JP2714646B2 - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents
カラーフィルタの製造方法Info
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- JP2714646B2 JP2714646B2 JP6525189A JP6525189A JP2714646B2 JP 2714646 B2 JP2714646 B2 JP 2714646B2 JP 6525189 A JP6525189 A JP 6525189A JP 6525189 A JP6525189 A JP 6525189A JP 2714646 B2 JP2714646 B2 JP 2714646B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 固体撮像素子等に使用するカラーフィルタの製造方法
に関し、 カラーフィルタのパターン精度や歩留りを向上すると
ともに、染料温度等の管理の手間を省くことを目的と
し、 着色した第1のレジスト膜を下地の上に形成する工程
と、前記第1のレジスト膜の上方に形成される第2のレ
ジスト膜と前記第1のレジスト膜との混合を防止するレ
ジスト混合防止膜を前記第1のレジスト膜上に形成する
工程と、感光波長が前記第1のレジスト膜とは異なる前
記第2のレジスト膜を前記レジスト混合防止膜上に形成
する工程と、前記第2のレジスト膜を露光、現像してパ
ターン化する工程と、パターン化を終えた前記第2のレ
ジスト膜をマスクに使用して前記レジスト混入防止膜を
エッチングすることにより、前記第2のレジスト膜の下
に前記レジスト混入防止膜を残す工程と、パターン化さ
れた前記第2のレジスト膜をマスクに使用して上記第1
のレジスト膜をエッチングすることにより、前記第1の
レジスト膜から第1のカラーパターンを形成する工程
と、前記第1のカラーパターン形成後に前記第2のレジ
スト膜を選択的に剥離する工程と、前記第1のカラーパ
ターンの形成後に、前記第2のレジスト膜を選択的に剥
離する工程と、前記第1のカラーパターンおよび前記レ
ジスト混合防止膜を覆う混色防止用分離膜を形成する工
程と、前記第1のカラーパターンの側方に前記混色防止
用分離膜によって隔てられた第2のカラーパターンを形
成する工程とを含み構成する。
に関し、 カラーフィルタのパターン精度や歩留りを向上すると
ともに、染料温度等の管理の手間を省くことを目的と
し、 着色した第1のレジスト膜を下地の上に形成する工程
と、前記第1のレジスト膜の上方に形成される第2のレ
ジスト膜と前記第1のレジスト膜との混合を防止するレ
ジスト混合防止膜を前記第1のレジスト膜上に形成する
工程と、感光波長が前記第1のレジスト膜とは異なる前
記第2のレジスト膜を前記レジスト混合防止膜上に形成
する工程と、前記第2のレジスト膜を露光、現像してパ
ターン化する工程と、パターン化を終えた前記第2のレ
ジスト膜をマスクに使用して前記レジスト混入防止膜を
エッチングすることにより、前記第2のレジスト膜の下
に前記レジスト混入防止膜を残す工程と、パターン化さ
れた前記第2のレジスト膜をマスクに使用して上記第1
のレジスト膜をエッチングすることにより、前記第1の
レジスト膜から第1のカラーパターンを形成する工程
と、前記第1のカラーパターン形成後に前記第2のレジ
スト膜を選択的に剥離する工程と、前記第1のカラーパ
ターンの形成後に、前記第2のレジスト膜を選択的に剥
離する工程と、前記第1のカラーパターンおよび前記レ
ジスト混合防止膜を覆う混色防止用分離膜を形成する工
程と、前記第1のカラーパターンの側方に前記混色防止
用分離膜によって隔てられた第2のカラーパターンを形
成する工程とを含み構成する。
本発明は、カラーフィルタの製造方法に関し、より詳
しくは、固体撮像素子等に使用するカラーフィルタの製
造方法に関する。
しくは、固体撮像素子等に使用するカラーフィルタの製
造方法に関する。
固体撮像素子上にカラーフィルタを形成する場合に
は、ゼラチンやカゼインよりなる複数色のカラーフィル
タをガラス基板上にモザイク状に形成した後、カラーフ
ィルタを固体撮像素子に貼合わせることが行われてい
る。また、直接、固体撮像素子上に形成される場合もあ
る。
は、ゼラチンやカゼインよりなる複数色のカラーフィル
タをガラス基板上にモザイク状に形成した後、カラーフ
ィルタを固体撮像素子に貼合わせることが行われてい
る。また、直接、固体撮像素子上に形成される場合もあ
る。
このカラーフィルタを形成する場合は、第2図に示す
ように、例えば重クロム酸塩を添加したゼラチン30をス
ピンコートによってガラス基板31に塗布し(同図
(a))、この上からマスク32をかけて紫外線により露
光した後に、15〜20℃程度の温度の純水で現像すると
(同図(b))、露光された領域だけにゼラチン膜30が
残存することになる(同図(c))。これにより、ゼラ
チン膜30はパターン化される。
ように、例えば重クロム酸塩を添加したゼラチン30をス
ピンコートによってガラス基板31に塗布し(同図
(a))、この上からマスク32をかけて紫外線により露
光した後に、15〜20℃程度の温度の純水で現像すると
(同図(b))、露光された領域だけにゼラチン膜30が
残存することになる(同図(c))。これにより、ゼラ
チン膜30はパターン化される。
そして、このゼラチン膜を60〜90℃程度の温度の液体
染料A中に浸漬して、ゼラチン膜30を膨潤させ、その中
に染料Aを染み込ませて着色するようにしている。
染料A中に浸漬して、ゼラチン膜30を膨潤させ、その中
に染料Aを染み込ませて着色するようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、液体染料Aを使用する着色方法によれば、
着色工程において膨潤したゼラチン膜30を乾燥させて元
の大きさに戻さなければならないが、膨潤と乾燥の工程
を経た膜30はパターン精度が低下するといった不都合が
あるし、また、着色時の染料温度や濃度の管理等を適正
に行ってカラーフィルタ毎の明度、彩度等のバラツキを
防止する必要があり手間がかかるといった問題がある。
着色工程において膨潤したゼラチン膜30を乾燥させて元
の大きさに戻さなければならないが、膨潤と乾燥の工程
を経た膜30はパターン精度が低下するといった不都合が
あるし、また、着色時の染料温度や濃度の管理等を適正
に行ってカラーフィルタ毎の明度、彩度等のバラツキを
防止する必要があり手間がかかるといった問題がある。
さらに、液状の染料を使用する場合には、染料容器32
から離脱した不純物が染料とともにゼラチン膜30の内外
に侵入し易くなり、この不純物がカラーフィルタの欠陥
を発生させるため、歩留りが低下するといった問題があ
る。
から離脱した不純物が染料とともにゼラチン膜30の内外
に侵入し易くなり、この不純物がカラーフィルタの欠陥
を発生させるため、歩留りが低下するといった問題があ
る。
もとより、予めゼラチンやカゼインに染料を混入する
方法も考えられるが、ゼラチンやカゼインに入れた染料
が紫外光を吸収してしまい(特に赤外系)、ゼラチンが
露光工程において硬化しなくなってパターン化が不可能
になるため、このような方法は一般に採用されていな
い。
方法も考えられるが、ゼラチンやカゼインに入れた染料
が紫外光を吸収してしまい(特に赤外系)、ゼラチンが
露光工程において硬化しなくなってパターン化が不可能
になるため、このような方法は一般に採用されていな
い。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであっ
て、カラーフィルタのパターン精度や歩留りを向上する
とともに、着色の均一化が図れカラーフィルタ作成工程
を有する固体体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
て、カラーフィルタのパターン精度や歩留りを向上する
とともに、着色の均一化が図れカラーフィルタ作成工程
を有する固体体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
上記した課題は、着色した第1のレジスト膜2を下地
1の上に形成する工程と、感光波長が前記第1のレジス
ト膜2と異なる第2のレジスト膜4を前記第1のレジス
ト膜2の上方に形成する工程と、該第2のレジスト膜4
を露光、現像してパターン化する工程と、パターン化を
終えた上記第2のレジスト膜4をマスクに使用して上記
第1のレジスト膜2をエッチングする工程と、該エッチ
ング工程の後に上記第2のレジスト膜4を剥離する工程
とを有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法
により解決する。
1の上に形成する工程と、感光波長が前記第1のレジス
ト膜2と異なる第2のレジスト膜4を前記第1のレジス
ト膜2の上方に形成する工程と、該第2のレジスト膜4
を露光、現像してパターン化する工程と、パターン化を
終えた上記第2のレジスト膜4をマスクに使用して上記
第1のレジスト膜2をエッチングする工程と、該エッチ
ング工程の後に上記第2のレジスト膜4を剥離する工程
とを有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法
により解決する。
本発明において、例えばガラス基板や固体撮像素子を
下地1とし、この上に、色素を含有した第1のレジスト
膜2を形成する。また、この第1のレジスト膜2とは感
光波長が異なる第2のレジスト膜4を第1のレジスト膜
2の上に直接又は中間膜を介して形成する。
下地1とし、この上に、色素を含有した第1のレジスト
膜2を形成する。また、この第1のレジスト膜2とは感
光波長が異なる第2のレジスト膜4を第1のレジスト膜
2の上に直接又は中間膜を介して形成する。
このように感光波長の異なるレジスト膜を2層に形成
した後に、第2のレジスト膜4を露光、現像してパター
ン化する。このパターンの形状としては、例えばモザイ
ク状に散点させたものがある。この場合、第1のレジス
ト膜2としてはEBレジストやDUVレジストがあり、第2
のレジスト膜4としては通常の紫外線により露光される
ノボラック系レジスト膜がある。
した後に、第2のレジスト膜4を露光、現像してパター
ン化する。このパターンの形状としては、例えばモザイ
ク状に散点させたものがある。この場合、第1のレジス
ト膜2としてはEBレジストやDUVレジストがあり、第2
のレジスト膜4としては通常の紫外線により露光される
ノボラック系レジスト膜がある。
そして、この上記第2のレジスト膜4をマスクとして
使用し、上記第1のレジスト膜2を現像剤等によってエ
ッチングする。
使用し、上記第1のレジスト膜2を現像剤等によってエ
ッチングする。
これにより、第1のレジスト膜2のうち、第2のレジ
スト膜4から露出した領域だけが除去されることにな
り、この結果、第2のレジスト膜4のパターンを第1の
レジスト膜2に転写したことになる。
スト膜4から露出した領域だけが除去されることにな
り、この結果、第2のレジスト膜4のパターンを第1の
レジスト膜2に転写したことになる。
この後で、第2のレジスト膜4を剥離すると、下地の
上には、着色された第1のレジスト膜2が残存すること
になり、これをカラーフィルタの1色素として使用す
る。
上には、着色された第1のレジスト膜2が残存すること
になり、これをカラーフィルタの1色素として使用す
る。
このような工程を各色毎に行い、RGB等のカラーフィ
ルタを製造することになる。なお、RGBの原色系のカラ
ーフィルタ以外にCy(シアン),Mg(マゼンタ),Ye(イ
エロー)の補色系のカラーフィルターも同様に行うこと
ができる。
ルタを製造することになる。なお、RGBの原色系のカラ
ーフィルタ以外にCy(シアン),Mg(マゼンタ),Ye(イ
エロー)の補色系のカラーフィルターも同様に行うこと
ができる。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の一実施例を断面で示す工程図で、
図中符号1は、ガラス等の透明材よりなる基板で、この
基板1の上には、PGMA、PMMA、PMIPK等の無色透明のネ
ガ型EBレジストを着色した膜2が0.5〜1μmの膜厚に
形成されており、また、この上にはSOG膜3及びノボラ
ック系のフォトレジスト膜4がそれぞれ0.1〜0.3μm、
0.5〜1μmの厚さに形成されている。この場合、SOG膜
3は、EBレジスト膜2の保護、2つのレジスト膜2、4
の混入防止のために設けられる。
図中符号1は、ガラス等の透明材よりなる基板で、この
基板1の上には、PGMA、PMMA、PMIPK等の無色透明のネ
ガ型EBレジストを着色した膜2が0.5〜1μmの膜厚に
形成されており、また、この上にはSOG膜3及びノボラ
ック系のフォトレジスト膜4がそれぞれ0.1〜0.3μm、
0.5〜1μmの厚さに形成されている。この場合、SOG膜
3は、EBレジスト膜2の保護、2つのレジスト膜2、4
の混入防止のために設けられる。
次に、カラフィルターに配列される各色素のパターン
のうち赤(R)のパターンを形成する場合について説明
する。
のうち赤(R)のパターンを形成する場合について説明
する。
まず、第1図(a)に示すように、赤の色素を2〜6
%程度に添加溶解したEBレジスト膜2を基板1上にスピ
ナーにより塗布し、90〜200℃でプレベークする。
%程度に添加溶解したEBレジスト膜2を基板1上にスピ
ナーにより塗布し、90〜200℃でプレベークする。
そして、この上にSOG膜3及びフォトレジスト膜4を
形成した状態において、フォトレジスト膜4の上方にレ
チクル等のマスク5をかけてその上から紫外線UVを照射
した後、パターンを形成しない領域のフォトレジスト膜
4をアルカリ性の現像液によって除去する(第1図
(b))。
形成した状態において、フォトレジスト膜4の上方にレ
チクル等のマスク5をかけてその上から紫外線UVを照射
した後、パターンを形成しない領域のフォトレジスト膜
4をアルカリ性の現像液によって除去する(第1図
(b))。
この後に、フッ化水素(HF)のようなフッ素系ガスを
用いてプラズマエッチングすると(第1図(c))、フ
ォトレジスト膜4から露出したSOG膜3がエッチングさ
れてレジスト膜4のパターンが転写されることになる
(第1図(d))。
用いてプラズマエッチングすると(第1図(c))、フ
ォトレジスト膜4から露出したSOG膜3がエッチングさ
れてレジスト膜4のパターンが転写されることになる
(第1図(d))。
この段階では、ネガ型のEBレジスト膜2は感光されて
いないので、有機系のEBレジスト現像液により溶解可能
な状態となっているため、このEBレジスト膜2を現像液
によりエッチングすると、SOG膜3と同様なパターンが
形成される(第1図(e))。
いないので、有機系のEBレジスト現像液により溶解可能
な状態となっているため、このEBレジスト膜2を現像液
によりエッチングすると、SOG膜3と同様なパターンが
形成される(第1図(e))。
この後に、フォトレジスト膜4を酸素プラズマ等によ
り灰化してこれを除去すると、第1図(f)に示すよう
に、パターニングされたEBレジスト膜2が、カラーフィ
ルタのうちの赤色のパターンを構成することになる。
り灰化してこれを除去すると、第1図(f)に示すよう
に、パターニングされたEBレジスト膜2が、カラーフィ
ルタのうちの赤色のパターンを構成することになる。
この次に、青又は緑のパターンを形成する工程に移る
が、赤色のEBレジスト膜2を保護するために、この上に
SOGよりなる分離層6を形成する(第1図(g))。
が、赤色のEBレジスト膜2を保護するために、この上に
SOGよりなる分離層6を形成する(第1図(g))。
そして、分離層6の上に青又は緑に着色した第2のネ
ガ型EBレジスト膜7を形成し(第1図(h))、赤色の
EBレジスト膜2と同様な工程により第2のEBレジスト膜
7をパターン化する(第1図(i))。また、これらの
工程を各色毎に繰り返すことにより、カラーフィルタが
完成する。
ガ型EBレジスト膜7を形成し(第1図(h))、赤色の
EBレジスト膜2と同様な工程により第2のEBレジスト膜
7をパターン化する(第1図(i))。また、これらの
工程を各色毎に繰り返すことにより、カラーフィルタが
完成する。
なお、上記した実施例ではEBレジストにネガ型を使用
したが、ポジ型を使用することも可能である。この場合
には予め電子ビームで全体を露光する必要がある。
したが、ポジ型を使用することも可能である。この場合
には予め電子ビームで全体を露光する必要がある。
また、着色されたレジストは、EBレジストに限るもの
ではなく、DUV(遠紫外)レジスト等のようにノボラッ
ク系フォトレジストと感光波長が異なる着色済みレジス
トを使用することもできる。
ではなく、DUV(遠紫外)レジスト等のようにノボラッ
ク系フォトレジストと感光波長が異なる着色済みレジス
トを使用することもできる。
さらに、本実施例ではフィルタを基板1上に形成した
が、固体撮像素子上に直接形成することもできる。
が、固体撮像素子上に直接形成することもできる。
上記したように本発明によれば、色素を含有した第1
のレジスト膜を下地の上に形成するとともに、第1のレ
ジスト膜とは感光波長が異なる第2のレジスト膜を第1
のレジスト膜の上に直接又は中間膜を介して形成するよ
うにしたので、第2のレジスト膜を露光、現像してこれ
をマスクとして使用することにより、この第2のレジス
ト膜から露出した第1のレジスト膜を除去してパターン
化し、これをフィルタとして使用することができ、フィ
ルタのパターン精度を向上するとともにその歩留りを高
めることができる。
のレジスト膜を下地の上に形成するとともに、第1のレ
ジスト膜とは感光波長が異なる第2のレジスト膜を第1
のレジスト膜の上に直接又は中間膜を介して形成するよ
うにしたので、第2のレジスト膜を露光、現像してこれ
をマスクとして使用することにより、この第2のレジス
ト膜から露出した第1のレジスト膜を除去してパターン
化し、これをフィルタとして使用することができ、フィ
ルタのパターン精度を向上するとともにその歩留りを高
めることができる。
カラーフィルタパターンとなる第1のレジスト膜とマ
スクとなる第2のレジスト膜は、それぞれ感光性が異な
るが、レジスト混合防止膜によって互いに混合すること
はないので、第1のレジスト膜と第2のレジスト膜のそ
れぞれのパターン精度を向上することができる。しか
も、レジスト混合防止膜によって第1のレジスト膜が汚
染から保護されているので、汚染の少ないカラーフィル
ターを得ることができる。
スクとなる第2のレジスト膜は、それぞれ感光性が異な
るが、レジスト混合防止膜によって互いに混合すること
はないので、第1のレジスト膜と第2のレジスト膜のそ
れぞれのパターン精度を向上することができる。しか
も、レジスト混合防止膜によって第1のレジスト膜が汚
染から保護されているので、汚染の少ないカラーフィル
ターを得ることができる。
しかも、レジスト混合防止膜によって第1のレジスト
膜を覆った状態で、さらにこれらの膜を混合防止用分離
膜によって覆っているので、第1のレジスト膜の上部か
らの汚染を防止できるばかりでなく、側方における別の
カラーフィルタパターンとの色素混合などによる色相低
下をも防止することができる。
膜を覆った状態で、さらにこれらの膜を混合防止用分離
膜によって覆っているので、第1のレジスト膜の上部か
らの汚染を防止できるばかりでなく、側方における別の
カラーフィルタパターンとの色素混合などによる色相低
下をも防止することができる。
第1図(a)〜(i)は、本発明の一実施例を断面で示
す工程図、 第2図(a)〜(d)は、従来方法を断面で示す工程図
である。 (符号の説明) 1……基板、 2……EBレジスト膜(第1のレジスト)、 3……SOG膜、 4……フォトレジスト膜(第2のレジスト)、 5……マスク、 6……分離層。
す工程図、 第2図(a)〜(d)は、従来方法を断面で示す工程図
である。 (符号の説明) 1……基板、 2……EBレジスト膜(第1のレジスト)、 3……SOG膜、 4……フォトレジスト膜(第2のレジスト)、 5……マスク、 6……分離層。
Claims (1)
- 【請求項1】着色した第1のレジスト膜を下地の上に形
成する工程と、 前記第1のレジスト膜の上方に形成される第2のレジス
ト膜と前記第1のレジスト膜との混合を防止するレジス
ト混合防止膜を前記第1のレジスト膜上に形成する工程
と、 感光波長が前記第1のレジスト膜とは異なる前記第2の
レジスト膜を前記レジスト混合防止膜上に形成する工程
と、 前記第2のレジスト膜を露光、現像してパターン化する
工程と、 パターン化を終えた前記第2のレジスト膜をマスクに使
用して前記レジスト混入防止膜をエッチングすることに
より、前記第2のレジスト膜の下に前記レジスト混入防
止膜を残す工程と、 パターン化された前記第2のレジスト膜をマスクに使用
して上記第1のレジスト膜をエッチングすることによ
り、前記第1のレジスト膜より第1のカラーパターンを
形成する工程と、 前記第1のカラーパターンの形成後に前記第2のレジス
ト膜を選択的に剥離する工程と、 前記第1のカラーパターン及び前記レジスト混合防止膜
を覆う混色防止用分離膜を形成する工程と、 前記第1のカラーパターンの側方に前記混色防止用分離
膜によって隔てられた第2のカラーパターンを形成する
工程と を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6525189A JP2714646B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | カラーフィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6525189A JP2714646B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | カラーフィルタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02244102A JPH02244102A (ja) | 1990-09-28 |
JP2714646B2 true JP2714646B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=13281501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6525189A Expired - Lifetime JP2714646B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | カラーフィルタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2714646B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5300495B2 (ja) * | 2009-01-06 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 選択的な光透過特性を有する金属薄膜複合体およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59171909A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-28 | Canon Inc | 微細色フイルタ−の製造方法 |
JPS642002A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Fujitsu Ltd | Formation of solid color image pick up element |
JPS6420504A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6525189A patent/JP2714646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02244102A (ja) | 1990-09-28 |
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