JP2015087609A - 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体膜と、前記有機半導体膜上の保護膜と、前記保護膜上のレジスト膜を有し、前記レジスト膜が、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む感光性樹脂組成物からなる積層体。
【選択図】なし
Description
有機半導体のパターニングは、これまで印刷技術により行われてきたが、印刷技術によるパターニングでは微細加工に限界がある。また、有機半導体はダメージを受けやすい。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、良好な有機半導体パターンを形成可能な積層体およびかかる積層体を製造するための、有機半導体製造用キット、ならびに、有機半導体製造用キットに用いる有機半導体製造用レジスト組成物を提供することを目的とする。
<1>有機半導体膜と、前記有機半導体膜上の保護膜と、前記保護膜上のレジスト膜を有し、前記レジスト膜が、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む感光性樹脂組成物からなる積層体。
<2>光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、<1>に記載の積層体。
<3>光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、<1>または<2>に記載の積層体。
<4>光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、<1>または<2>に記載の積層体。
<5>光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、<1>または<2>に記載の積層体。
<6>保護膜が水溶性樹脂を含む、<1>〜<5>のいずれかに記載の積層体。
<7>感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<1>〜<6>のいずれかに記載の積層体。
<8>感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<1>〜<7>のいずれかに記載の積層体。
<9>感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、<1>〜<8>のいずれかに記載の積層体。
<10>発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む、有機半導体製造用レジスト組成物と、水溶性樹脂を含む保護膜形成用組成物を含む、有機半導体製造用キット。
<11>光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、<10>に記載の有機半導体製造用キット。
<12>光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、<10>または<11>に記載の有機半導体製造用キット。
<13>光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、<10>または<11>に記載の有機半導体製造用キット。
<14>光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、<10>または<11>に記載の有機半導体製造用キット。
<15>前記有機半導体製造用レジスト組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<10>〜<14>のいずれかに記載の有機半導体製造用キット。
<16>感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<10>〜<15>のいずれかに記載の有機半導体製造用キット。
<17>さらに、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、<10>〜<16>のいずれかに記載の有機半導体製造用キット。
<18>発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む、有機半導体製造用レジスト組成物。
<19>光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、<18>に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<20>光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、<18>または<19>に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<21>光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、<18>または<19>に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<22>光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、<18>または<19>に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<23>前記有機半導体製造用レジスト組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<18>〜<22>のいずれかに記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<24>感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、<18>〜<23>のいずれかに記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
<25>さらに、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、<18>〜<24>のいずれかに記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
また、本明細書中における「活性光線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線または放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
本発明の積層体は、有機半導体膜と、前記有機半導体膜上の保護膜と、前記保護膜上のレジスト膜を有し、前記レジスト膜が、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む感光性樹脂組成物からなることを特徴とする。また、有機半導体膜と保護膜との間、および/または保護膜とレジスト膜との間には、下塗り層を有していてもよい。
本発明における感光性樹脂組成物は光酸発生剤を含有し、露光部が有機溶剤を含む現像液に難溶となることでマスクパターンを形成でき、マスクパターンを形成後ドライエッチングのマスクとして利用することが可能になる。
これに対し、本発明では、有機半導体上に保護膜を成膜しその上にレジスト膜を製膜している。この場合、レジスト膜と有機半導体膜が直接に接触しないため、有機半導体膜にダメージが及ぶことを抑制できる。さらに、レジスト膜は感光性樹脂組成物を用いるため、高い保存安定性と微細なパターン形成性を達成できる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で用いる有機半導体膜は、半導体の特性を示す有機材料を含む膜のことである。無機材料からなる半導体の場合と同様に、正孔をキャリアとして伝導するp型有機半導体と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体がある。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。用途にもよるが、一般に移動度は高い方がよく、10-7cm2/Vs以上であることが好ましく、10-6cm2/Vs以上であることがより好ましく、10-5cm2/Vs以上であることがさらに好ましい。移動度は電界効果トランジスタ(FET)素子を作製したときの特性や飛行時間計測(TOF)法により求めることができる。
溶剤としては、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、1−メチルナフタレン、1,2−ジクロロベンゼン等の炭化水素系溶剤;例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶剤;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶剤;例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶剤;例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶剤;例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドン、1−メチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキサイド等の極性溶剤などが挙げられる。これらの溶剤は1種のみを用いてもよいし、2種類以上を用いてもよい。
樹脂バインダーを配合する場合、その配合量は、有機半導体膜中、好ましくは0.1〜30質量%で用いられる。
本発明の保護膜は、有機半導体膜の上に形成され、好ましくは、有機半導体膜の表面に形成される。有機半導体膜と保護膜の間には、下塗り層等があっても良い。
保護膜は、有機半導体上に成膜する時に有機半導体にダメージを与えず、また、保護膜上にレジスト膜を塗布した時にインターミキシング(層間混合)を起こさないものが好ましい。保護膜は、水溶性樹脂を含む膜が好ましく、脂溶性樹脂を主成分とする膜であることがより好ましい。主成分とは、保護膜を構成する成分のうち最も多い成分をいい、好ましくは80質量%以上が水溶性樹脂であることをいう。
本発明における水溶性樹脂は、20°Cにおける水に対する溶解度が1%以上である樹脂をいう。
また、保護膜形成用組成物は、2種類以上の樹脂を含んでいてもよいが、この場合、2種類以上の樹脂それぞれが上記範囲を満たしていることが好ましい。
また、これらの中から、主鎖構造が相違する2種以上を選択して使用してもよく、共重合体として使用してもよい。
保護膜用樹脂の分散度(分子量分布)は、通常1.0〜3.0であり、好ましくは1.0〜2.6の範囲のものが好ましく使用される。
適用方法としては、塗布が好ましい。適用方法の例としては、キャスト法、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、ディッピング(浸漬)コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法、インクジェット法、スピンコート法、ラングミュア−ブロジェット(Langmuir−Blodgett)(LB)法などを挙げることができる。本発明においては、キャスト法、スピンコート法、およびインクジェット法を用いることがさらに好ましい。このようなプロセスにより、表面が平滑で大面積の有機半導体膜等の膜を低コストで生産することが可能となる。
上記界面活性剤の例として、日信化学工業(株)製、サーフィノールシリーズが例示される。
保護膜形成用組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の添加量は、保護膜としたときに、好ましくは0.05〜8質量%、さらに好ましくは0.07〜5質量%、特に好ましくは0.1〜3質量%の割合で含まれていることが好ましい。
これら界面活性剤は、1種のみ用いてもよいし、2種類以上用いてもよい。
染料は、配合する場合、保護膜の0.1〜10質量%とすることができる。
染料は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明で用いる感光性樹脂組成物は、有機半導体製造用レジスト組成物としての役割を果たすものであり、保護膜の上にレジスト膜を形成するのに用いられる。
本発明で用いる感光性樹脂組成物は、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含むことを特徴とする。
本発明で用いる感光性樹脂組成物の好ましい第一の実施形態は、光酸発生剤から生ずる有機酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する組成物であり、sp値が19(MPa)1/2未満の有機溶剤に対して溶解速度が低下する組成物であることがより好ましく、18.5(MPa)1/2以下の有機溶剤に対して難溶となる組成物であることがさらに好ましく、18.0(MPa)1/2以下の有機溶剤に対して溶解速度が低下する組成物であることがよりさらに好ましい。
また、本発明で用いる感光性樹脂組成物の好ましい第二の実施形態は、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する組成物である形態である。
本発明では、上記第一および第二の実施形態の両方を満たす態様がより好ましい。
ここで、本発明において「残渣」とは、感光性樹脂組成物を用いてパターン状のレジスト膜を形成した際において、前記パターン状のレジスト膜端部の周縁に存在する残膜を意味する。
本発明で用いる光酸発生剤は、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤である。pKa−1より大きい酸では、樹脂(B)の反応性が不十分となり、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度を十分に減少することができない。また、光酸発生剤(A)が無機酸を発生する場合は、無機酸が保護膜中に拡散しパターンがアンダーカット形状になったり剥がれの原因となる。さらに保護膜と樹脂(B)との間で反応が生じて残渣の原因ともなりうる。本発明では、pKaの下限は特に定めるものではないが、例えば、−10以上であり、好ましくは、−5以上である。
光酸発生剤(A)から発生するpKaが−1以下の有機酸としては、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
本発明で用いる光酸発生剤(A)は、
(i)オキシムスルホネート基を有する化合物(以下、オキシムスルホネート化合物ともいう)およびイミドスルホネート基を有する化合物(以下、イミドスルホネート基ともいう)、
(ii)スルホニウムカチオンを有する化合物(以下、スルホニウム塩ともいう)およびヨードニウムカチオンを有する化合物(以下、ヨードニウム塩ともいう)
(iii)ジアゾジスルホン化合物およびジスルホン化合物(より好ましくは、ジアゾジスルホン化合物)
からなる群の何れかに該当するものが好ましい。
オキシムスルホネート化合物は、オキシムスルホネート基を有していれば特に制限はないが、下記式(2)、後述する式(OS−103)、式(OS−104)、または、式(OS−105)で表されるオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。
前記Xにおけるアルキル基およびアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。前記Xにおけるアルキル基としては、炭素数1〜4の、直鎖状または分岐状アルキル基が好ましい。前記Xにおけるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状または分岐状アルコキシ基が好ましい。前記Xにおけるハロゲン原子としては、塩素原子またはフッ素原子が好ましい。
式(2)におけるmは、0〜3の整数を表し、0または1が好ましい。mが2または3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。
前記R4における炭素数1〜10のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、tert−ブチル基、n−アミル基、i−アミル基、s−アミル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等が挙げられる。
前記R4における炭素数1〜10のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、n−アミルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等が挙げられる。
前記R4における炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ−n−プロピル基、パーフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−n−アミル基等が挙げられる。
前記R4における炭素数1〜5のハロゲン化アルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ−n−プロポキシ基、パーフルオロ−n−ブトキシ基、パーフルオロ−n−アミルオキシ基等が挙げられる。
式(2)で表されるオキシムスルホネート化合物の具体例としては、下記化合物(i)、化合物(ii)、化合物(iii)、化合物(iv)等が挙げられ、これらの化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種類以上を併用することもできる。化合物(i)〜(iv)は、市販品として、入手することができる。また、その他の式(2)で表されるオキシムスルホネート化合物の具体例を以下に挙げる。
前記式(OS−103)〜(OS−105)中、R11で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1〜30のアルキル基であることが好ましい。
R11で表されるアルキル基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基が挙げられる。
R11で表されるアリール基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、スルホン酸基、アミノスルホニル基、アルコキシスルホニル基が挙げられる。
R11で表されるヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、スルホン酸基、アミノスルホニル基、アルコキシスルホニル基が挙げられる。
R11で表されるヘテロアリール基としては、置換基を有していてもよい、チオフェン環、ピロール環、チアゾール環、イミダゾール環、フラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチアゾール環、および、ベンゾイミダゾール環よりなる群から選ばれた環から1つの水素原子を除いた基が挙げられる。
前記式(OS−103)〜(OS−105)中、化合物中に2以上存在するR12のうち、1つまたは2つがアルキル基、アリール基またはハロゲン原子であることが好ましく、1つがアルキル基、アリール基またはハロゲン原子であることがより好ましく、1つがアルキル基であり、かつ残りが水素原子であることが特に好ましい。
前記式(OS−103)〜(OS−105)中、R12で表されるアルキル基またはアリール基は、置換基を有していてもよい。
R12で表されるアルキル基またはアリール基が有していてもよい置換基としては、前記R1におけるアルキル基またはアリール基が有していてもよい置換基と同様の基が例示できる。
R12で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、n−ヘキシル基、アリル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、メトキシメチル基、ベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、n−ヘキシル基がより好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ヘキシル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
R12で表されるアリール基としてフェニル基、p−メチルフェニル基、o−クロロフェニル基、p−クロロフェニル基、o−メトキシフェニル基、p−フェノキシフェニル基が好ましい。
R12で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。これらの中でも、塩素原子、臭素原子が好ましい。
前記式(OS−103)〜(OS−105)中、nは1または2を表し、XがOである場合、nは1であることが好ましく、また、XがSである場合、nは2であることが好ましい。
前記式(OS−103)〜(OS−105)中、R16で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1〜30のアルキル基であることが好ましい。
R16で表されるアルキル基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基が挙げられる。
R16で表されるアルキルオキシ基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基が挙げられる。
R16におけるアミノスルホニル基としては、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、メチルフェニルアミノスルホニル基、アミノスルホニル基が挙げられる。
R16で表されるアルコキシスルホニル基としては、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基、プロピルオキシスルホニル基、ブチルオキシスルホニル基が挙げられる。
前記式(OS−106)におけるR17は、水素原子または臭素原子を表し、水素原子であることが好ましい。
前記式(OS−106)〜(OS−111)におけるR18は、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子、クロロメチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、メトキシメチル基、フェニル基またはクロロフェニル基を表し、炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子またはフェニル基であることが好ましく、炭素数1〜8のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜6のアルキル基であることがさらに好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
前記式(OS−108)および(OS−109)におけるR19は、水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはメトキシ基を表し、水素原子であることが好ましい。
前記式(OS−108)〜(OS−111)におけるR20は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。
また、前記オキシムスルホネート化合物において、オキシムの立体構造(E,Z)については、どちらか一方であっても、混合物であってもよい。
Xは−O−、−S−、−NH−、−NR15−、−CH2−、−CR16H−または−CR16R17−を表し、R15〜R17はそれぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。
R21〜R24はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基、スルホ基、シアノ基またはアリール基を表す。R21〜R24のうち2つは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
R21〜R24としては、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基が好ましく、また、R21〜R24のうち少なくとも2つが互いに結合してアリール基を形成する態様もまた、好ましく挙げられる。中でも、R21〜R24がいずれも水素原子である態様が、感度の観点から好ましい。
前記した置換基は、いずれも、さらに置換基を有していてもよい。
これらの中でも、式(OS−101)および式(OS−102)におけるR11がシアノ基またはアリール基である態様がより好ましく、式(OS−102)で表され、R11がシアノ基、フェニル基またはナフチル基である態様が最も好ましい。
市販品としては、WPAG−336(和光純薬工業(株)製)、WPAG−443(下記構造、和光純薬工業(株)製)、MBZ−101(下記構造、みどり化学(株)製)等をあげることができる。
R208のアルキル基は、直鎖アルキル基または環状アルキル基が好ましい。R208は、直鎖または分岐のアルキル基、またはアリール基が好ましい。これらの基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。また、アルキル基が環状アルキル基の場合、カルボニル基を介して環を形成していてもよく、環状アルキル基は、多環式であってもよい。好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基)及び炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はノルボニル基)が挙げられる。R208のアルキル基は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基及び/又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
R208ノアリール基は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基及び/又はニトロ基によって更に置換されていてもよいが、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基又はペンチル基)及び炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はノルボニル基)が挙げられる。
以下に、イミドスルホネート化合物の例を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではない。
(ii)スルホニウム塩、ヨードニウム塩スルホニウム塩またはヨードニウム塩は、アニオンが非求核性であり、光分解してpKaが−1以下の有機酸を発生する化合物であれば特に制限はないが、アニオンとしてスルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンを有しているものが好適である。
より好ましくは下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202およびR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202およびR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、スルホン酸アニオン(脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど)、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げられる。
また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。
Z-としては、保護膜層の上に感光性樹脂組成物を塗布する際のインターミキシング(保護膜中へのスルホニウム塩、ヨードニウム塩の層間混入)を抑制する観点から、カチオン中に、炭素数3以上のアルキル基を置換基として有する芳香環基を含むことが好ましい。該アルキル基としては炭素数6以上が好ましく、さらに好ましくは8以上である。アルキル基としては、直鎖、分岐、環状いずれであってもよく、具体的には、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、tert−ブチル、n−アミル、i−アミル、tert−アミル、n−ヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキシルといった基が挙げられる。
同様にアニオンについても、炭素数6以上のアルキル基を含むスルホネート、もしくは炭素数3以上のアルキル基を置換基として有する芳香環を含むスルホネートであることが好ましい。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、または少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは0〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子または炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
R1、R2としては、好ましくはフッ素原子またはCF3である。
yは0〜8が好ましく、0〜6がより好ましい。
zは0〜5が好ましく、0〜3がより好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基またはこれらの複数が連結した連結基などを挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−が好ましく、―COO−、−OCO−がより好ましい。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF向上の観点から好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環由来のものが好ましい。
R201、R202およびR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。R201〜R203のアルキル基およびシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖または分岐アルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基等を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
R1a〜R13aは、各々独立に、水素原子または置換基を表す。
R1a〜R13aのうち、1〜3つが水素原子でないことが好ましく、R9a〜R13aのいずれか1つが水素原子でないことがより好ましい。
Zaは、単結合または2価の連結基である。
X-は、一般式(ZI)におけるZ-と同義である。
R1a〜R13aが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。
R204〜R205のアリール基としては、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基として説明したアリール基と同様である。
R204〜R205のアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基が有していてもよいものが挙げられる。
R206〜R207は、各々独立に、アリール基またはアルキル基を表す。
R206〜R207のアリール基、アルキル基としては、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基として説明したアリール基、アルキル基と同様である。
R206〜R207のアリール基、アルキル基、は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
ジスルホン化合物としては、下記一般式(ZIV)で示される化合物が挙げられる。
Ar3、Ar4のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI)におけるR201、R202およびR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
これに対して、本発明では、活性光線に感応して生成する酸を発生する光酸発生剤と、酸の作用により分解が促進される樹脂もしくは、酸の作用により架橋が促進される樹脂を用いることで高感度が得られる。
本発明における感光性樹脂組成物において、酸発生剤は、感光性樹脂組成物の全固形分に対して、0.1〜20重量%使用することが好ましく、0.5〜18重量%使用することがより好ましい。
本発明で用いる樹脂(B)は、極性基が酸の作用により分解して脱離する脱離基で保護された基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する繰り返し単位を含む樹脂(B−1)、および/または、酸の作用により樹脂(B)の分子鎖間に架橋が生じる(以下、「架橋性基」ともいう)を有する繰り返し単位を含む樹脂(B−2)であることが好ましい。また、架橋剤によって樹脂間で架橋構造を形成する樹脂(B−3)を用いることも好ましい。
樹脂(B−1)を用いることにより、光酸発生剤から生ずる有機酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する組成物を得ることができ、樹脂(B−2)を用いることにより、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する組成物を得ることができる。
本発明では、樹脂(B−1)と樹脂(B−2)を組み合わせる樹脂も好ましい。
<酸分解性基>
酸分解性基が酸の作用により分解して生成する極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化または不溶化する基であれば特に限定されないが、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性基(従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基)、水酸基(アルコール性水酸基、フェノール性水酸基など)等が挙げられる。
なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基(フェノール性水酸基)以外の水酸基をいい、酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えば、フッ素化アルコール基(ヘキサフルオロイソプロパノール基など))は除くものとする。アルコール性水酸基としては、pKaが12以上且つ20以下の水酸基であることが好ましい。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
上記一般式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。アルキル基は、直鎖、分岐または環状のアルキル基である。
R01およびR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルケニル基を表す。
R36〜R39、R01およびR02の直鎖または分岐のアルキル基は、炭素数1〜8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
R36〜R39、R01およびR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
R36〜R39、R01およびR02のアリール基は、炭素数6〜10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。
R36〜R39、R01およびR02のアラルキル基は、炭素数7〜12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
R36〜R39、R01およびR02のアルケニル基は、炭素数2〜8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。
R36とR37とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基(単環若しくは多環)であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
樹脂(B−1)が含む酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(III)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
R0は、水素原子または直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。
R1〜R3は、それぞれ独立に、直鎖若しくは分岐のアルキル基、または単環若しくは多環のシクロアルキル基を表す。
R1〜R3の2つが結合して、単環若しくは多環のシクロアルキル基を形成してもよい。
R0としては水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基またはヒドロキシメチル基であることが好ましい。
R1〜R3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
R1〜R3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
R1〜R3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5または6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
好ましい態様の1つとしては、R1がメチル基またはエチル基であり、R2とR3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が挙げられる。
上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、アルキル基(炭素数1〜4)、シクロアルキル基(炭素数3〜8)、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。
前記一般式(III)で表される繰り返し単位の特に好ましい態様としては、R1、R2およびR3は、各々独立に、直鎖または分岐のアルキル基を表す態様である。
この態様において、R1、R2およびR3についての直鎖または分岐のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
R1としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
R2としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
R3としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基が特に好ましい。
具体例中、Rxは、水素原子、CH3、CF3、またはCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0または正の整数を表す。Zの具体例および好ましい例は、R1〜R3などの各基が有し得る置換基の具体例および好ましい例と同様である。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、これらの中でもフッ素原子または塩素原子が好ましい。
また、前記アリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、より好ましくは炭素数6〜12であり、具体的には、フェニル基、α−メチルフェニル基、ナフチル基等が例示でき、アリール基で置換されたアルキル基全体、すなわち、アラルキル基としては、ベンジル基、α−メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が例示できる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜4であり、メトキシ基またはエトキシ基がより好ましい。
また、アルキル基がシクロアルキル基である場合、該シクロアルキル基は置換基として炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を有していてもよく、アルキル基が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である場合には、置換基として炭素数3〜12のシクロアルキル基を有していてもよい。
これらの置換基は、上記置換基でさらに置換されていてもよい。
一般式(XP)
R1及びR2がアルキル基の場合、炭素数は1〜10のアルキル基が好ましい。R1及びR2がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。R1及びR2は、それぞれ、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。
R3は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、1〜6のアルキル基がより好ましい。
Xはフェニレン基が好ましい。
以下に、一般式(XP)で表される繰り返し単位の例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。
他の繰り返し単位としては、一般式(I)で表される繰り返し単位、前記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位、ラクトン構造を有する繰り返し単位、酸基を有する繰り返し単位、水酸基および/またはシアノ基を有する繰り返し単位、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位が例示される。
本発明において、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して、下記一般式(I)で表される繰り返し単位を含有していてもよい。
Xaは水素原子または直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。
Rxは水素原子または酸の作用により分解し脱離する基を表す。
Rxについての酸の作用により分解し脱離する基の具体例および好ましい例としては、樹脂(B−1)における酸分解性基を構成する極性基を保護している酸の作用により分解し脱離する基の具体例および好ましい例として前述したものと同様のものが挙げられる。
本発明において、樹脂(B−1)は、前記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
ここで、「前記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位」とは、前記一般式(I)で表される繰り返し単位などの、フェノール性水酸基を有する芳香族基を有する繰り返し単位、フェノール性水酸基から誘導される基(例えば、フェノール性水酸基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された基など)を有する芳香族基を有する繰り返し単位以外のフェノール性水酸基を有しない芳香族基を有する繰り返し単位をいう。
前記非フェノール系芳香族基としては、置換基を有していてもよく、炭素数6〜10のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記置換基としては、フェノール性水酸基ではない限り特に制限はなく、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、フッ素原子などのハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基などが挙げられる。前記置換基としての炭素数1〜4の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基はさらに置換基を有していてもよく、そのような更なる置換基としては、フッ素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。
前記非フェノール系芳香族基がフェニル基であり、該フェニル基が置換基を有する場合、該置換基はフェニル基の4位に置換することが好ましい。
前記非フェノール系芳香族基としては、エッチング耐性の点から、置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
R01は、水素原子または直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。
Xは単結合または2価の連結基を表す。
Arは非フェノール系芳香族基を表す。
R4は、単結合またはアルキレン基を表す。
Xは、2価の連結基が好ましい。この2価の連結基としては、好ましくは−COO−、−CONH−などが挙げられる。
非フェノール系芳香族基Arの具体例および好ましい例としては、非フェノール系芳香族基の具体例および好ましい例として前述したものと同様のものが挙げられる。
R4についてのアルキレン基としては、置換基を有していてもよく、炭素数1〜4のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などが挙げられる。R4についてのアルキレン基が有し得る置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、フッ素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。
R4についてのアルキレン基が有し得る置換基と非フェノール系芳香族基Arが有し得る置換基とが結合して環を形成していてもよく、該環を形成する基としては、アルキレン基(例えば、エチレン基、プロピレン基)を挙げることができる。
R4としては、パターン形成における樹脂の好適なガラス転移温度(Tg)の観点から、単結合、または置換基で置換されていてよいメチレン基であることが好ましい。
樹脂(B−1)は、さらに、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AII)で表される繰り返し単位がより好ましい。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子または置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Ab1は、直鎖または分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
Vは、ラクトン構造を有する基を表す。
以下に、樹脂(B−1)中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H、CH3、CH2OHまたはCF3を表す。
樹脂(B−1)は、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含むことによりコンタクトホール用途などでの解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、さらには酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH、CH3、CH2OHまたはCF3を表す。
樹脂(B−1)は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有していても良い。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。炭化水素構造は、直鎖、分岐または環状構造の脂肪族炭化水素基であることが好ましく、脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることがより好ましい。また、水酸基および/またはシアノ基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。
また、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有する繰り返し単位とは異なることが好ましい(すなわち、酸に対して安定な繰り返し単位であることが好ましい)。
水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。
より好ましくは、下記一般式(AIIa)〜(AIIc)のいずれかで表される繰り返し単位を挙げることができる。
Abは、単結合、又は2価の連結基を表す。
Abにより表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、エステル結合、アミド結合、エーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合、又はその組み合わせ等が挙げられる。アルキレン基としては、炭素数1〜10のアルキレン基が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
本発明の一形態において、Abは、単結合、又は、アルキレン基であることが好ましい。
Rpは、水素原子、ヒドロキシル基、又は、ヒドロキシアルキル基を表す。複数のRpは、同一でも異なっていても良いが、複数のRpの内の少なくとも1つは、ヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基を表す。
水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
本発明における樹脂(B−1)は、さらに極性基(例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基)を持たない炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。
Raは水素原子、アルキル基または−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基またはアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
R5の極性基を有さない炭化水素基は、環状構造を有していても良い。環状構造としては、単環式炭化水素基および多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3〜12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3〜12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3〜7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。
極性基を持たない炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、またはCF3を表す。
樹脂(B−2)は、酸の作用により樹脂(B)の分子鎖間に架橋が生じる基(以下、「架橋性基」ともいう)を有する繰り返し単位を含む樹脂(B−2a)、後述する架橋剤を介して樹脂(B)の分子鎖間に架橋が形成する樹脂(B−2b)がある。
樹脂(B−2a)の場合、架橋基は、酸存在下、加熱処理で硬化反応を起こす基であれば特に限定はされない。好ましい架橋基を有する繰り返し単位の態様としては、エポキシ基、オキセタニル基、−NH−CH2−OR(Rは炭素数1〜20のアルキル基)およびビニルエーテル基よりなる群から選ばれた少なくとも1つを含む繰り返し単位が挙げられる。
その中でも、本発明の感光性樹脂組成物は、前記(A)成分が、エポキシ基およびオキセタニル基のうち少なくとも1つを含む繰り返し単位を含むことがより好ましく、オキセタニル基を含む繰り返し単位を含むことが特に好ましい。より詳細には、以下のものが挙げられる。
前記(A)共重合体は、エポキシ基および/またはオキセタニル基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。前記3員環の環状エーテル基はエポキシ基とも呼ばれ、4員環の環状エーテル基はオキセタニル基とも呼ばれる。前記エポキシ基および/またはオキセタニル基を有する繰り返しとが好ましく、オキセタニル基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。
前記エポキシ基および/またはオキセタニル基を有する繰り返しは、1つの繰り返し単位中にエポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも1つ有していればよく、1つ以上のエポキシ基および1つ以上オキセタニル基、2つ以上のエポキシ基、または、2つ以上のオキセタニル基を有していてもよく、特に限定されないが、エポキシ基および/またはオキセタニル基を合計1〜3つ有することが好ましく、エポキシ基および/またはオキセタニル基を合計1または2つ有することがより好ましく、エポキシ基またはオキセタニル基を1つ有することがさらに好ましい。
オキセタニル基を有する繰り返し単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の具体例としては、例えば、特開2001−330953号公報の段落0011〜0016に記載のオキセタニル基を有する(メタ)アクリル酸エステルなどを挙げることができる。
前記エポキシ基および/またはオキセタニル基を有する繰り返しを形成するために用いられるラジカル重合性単量体の具体例としては、メタクリル酸エステル構造を含むモノマー、アクリル酸エステル構造を含むモノマーであることが好ましい。
本発明で用いる共重合体は、−NH−CH2−O−R(Rは炭素数1〜20のアルキル基)を有する繰り返し単位も好ましい。これにより緩やかな加熱処理で硬化反応を起こすことができ、諸特性に優れた硬化膜を得ることができる。ここで、Rは炭素数1〜9のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。また、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のアルキル基のいずれであってもよいが、好ましくは、直鎖または分岐のアルキル基である。繰り返し単位は、より好ましくは、下記一般式(1)で表される基を有する繰り返し単位である。
一般式(1)
R2は、炭素数1〜9のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がさらに好ましい。また、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のアルキル基のいずれであってもよいが、好ましくは、直鎖または分岐のアルキル基である。
R2の具体例としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、シクロヘキシル基、およびn−ヘキシル基を挙げることができる。中でもi−ブチル基、n−ブチル基、メチル基が好ましい。
本発明で用いる共重合体は、ビニルエーテル基を有する繰り返し単位も好ましい。具体的には下記一般式で表される繰り返し単位が、その例として挙げられる。
Rveはビニルエーテル基を末端に有する基であり、具体的には2−(ビニルオキシ)アルキル基が好ましい。ここでアルキル基としては炭素数2〜6のアルキル基が好ましく、その中でも2−(ビニルオキシ)エチル基が好ましい。
次に、樹脂(B−2b)について説明する。
樹脂(B−2b)は、以下に記載する架橋剤と反応して結合を形成する繰り返し単位を含む。この様な繰り返し単位としては、 他の繰り返し単位としては、一般式(I)で表される繰り返し単位、前記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位、ラクトン構造を有する繰り返し単位、水酸基および/またはシアノ基を有する繰り返し単位、酸基を有する繰り返し単位、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位が例示される。これらは、樹脂(B−1)の記載を参酌でき、好ましい範囲も同義である。
このような樹脂の例としては、上記一般式(I)で表される繰り返し単位であって、Rxが水素原子である繰り返し単位、上記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位であって、Arがフェニル基の場合が例示される。さらに、上記で述べたその他の繰り返し単位(架橋性基を有する繰り返し単位、酸分解性基を有する繰り返し単位等、特に酸分解性基を有する繰り返し単位)を有していても良い。
樹脂(B−3)は、ベンゼン環および/またはフェノール性水酸基を有する繰り返し単位が、全繰り返し単位の50〜100モル%であることが好ましい。
これにより、本発明における感光性樹脂組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜厚減り(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性等の微調整が可能となる。
その他にも、上記種々の繰り返し単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
本発明における樹脂(B)の形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂(B)は、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、またはアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。
沈殿または再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0〜50℃程度、好ましくは室温付近(例えば20〜35℃程度)である。沈殿または再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。
沈殿または再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧または減圧下(好ましくは減圧下)、30〜100℃程度、好ましくは30〜50℃程度の温度で行われる。
なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ(工程a)、樹脂を溶液から分離し(工程b)、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製(工程c)、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量(好ましくは5倍以下の体積量)で、接触させることにより樹脂固体を析出させ(工程d)、析出した樹脂を分離する(工程e)ことを含む方法でもよい。
本発明の組成物に用いられる樹脂(B)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜100,000、さらにより好ましくは3,000〜70,000、特に好ましくは5,000〜50,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物において、樹脂(A)の組成物全体中の配合率は、全固形分中30〜99質量%が好ましく、より好ましくは60〜95質量%である。
また、本発明において、樹脂(B)は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明で用いる感光性樹脂組成物は、架橋剤を含んでいても良い。架橋剤としては、酸存在下、加熱処理で架橋反応が起こるものであれば制限は無い。例えば、以下に述べる分子内に2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物、アルコキシメチル基含有架橋剤、または、少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物を添加することができる。
これらの架橋剤の中で、分子内に2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。
その他にも、ADEKA RESIN EP−4000S、同EP−4003S、同EP−4010S、同EP−4011S(以上、(株)ADEKA製)、NC−2000、NC−3000、NC−7300、XD−1000、EPPN−501、EPPN−502(以上、(株)ADEKA製)、デナコールEX−611、EX−612、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−411、EX−421、EX−313、EX−314、EX−321、EX−211、EX−212、EX−810、EX−811、EX−850、EX−851、EX−821、EX−830、EX−832、EX−841、EX−911、EX−941、EX−920、EX−931、EX−212L、EX−214L、EX−216L、EX−321L、EX−850L、DLC−201、DLC−203、DLC−204、DLC−205、DLC−206、DLC−301、DLC−402(以上ナガセケムテック製)、YH−300、YH−301、YH−302、YH−315、YH−324、YH−325(以上新日鐵化学製)などが挙げられる。
これらは1種単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。
アルコキシメチル基含有架橋剤としては、ヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を分子内に2個以上有する化合物を含むことが好ましい。
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物は、パターン形状の観点から、架橋剤として、アルコキシメチル基を分子内に2個以上有する化合物を少なくとも2種含むことがより好ましく、アルコキシメチル基を分子内に2個以上有するフェノール化合物を少なくとも2種含むことがさらに好ましく、該少なくとも2種のフェノール化合物の内の少なくとも1種が、分子内にベンゼン環を3〜5個含み、さらにアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、分子量が1200以下のフェノール誘導体であることが特に好ましい。
アルコキシメチル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基が好ましい。
このようにして合成されたフェノール誘導体のうち、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体が感度、保存安定性の点から特に好ましい。
これら架橋剤の中で特に好ましいものを以下に挙げる。
本発明で用いる感光性樹脂組成物は、(B)光酸発生剤との組み合わせにおいて、その分解を促進させるために、増感色素を含むことができる。特に、スルホニウムカチオンを有する化合物、ヨードニウムカチオンを有する化合物、ジアゾジスルホン化合物およびジスルホン化合物の少なくとも1種を用いる場合に、好ましく用いられる。
増感色素は、活性光線または放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感色素は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。
好ましい増感色素の例としては、以下の化合物類に属しており、かつ350nmから450nm域のいずれかに吸収波長を有する化合物を挙げることができる。
ヒドロキシ4−メチルクマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−9−メチル−1H,5H,11H−[1]ベンゾピラノ[6,7,8−ij]キノリジン−11−ノン)。
増感色素は、1種類のみ用いても良いし、2種類以上用いても良い。2種類以上用いる場合は、その合計量が上記範囲となる。増感色素の配合量は、光酸発生剤の0.1〜20質量%であることが好ましく、1〜10質量%であることがより好ましい。
本発明における感光性樹脂組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
本発明における感光性樹脂組成物は、必須成分である特定樹脂および特定光酸発生剤、並びに、各種添加剤の任意成分を、溶剤に溶解した溶液として調製されることが好ましい。
また、これらの溶剤にさらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。
上記した溶剤のうち、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、および/または、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類が好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、および/または、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが特に好ましい。
これら溶剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
溶剤は、1種類のみ用いても良く、2種類以上用いても良い。2種類以上用いる場合は、合計量が上記範囲となる。
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、および、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−本発明の感光性樹脂組成物は、(成分I)塩基性化合物を含むことが好ましい。
(成分I)塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、および、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、シクロヘキシルモルホリノエチルチオウレア、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7−ウンデセンなどが挙げられる。
カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
本発明における感光性樹脂組成物が塩基性化合物を含む場合、塩基性化合物の含有量は、特定樹脂100重量部に対して、0.001〜1重量部であることが好ましく、0.002〜0.2重量部であることがより好ましい。
本発明で用いる感光性樹脂組成物は、塗布性をより向上させる観点から界面活性剤を含むことが好ましい。
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、または、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、フッ素系、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
これらのフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤として、例えば、特開昭62−36663号、特開昭61−226746号、特開昭61−226745号、特開昭62−170950号、特開昭63−34540号、特開平7−230165号、特開平8−62834号、特開平9−54432号、特開平9−5988号、特開2001−330953号各公報記載の界面活性剤を挙げることができ、市販の界面活性剤を用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えば、エフトップEF301、EF303、(以上、新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(以上、住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(以上、DIC(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(以上、旭硝子(株)製)、PF−6320等のPolyFoxシリーズ(OMNOVA社製)等のフッ素系界面活性剤またはシリコーン系界面活性剤を挙げることができる。また、ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)も、シリコーン系界面活性剤として用いることができる。
これら界面活性剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明における感光性樹脂組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の添加量は、特定樹脂100重量部に対して、10重量部以下であることが好ましく、0.01〜10重量部であることがより好ましく、0.01〜1重量部であることがさらに好ましい。
<有機半導体膜のパターニング方法>
本発明における有機半導体膜のパターニング方法は、
(1)有機半導体膜の上に、保護膜を成膜する工程、
(2)保護膜の前記有機半導体膜と反対側の上に、pKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤を含む、感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を成膜する工程、
(3)前記レジスト膜を露光する工程、
(4)有機溶剤を含む現像液を用いて現像しマスクパターンを作製する工程、
(5)ドライエッチング処理にて少なくとも非マスク部の前記保護膜および前記有機半導体膜を除去する工程、
(6)前記保護膜を水で溶解する工程、
を含むことを特徴とする。
本発明の有機半導体膜のパターニング方法は、有機半導体膜の上に保護膜を成膜する工程を含む。通常は、基板の上に有機半導体膜を製膜した後に、本工程を行う。この場合、保護膜は、有機半導体の基板側の面と反対側の面に成膜する。保護膜は、通常、有機半導体膜の表面に設けられるが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の層を設けてもよい。具体的には、水溶性の下塗り層等が挙げられる。また、保護膜は1枚のみ設けられていてもよいし、2枚以上設けられていてもよい。
前記(1)の工程後、(2)保護膜の有機半導体側の面と反対側の上に、感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を形成する。レジスト膜は好ましくは保護膜の表面に感光性樹脂組成物を適用して形成されるが、下塗り層等の膜を介していてもよい。感光性樹脂組成物の適用方法は、上記保護膜の記載を参酌できる。
(2)工程でレジスト膜を成膜後、前記レジスト膜を露光する。具体的には、レジスト膜に所定のパターンを有するマスクを介して、活性光線を照射する。露光は1回のみ行ってもよく、複数回行ってもよい。
具体的には、感光性樹脂組成物の乾燥塗膜を設けた基板に所定のパターンの活性光線を照射する。露光はマスクを介して行ってもよいし、所定のパターンを直接描画してもよい。波長300nm以上450nm以下の波長、好ましくは365nmを有する活性光線が好ましく使用できる。この工程の後、必要に応じて露光後加熱工程(PEB)を行ってもよい。
水銀灯を用いる場合にはg線(436nm)、i線(365nm)、h線(405nm)などの波長を有する活性光線が好ましく使用できる。水銀灯はレーザに比べると、大面積の露光に適するという点で好ましい。
また、パルス幅は、0.1nsec以上30,000nsec以下であることが好ましい。アブレーション現象により色塗膜を分解させないようにするには、0.5nsec以上がより好ましく、1nsec以上が最も好ましく、スキャン露光の際に合わせ精度を向上させるには、1,000nsec以下がより好ましく、50nsec以下が最も好ましい。
さらに、レーザの周波数は、1Hz以上50,000Hz以下が好ましく、10Hz以上1,000Hz以下がより好ましい。
さらに、レーザの周波数は、露光処理時間を短くするには、10Hz以上がより好ましく、100Hz以上が最も好ましく、スキャン露光の際に合わせ精度を向上させるには、10,000Hz以下がより好ましく、1,000Hz以下が最も好ましい。
本発明に使用可能な露光装置としては、特に制限はないが市販されているものとしては、Callisto((株)ブイ・テクノロジー製)やAEGIS((株)ブイ・テクノロジー製)やDF2200G(大日本スクリーン製造(株)製)などが使用可能である。また上記以外の装置も好適に用いられる。
また、必要に応じて長波長カットフィルタ、短波長カットフィルタ、バンドパスフィルタのような分光フィルタを通して照射光を調整することもできる。
(3)工程でレジスト膜を露光後、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する。現像はネガ型が好ましい。現像液に含まれる溶剤のsp値は、19MPa1/2未満であることが好ましく、18MPa1/2以下であることがより好ましい。
ケトン系溶剤としては、例えば、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン(メチルアミルケトン)、4−ヘプタノン、1−ヘキサノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。
アミド系溶剤としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が使用できる。
炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
上記の溶剤は、1種類のみでも、2種以上用いてもよい。また、上記以外の溶剤と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量%未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。ここでの実質的とは、例えば、現像液全体としての含水率が3質量%以下であり、より好ましくは測定限界以下であることをいう。
すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量%以上100質量%以下であることが好ましく、95質量%以上100質量%以下であることが好ましい。
特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤およびアミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含む現像液であるのが好ましい。
また、有機系現像液は、必要に応じて塩基性化合物を適当量含有していてもよい。塩基性化合物の例としては、塩基性化合物の項で前述したものを挙げることができる。
5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン(メチルアミルケトン)、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、上記水溶性樹脂組成物の欄で述べた界面活性剤が好ましく用いられる。
現像液に界面化成剤を配合する場合、その配合量は現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%、好ましくは0.005〜2質量%、さらに好ましくは0.01〜0.5質量%である。
上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧(吐出される現像液の単位面積あたりの流速)は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、さらに好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。
吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。
このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
なお、現像液の吐出圧(mL/sec/mm2)は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。
レジスト膜を現像しマスクパターンを作製後、エッチング処理にて少なくとも非マスク部の前記水溶性樹脂膜および前記有機半導体を除去する。非マスク部とは、レジスト膜を露光してマスクパターンを作製する際のマスクにより露光されていない箇所を表す。
フッ素系ガスと酸素ガス(O2)との混合ガスを用い、有機半導体が露出しない領域(深さ)までエッチングを行なう第1段階のエッチングと、この第1段階のエッチングの後に、窒素ガス(N2)と酸素ガス(O2)との混合ガスを用い、好ましくは有機半導体が露出する領域(深さ)付近までエッチングを行なう第2段階のエッチングと、有機半導体が露出した後に行なうオーバーエッチングとを含む形態が好ましい。以下、ドライエッチングの具体的手法、並びに第1段階のエッチング、第2段階のエッチング、およびオーバーエッチングについて説明する。
(1)第1段階のエッチングにおけるエッチングレート(nm/min)と、第2段階のエッチングにおけるエッチングレート(nm/min)とをそれぞれ算出する。(2)第1段階のエッチングで所望の厚さをエッチングする時間と、第2段階のエッチングで所望の厚さをエッチングする時間とをそれぞれ算出する。(3)前記(2)で算出したエッチング時間に従って第1段階のエッチングを実施する。(4)前記(2)で算出したエッチング時間に従って第2段階のエッチングを実施する。あるいはエンドポイント検出でエッチング時間を決定し、決定したエッチング時間に従って第2段階のエッチングを実施してもよい。(5)前記(3)、(4)の合計時間に対してオーバーエッチング時間を算出し、オーバーエッチングを実施する。
エッチング後、溶剤または水を用いて保護膜を除去する。水溶性樹脂の場合は、水が好ましい。
水溶性樹脂膜を水で除去する方法としては、例えば、スプレー式またはシャワー式の噴射ノズルからレジストパターンに洗浄水を噴射して、保護膜を除去する方法を挙げることができる。洗浄水としては、純水を好ましく用いることができる。また、噴射ノズルとしては、その噴射範囲内に支持体全体が包含される噴射ノズルや、可動式の噴射ノズルであってその可動範囲が支持体全体を包含する噴射ノズルを挙げることができる。噴射ノズルが可動式の場合、水溶性樹脂膜を除去する工程中に支持体中心部から支持体端部までを2回以上移動して洗浄水を噴射することで、より効果的にレジストパターンを除去することができる。
水を除去した後、乾燥等の工程を行うことも好ましい。乾燥温度としては、80〜120℃とすることが好ましい。
本発明は、有機半導体を利用した電子デバイスの製造に用いることができる。ここで、電子デバイスとは、半導体を含有しかつ2つ以上の電極を有し、その電極間に流れる電流や生じる電圧を、電気、光、磁気、化学物質などにより制御するデバイス、あるいは、印加した電圧や電流により、光や電場、磁場などを発生させるデバイスである。例としては、有機光電変換素子、有機電界効果トランジスタ、有機電界発光素子、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、情報記録素子などが挙げられる。有機光電変換素子は光センサ用途、エネルギー変換用途(太陽電池)のいずれにも用いることができる。これらの中で、好ましくは有機電界効果トランジスタ、有機光電変換素子、有機電界発光素子であり、より好ましくは有機電界効果トランジスタ、有機光電変換素子であり、特に好ましくは有機電界効果トランジスタである。
THPMA:2−テトラヒドロピラニルメタクリレート(合成品)
V−601:2,2−アゾビス(2−メチルプロピオン酸)ジメチル(和光純薬工業(株)製)
PGMEA:メトキシプロピルアセテート(ダイセル化学工業(株)製)
3つ口フラスコにメタクリル酸50.33g(0.585mol)、カンファースルホン酸0.27g(0.2モル%)を混合して15℃に冷却した。その溶液に3,4−ジヒドロフラン49.21g(0.585mol)を滴下した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(500mL)を加え、酢酸エチル(500mL)で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物をろ過後40℃以下で減圧濃縮し、残渣の無色油状物を減圧蒸留することで68.64gのTHPMAを得た。
3つ口フラスコにPGMEA(24.16g)を入れ、窒素雰囲気下において86℃に昇温した。その溶液にTHPMA(11.60g)、ノルボルナンラクトンメタクリレート(9.18g)、シクロヘキシルメタクリレート(3.38g)、V−601(0.895g、モノマーに対して2.59モル%)をPGMEA(16.10g)とγ―ブチルラクトン(8.05g)の混合溶液に溶解させ、3時間かけて滴下した。滴下終了後4時間撹拌し、反応を終了させた。反応液をメタノール2L中に再沈することで生じた白色粉体を濾過により回収することで樹脂B1を得た。重量平均分子量は21,000であった。
使用するモノマー以外は樹脂B1の合成例と同様にして、樹脂B2〜B10を得た。
2−ナフトール(10g)、クロロベンゼン(30mL)の懸濁溶液に塩化アルミニウム(10.6g)、2−クロロプロピオニルクロリド(10.1g)を添加し、混合液を40℃に加熱して2時間反応させた。氷冷下、反応液に4N−HCl水溶液(60mL)を滴下し、酢酸エチル(50mL)を添加して分液した。有機層に炭酸カリウム(19.2g)を加え、40℃で1時間反応させた後、2N−HCl水溶液(60mL)を添加して分液し、有機層を濃縮後、結晶をジイソプロピルエーテル(10mL)でリスラリーし、ろ過、乾燥してケトン化合物(6.5g)を得た。
得られたケトン化合物(3.0g)、メタノール(30mL)の懸濁溶液に酢酸(7.3g)、50重量%ヒドロキシルアミン水溶液(8.0g)を添加し、加熱還流した。放冷後、水(50mL)を加え、析出した結晶をろ過、冷メタノール洗浄後、乾燥してオキシム化合物(2.4g)を得た。
得られたオキシム化合物(1.8g)をアセトン(20mL)に溶解させ、氷冷下トリエチルアミン(1.5g)、2,4、6−トリイソプロピルフェニルスルホニルクロリド(3.8g)を添加し、室温に昇温して1時間反応させた。反応液に水(50mL)を添加し、析出した結晶をろ過後、メタノール(20mL)でリスラリーし、ろ過、乾燥して光酸発生剤A1(2.3g)を得た。
N−ヒドロキシ−1,8−ナフタルイミド(10.65g)をDMF(100ml)に溶解させ、氷冷下トリエチルアミン(1.5g)、2,4、6-トリイソプロピルフェニルスルホニルクロリド(16.0g)を添加し、室温に昇温して1時間反応させた。反応液に水(500mL)を添加し、析出した結晶をろ過後、メタノール(20mL)でリスラリーし、ろ過、乾燥して光酸発生剤A2(19.7g)を得た。
2,4、6-トリイソプロピルフェニルスルホニルクロリド(16.0g)をメタノール100mlに溶解させたところにアンモニア水(28%溶液、3.3g)を添加して攪拌させた4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルヨードニウムクロリド(20.6g)をメタノール100mlに溶解し、そこに上記の様にして調整した2,4、6-トリイソプロピルフェニルスルホン酸アンモニウム塩を加えて塩交換した。エバポレーターを用いて溶媒を減圧下除去した後、水−アセトン(8:2)の混合溶液で洗浄後再結晶して、光酸発生剤A6(23.5g)を得た。
2,4、6-トリイソプロピルシクロヘキシルフェニルスルホニルクロリド(16.0g)を2,4、6-トリシクロヘキシルフェニルスルホニルクロリド(23g)に変えた以外は、光酸発生剤A6の合成と同様にして光酸発生剤A7(25.7g)を得た。
ブロモメチルシクロヘキサン20g、1−ナフトール(12.5g)を三口フラスコ中でNMP300gに溶解させた後、炭酸カリウム(12g)、ヨウ化カリウム(14g)を加え120℃で8時間加熱した。反応液に水300gを加え、ヘキサン100gで3回抽出を行い、得られた有機層を合わせ、1N水酸化ナトリウム水溶液100gで1回、水100gで1回、Brine100gで1回洗浄した後、濃縮しシクロヘキシルメチルナフチルエーテルを13g得た。
13.1gのシクロヘキシルメチルナフチルエーテルを三口フラスコ中でEaton試薬65gに溶解させた後、攪拌しながらテトラメチレンスルホキシド5.7gを滴下し、さらに3時間攪拌を行った。反応液を、水240gにあけた後、2,4、6-トリシクロヘキシルフェニルスルホニルクロリド(23g)とクロロホルムを50g添加した。有機層を分離した後、水層からクロロホルム50gを用いてさらに2回抽出を行った。得られた有機層を合わせ、水洗を2回行い濃縮した。得られた組成生物を酢酸エチル20gを用いて再結晶を行い、光酸発生剤A8を22g得た。
ノナフロオロプロピル−1,3−ジスルホニルフルオライド(7.5g)をTHF(100ml)に溶解した後、1,3,5−トリシクロヘキシルフェノール(6.8g)を添加した。そこへトリエチルアミン(4.4g)を室温にて1時間かけて滴下した後、室温で6時間攪拌した。続いて、トリフルオロメタンスルホンアミド(3.0g)を添加し、反応液を1時間かけて80℃まで加熱し6時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル(300ml)を添加し、生じた沈殿を濾過により除去した。反応液を脱イオン水で分液洗浄したところにイソプロパノール(30ml)と1N塩酸(10ml)を加え、60℃で3時間加熱した後、室温まで冷却し、蒸留水1Lに晶析した。
得られた結晶をTHF(100ml)とIPA(30ml)の混合溶液に溶解させた後、ジ(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムブロマイド(3.5g)のTHF溶液を添加し塩交換した。塩化メチレン(100ml)で2回抽出した後、蒸留水(100ml)で5回洗浄し、濃縮した。得られたオイル状の粗生成物にシクロヘキシルメチルエーテルを50ml加えて攪拌し、析出した結晶を濾過する事により、光酸発生剤A10(3.9g)を得た。
下記表に示す各成分を溶剤F1(PGMEA)と共に混合して均一な溶液とした後、0.1μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレン製フィルタを用いてろ過して、実施例1〜21および比較例1〜12の保護膜形成用組成物および感光性樹脂組成物をそれぞれ調製した。固形分濃度は15質量%であった。
X1:ポリビニルピロリドン(ピッツコール K−30、第一工業製薬(株)製)
X2:ポリビニルアルコール(PXP−05、日本酢ビ・ポバール株(株)製)
X3:プルラン((株)林原製)
X4:メチルセルロース(メトローズ SM―4 信越化学工業(株)製)
Y1:サーフィノール440(日信化学工業(株)製)
A1:(下記構造、合成品)、発生酸のpKa−2
A2:(下記構造、合成品)、発生酸のpKa−2
A3:(下記構造、みどり化学(株)製)、発生酸のpKa−1
A4:(下記構造、和光純薬工業(株)製)、発生酸のpKa−2
A5:(下記構造、みどり化学(株)製)、発生酸のpKa−2
A6:(下記構造、合成品)、発生酸のpKa−2
A7:(下記構造、合成品)、発生酸のpKa−2
A8:(下記構造、合成品)、発生酸のpKa−2
A9:(下記構造、みどり化学(株)製)、発生酸のpKa−2
A10:(下記構造、合成品)
AC1:(下記構造)、発生酸(無機酸)のpKa−7
AC2:(下記構造)、発生酸(無機酸)のpKa−8
AC3:(下記構造)、発生酸のpKa−0.25
発生酸のpKaは、D.H. Ripin, D.A. Evans pKa Table pKa Data Compiled by R. Williamsに従って測定した。
B2:(下記構造、合成品)
B3:(下記構造、合成品)
B4:(下記構造、合成品)
B5:(下記構造、合成品)
B6:(下記構造、合成品)
B7:(下記構造、合成品)
B8:(下記構造、合成品)
B9:(下記構造、合成品)
B10:(下記構造、合成品)
B11:(下記構造、日本曹達(株)製)
C:シクロヘキシルモルホリノエチルチオウレア(下記構造、稲畑産業(株)製)
D1:ニカラックMX−270(下記構造、(株)三和ケミカル製)
D2:ニカラックMX−100LM(下記構造、(株)三和ケミカル製)
D3:セロキサイド2021P(下記構造、(株)ダイセル製)
D4:YX−4000H(下記構造、三菱化学(株)製)
G1:9,10−ジブトキシアントラセン(Aldrich社製)
E1:PF−6320(OMNOVA Solutions Inc.製)
F1:PGMEA メトキシプロピルアセテート(ダイセル化学工業(株)製)
B2:
B3:
B4:
B6:
B7:
B8:
B9:
B10:
B11:
有機半導体として濃度20g/LのP3HT(Merck社製)クロロベンゼン溶液10mLと濃度14g/Lの[60]PCBM(Solenne社製)クロロベンゼン溶液10mLとを混合し、4インチベアシリコン基板上にスピンコーター(1200rpm、30秒)にて塗布し、ホットプレートにて140℃/15分乾燥し、膜厚100nmの有機半導体膜を形成した。有機半導体膜を基板上に形成したウエハをウエハ1とした。ウエハ1上に表1に記載した保護膜形成用組成物をスピンコーター(1200rpm、30秒)により塗布したのち、100℃で60秒ベークし、有機半導体膜上に膜厚700nmの保護膜が設けられたウエハ2を形成した。
前記記載の4インチのウエハ2に下記表1に示す感光性樹脂組成物をスピンコーター(1200rpm,30秒)により塗布したのち、110℃で60秒ベークし、ウエハ2上に膜厚500nmのレジスト膜を形成したウエハ3を形成した。
次にウエハ3をi線投影露光装置NSR2005i9C(ニコン社製)で、NA:0.57、シグマ:0.60の光学条件にて露光(露光量120mJ/cm2)を行ない、線幅10μmの1:1ラインアンドスペースパターンのバイナリーマスクを通して露光した。その後110℃で、60秒間加熱した後、酢酸ブチルで15秒間現像し、スピン乾燥して線幅10μmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行うことで感光性樹脂組成物のパターン形状と基板上(非パターン部)の残渣を評価した。
A:感光性樹脂組成物のボトム部分のアンダーカットがなく、パターンのテーパー角が85°〜95°の範囲。
なく矩形プロファイル
B:感光性樹脂組成物のボトム部分にアンダーカットが0.5μm以下であり、パターンのテーパー角が85°〜95°の範囲。
僅かに認められるが矩形プロファイル
C:感光性樹脂組成物のボトム部分にアンダーカットが0.5μm以下であり、パターンのテーパー角が95°〜105°の範囲(逆テーパー)。
D:パターン形状劣悪もしくはパターン形成せず。
以下の条件で基板のドライエッチングを行い、非マスクパターン部の保護膜2および非マスクパターン部の有機半導体1を除去した。
ガス:CF4(流量200ml/min)、Ar(流量800ml/min)、O2(流量50ml/min)
ソースパワー:800W
ウェハバイアス:600W
アンテナバイアス:100W
ESC電圧:400V
時間:60sec
得られた基板を水洗し、保護膜からなるパターンを除去したのち、100℃で10分加熱し前記有機半導体1に残存する水分の除去と、乾燥によりプロセスにおけるダメージを修復することで、有機半導体膜がパターニングされた基板を得た。
ドライエッチングおよび、保護膜除去後の有機半導体のパターンを、走査型電子顕微鏡を用いて観察を行うことより有機半導体の線幅を評価した。
A:感光性樹脂組成物の10μm(L/Sパターン)下における有機半導体の線幅が9μm〜10μm
B:感光性樹脂組成物の1μmのL/Sパターン下における、有機半導体の線幅が8μm以上9μm未満
C:感光性樹脂組成物の1μmのL/Sパターン下における、有機半導体の線幅が8μm未満
また、有機半導体パターンの加工後の線幅評価について、ドライエッチングガスの種類を塩素/Arに変更しても、同様の傾向が得られることを確認した。
本願発明を用いることで特開2012−216501号公報の図2に記載の表示装置を容易に製造することができる。
Claims (25)
- 有機半導体膜と、前記有機半導体膜上の保護膜と、前記保護膜上のレジスト膜を有し、前記レジスト膜が、発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む感光性樹脂組成物からなる積層体。
- 光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1に記載の積層体。
- 光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、請求項1または2に記載の積層体。
- 光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、請求項1または2に記載の積層体。
- 光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、請求項1または2に記載の積層体。
- 保護膜が水溶性樹脂を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層体。
- 感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の積層体。
- 感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる発生酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項1〜7のいずれかに記載の積層体。
- 感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の積層体。
- 発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む、有機半導体製造用レジスト組成物と、水溶性樹脂を含む保護膜形成用組成物を含む、有機半導体製造用キット。
- 光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項10に記載の有機半導体製造用キット。
- 光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、請求項10または11に記載の有機半導体製造用キット。
- 光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、請求項10または11に記載の有機半導体製造用キット。
- 光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、請求項10または11に記載の有機半導体製造用キット。
- 前記有機半導体製造用レジスト組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項10〜14のいずれか1項に記載の有機半導体製造用キット。
- 感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項10〜15のいずれか1項に記載の有機半導体製造用キット。
- さらに、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、請求項10〜16のいずれか1項に記載の有機半導体製造用キット。
- 発生酸のpKaが−1以下の有機酸を発生する光酸発生剤(A)と、前記光酸発生剤から生じる酸に反応して有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する樹脂(B)を含む、有機半導体製造用レジスト組成物。
- 光酸発生剤(A)が、スルホン酸、トリアルキルスルホニルメチド酸およびジアルキルスルホニルイミド酸から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項18に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- 光酸発生剤(A)が、オキシムスルホネート基および/またはイミドスルホネート基を有する化合物を含む、請求項18または19に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- 光酸発生剤(A)が、スルホニウムカチオンおよび/またはヨードニウムカチオンを有する化合物を含む、請求項18または19に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- 光酸発生剤(A)が、ジアゾジスルホン化合物および/またはジスルホン化合物を含む、請求項18または19に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- 前記有機半導体製造用レジスト組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって極性が変化し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項18〜22のいずれか1項に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- 感光性樹脂組成物が、光酸発生剤(A)から生じる酸によって樹脂(B)に架橋反応が起こることで、有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度が減少する、請求項18〜23のいずれか1項に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
- さらに、光酸発生剤(A)を分光増感する増感色素を含む、請求項18〜24のいずれか1項に記載の有機半導体製造用レジスト組成物。
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