JPH04111354A - カラーフィルターの製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法Info
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- JPH04111354A JPH04111354A JP2229283A JP22928390A JPH04111354A JP H04111354 A JPH04111354 A JP H04111354A JP 2229283 A JP2229283 A JP 2229283A JP 22928390 A JP22928390 A JP 22928390A JP H04111354 A JPH04111354 A JP H04111354A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置にかかり、特に光電変換
素子や電荷転送素子を形成したシリコン基板上に直接カ
ラーフィルターを形成する方法に関する。
素子や電荷転送素子を形成したシリコン基板上に直接カ
ラーフィルターを形成する方法に関する。
従来、固体撮像装置の表面に設けるカラーフィルターは
、次の様な製法で製造されていた。すなわち、第３図（
ａ＞の如く、光電変換素子や電荷転送素子等で成る固体
撮像装置５を形成したシリコン基板上に透明高分子材料
からなる防染層を介して、又は、直接に、有機高分子材
料からなる染色層２を成膜、選択露光・現像、染色プロ
セスを経て形成し、その後、透明有機高分子材料からな
る防染層（図示省略）を形成する。
、次の様な製法で製造されていた。すなわち、第３図（
ａ＞の如く、光電変換素子や電荷転送素子等で成る固体
撮像装置５を形成したシリコン基板上に透明高分子材料
からなる防染層を介して、又は、直接に、有機高分子材
料からなる染色層２を成膜、選択露光・現像、染色プロ
セスを経て形成し、その後、透明有機高分子材料からな
る防染層（図示省略）を形成する。
この染色層２を必要な色の数だけくり返し形成した後、
最上層に防染層と同様の透明高分子材料からなる表面保
護層１を形成する。その後、第３図（ｂ）に示すように
、固体撮像装置５の周辺電極３上の透明有機高分子材料
からなる防染層と表面保護層を１回の選択露光・現像プ
ロセスで除去していた。
最上層に防染層と同様の透明高分子材料からなる表面保
護層１を形成する。その後、第３図（ｂ）に示すように
、固体撮像装置５の周辺電極３上の透明有機高分子材料
からなる防染層と表面保護層を１回の選択露光・現像プ
ロセスで除去していた。
上述した従来のこの種のカラーフィルターの製遣方法で
は、透明有機高分子材料として、紫外領域（ＤｅｅｐＵ
Ｖ （２５Ｏｎｍ付近〉）に光吸収をもち、ポジ型とし
て、アセテート系又はゲント系等の有機溶剤で現像され
るものを用いているが、感度が低いという欠点があった
。従って、露光の際に時間がかかり、装置の処理能力が
低く生産性が悪かった。又この除去する透明有機高分子
材料は、多層になって厚くなっているため段差の低い部
分では現像性が悪く、除去残りが発生しやすかった。
は、透明有機高分子材料として、紫外領域（ＤｅｅｐＵ
Ｖ （２５Ｏｎｍ付近〉）に光吸収をもち、ポジ型とし
て、アセテート系又はゲント系等の有機溶剤で現像され
るものを用いているが、感度が低いという欠点があった
。従って、露光の際に時間がかかり、装置の処理能力が
低く生産性が悪かった。又この除去する透明有機高分子
材料は、多層になって厚くなっているため段差の低い部
分では現像性が悪く、除去残りが発生しやすかった。
以上、従来の製造方法では、装置の処理能力が低く、除
去残りが発生しやすい等、量産上、歩留り、品質上、従
来な欠点があった。
去残りが発生しやすい等、量産上、歩留り、品質上、従
来な欠点があった。
本発明のカラーフィルターの製造方法は、固体撮像装置
の周辺電極上の透明有機高分子材料を除去するための露
光・現像プロセスを２回以上繰り返している。
の周辺電極上の透明有機高分子材料を除去するための露
光・現像プロセスを２回以上繰り返している。
次に本発明について、図面を参照して説明する。
本発明の一実施例の概略を第１図に示す。まず、第１図
（ａ）に示すように、光電変換素子や電荷転送素子等で
成る固体撮像装Ｗ５が形成されたシリコン基板４に、ゼ
ラチン、カゼイン、グルー等のタンパク質と重クロム酸
アンモニウム、重クロム酸カリウム等の感光剤の混合液
を塗布・成膜した後、露光・現像し、シアン、イエロー
、マゼンダ、グリーン、レッド、ブルー等の分光特性を
有する染料で所望の濃度に染色して染色層２を形成し、
透明有機高分子材料を成膜して表面保護層１を形成する
。次いで、第１図（ｂ）に示すように、マスク６を介し
て周辺電極３上及びその外側の表面保護層等の有機高分
子材料を露光・現像により一部除去した後、第１図（ｃ
）に示すように、再度、同じマスク６を用いて露光・現
像し、前回の露光・現像プロセスで一部残された部分を
完全に除去することによって、固体撮像装置表面にカラ
ーフィルターが形成される。
（ａ）に示すように、光電変換素子や電荷転送素子等で
成る固体撮像装Ｗ５が形成されたシリコン基板４に、ゼ
ラチン、カゼイン、グルー等のタンパク質と重クロム酸
アンモニウム、重クロム酸カリウム等の感光剤の混合液
を塗布・成膜した後、露光・現像し、シアン、イエロー
、マゼンダ、グリーン、レッド、ブルー等の分光特性を
有する染料で所望の濃度に染色して染色層２を形成し、
透明有機高分子材料を成膜して表面保護層１を形成する
。次いで、第１図（ｂ）に示すように、マスク６を介し
て周辺電極３上及びその外側の表面保護層等の有機高分
子材料を露光・現像により一部除去した後、第１図（ｃ
）に示すように、再度、同じマスク６を用いて露光・現
像し、前回の露光・現像プロセスで一部残された部分を
完全に除去することによって、固体撮像装置表面にカラ
ーフィルターが形成される。
本実施例は、周辺電極上の透明有機高分子材料を除去す
る工程を第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順で、２回の
露光・現像プロセスで行っている。すなわち、１回の露
光・現像プロセスで、透明有機高分子材料をすべて除去
するよりも１回当りに除去する膜厚が薄い。一般に知ら
れている様に、光のエネルギーの減衰は、距離の３乗に
比例する。従って同じ膜厚を光反応で分解させようとす
る場合、−度の露光・現像プロセスで除去するよりも２
回以上の露光・現像プロセスで除去した方が少ない露光
量で、除去することができる。又下地段差の低い部分で
も確実に除去することができる。
る工程を第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順で、２回の
露光・現像プロセスで行っている。すなわち、１回の露
光・現像プロセスで、透明有機高分子材料をすべて除去
するよりも１回当りに除去する膜厚が薄い。一般に知ら
れている様に、光のエネルギーの減衰は、距離の３乗に
比例する。従って同じ膜厚を光反応で分解させようとす
る場合、−度の露光・現像プロセスで除去するよりも２
回以上の露光・現像プロセスで除去した方が少ない露光
量で、除去することができる。又下地段差の低い部分で
も確実に除去することができる。
第２図は本発明の実施例の概略図である。基本的なプロ
セスは先の実施例と同じであるので各工程（第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ））の説明は省略する。先の実施例と
異る点は、第２回目の露光・現像に用いるマスク６ｂが
、第１回目の露光・現像に用いたマスク６ａと違う点で
ある。第１回目のマスク６ａの遮光部７ａを広く、第２
回目のマスク６ｂの遮光部７ｂをせまくしである。この
ため第２回目の露光・現像後の断面形状は第２図（Ｃ）
の様になる。
セスは先の実施例と同じであるので各工程（第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ））の説明は省略する。先の実施例と
異る点は、第２回目の露光・現像に用いるマスク６ｂが
、第１回目の露光・現像に用いたマスク６ａと違う点で
ある。第１回目のマスク６ａの遮光部７ａを広く、第２
回目のマスク６ｂの遮光部７ｂをせまくしである。この
ため第２回目の露光・現像後の断面形状は第２図（Ｃ）
の様になる。
露光・現像に現像液として使用しているアセテート系又
はケトン系等の有機溶剤は、非常に浸透性が強いもので
１度目の露光、現像と、２度目の露光、現像のパターン
が同じ場合、２度目の露光・現像の際に、透明有機高分
子膜と、シリコン基板の間に現像液が浸透して、クラッ
クが発生しやすい、従ってこの実施例では、１度目の露
光・現像と、２度目の露光・現像のパターンの端が違う
ので、クラックの発生を防止できるという効果がある。
はケトン系等の有機溶剤は、非常に浸透性が強いもので
１度目の露光、現像と、２度目の露光、現像のパターン
が同じ場合、２度目の露光・現像の際に、透明有機高分
子膜と、シリコン基板の間に現像液が浸透して、クラッ
クが発生しやすい、従ってこの実施例では、１度目の露
光・現像と、２度目の露光・現像のパターンの端が違う
ので、クラックの発生を防止できるという効果がある。
以上説明した様に、本発明は、固体撮像装置の周辺電極
上の透明有機高分子材料からなる層を、２度以上の露光
・現像プロセスで、除去することにより、１度の露光・
現像で除去するときよりも少ない露光時間で確実に、除
去できる効果がある。
上の透明有機高分子材料からなる層を、２度以上の露光
・現像プロセスで、除去することにより、１度の露光・
現像で除去するときよりも少ない露光時間で確実に、除
去できる効果がある。
第１図、第２図は実施例の概略図、
来例の概略図である。
１・・・表面保護層、２・・・染色層、３・・４・・・
シリコン基板。 第３図は従 周辺電極、
シリコン基板。 第３図は従 周辺電極、
Claims (1)
- 固体撮像装置を形成したシリコン基板上に、透明有機高
分子材料を介して、有機高分子材料を成膜、露光・現像
、染色プロセスを経て形成するカラーフィルターの製造
方法において、固体撮像装置の周辺電極上の透明有機高
分子材料を露光・現像プロセスで除去する際に２回以上
の露光・現像プロセスで除去することを特徴とするカラ
ーフィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22928390A JP2702266B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | カラーフィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22928390A JP2702266B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | カラーフィルターの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111354A true JPH04111354A (ja) | 1992-04-13 |
| JP2702266B2 JP2702266B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16889694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22928390A Expired - Fee Related JP2702266B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | カラーフィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702266B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604362A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-18 | Xerox Corporation | Filter architecture for a photosensitive chip |
| US7453130B2 (en) * | 2003-02-19 | 2008-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349703A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタの製造方法 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22928390A patent/JP2702266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349703A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604362A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-18 | Xerox Corporation | Filter architecture for a photosensitive chip |
| US7453130B2 (en) * | 2003-02-19 | 2008-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702266B2 (ja) | 1998-01-21 |
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