法であって、物質源で前記物質を生成し、前記物質を線に沿って前記アレイまで移動させることを含み、
   （ｉ）前記物質がたどる前記線と前記支持体の平面とが成す角度は、前記支持体の中心から測定した場合に９０°未満であり、且つ
   （ｉｉ）前記物質は、前記物質により処理される前と比較して前記ナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させることが可能であることを特徴とする方法。
2. 前記物質は絶縁体であり、前記ナノワイヤの前記部分を被覆することにより、前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるか、
   前記物質はＳｉＯ _２ 、Ａｌ _２ Ｏ _３ 、ＳｉＮ、ＴｉＯ _２ 、ＨｆＯ _２ 又はそれらの組み合わせ又は合金を含むか、
   前記物質はＳｉＯ _２ 、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＮ又はＴｉＯ _２ を含むか、又は
   前記物質はＨ ^＋ 原子又はＨ _２ ^＋ 分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記ナノワイヤの前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるために、前記物質は前記部分と反応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記物質はＨｅ^＋、Ｎ^＋、Ｎ_２ ^＋又はＡｒ^＋を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 前記角度は４５°未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記物質は、物理気相成長（ＰＶＤ）により形成され且つ前記ナノワイヤまで移動されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記ナノワイヤは先端部及び側壁を備え、前記アレイは縁部ナノワイヤ及び中央部ナノワイヤを備え、前記角度は、前記中央部ナノワイヤが前記先端部で非導電性にされ且つ前記側壁の全体ではなく一部に沿って非導電性にされるような角度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記方法は、Ａｌ_２Ｏ_３又は他の何らかの誘電体の成膜を含み、前記ナノワイヤの先端部におけるＡｌ_２Ｏ_３の深さは５０〜２００ｎｍの間であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 前記ナノワイヤは、第１の導電型のナノワイヤコアと、第２の導電型のナノワイヤシェルとを備え、
   動作中に光を発生する活性領域を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、前記第１の導電型の半導体ナノワイヤコアは、前記第２の導電型の半導体シェルにより取り囲まれるか、又は、
   前記支持体の層は反射層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と、前記支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、前記ナノワイヤがｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、
    （ｉ）前記ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、
    （ｉｉ）ｐ電極領域と
    を備え、前記ｐ電極領域は、
    （ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分を含むが、前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の第２の部分を含まない非導電層と、
    （ｂ）前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の前記第２の部分と電気的に接触する導電層と、
    （ｃ）前記導電層と電気的に接触する金属コンタクトと
    を備えることを特徴とするＬＥＤ構造。
11. 前記非導電層は、第２グループのナノワイヤのすべての側壁を含み、前記第１グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの内側にあり且つ前記第２グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの外側縁部にあることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
12. 前記非導電層は、前記先端部の最上部及び前記側壁の各部の絶縁材料層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
13. 前記非導電層は、導電率を低下させるか又は零にするために改質されたｐ−ＧａＮシェルの改質部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
14. 前記金属コンタクトは、Ａｌの層、Ｔｉの層及びＡｕの層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
15. 前記Ａｌの層は、前記ｎ電極では前記ｎ−ＧａＮバッファ層と直接接触し、前記ｐ電極では前記導電層と直接接触していることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ構造。