JP3576764B2 - グレーティング結合型面発光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、2次以上の回折格子によって共振器方向と垂直な方向に出力光を取り出すグレーティング結合型面発光装置に関し、特に、半導体レーザ及び半導体光増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、光加入者系システムの実現を目指し、光送受信端末装置の低コスト化の研究開発が盛んに展開されている。光送受信端末装置の低コスト化を実現するには、送信光源となる半導体レーザと光ファイバとをレンズを用いずに直接光結合させることにより、部品点数の削減をはかる必要がある。しかしながら、従来の導波型半導体レーザと光ファイバでは、そのスポットサイズが大きく異なるために結合効率が極めて低い。スポットサイズ変換導波路を集積化した半導体レーザでは、高い光結合効率が得られるものの、半導体レーザと光ファイバとの位置合わせ精度に対するマージンは不十分である。
【0003】
一方、伝送情報量の大容量化に伴い情報処理用の各種光デバイスの開発も盛んである。中でも並列処理を容易にするため面発光型の発光装置が注目される。この面発光装置は、ビーム径が比較的大きいため光結合が容易であるという特徴も有している。特に短波長帯では、サブミリアンペアの発振しきい値を有する高性能な面発光レーザも開発されている。
【0004】
しかしながら、光通信で有用な長波長帯においては、屈折率差の大きい材料系がないため高反射率のミラーが形成できなかったり、材料に固有な非発光成分が多いなどの材料的な制約から、良好な面発光レーザの報告はない。そのため、光通信用や光インターコネクション用に用いられる端面発光レーザのように優れた特性を持つ面発光レーザの登場が望まれている。
【0005】
グレーティング結合型面発光レーザの検討もなされているが、このレーザでは出射する放射モード光が導波路方向に対し2つのピークを持つという問題がある。これを改善するために、複数の位相シフ卜構造を導波路に作り付けることが提案されている。しかし、この場合の放射モード光の発光パターンは、矩形状のパターンであり、ファイバの固有モードであるガウス分布とはかけ離れているため極めて結合効率が悪く、また軸ずれに対するトレランスも小さい。
【0006】
また最近では、面発光装置を、並列光情報処理やCPU間の信号接続のバスラインに適用することが検討されている。面発光装置を多段接続するには、信号である光の減衰を防ぐための面発光型の半導体光増幅器が必要不可欠である。しかしながら、面発光型の半導体レーザに関しては多数の報告例があるものの、面発光型の半導体光増幅器に関する報告例は極めて少ないのが現状である。
【0007】
面発光型半導体光増幅器に関する報告例が少ないのは、導波路型半導体光増幅器と比べて、その構造に起因して本質的に実現が困難であるからである。これは、面発光型半導体光増幅器では、光を増幅する利得媒質である活性層の厚さを十分に厚くすることが必要であることに起因する。現在の結晶成長技術では半導体基板の上に厚さ数ミクロン程度の活性層しか積層できないため、十分な増幅率が得られる面発光型光増幅器を実現するのは極めて困難である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、光加入者系システムの光送受信端末装置の送信光源として面発光レーザが検討されている。しかし、この種のレーザでは、ビーム径を大きくすることはできるが長波長帯では発振しきい値が高くなり、光出力が弱くなるという問題がある。また、グレーティング結合型面発光レーザでは、放射モード光の発光パターンが矩形状であり光ファイバの固有モードであるガウス分布とはかけ離れている。このため、光ファイバとの結合効率が極めて悪く、また軸ずれに対するトレランスも小さいという問題がある。
【0009】
また、従来知られる進行波型の面発光型半導体光増幅器においては、活性層の厚さを厚くすることが困難なために、十分な増幅率を得ることができないという問題がある。
【0010】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、放射モード光の発光パターンを理想に近付けることができ、光ファイバ等との結合効率の向上をはかり得る長波長帯のグレーティング結合型面発光装置を提供することにある。
【0011】
また、本発明の他の目的は、十分な増幅率の得られる進行波型の面発光型半導体光増幅器を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の視点は、グレーティング結合型面発光装置において、
半導体層活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子と、前記回折格子により前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力されることと、
前記回折格子の位相をシフトさせるための位相シフト手段と、前記位相シフト手段は、前記導波モード光の前記前進波成分及び後退波成分が、前記放射モード光として出力される際に、前記放射モード光の中心部分において互いに強め合うように干渉すると共に、前記放射モード光の両側部分において弱め合うように干渉することにより、前記放射モード光がガウス分布を有するように、前記回折格子の周期よりも長い距離に亘って且つ実質的に対称分布形状に配設されることと、
を具備することを特徴とする。
【0013】
本発明の第2の視点は、第1の視点の装置において、前記位相シフト手段は、前記回折格子を含む前記導波路の幅若しくは厚さを変調する手段からなることを特徴とする。
【0014】
本発明の第3の視点は、第1の視点の装置において、前記位相シフト手段は、前記回折格子の周期を変調する手段からなることを特徴とする。
【0015】
本発明の第4の視点は、第1の視点の装置において、前記位相シフト手段は、前記回折格子を含む前記導波路の幅若しくは厚さを変調すると共に、前記回折格子の周期を変調する手段からなることを特徴とする。
【0016】
本発明の第5の視点は、第1の視点の装置において、前記回折格子が同心円状に配設されることを特徴とする。
【0017】
本発明の第6の視点は、第5の視点の装置において、前記位相シフト手段を設けた同心円状の前記回折格子の外側に放射状に配設された1つまたは複数のストライプ状の回折格子を有することを特徴とする。
【0018】
本発明の第7の視点は、第1の視点の装置において、前記回折格子の両側に、前記導波モード光に対して1次の回折格子が配設されることを特徴とする。
【0019】
本発明の第8の視点は、第1の視点の装置において、前記導波路において、前記光出力部に対応する領域はその両側の領域よりも短い吸収端波長を有するように設定されることを特徴とする。
【0020】
本発明の第9の視点は、第8の視点の装置において、前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる組成の材料からなることを特徴とする。
【0021】
本発明の第10の視点は、第8の視点の装置において、前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる井戸幅の多重量子井戸層を具備することを特徴とする。
【0022】
本発明の第11の視点は、第1の視点の装置において、前記光出力部に配設された、前記放射モード光に対して透明な半導体からなる半導体レンズを具備することを特徴とする。
【0023】
本発明の第12の視点は、第11の視点の装置において、前記半導体レンズが凸レンズであり、前記出力部を越えて前記第1及び第2電極間の給電領域に延在する部分を有することを特徴とする。
【0024】
本発明の第13の視点は、第1の視点の装置において、前記活性層、前記第1及び第2半導体層は、Inx Gay Al1−x−y N、(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式で表される材料から基本的になり、前記光出力部に蛍光体層が配設されることを特徴とする。
【0025】
本発明の第14の視点は、第1の視点の装置において、前記活性層を挟んで前記回折格子と対向するように配設された反射低減層を具備することを特徴とする。
【0026】
本発明の第15の視点は、第14の視点の装置において、前記反射低減層を挟んで前記光出力部と対向するように配設された反射ミラー層を具備することを特徴とする。
【0027】
本発明の第16の視点は、第1の視点の装置において、前記導波路により形成される共振器構造の反射率を低下させるため、前記共振器構造が前記放射モード光に対して共振条件を満足することを特徴とする。
【0028】
本発明の第17の視点は、第16の視点の装置において、前記共振器構造を挟んで前記光出力部と対向するように配設された反射ミラー層を具備することを特徴とする。
【0029】
本発明の第18の視点は、第1の視点の装置において、前記活性層及び前記導波路を挟んで前記光出力部と対向するように配設された光入力部を具備し、前記装置が光増幅器として機能することを特徴とする。
【0030】
本発明の第19の視点は、グレーティング結合型面発光装置において、
半導体層活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子と、前記回折格子により前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力されることと、
ここで、前記導波路において、前記光出力部に対応する領域はその両側の領域よりも短い吸収端波長を有するように設定されることと、
を具備することを特徴とする。
【0031】
本発明の第20の視点は、第19の視点の装置において、前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる組成の材料からなることを特徴とする。
【0032】
本発明の第21の視点は、第19の視点の装置において、前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる井戸幅の多重量子井戸層を具備することを特徴とする。
【0033】
本発明の第22の視点は、グレーティング結合型面発光装置において、
半導体層活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子と、前記回折格子により前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力されることと、
前記光出力部に配設された、前記放射モード光に対して透明な半導体からなる半導体レンズと、
を具備することを特徴とする。
【0034】
本発明の第23の視点は、第22の視点の装置において、前記半導体レンズが凸レンズであり、前記出力部を越えて前記第1及び第2電極間の給電領域に延在する部分を有することを特徴とする。
【0035】
本発明の第24の視点は、グレーティング結合型面発光装置において、
半導体層活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子と、前記回折格子により前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力されることと、
前記活性層を挟んで前記回折格子と対向するように配設された反射低減層と、を具備することを特徴とする。
【0036】
本発明の第25の視点は、第24の視点の装置において、前記反射低減層を挟んで前記光出力部と対向するように配設された反射ミラー層を具備することを特徴とする。
【0037】
本発明の第26の視点は、グレーティング結合型面発光装置において、
半導体層活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子と、前記回折格子により前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力されることと、
ここで、前記導波路により形成される共振器構造の反射率を低下させるため、前記共振器構造が前記放射モード光に対して共振条件を満足することと、
を具備することを特徴とする。
【0038】
本発明の第27の視点は、第26の視点の装置において、前記共振器構造を挟んで前記光出力部と対向するように配設された反射ミラー層を具備することを特徴とする。
【0039】
【発明の実施の形態】
図1(a)、(b)は、本発明の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す平面図及び断面図である。
【0040】
図示の如く、n−InP基板111上に、厚さ1.0μmのn−InPクラッド層112、厚さ0.1μmのInGaAsP活性層113(組成波長1.55μm)、及び厚さ0.1μmのInGaAsP導波路層114(組成波長1.3μm)が成長形成される。導波路層114には周期480nmの2次の回折格子115が形成される。導波路層114はエッチングにより、中央付近の20μmに亘って幅が狭いストライプ120として形成される。
【0041】
露出した導波路層114及び活性層113上には、p−InPクラッド層116及びp+ −コンタクト層117が成長形成される。コンタクト層117上に出力開口119aを有するp側電極119が配設される。基板111の裏面にはn側電極118が配設される。なお、上記の各層112、113、114、116、117の形成には有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いた。
【0042】
本実施の形態のレーザによれば、放射モードの発光出力パターンを導波方向に沿った断面においてガウス分布にすることができる。この場合、光フアイバの固有モードと放射光のモードをほぼ一致させることができるため、光ファイバとの結合効率をほぼ100%にすることができる。この利点は、導波路層114に導波モード光に対し2次の回折格子115が配設されると共に、導波路ストラィプ120の幅がある一定区間で導波方向に対称分布となるように狭く形成されることにより得られる。
【0043】
即ち、活性層113からの発光は、導波路層114により、導波路に沿って互いに逆方向に導波される第1及び第2方向成分(図14(b)図示の前進波R及び後退波S)を有する導波モード光となる。導波モード光は、回折格子115により導波路に対して垂直な方向の放射モード光として出力される。
【0044】
導波路ストラィプ120の中央が幅の狭くなった形状は、等価的に、回折格子115の位相をシフトさせるための位相シフト手段として機能する。導波路ストラィプ120の幅の狭い部分、即ち位相シフト手段は、回折格子115の周期よりも長い領域に亘って且つ実質的に対称分布形状に配設される。位相シフト手段は導波モード光の第1及び第2方向成分(前進波R及び後退波S)が、放射モード光として出力される際に、放射モード光の中心部分において互いに強め合うように干渉すると共に、放射モード光の両側部分において弱め合うように干渉するように設定される。これにより、放射モード光がガウス分布を有するようになる。
【0045】
図14(a)は、このようにして得られるガウス分布を有する放射モード光の光強度分布を示す。同図はまた、出力開口119a、前進波R及び後退波Sが互いに強め合うように干渉している領域132、及び前進波R及び後退波Sが互いに弱め合うように干渉している領域134の相互の関係を示す。
【0046】
本実施の形態におけるレーザの出射パターンを観測したところ、スポットサイズ(直径)18μmのガウス分布が得られることを確認できた。しきい値は5mAであり、光出力は10mWであった。また、本実施の形態における光ファイバとの軸ずれトレランスの測定結果を図2に示す。従来のスポットサイズ変換付きレーザに比ベて格段にトレランスが増大していることが分かった。
【0047】
なお、本実施の形態の構成に加え、導波路の中央部20μmを除き両端から50μmの距離に亘って回折格子の周期を240nmとした1次の回折格子を設けて実験を行なった。この場合、両端からの放射モードは無いため、更に効率の良い発光が可能で15mWの出力が得られた。
【0048】
次に、本実施の形態における構造上の特徴の原理について詳述する。
【0049】
前述のように従来のグレーティング結合型表面発光型光デバイスでは、図15(a)に示すように、表面に出射する放射モード光が導波路方向に対し2つのピークを持つという問題がある。これは、図15(b)に示すように、導波路内の前進波Rと後退波Sとの干渉効果によるものであることが知られている。これを改善するために、複数の位相シフト構造を導波路に作り付けることが提案されている。しかし、この場合の放射モード光の発光パターンは、図16に示すように、回折格子位相が急激に変化することにより矩形状のパターンとなり、ファイバの固有モードであるガウス分布とはかけ離れている。そのため、ファイバとの結合効率が極めて悪く、また軸ずれに対するトレランスも小さい。
【0050】
そこで本発明のように、2次以上の次数を有する回折格子を形成してその位相を徐々にシフトさせる位相シフト手段を有することが、大きな意味を持つ。この構成では、位相シフトを徐々に行うために前進波Rと後退波Sとの干渉効果も徐々に変化する。即ち、導波路方向に沿って光出力が弱め合うところから強め合うところまで徐々に変化していく。そのため、放射モードの導波方向の発光出力パターンを、位相シフト量の変化のさせ方を調整することにより自在に制御することが可能である。ちなみに、位相シフト量の変化のさせ方を対称分布にして前進波Rと後退波Sを図14(b)に示すように変化させることにより、図14(a)に示すように放射モード光をガウス分布にすることができる。
【0051】
そして、位相がシフトする領域の長さによりほぼスポットサイズを規定できるため、スポットサイズが10μm以上あるガウス分布にすることも可能である。この場合、光フアイバの固有モードと放射光のモードをほぼ一致させることができるため、結合効率はほぼ100%にすることができる。更に、基本構造は従来の高性能な端面発光型装置をほぼそのまま利用した構造のため、他のレーザ基本特性も優れたものにできる。そのため、光結合が容易で且つ発振しきい値の低い高性能な長波長帯の面発光レーザが得られる。
【0052】
位相シフトを徐々に行う手段としては、図1(a)図示の如く、導波路ストライプの幅或いは厚さをある一定区間で変化させるいわゆる等価位相シフト法が容易である。なお、先の実施の形態では、導波路ストライプ120の中央部分の幅を狭くしたが、逆に、該中央部分の幅を広くするような設計を行なうこともできる。また、後述するように、回折格子の周期そのものを徐々に変化させるチャープトグレーティングを使用しても同様の効果が得られる。
【0053】
図3は、本発明の別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図である。なお、本実施の形態の基本的な構成は図1(a)、(b)図示の実施の形態と共通するため、同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【0054】
本実施の形態が図1(a)、(b)の実施の形態と異なる点は、導波路層114に設けた回折格子115の周期を、周辺部では480nmのままとしているが、中央部に向かうにつれて徐々に短くしている点にある。なお、導波路層114のストライプ幅は一定としてもよいし、先の実施の形態と同様に中央部の一定区間で狭くしたり広くしたりしてもよい。また、回折格子115の周期を中央部分に向かって徐々に長くするような設計を行なうこともできる。導波路層114のストライプ幅を中央部分で広くすると、軸方向空間的ホールバーニングを抑制できるため、高出力でも安定動作が得られる。
【0055】
このような構成であっても、放射モードの導波方向の発光出力パターンをガウス分布にすることができ、先の実施の形態と同様の効果が得られる。そしてこの場合も、光フアイバの固有モードと放射光のモードをほぼ一致させることができるため、光ファイバとの結合効率をほぼ100%にすることができる。
【0056】
なお、上述の2つの実施の形態では材料系としてInP系を用いているが、代わりにGaAs系を用いてもよい。また、同一基板上に複数の装置を集積化することも可能である。更に、回折領域と発光領域はそれぞれ異なる領域であってもよい。
【0057】
図4は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を一部切欠いて示す斜視図である。
【0058】
図示の如く、n−InP基板201上に、n−InPクラッド層202、InGaAsP活性層203(組成波長1.55μm)、InGaAsP導波路層204(組成波長1.3μm)、周期480nmの2次の回折格子205、p−InPクラッド層206、及びp+ −コンタクト層207が形成される。p+ −コンタクト層207上及びn−InP基板201の裏面上にn側電極208及びp側電極209が夫々配設される。
【0059】
本実施の形態は、先の2つの実施の形態とは異なり、回折格子が同心円上に形成される。2次の回折格子205は中央から半径10μmに亘って位相がシフトされる。具体的には、半径10μmの位置から中央に向かうに伴い周期が徐々に短くなっている。
【0060】
本実施の形態におけるレーザの出射パターンを観測したところ、スポットサイズ(直径)18μmのガウス分布が得られることを確認できた。しきい値は5mAであり、光出力は10mWであった。また、光ファイバとの軸ずれトレランスの測定結果は前記図2に示すようになり、従来のスポットサイズ変換付きレーザに比べて格段にトレランスが増大していることが分かった。
【0061】
図5は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を一部切欠いて示す斜視図である。なお、本実施の形態の基本的な構成は図4図示の実施の形態と共通するため、同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【0062】
本実施の形態においても、2次の回折格子205が中央から半径10μmに亘って位相をシフトするように形成される。本実施の形態が図4図示の実施の形態と異なる点は、中央を除く外側領域に、半径100μmに亘って回折格子の周期を240nmとした1次の回折格子210を形成したことにある。
【0063】
このような構成であれば、図4図示の実施の形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、周辺部からの放射モード光がなくなる。実験において、更に効率の良い発光が可能となり、15mWの光出力が得られた。
【0064】
図6(a)〜(d)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す平面図と、同図のVIB −VIB 線、VIC −VIC 線、VID −VID 線に沿った断面図である。
【0065】
n−InP基板231上に、n−InPクラッド層232、InGaAsP活性層233(組成波長1.55μm)、InGaAsP導波路層234(組成波長1.3μm)、周期480nmの2次の回折格子235、p−InPクラッド層236、及びp+ −コンタクト層237が形成される。p+ −コンタクト層237上及びn−InP基板231の裏面上にn側電極238及びp側電極239が夫々配設される。2次の回折格子235は図4図示の実施の形態と同様に、中央から半径10μmに亘って位相がシフトされる。更にその外側に、経線方向に沿って長さ200μmのストライプ状活性領域240が形成される。本実施の形態では更に、ストライプ状活性領域240上に周期が240nmの1次の回折格子241が形成される。
【0066】
本実施の形態の場合、活性領域を効率的に利用することで発振に必要な電流のしきい値を低減することが可能となる。実験において、僅か2mAの注入電流でレーザ発振を得られた。
【0067】
なお、ストライプ状活性領域は図6(a)〜(d)図示のものに限るものではなく、図7(a)〜(c)図示の如く適宜変更可能である。
【0068】
図8は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザ、特に分布帰還型半導体レーザ(DFBレーザ)の導波方向に沿った断面図である。
【0069】
図示の如く、n−InP基板301上に、InGaAsP活性層302、InGaAsP光導波層303、前述の位相シフト手段の付いた2次の回折格子304、p−InPクラッド層305、及びp−InGaAsコンタクト層306が形成される。p−InGaAsコンタクト層306上及びn−InP基板301の裏面上に、Au/Zn/Auからなるp−オーミック電極307及びAuGe/Ni/Auからなるn−オーミック電極308が夫々配設される。活性領域311の中心に、SiO2 からなる絶縁膜309で覆われた光取り出し領域312が配置される。装置の側部はSiNx からなる無反射膜310で覆われる。
【0070】
活性層302の組成波長及び発振波長は1.56μm、光導波層303の組成波長は1.48μmである。光取り出し領域312では、出射光を遮らないように、p−InGaAsコンタクト層306、p−オーミック電極307を光導波層303の上方には設けていない。このため、光導波層303にはキャリアを注入することはできない。
【0071】
しかしながら、光導波層303の組成波長は1.48μmに設定されており、波長1.56μmの発振光は、光導波層303で減衰することなく光取り出し領域312を導波することができる。即ち、本実施の形態においては、導波路領域において組成を変えることにより、光取り出し領域312の吸収端波長がその両側の活性領域311の吸収端波長よりも十分に短波長となるように設定している。これにより、光出力の低下を招くことなく、光出力を上方に取り出すことが可能であり、従来と比較して約2倍の光出力が得られる。
【0072】
図9は、本発明の更に別の実施の形態に係るDFBレーザの導波方向に沿った断面図である。なお、図8と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【0073】
本実施の形態では、活性層302及び光導波層303は、井戸幅の異なるInGaAsP多重量子井戸層から形成される。具体的には、活性層302及び光導波層303は選択成長法により作製した。活性層302よりも光導波層303の方が井戸幅は狭く、光導波層303の吸収端波長は発振波長よりも70nm短波長側に位置する。即ち、本実施の形態においては、導波路領域において多重量子井戸層の井戸幅を変えることにより、光取り出し領域312の吸収端波長がその両側の活性領域311の吸収端波長よりも十分に短波長となるように設定している。従って、光取り出し領域312でキャリアの注入がなくても、発振光は減衰することなく導波することができる。
【0074】
また、活性層302と光導波層303とでは、層厚が異なるためにモード屈折率も異なっている。このため、回折格子304の周期や導波層ストライプ幅が同じであるにも拘らず、光取り出し領域312は等価的に位相シフト手段の役目も担っている。このため、本実施の形態では、共振器方向に沿った断面においてガウス分布を有する出射光が得られる。この結果、光ファイバとの結合効率が高く、位置合わせ精度に対するマージンも大きい。
【0075】
光ファイバとの結合に適したガウス分布の出射光を得るためには、位相シフト量の制御が極めて重要である。本実施の形態では、回折格子304の周期や導波層ストライプ幅を変える必要もなく、活性層302及び光導波層303の層厚と、光取り出し領域312の長さにより位相シフト量が決まる。このため、極めて高精度に位相シフト量を制御することが可能である。
【0076】
即ち、図8及び図9図示の実施の形態は、少なくとも共振器方向の一部に2次の回折格子を有しており、共振器方向と垂直な方向に発振光が放射されるレーザの導波路において、光取り出し領域の吸収端波長がその両側の領域よりも十分短波長となるように設定される。これにより、キャリアの注入がなくても発振光は、光取り出し領域を減衰することなく導波することができる。従って、光出力の低下を生じることなく、導波方向と垂直な方向に光出力を取り出すことが可能となる。なお、これらの実施の形態における吸収端波長に関する特徴は、ガウス分布を得るための位相シフト手段を用いない場合にも利用することができる。
【0077】
なお、図8及び図9図示の実施の形態では、InGaAsP系の半導体レーザについて説明したが、これに限らずAlGaInP系、InGaAsSb系、ZnCdSSe系など、様々な材料系について本発明を適用することができる。また、これらの実施の形態では、共振器全体に2次の回折格子を有するDFBレーザについて説明したが、2次の回折格子は少なくとも光取り出し領域に設けてあればよく、他にも分布ブラッグ反射型半導体レーザ(DBRレーザ)においても本発明は有効である。また、光導波層にはバルク材料を用いてもよいし、多重量子井戸構造を用いてもよい。更に、半導体基板の導電型もn型基板に限るものではない。
【0078】
図10は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図である。以下の構造を作製するため、MOCVD法を用いた。
【0079】
図示の如く、n−InP基板411上に、n−InPクラッド層412、InGaAsP活性層412(組成波長1.55μm)及びInGaAsP光ガイド層413(組成波長1.3μm)が堆積される。光ガイド層413上に周期480nmの2次の回折格子が作製された後、p−InP層414で回折格子が埋め込まれる。
【0080】
次に、SiO2 膜を用いてメサ形状が作製され、半絶縁InP層415でメサ側面が埋設される。このとき、埋設する深さ、p−InP層414の厚さ及びSiO2 膜の幅などにより、円柱型レンズの形状を制御することができる。その後、メサ上部を除く領域に電流ブロックとなるn−InP層416が選択的に堆積される。その上に、p−InPクラッド層417及びp−InGaAs(P)コンタクト層418が堆積される。
【0081】
次に、コンタクト層418がパターニングされ、更に、SiO2 膜419の堆積及び電極420の形成が行われる。具体的には、メサ部からその両側の一定距離部分までの領域、及び光取り出し領域を除いてコンタクト層418が除去される。コンタクト層418除去部分にSiO2 膜419が堆積され、次に、Au/AuZn電極420が形成される。また、装置裏面にはAu/AuGe電極421が形成される。
【0082】
光を取り出す領域の作製するため、該領域においてp−InGaAs(P)コンタクト層418がパターニングの際に除去される。そして、SiO2 膜419の堆積後、この領域には電極420が形成されない。これにより、図11(a)、(b)に示すように光を取り出す領域430が形成される。
【0083】
作製した面発光レーザの導波路に垂直な方向の放射角度を測定したところ、従来の35度に対して、本実施の形態では約5度と狭いことが分かった。これは、端面発光型半導体レーザの数分の一の値である。発振しきい値は12mAであり、光出力は10mWであった。
【0084】
このように本実施の形態によれば、光を出射する半導体表面上に放射モード光に対して透明な半導体からなる凸レンズ或いはフレネルレンズを設けることで放射モードを制御できる。従来の面発光レーザは扇状に発光するのに対し、本実施の形態の半導体レンズを有する面発光レーザでは、放射ビームを円形スポットにでき、光ファイバのスポット径にほぼ一致させることができる。これは、図11(b)図示の如く、導波路方向に垂直な方向の放射モードに作用するように円柱形にレンズが形成されるためである。
【0085】
また、半導体レンズは発光波長に対して透明な半導体層で、円柱形の大きさ、発光層からの位置を自在に制御可能なため、放射角度を自在に制御できる。更に、従来の平坦な電極形成では電流の広がりが大きいため、コンタクト抵抗が増加して、レーザ発振のしきい値上昇を招いていた。本実施の形態においては、電流注入する給電領域においても光を取り出す領域と同様の円柱形構造を採用することができる。この場合、電流の広がりを抑え、コンタクト抵抗を低減でき、低しきい値の面発光レーザが得られる。
【0086】
なお、本実施の形態では活性層を組成波長1.55μmのInGaAsPとしたが、これに限らず適宜変更可能である。また、本実施の形態ではInGaAsP/InP系を例としたが、赤色、青色発光材料系への適用が可能である。
【0087】
次に、本発明を面型半導体光増幅器に適用した実施の形態について説明する。
【0088】
図12(a)〜(c)は、光導波路の中央部において導波路の幅を狭くすることにより位相シフ卜を行う、いわゆる等価位相シフト構造を用いた場合の基板と垂直方向の放射パターンを説明する図である。図12(a)は中央部で幅を変化させた光導波路の模式図、図12(b)は前進波Rと後退波Sの軸方向の電界強度分布、図12(c)は基板と垂直方向に放射される光の軸方向の強度分布であり、|R+S|2 に比例する強度分布となっている。
【0089】
この光導波路の特徴は、位相が徐々に変化する位相シフト構造のある部分で、基板と垂直方向に強い放射が得られることである。また、このときの放射パターンは、位相シフト構造の形状や配置によって制御することが可能である。一方、このような構造の光導波路においては、基板に対して垂直方向に強い放射パターンが得られる位相シフト領域に、基板と垂直方向から光を入射すると、入射光は光導波路に結合される。
【0090】
図13(a)〜(c)は、本発明の更に別の実施の形態に係る面型半導体光増幅器の概略構成を模式的に示す平面図、縦断正面図、及び縦断側面図である。
【0091】
図示の如く、n−InP基板501上に、InGaAsP光導波層502(組成波長1.15μm)、活性層503(組成波長1.3μm)、Feドープ半絶縁性InP層504、n−InP層505、p−InPクラッド層506、及びp−InGaAsPコンタクト層507(組成波長1.15μm)が形成される。p−InGaAsPコンタクト層507上及びn−InP基板501の裏面上にp側電極508及びn側電極509が配設される。光入力領域及び光出力領域においては、電極508、509が除去され、代わりにSiN無反射コート膜510、511で被覆される。
【0092】
光導波層502には、周期が420nmの2次の回折格子が形成され、その中央付近の10μmに亘る部分が、幅を狭くした位相シフト構造となっている。この位相シフト構造の真上と真下に対応する部分で、電極508、509に開口部が形成され、無反射コート膜510、511が施される。これにより、基板の下側から入力光を入射して、基板の上側より出力光を取り出すことが可能となる。
【0093】
図13(a)〜(c)図示の実施の形態の光増幅器においては、電極508、509よりレーザ発振しない程度のバイアス電流を流した状態で使用される。この状態で、基板下側より入射された微弱な波長1.3μmの入力光は、基板に対して水平方向に設けた光導波路で増幅され、基板上側より十分なパワーの出力光として取り出される。即ち、位相シフト構造の部分に入射した入力光は、活性層と水平方向に設けた回折格子付きの光導波路と結合し、活性層を水平方向に伝搬しながら増幅されると共に、基板と垂直方向に出力光として出射される。基板と水平方向の光導波路は数100μm以上と十分に長くすることができるため、十分な増幅率を得ることができる。また、このような構造の面型半導体光増幅器においては、十分な増幅率が得られることに加えて、次のような利点があることも特徴である。
【0094】
まず第1に、出力光のビーム形状を位相シフトの構造により制御することができる。例えば、図13(a)〜(c)図示の構造では、出力光のビーム形状はガウス分布で近似できるような形状となり、光ファイバとの結合を効率良く行うことも可能である。また、また比較的急激に位相を変化させる2個の位相シフトを用いると矩形に近い形状のビームで出力光を取り出すことも可能である。
【0095】
第2に、出力光のビーム形状は、位相シフトの構造のみによって決まり、入力光のビーム形状には依存しないため、本発明の面型光増幅器にはビーム整形機能があるのも特徴のーつである。また第3に、本発明の面型光増幅器においては、回折格子のブラッグ波長に相当する光に対してのみ増幅作用があるため、波長フィルタとしての機能も備えている。
【0096】
なお、上記の実施の形態においてはInP系材料を用いた1.3μm帯の面型半導体増幅器を例にとって説明したが、本発明は本実施の形態に限定されるものではない。GaAs系などの他の材料系或いは他の波長帯においても同様に適用されるものである。また、上記の実施の形態では、回折格子の位相シフトの構造として、光導波路の幅を変化させる手法を用いたが、回折格子の周期を徐々に変化させる、いわゆるチャープトグレーティングなどを用いてもよい。
【0097】
図17は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの導波方向に対して直角な断面図である。
【0098】
図示の如く、サファイア基板551上に、アンドープGaNバッファ層552、n−GaNコンタクト層553、n−GaAlNクラッド層554、活性層555、p−GaAlNクラッド層556、及びp−GaNコンタクト層557が形成される。活性層555は、アンドープGaN光ガイド層555a、InGaN/InGaNからなる量子井戸層555b、及びp−GaN光ガイド層555cの積層構造からなる。活性層555とp−GaAlNクラッド層556との間には、2次の回折格子558が、図17の紙面に対して直角に延びるように形成される。また、回折格子558は、先の幾つかの実施の形態で述べたように、放射モード光がガウス分布を有するように、位相シフト構造を有する。
【0099】
n−GaNコンタクト層553の一部が露出するように、p−GaNコンタクト層557からn−GaAlNクラッド層554までがエッチングされ、メサ563が形成される。露出したn−コンタクト層553の表面にはn側電極561が形成され、p−コンタクト層557の表面にはp側電極562が形成される。また、p−コンタクト層557上の光取り出し領域に対応して、p側電極562には開口部が形成され、この開口部に対応してp−コンタクト層557が蛍光体層559により被覆される。
【0100】
本実施の形態のレーザにおいては、導波路と直角な放射モード光の進行方向上に蛍光対層559が配設されるため、出力光は白色光となる。従来、紫外の発光ダイオードと蛍光体とを用いた白色光源が知られているが、本実施の形態によれば、より発光強度が強く且つ理想的な強度分布を有するレーザ白色光源を提供することができる。実験において、本実施の形態のレーザの光取り出し領域から、概ねガウス分布の高輝度の白色発光を観察することができた。
【0101】
なお、本実施の形態においては、各層の組成を具体的に示したが、それらは、Inx Gay Al1−x−y N、(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式の範囲で種々変更可能である。
【0102】
図18(a)〜(c)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す平面図、断面図、及び導波路の屈折率分布図である。
【0103】
図示如く、n−InP基板611上に、厚さ1.0μmのn−InPクラッド層612、厚さd1のInGaAsP反射低減層613、厚さ0.1μmのInGaAsP活性層614(組成波長1.55μm)、及び厚さ0.1μmのInGaAsP導波路層615が形成される。導波路層615には周期480nmの2次の回折格子616が形成される。導波路層615は一部をエッチングしてストライプ状に形成される。
【0104】
導波路層615及び露出した活性層614上には、p−InPクラッド層617及びp+ −コンタクト層618が成長形成される。コンタクト層618上に一部開口を有するp側電極619が形成され、基板611の裏面にはn側電極620が形成される。また、基板611の裏面は、基板側に放射された光が電極によって反射されて戻り光になるのを防ぐため、曇り硝子状の加工622が施される。p側電極619に形成された開口には出射光を効率よく取り出すための、AR(Anti−reflection )コート621が形成される。
【0105】
ストライプ623は水平方向の導波路構造を規定しており、ストライプ623の中央付近は20μmに亘って幅を狭くして形成される。前述の如く、ストライプ623の幅をある一定区間で導波方向に対称分布となるように狭くすることにより、放射モードの導波方向に沿った断面の発光出力パターンをガウス分布にすることができる。
【0106】
図18(c)は導波路の垂直方向の屈折率分布を示す。図中、InPクラッド層612、反射低減層613、活性層614の屈折率を夫々n11、n12、n13とし、回折格子616によって垂直方向に放射される光の波長をλとすると、
n11<n12<n13
となるように反射低減層の組成を選べば、界面における放射光の反射を抑えることができる。特に、
n12=(n11・n13)1/2
d1=λ/(4n12)×(奇数)
とすれば、よく知られるように、通常0.08程度ある導波路界面における振幅反射率をほぼ0に抑えることが可能となる。例えば、本実施の形態の場合には、n11=3.17、n13=3.70程度であるから、n12=3.42とすればよい(これは砒素の組成比y=0.64に相当する)。
【0107】
更にこのときには、最小の値で、d1=0.114μmとなる。いわゆるλ/4の位相差は往復でπに相当するから、±π/4の作製誤差を許容するとその幅は±0.0285μmになる。
【0108】
このように、本実施の形態によれば、反射低減層613を導波路に導入することにより、界面反射を抑え、干渉によるトータル出力の減少(最大1.5割)を低減すると共に、±1.5割の出力のばらつきをも抑えることができる。
【0109】
図19(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図である。
【0110】
図示の如く、n−InP基板711上に、n−InPクラッド層712、InGaAsP活性層713(1.55μm組成)、InGaAsP導波路層714、周期480nmの2次の回折格子715、p−InPクラッド層716、p+ −コンタクト層717が形成される。p+ −コンタクト層717上及びn−InP基板711上にp側電極718及びn側電極719が夫々配設される。また、基板711の裏面は、基板側に放射された光が電極によって反射されて戻り光になるのを防ぐため、曇り硝子状の加工722が施される。p側電極718に形成された開口には出射光を効率よく取り出すための、AR(Anti−reflection )コート721が形成される。
【0111】
導波路層714は一部をエッチングしてストライプ状に形成されており、このストライプは水平方向の導波路構造を規定している。ストライプの幅はある一定区間で導波方向に対称分布となるように狭くしてあり、放射モードの導波方向に沿った断面の発光出力パターンをガウス分布に制御してある。
【0112】
また、図19(b)は導波路の垂直方向の屈折率分布を示す。図中、クラッド層712、活性層713の屈折率を夫々n31、n32とし、活性層の厚さをd3とし、回折格子715によって垂直方向に放射される光の波長をλとすると、
n32・d3=λ/2×(整数)
とすれば、よく知られるように、導波路によって形成される共振器の共振条件をほぼ満たすことができ、共振器の反射率を低減できる。
【0113】
このように、本実施の形態によれば、導波路による放射モードの反射を抑え、干渉によるトータル出力の減少(最大1.5割)を低減すると共に、±1.5割の出力のばらつきをも抑えることができる。
【0114】
図20(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図である。本実施の形態は、図18(a)〜(c)図示の実施の形態と同様に導波路に反射低減層を有する構造であり、同一部分には同一番号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0115】
本実施の形態は、先の実施の形態とは導波路構造が上下逆転している点が異なり、その他は同様である。つまり、反射低減層613は図18(a)〜(c)図示の実施の形態と同じ条件を満たしている。本実施の形態によれば、反射低減層613を導波路に導入することにより、界面反射を抑え、表面側への放射光の取り出し効率を向上できる。
【0116】
図21(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図である。本実施の形態は、図19(a)、(b)図示の実施の形態と同様に導波路が放射光に対して共振条件を満たす構造であり、同一部分には同一番号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0117】
本実施の形態は、先の実施の形態とは導波路構造が上下逆転している点が異なり、その他は同様である。つまり、活性層713は図20(a)、(b)図示の実施の形態と同じ条件を満たしている。本実施の形態によれば、活性層713が放射光に対して共振条件を満たすようにすることにより、導波路が形成する共振器による反射損失を低減することができる。
【0118】
図22乃至図25は本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図である。これらの実施の形態は、反射ミラーとしてDBR(Distributed Bragg Reflector )624或いは724を加えた点で図18乃至図21図示の実施の形態と異なり、その他は同様である。従って、同一部分には同一番号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0119】
図22、図23、図24、及び図25図示の各実施の形態は、夫々図18、図19、図20、及び図21図示の各実施の形態の改良となる。即ち、図22及び図24図示の構造においては、n−InP基板611とn−InPクラッド層612の間に反射ミラーとしてDBR(Distributed Bragg Reflector )624が挿入される。また、図23及び図25図示の構造においては、n−InP基板711とn−InPクラッド層712の間に反射ミラーとしてDBR(Distributed Bragg Reflector )724が挿入される。
【0120】
これらの実施の形態によれば、先の実施の形態と比較すると、回折格子によって放射された2つの放射光のうち、出力側でない下方向に放射された光をミラーを用いて、出力側の上側に放射された光と効率よく結合することが可能となる。この場合、導波路界面によって反射損失が少ないことが要点となっている。クラッド層612或いは712の厚さを調節することにより、2つの放射光の位相を合わせ、単一放射光の場合のおよそ2倍の出力を得ることができる。なお、ミラーはDBRに限らず、誘電体ミラーや裏面電極による反射でもその機能を満たすものであればよい。
【0121】
図18乃至図25図示の実施の形態によれば、回折格子によって放射された2つの光が導波路領域における層構造の反射で結合し、干渉して弱め合う効果を低減することができる。また、放射光を回折格子から見て活性層と反対側に取り出す場合には、該層構造による反射損失を低減することができる。
【0122】
例えば、回折格子から放射された放射モードの該層構造における干渉を抑制するように、導波路によって構成される層構造の反射界面の一部に低反射構造を設けることができる。この構造は、回折格子が主たる導波路に形成されている場合に有効な構造である。具体的には、活性層から見て回折格子とは反対側の界面に、その界面を構成する材料の中間の屈折率を持ち、反射光の波長の1/4の厚さの膜を挿入する。これにより、2つの光の結合につながる導波路における反射を抑制し、干渉を低減することができる。更に、放射光を活性層から見て回折格子と反対側に取り出す場合には、導波路界面における反射損失そのものを低減することができる。
【0123】
また、導波路領域が放射モードに対して形成する主たる共振器構造の反射率を低減させるように、該放射モード波長における該共振器構造の共振条件を、該共振器構造内の層厚あるいは屈折率を調整することにより満たすようにすることができる。この構造は、回折格子が主たる導波路に形成されていない場合に有効な構造である。これにより、回折格子から放射された光に対して導波路からなる共振器は低反射となり、反対方向に放射された2つの光の結合を抑制し、干渉を低減することができる。更に、放射光を活性層から見て回折格子と反対側に取り出す場合には、導波路界面における反射損失そのものを低減することができる。
【0124】
また、活性領域から見て回折格子とは反対側に反射鏡を更に配設することができる。これにより、出力側と反対側に放射され、通常は損失となる放射光を、導波路によって形成される共振器構造によって低減されることなく、出力側放射光と結合させることができ、有効に出力に寄与させることができる。
【0125】
なお、図18乃至図25図示の実施の形態においては、放射モードの導波方向に沿った断面の発光出力パターンをガウス分布にするため、位相シフト手段として、回折格子のストライプの幅を調節するか、或いは位相を調節している。しかし、これらの実施の形態における反射損失の低減や放射光の取り出し効率の向上等に関する構造の特徴は、ガウス分布を得るための位相シフト手段を用いない場合にも利用することができる。また、これらの構造の特徴は、発光部分ではなく、受動部分、例えば結合器に適用することができる。また、回折領域と発光領域とは夫々異なる領域とすることができる。また、光の取り出しを装置の表側からではなく、基板の裏側から行なう構造としてもよい。更に、上述の実施の形態では材料系としてInP系を用いたが、この代わりに、例えばGaAs系やInGaAlP系、GaN系、或いはその他の光学材料を用いてもよい。
【0126】
【発明の効果】
本発明によれば、高出力で且つ光ファイバ等との結合効率が高いグレーティング結合型面発光装置、例えば半導体レーザ、光増幅器を簡単な構造で実現することができる。その結果、光加人者系で用いる光ネットワーク装置や光情報処理システムで用いる発光装置を低コストで得られるのみならず、その信頼性は高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b)は、夫々本発明の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を示す平面図及び断面図。
【図2】図1図示の実施の形態における光ファイバとの軸ずれトレランスの測定結果を示す図。
【図3】本発明の別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【図4】本発明の更に別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を一部切欠いて示す斜視図。
【図5】本発明の更に別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を一部切欠いて示す斜視図。
【図6】(a)〜(d)は、本発明の更に別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を示す平面図と、同図のVIB −VIB 線、VIC −VIC 線、VID −VID 線に沿った断面図。
【図7】(a)〜(c)は、図6(a)図示のストライプ状活性領域の変更例を示す模式図。
【図8】本発明の更に別の実施の形態に係るDFBレーザの概略構造を示す導波方向に沿った断面図。
【図9】本発明の更に別の実施の形態に係るDFBレーザの概略構造を示す導波方向に沿った断面図。
【図10】本発明の更に別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【図11】(a)、(b)は、図10図示の実施の形態における発光パターンを示す模式図。
【図12】(a)〜(c)は、図13図示の実施の形態における放射パターンを説明するための図。
【図13】(a)〜(c)は、本発明の更に別の実施の形態に係る面型半導体光増幅器の概略構成を模式的に示す平面図、縦断正面図、及び縦断側面図。
【図14】(a)、(b)は、図1図示の実施の形態における放射パターンを説明するための図。
【図15】(a)、(b)は、従来のグレーティング結合型面発光レーザにおける放射パターンを説明するための図。
【図16】複数の位相シフト構造を導波路に作り付けたレーザにおける放射モード光の発光パターンを説明するための図。
【図17】本発明の更に別の実施の形態に係る面発光レーザの概略構造を示す導波方向と直角な断面図。
【図18】(a)〜(c)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す平面図、断面図、及び導波路の屈折率分布図。
【図19】(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図。
【図20】(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図。
【図21】(a)、(b)は、本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図及び導波路の屈折率分布図。
【図22】本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【図23】本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【図24】本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【図25】本発明の更に別の実施の形態に係るグレーティング結合型面発光レーザの概略構造を示す断面図。
【符号の説明】
111…n−InP基板
112…n−InPクラッド層
113…InGaAsP活性層(組成波長1.55μm)
114…InGaAsP導波路層(組成波長1.3μm)
115…2次の回折格子
116…p−InPクラッド層
117…p+ −コンタクト層
118…p側電極
119…n側電極
Claims (9)
- 半導体活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次の次数を有する回折格子であって、これにより前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力される回折格子と、
を具備し、前記回折格子はその位相をシフトさせるための位相シフト手段を含み、前記位相シフト手段は、前記導波モード光の前記前進波成分及び後退波成分が、前記放射モード光として出力される際に、前記放射モード光の中心部分において互いに強め合うように干渉すると共に、前記放射モード光の両側部分において弱め合うように干渉することにより、前記放射モード光がガウス分布を有するように、前記回折格子の周期よりも長い距離に亘って且つ実質的に対称分布形状に配設されることを特徴とするグレーティング結合型面発光装置。 - 前記位相シフト手段は、前記回折格子を含む前記導波路の幅若しくは厚さ、または前記回折格子の周期の少なくとも1つを変調する手段からなることを特徴とする請求項1に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 前記回折格子が同心円状に配設されることを特徴とする請求項1に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 前記位相シフト手段を設けた同心円状の前記回折格子の外側に放射状に配設された1つまたは複数のストライプ状の回折格子を有することを特徴とする請求項3に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 半導体活性層と、
前記活性層を挟んで配設された、夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層と、
前記第1及び第2半導体層に接続された第1及び第2電極と、
前記活性層の発光から、前進波成分及び後退波成分を有する導波モード光を形成するための導波路と、
前記導波路に配設された、前記導波モード光に対して2次以上の次数を有する回折格子であって、これにより前記導波モード光が前記導波路に対して垂直な方向の放射モード光として、光出力部から出力される回折格子と、
を具備し、前記導波路において、前記光出力部に対応する領域はその両側の領域よりも短い吸収端波長を有するように設定されることと、
前記活性層を挟んで前記回折格子と対向するように反射低減層が配設されることと、
を特徴とするグレーティング結合型面発光装置。 - 前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる組成の材料からなることを特徴とする請求項5に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 前記光出力部に対応する領域及びその両側の領域は互いに異なる井戸幅の多重量子井戸層を具備することを特徴とする請求項5に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 前記光出力部に配設された、前記放射モード光に対して透明な半導体からなる半導体レンズを更に具備し、前記半導体レンズは、凸レンズであり且つ前記出力部を越えて前記第1及び第2電極間の給電領域に延在する部分を有することを特徴とする請求項1または5に記載のグレーティング結合型面発光装置。
- 前記活性層を挟んで前記回折格子と対向するように配設された反射低減層を更に具備することを特徴とする請求項1に記載のグレーティング結合型面発光装置。
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-
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