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  1. 第1の画素を有する第1の表示領域と、第2の画素を有する第2の表示領域と、を有し、
    前記第1の画素は、第1の副画素及び第2の副画素を有し、
    前記第2の画素は、第3の副画素及び第4の副画素を有し、
    前記第1の副画素及び前記第2の副画素は第1の方向に配列し、
    前記の副画素及び前記の副画素は第2の方向に配列し、
    前記第1の方向は、前記第2の方向と異なることを特徴とする表示装置。
  2. 請求項において、
    前記第2の表示領域は駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記第2の表示領域は屈曲または湾曲していることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記第1の副画素及び前記第3の副画素第1の色を発する副画素であり
    前記第2の副画素及び前記第4の副画素第2の色を発する副画素であることを特徴とする表示装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102300025B1 (ko) * 2014-10-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2016151429A1 (en) 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102512714B1 (ko) * 2015-09-15 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이의 제어 방법 및 컴퓨터 프로그램
KR102510565B1 (ko) * 2015-12-31 2023-03-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6620601B2 (ja) * 2016-03-03 2019-12-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
US10586495B2 (en) 2016-07-22 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2018022063A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 凸版印刷株式会社 カラーフィルタおよび反射型表示装置
WO2018179914A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
JP6889007B2 (ja) * 2017-04-11 2021-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
WO2019062236A1 (zh) 2017-09-30 2019-04-04 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
CN108257514A (zh) * 2017-09-30 2018-07-06 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
KR20200063591A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이장치
CN110969944B (zh) * 2019-12-06 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 异形显示屏及显示装置
CN113112950A (zh) * 2021-04-27 2021-07-13 合肥维信诺科技有限公司 图像显示方法、信号生成装置、显示装置及存储介质
WO2022226982A1 (zh) * 2021-04-30 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置

Family Cites Families (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4244120B2 (ja) * 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP3897173B2 (ja) * 2003-05-23 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP3958306B2 (ja) * 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
KR101078509B1 (ko) 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 박막 트랜지스터의 제조 방법
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
CN102938420B (zh) 2004-11-10 2015-12-02 佳能株式会社 无定形氧化物和场效应晶体管
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
KR20060070346A (ko) 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 표시 장치
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
JP4431520B2 (ja) * 2005-04-11 2010-03-17 ソフトバンクモバイル株式会社 電子機器
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
JP4740662B2 (ja) * 2005-06-30 2011-08-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101707212B (zh) 2005-11-15 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
CN101443697A (zh) * 2006-07-18 2009-05-27 夏普株式会社 液晶显示面板
JP4320682B2 (ja) * 2006-07-20 2009-08-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法及び電子機器
KR20080011872A (ko) * 2006-08-01 2008-02-11 삼성전자주식회사 액정 표시 패널
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP2008089884A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Toshiba Corp 表示素子
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
JP5201841B2 (ja) 2007-01-25 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
JP2008287068A (ja) 2007-05-18 2008-11-27 Sony Corp 表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2009104112A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
WO2009069358A1 (ja) * 2007-11-29 2009-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US9013367B2 (en) * 2008-01-04 2015-04-21 Nanolumens Acquisition Inc. Flexible display
JP5216716B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US20100265187A1 (en) 2009-04-20 2010-10-21 Shih Chang Chang Signal routing in an oled structure that includes a touch actuated sensor configuration
KR101589974B1 (ko) * 2009-05-06 2016-02-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5532481B2 (ja) * 2009-05-13 2014-06-25 Nltテクノロジー株式会社 カラー画像表示方式、カラーフィルタ基板、カラー画素アレイ基板、画像表示装置及び電子機器
JP5509703B2 (ja) * 2009-07-15 2014-06-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2011023558A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Sharp Corp 有機el表示装置
KR101041146B1 (ko) * 2009-09-02 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR101082294B1 (ko) * 2009-09-04 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101611906B1 (ko) * 2009-10-27 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널을 갖는 입체 영상 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP2479653A1 (en) * 2009-10-27 2012-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with attached touch panel
JP2011192567A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm Co Ltd 有機el装置
KR101274649B1 (ko) * 2010-05-27 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2012093498A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
KR101178914B1 (ko) * 2010-10-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
JP2011097095A (ja) * 2011-01-18 2011-05-12 Hitachi High-Technologies Corp 圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP6076617B2 (ja) * 2011-05-13 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101320384B1 (ko) * 2011-06-30 2013-10-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
JP5881057B2 (ja) * 2011-11-30 2016-03-09 Nltテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法
JP2013164498A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Sony Corp 表示装置
JP5386623B2 (ja) * 2012-09-19 2014-01-15 Nltテクノロジー株式会社 面表示装置及び電子機器
KR20150007872A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 삼성디스플레이 주식회사 곡면 형상을 갖는 표시 장치

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