JPS6141102A - 色分解フイルタ−の製造方法 - Google Patents
色分解フイルタ−の製造方法Info
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- JPS6141102A JPS6141102A JP16297384A JP16297384A JPS6141102A JP S6141102 A JPS6141102 A JP S6141102A JP 16297384 A JP16297384 A JP 16297384A JP 16297384 A JP16297384 A JP 16297384A JP S6141102 A JPS6141102 A JP S6141102A
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- JP
- Japan
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- dye layer
- photoresist
- pattern
- substrate
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ＣＣＤ（チャージ、カップルド、デバイス）
、ＢＢＤ（パケット、プリゲート、デバイス）、ＣＩＤ
（チャージ、インジェクション、デバイス）等のカラー
固体撮像素子及びカラーディスプレイ用等に用いられる
色分解フィルターの製造方法に関する。
、ＢＢＤ（パケット、プリゲート、デバイス）、ＣＩＤ
（チャージ、インジェクション、デバイス）等のカラー
固体撮像素子及びカラーディスプレイ用等に用いられる
色分解フィルターの製造方法に関する。
各種のカラー撮像素子、カラーディスプレイ等に用いら
れる色分解フィルターは、従来、各々の色パターンの位
置合せ精度が不十分なため第７図に示す様に隣接して配
置された異なる色パター７の間（２隙間ができたり、異
なる色パターンが重なり合ったりすることが多かった。
れる色分解フィルターは、従来、各々の色パターンの位
置合せ精度が不十分なため第７図に示す様に隣接して配
置された異なる色パター７の間（２隙間ができたり、異
なる色パターンが重なり合ったりすることが多かった。
このため色分解の精度が悪くなったり、あるいは特に固
体イメージセンサーに用いる場合３二、白色光が色パタ
ーン間の隙間を透過することにより光量過多で、いわゆ
るプルーミングを起こすという欠点が発生しやすかった
。
体イメージセンサーに用いる場合３二、白色光が色パタ
ーン間の隙間を透過することにより光量過多で、いわゆ
るプルーミングを起こすという欠点が発生しやすかった
。
かった。
この対策として、色パターンの位置合せの際【１生じる
誤差幅よりも大きな幅の第７図で７で示すような遮光帯
を色パターンの境界部に配設することが一般的（２行な
われていた。しかし、このような遮光帯７を設けると、
光の利用効率が低下したり、製造工程が煩雑化するとい
う新たな欠点が生じた。
誤差幅よりも大きな幅の第７図で７で示すような遮光帯
を色パターンの境界部に配設することが一般的（２行な
われていた。しかし、このような遮光帯７を設けると、
光の利用効率が低下したり、製造工程が煩雑化するとい
う新たな欠点が生じた。
本発明は、以上の問題点（２鑑みなされたものであり、
本発明の目的は、遮光帯がなくても色バター間の隙間や
色パターンの重なりが生じることのない色分解フィルタ
ーの製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、遮光帯がなくても色バター間の隙間や
色パターンの重なりが生じることのない色分解フィルタ
ーの製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、有効開口率が高くまた製造工程も
簡単な色分解フィルターの製造方法を提供することにあ
る・ 〔発明の構成〕 本発明の色分解フィルターの製造方法は、基板上に所望
の形状の色素層が形成された色分解フィルターの製造方
法Ｃ於いて、 （１）基板上に色素層、フォトレジスト層を順次積層す
る工程と、 （２） 該フォトレジスト層に対して、パターン露光
し、現像処理ζ二より７オトレジストパターンを形成す
る工程と、 （３）前記色素層のうち、前記フォトレジストパターン
で覆われていない部分をドライエツチングζ：より除去
する工程と を少なくとも一回以上実施し、しかる後に前記基板上に
側の色素層を積層し、更に前記フォトレジストパターン
を剥離する工程を有することを特徴とする。
簡単な色分解フィルターの製造方法を提供することにあ
る・ 〔発明の構成〕 本発明の色分解フィルターの製造方法は、基板上に所望
の形状の色素層が形成された色分解フィルターの製造方
法Ｃ於いて、 （１）基板上に色素層、フォトレジスト層を順次積層す
る工程と、 （２） 該フォトレジスト層に対して、パターン露光
し、現像処理ζ二より７オトレジストパターンを形成す
る工程と、 （３）前記色素層のうち、前記フォトレジストパターン
で覆われていない部分をドライエツチングζ：より除去
する工程と を少なくとも一回以上実施し、しかる後に前記基板上に
側の色素層を積層し、更に前記フォトレジストパターン
を剥離する工程を有することを特徴とする。
以下、本発明の方法の一実施態様を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
本発明の色分解フィルターの製造方法においては、まず
、基板１上の所定位置に色素層２を連続的に被膜する。
、基板１上の所定位置に色素層２を連続的に被膜する。
色分解フィルターの基板１としては、ガラス板；光学用
樹脂板：ゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルメタ
クリレート、ポリエステル、ポリアミド等の樹脂フィル
ム等が使用できる。色素層２の被膜は、真空蒸着法によ
り形成するのが適当である。従って、色素層２を形成可
能な色素としては、蒸着可能な染料または顔料ならばい
かなるものも使用でき、代表的なものとしてアセトアセ
チックアニリド系、ナフトール類のモノアゾ系、ポリサ
イクリック系９分散系、油溶性系、インダンスレン系、
フタロンシアニン系等が挙げられる。これらの中でも、
フタロンシアニン系、ペリレン系、イソインドリノン系
、アントラキノン系、キナクリドン系の色素が特に好ま
しい。
樹脂板：ゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルメタ
クリレート、ポリエステル、ポリアミド等の樹脂フィル
ム等が使用できる。色素層２の被膜は、真空蒸着法によ
り形成するのが適当である。従って、色素層２を形成可
能な色素としては、蒸着可能な染料または顔料ならばい
かなるものも使用でき、代表的なものとしてアセトアセ
チックアニリド系、ナフトール類のモノアゾ系、ポリサ
イクリック系９分散系、油溶性系、インダンスレン系、
フタロンシアニン系等が挙げられる。これらの中でも、
フタロンシアニン系、ペリレン系、イソインドリノン系
、アントラキノン系、キナクリドン系の色素が特に好ま
しい。
後述する色素層４，６ｃ二も上記の色素から使用する色
に合ったものを使用することができる。
に合ったものを使用することができる。
次に、この色素層２上に所定の形状のフォトレジストパ
ターン６を形成する。この工程につきフォトレジストと
してネガ型フォトレジストを用いた場合を説明するが、
ポジ型フォトレジストを使用してもさしつかえない。
ターン６を形成する。この工程につきフォトレジストと
してネガ型フォトレジストを用いた場合を説明するが、
ポジ型フォトレジストを使用してもさしつかえない。
まず、色素層２上の全面にフォトレジスト３を被着し、
第１図に足すような積層体を形成する。
第１図に足すような積層体を形成する。
フォトレジスト３が液体レジストである場合には、スピ
ンナー等の塗布手段〔二より被着、固化させる◇フォト
レジスト６がフィルムレジストの場合じは、ラミネータ
ー等を用いて被着させる。次いで、所定の露光マスクを
介して紫外線、Ｘ線、電子線等ζ二より光露光を行い、
未露光部の７オトレジスト３を現像液で溶解し、フォト
レジストパターン３を得る。なお、露光マスクの位置合
せにはアライナ−等が使用できる。
ンナー等の塗布手段〔二より被着、固化させる◇フォト
レジスト６がフィルムレジストの場合じは、ラミネータ
ー等を用いて被着させる。次いで、所定の露光マスクを
介して紫外線、Ｘ線、電子線等ζ二より光露光を行い、
未露光部の７オトレジスト３を現像液で溶解し、フォト
レジストパターン３を得る。なお、露光マスクの位置合
せにはアライナ−等が使用できる。
次に、第２図に足すよう（ニドライエツチングによりフ
ォトレジストパターン３で覆われていない部分の不用な
色素層２を除去する。ドライエツチングとしては、平行
板電極を用いた反応性イオンエツチング法、スパッタエ
ツチング法及びイオンビームエツチング法がアンダーカ
ットが小さいので好ましい。
ォトレジストパターン３で覆われていない部分の不用な
色素層２を除去する。ドライエツチングとしては、平行
板電極を用いた反応性イオンエツチング法、スパッタエ
ツチング法及びイオンビームエツチング法がアンダーカ
ットが小さいので好ましい。
次に、第６図に足すように、色素層２及びフォトレジス
トパターン乙の付着した基板１上に、色素層４を真空蒸
着ζ：より連続層となるように成膜し、更Ｃニフオトレ
ジストパターン３を形成したのと同様な方法により所定
の７オトレジストパターン５を形成する。
トパターン乙の付着した基板１上に、色素層４を真空蒸
着ζ：より連続層となるように成膜し、更Ｃニフオトレ
ジストパターン３を形成したのと同様な方法により所定
の７オトレジストパターン５を形成する。
フォトレジストパターン５のうち、色素層４を介してフ
ォトレジストパターン乙の上方に積層された５ａの部分
は、必ずしも必要ではない。この５ａ部分を設ける場合
には、５ａの部分の端面５ｂがフォトレジストパターン
乙の端面６ｂよりも左側へ突出しないよう〔ニフオトレ
ジストパターン５を設ける必要がある。この理由は、も
し端面５ｂが端面３ｂよりも突出すると、後の工程で設
ける色素層６と前記工程で設けた色素層２との間Ｃ２隙
間ができるからである。
ォトレジストパターン乙の上方に積層された５ａの部分
は、必ずしも必要ではない。この５ａ部分を設ける場合
には、５ａの部分の端面５ｂがフォトレジストパターン
乙の端面６ｂよりも左側へ突出しないよう〔ニフオトレ
ジストパターン５を設ける必要がある。この理由は、も
し端面５ｂが端面３ｂよりも突出すると、後の工程で設
ける色素層６と前記工程で設けた色素層２との間Ｃ２隙
間ができるからである。
次に、第４図に示すように、フォトレジストバター７５
で覆われていない部分の不用な色素層４をドライエツチ
ングにより除去する。このドライエツチングも前記の各
種のドライエツチング法により行うことが好ましい。
で覆われていない部分の不用な色素層４をドライエツチ
ングにより除去する。このドライエツチングも前記の各
種のドライエツチング法により行うことが好ましい。
次に、第５図に示すように、色素層２，４及びフォトレ
ジストパターンろ、５の付着した基板１上に、色素層６
を真空蒸着により連続層となるよう〔二成膜する。
ジストパターンろ、５の付着した基板１上に、色素層６
を真空蒸着により連続層となるよう〔二成膜する。
更ｆ−１これをフォトレジスト剥離液に浸漬し、フォト
レジスト６及び５を溶解除去することにより、このレジ
スト６及び５の上（−被着している不用の色素層４及び
６も同時に除去することにより、色パターン間の隙間や
色パターンの重なりがない色分解フィルターが製造され
た。浸漬の際に、フォトレジストが容易に除去できるよ
うに超音波をかけてもよい。
レジスト６及び５を溶解除去することにより、このレジ
スト６及び５の上（−被着している不用の色素層４及び
６も同時に除去することにより、色パターン間の隙間や
色パターンの重なりがない色分解フィルターが製造され
た。浸漬の際に、フォトレジストが容易に除去できるよ
うに超音波をかけてもよい。
各色素層の厚さは、製造される色分解フィルターの用途
に応じて適宜選択できる。
に応じて適宜選択できる。
以上の実施例においては、三色の色パターンを有する色
分解フィルターの製造方法について説明したが、二色の
色パターンを有する色分解フィルターを製造する場合は
、第３図及び第４図〔二足した工程を省略することによ
り、また囲包以上の色パターンを有する色分解フィルタ
ーを製造する場合には、第３図及び第４図に足した工程
を必要（２応じて繰り返えすことによって製造すること
ができる。
分解フィルターの製造方法について説明したが、二色の
色パターンを有する色分解フィルターを製造する場合は
、第３図及び第４図〔二足した工程を省略することによ
り、また囲包以上の色パターンを有する色分解フィルタ
ーを製造する場合には、第３図及び第４図に足した工程
を必要（２応じて繰り返えすことによって製造すること
ができる。
きる。
本発明の色分解フィルターの製造方法〔二より、色パタ
ーンの重なりや色パターン間の隙間の発生を防止するこ
とが可能となった。従って、製造された色分解フィルタ
ーは色分解精度が高く、また固体イメージセンサ−に相
いてもブルーミングを起こさない。更【二、従来一般に
設置されていた遮光帯が不要となり、有効開口率が大き
くなったことに加えて製造工程も簡単〔二なった。
ーンの重なりや色パターン間の隙間の発生を防止するこ
とが可能となった。従って、製造された色分解フィルタ
ーは色分解精度が高く、また固体イメージセンサ−に相
いてもブルーミングを起こさない。更【二、従来一般に
設置されていた遮光帯が不要となり、有効開口率が大き
くなったことに加えて製造工程も簡単〔二なった。
〔実施例〕
以下、実施例に基づいて、本発明を更に詳細【二説明す
る。
る。
実施例１
２色の色パターンからなるモザイク状色分解フィルター
を次のよう【二作成した。
を次のよう【二作成した。
まず、ガラス基板上の全面〔ニジアノ色素である銅フタ
ロシアニンを真空蒸着し層厚０．６μｍのシアン色素層
を形成した。このシアン色素層上の全面（ニネガ型液体
しジスト；セレクテイラツクスＮ（メーカ御名：メルク
社）をスピンナーにより８００ＯＡの膜厚に塗布した。
ロシアニンを真空蒸着し層厚０．６μｍのシアン色素層
を形成した。このシアン色素層上の全面（ニネガ型液体
しジスト；セレクテイラツクスＮ（メーカ御名：メルク
社）をスピンナーにより８００ＯＡの膜厚に塗布した。
このレジスト膜を乾燥し、所定の露光マスクを用い、紫
外光により露光を行った。露光マスクの位置合わせはア
ライナ−を用いた。次に、未露光部を溶解除去し、モザ
イク状のフォトレジストパターンを形成した。次に、こ
れを平行平板電極のドライエツチング装置の中に装入し
、Ａｒ ’ ０２ ＝１ ’ ２、圧力１５Ｐａの混合
ガス雰囲気、ＲＦハワー２００Ｗでドライエツチングを
行い、フォトレジストに覆われていない不用なシアン色
素層を除去した◎ 次に、このフォトレジストパターン及びシアン色素層の
被着したガラス基板上の全面に、真空蒸着により赤色色
素であるイルガジンレツド（テパガイギー社製）の赤色
色素層（層厚０，３μｍ）を形成した。
外光により露光を行った。露光マスクの位置合わせはア
ライナ−を用いた。次に、未露光部を溶解除去し、モザ
イク状のフォトレジストパターンを形成した。次に、こ
れを平行平板電極のドライエツチング装置の中に装入し
、Ａｒ ’ ０２ ＝１ ’ ２、圧力１５Ｐａの混合
ガス雰囲気、ＲＦハワー２００Ｗでドライエツチングを
行い、フォトレジストに覆われていない不用なシアン色
素層を除去した◎ 次に、このフォトレジストパターン及びシアン色素層の
被着したガラス基板上の全面に、真空蒸着により赤色色
素であるイルガジンレツド（テパガイギー社製）の赤色
色素層（層厚０，３μｍ）を形成した。
次に、これをフォトレジスト剥離液に２分間浸漬してフ
ォトレジストパターンを剥離すること【二より、このフ
ォトレジストパターン」二の赤色色素も除去し、シアン
色素層と赤色色素層が隙間なく、かつ重なりもなく並べ
られたモザイク状色分解フィルターを作成した。
ォトレジストパターンを剥離すること【二より、このフ
ォトレジストパターン」二の赤色色素も除去し、シアン
色素層と赤色色素層が隙間なく、かつ重なりもなく並べ
られたモザイク状色分解フィルターを作成した。
実施例２
次のよう〔ニして第６図に示すような、３色の色パター
ンからなるストライプ状色分解フィルターを作成した。
ンからなるストライプ状色分解フィルターを作成した。
まず、ガラス基板１上の全面Ｃニジアン色素である銅フ
タロシアニンを真空蒸着し、層厚０．６μｍの色素層２
を形成した。この色素層２上の全面Ｃ；ネガ型液体レジ
スト３；セレクテイラックスＮ（メーカ御名：メルク社
）をスピナーにより８００ＯＡの膜厚に塗布した。この
レジスト膜を乾燥し、ストライプ状の露光マスクを用い
、紫外光により露光を行った。露光マスクの位置合わせ
はアライナ−を用いた。次に、未露光部を溶解除去し、
フォトレジストパターン３を形成した。次に、これを平
行平板電極のドライエツチング装置の中に装入し、Ａｒ
：０２＝１：２、圧力１５Ｐａの混合ガス雰囲気、ＲＦ
パワー２００ｗでドライエツチングを行い、フォトレジ
スト３Ｔ二覆われていない不用な色素層２を除去した。
タロシアニンを真空蒸着し、層厚０．６μｍの色素層２
を形成した。この色素層２上の全面Ｃ；ネガ型液体レジ
スト３；セレクテイラックスＮ（メーカ御名：メルク社
）をスピナーにより８００ＯＡの膜厚に塗布した。この
レジスト膜を乾燥し、ストライプ状の露光マスクを用い
、紫外光により露光を行った。露光マスクの位置合わせ
はアライナ−を用いた。次に、未露光部を溶解除去し、
フォトレジストパターン３を形成した。次に、これを平
行平板電極のドライエツチング装置の中に装入し、Ａｒ
：０２＝１：２、圧力１５Ｐａの混合ガス雰囲気、ＲＦ
パワー２００ｗでドライエツチングを行い、フォトレジ
スト３Ｔ二覆われていない不用な色素層２を除去した。
次に、このフォトレジストパターン６、色素層２の被着
したガラス基板上の全面に、真空蒸着により赤色色素で
あるイルガジンレツド（チバガイギー社）の赤色色素層
４（層厚０．３μｍ）を形成したＯ 次（；、この上に上記と同じネガ型フォトレジストを用
い、フォトレジストパターン３と同様な方法Ｃ：よりス
トライプ状のフォトレジストパターン５を形成した。こ
のフォトレジストパターン５の端面５ｂはフォトレジス
トパターンの端面３ｂよりも突出しないよう（＝設けら
れている。これは、アライナ−Ｃ；よる露光マスクの位
置合せの際にアライメントずれが生じても、前記のよう
な突出が発生しないような露光マスクを用いることによ
り可能となった。
したガラス基板上の全面に、真空蒸着により赤色色素で
あるイルガジンレツド（チバガイギー社）の赤色色素層
４（層厚０．３μｍ）を形成したＯ 次（；、この上に上記と同じネガ型フォトレジストを用
い、フォトレジストパターン３と同様な方法Ｃ：よりス
トライプ状のフォトレジストパターン５を形成した。こ
のフォトレジストパターン５の端面５ｂはフォトレジス
トパターンの端面３ｂよりも突出しないよう（＝設けら
れている。これは、アライナ−Ｃ；よる露光マスクの位
置合せの際にアライメントずれが生じても、前記のよう
な突出が発生しないような露光マスクを用いることによ
り可能となった。
これを前記と同様にしてドライエツチングを行い、フォ
トレジストパターン５で覆われていない不用な赤色色素
層４を除去した。
トレジストパターン５で覆われていない不用な赤色色素
層４を除去した。
次に、この上の全面に真空蒸着により緑色色素である鉛
フタロシアニンの色素層６（層厚０．６μｍ）を形成し
た。これを、レジスト剥離液に６分間超音波をかけなが
ら浸漬し、フォトレジストパターン３，５を除去するこ
とにより、このパターン３．５上の不用な色素層も除去
し、隣接した色素パターンに隙間も重なりもないストラ
イプ状色分解フィルターを作成した。
フタロシアニンの色素層６（層厚０．６μｍ）を形成し
た。これを、レジスト剥離液に６分間超音波をかけなが
ら浸漬し、フォトレジストパターン３，５を除去するこ
とにより、このパターン３．５上の不用な色素層も除去
し、隣接した色素パターンに隙間も重なりもないストラ
イプ状色分解フィルターを作成した。
第１図から第６図は、本発明の色分解フィルターの製造
方法の一実施例の製造工程を示す模式図、第７図は従来
の色分解フィルターの一例を示す模式図である。 １：基板、 ２．４，６ ：色素層、 ６．５ニアオドレジストパターン、 ３ニアオドレジスト、 ５ａ：フォトレジストパターン５のうち色素層４を介し
てフォトレジストパターン６の上方に項層された部分、 ３ｂ、５ｂ：フォトレジストパターンの端面。 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 第３図 第４図
方法の一実施例の製造工程を示す模式図、第７図は従来
の色分解フィルターの一例を示す模式図である。 １：基板、 ２．４，６ ：色素層、 ６．５ニアオドレジストパターン、 ３ニアオドレジスト、 ５ａ：フォトレジストパターン５のうち色素層４を介し
てフォトレジストパターン６の上方に項層された部分、 ３ｂ、５ｂ：フォトレジストパターンの端面。 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に所望の形状の色素層が形成された色分解の
フィルターの製造方法に於いて、 （１）基板上に色素層、フォトレジスト層を順次積層す
る工程と、 （２）該フオトレジスト層に対して、パターン露光し、
現像処理によりフォトレジストパターンを形成する工程
と、 （３）前記色素層のうち、前記フォトレジストパターン
で覆われていない部分をドライエッチングにより除去す
る工程と を少なくとも一回以上実施し、しかる後に前記基板上に
別の色素層を積層し、更に前記フォトレジストパターン
を剥離する工程を有することを特徴とする色分解フィル
ターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16297384A JPS6141102A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16297384A JPS6141102A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141102A true JPS6141102A (ja) | 1986-02-27 |
Family
ID=15764796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16297384A Pending JPS6141102A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141102A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011158288A1 (ja) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | パナソニック株式会社 | El表示パネル、el表示パネルを備えたel表示装置、有機el表示装置、およびel表示パネルの製造方法 |
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| WO2022050313A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機層パターンの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP16297384A patent/JPS6141102A/ja active Pending
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