JP2015073128A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性及び生産性が高く製造コストの低減を図る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板21cの面21bに、半導体基板11の面11aに形成されている樹脂層16の面16aが接するように半導体基板11上に支持体97を有する半導体基板21cを配置する。半導体基板11及び半導体基板21cのスクライブ領域Bには位置合わせを精度良く行うためのアライメントマークが予め形成されている。半導体基板11上への支持体97を有する半導体基板21cの配置は、アライメントマークを基準にして周知の方法で行う。250℃で加熱した状態で、構造体を支持体97の方向から押圧し、半導体基板21cの面21bに半導体基板11の面11aに形成されている樹脂層16の面16aを圧着する。【選択図】図5D
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に複数の半導体チップが形成された半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続し、その後半導体チップ部分を個片化する半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体応用製品はデジタルカメラや携帯電話などの各種モバイル機器用途等として小型化、薄型化、軽量化が急激に進んでいる。それに伴い、半導体応用製品に搭載される半導体装置にも小型化、高密度化が要求されており、その要求に応えるべく、例えば複数の半導体チップが形成された半導体基板(ウェハ)を、半導体基板(ウェハ)状態のまま複数個積層し接合するウェハオンウェハ(以降、WOWという)構造の半導体装置の製造方法が提案されている。
以下、図面を参照しながら、従来から提案されているWOW構造の半導体装置の製造方法について簡単に説明する。図1A〜図1Gは、従来のWOW構造の半導体装置の製造工程を例示する図である。
始めに図1Aに示す工程では、半導体基板110を準備する。半導体基板110は、基板本体120と、半導体集積回路130と、金属が充填されたビアホール140とを有する。基板本体120上には半導体集積回路130が形成され、基板本体120及び半導体集積回路130には金属が充填されたビアホール140が形成されている。半導体基板110を準備するに際し、基板本体120に先にビアホール140を形成してから半導体集積回路130を形成しても構わないし、基板本体120に半導体集積回路130を形成し後からビアホール140を形成しても構わない。なお、基板本体120は後述する工程で薄型化されるため、ビアホール140は基板本体120を貫通していなくても構わない。
次いで図1Bに示す工程では、半導体基板110の半導体集積回路130側に支持体300を接合する。支持体300としては、例えばガラス基板等を用いることができる。次いで図1Cに示す工程では、基板本体120を薄型化する。薄型化は、例えば基板本体120の半導体集積回路130が形成されていない方の面を研磨することにより行う。薄型化後の半導体基板110及び基板本体120を、半導体基板110a及び基板本体120aと称する。支持体300は、薄型化されて剛性が低下した半導体基板110aを支持する機能を有する。続いて薄型化された側の面から露出するビアホール140にバンプ(図示せず)を形成する。なお、バンプ(図示せず)は電極パッド(図示せず)を介して形成しても構わない。
次いで図1Dに示す工程では、半導体基板210を準備する。半導体基板210は、基板本体220と、半導体集積回路230と、金属が充填されたビアホール240とを有する。基板本体220上には半導体集積回路230が形成され、基板本体220及び半導体集積回路230には金属が充填されたビアホール240が形成されている。半導体集積回路230側の面から露出するビアホール240にはバンプ(図示せず)が形成されている。なお、バンプ(図示せず)は電極パッド(図示せず)を介して形成されている場合もある。そして、半導体基板210を、半導体基板210の半導体集積回路230と半導体基板110aの基板本体120aが対向するように半導体基板110aに接合する。なお、ビアホール240は、予め、ビアホール140に対応する位置に形成されており、ビアホール240とビアホール140とはバンプを介して電気的に接続される。
次いで図1Eに示す工程では、図1Cと同様の工程により、基板本体220を薄型化する。薄型化後の半導体基板210及び基板本体220を、半導体基板210a及び基板本体220aと称する。続いて薄型化された側の面から露出するビアホール240にバンプ(図示せず)を形成する。なお、バンプ(図示せず)は電極パッド(図示せず)を介して形成しても構わない。
次いで図1Fに示す工程では、図1Dから図1Eと同様の工程を繰り返し、半導体基板210aの基板本体220aの下部に、半導体基板310a及び半導体基板410aを積層する。次いで図1Gに示す工程では、図1Fに示す支持体300を除去する。これにより、半導体装置100が完成する。このようにして、薄型化された半導体基板110a、210a、310a及び410aが、半導体基板(ウェハ)状態のまま接合されたWOW構造の半導体装置100が製造される。
図2A〜図2Cは、従来のWOW構造の半導体装置の他の製造工程を例示する図である。図2A〜図2Cにおいて、図1A〜図1Gと同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。始めに図2Aに示す工程では、半導体基板510及び610を準備する。半導体基板510は、基板本体520と、半導体集積回路530とを有する。基板本体520上には半導体集積回路530が形成されている。半導体基板610は、基板本体620と、半導体集積回路630とを有する。基板本体620上には半導体集積回路630が形成されている。そして、半導体基板610を、半導体基板610の半導体集積回路630と半導体基板510の半導体集積回路530が対向するように半導体基板510に接合する。
次いで図2Bに示す工程では、基板本体620を薄型化する。薄型化は、例えば基板本体620の半導体集積回路630が形成されていない方の面を研磨することにより行う。薄型化後の半導体基板610及び基板本体620を、半導体基板610a及び基板本体620aと称する。次いで図2Cに示す工程では、基板本体620aを貫通し、半導体集積回路530及び半導体集積回路630を接続する、金属が充填されたビアホール640を形成する。このようにして、半導体基板510及び薄型化された半導体基板610aが、半導体基板(ウェハ)状態のまま接合されたWOW構造の半導体装置500が製造される。
しかしながら、図1A〜図1Gに示す半導体装置の製造方法では、半導体基板同士を接続する際に、双方の半導体基板から露出するビアホールにバンプを形成する工程が必要となるため、生産性が低く半導体装置の製造コストが上昇するという問題があった。
又、図2A〜図2Cに示す半導体装置の製造方法では、半導体集積回路が形成されている面を対向させるように半導体基板同士を接合するため、単純に同様の工程を繰り返すだけでは3個以上の半導体基板を積層することはできない。すなわち、3個以上の半導体基板を積層する為には特別な工程が必要となるため、生産性が低く半導体装置の製造コストが上昇するという問題があった。
又、図1A〜図1G及び図2A〜図2Cに示す何れの半導体装置の製造方法の場合にも、深いビアホールを形成する場合には、ビアホールの孔加工や金属充填の時間が長くなり、又、必要な材料が増えるため、半導体装置の製造コストが上昇するという問題があった。
又、図1A〜図1G及び図2A〜図2Cに示す何れの半導体装置の製造方法の場合にも、ビアホールをドライエッチング等で形成する際、ビアホールのサイズや密度で深さが異なりビアホール先端部分の直径が変わる。その結果、半導体基板を所望の厚さに薄型化したときに露出したビアホールの直径が一様にならないため、電気的接続の際の抵抗値がばらつき信頼性が低下するという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、信頼性及び生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本半導体装置の製造方法は、主面側に半導体集積回路を有する複数の半導体チップが形成された半導体基板を、全ての前記半導体基板の主面が同一方向を向くように積層し、異なる層の前記半導体基板を構成する前記半導体チップ同士を信号伝達可能に接続し、その後前記半導体チップ部分を個片化する半導体装置の製造方法であって、第1の半導体基板及び第2の半導体基板を準備する第1工程と、支持体を準備し、主面を前記支持体側に向けて前記第2の半導体基板を前記支持体に仮固定し、前記支持体に仮固定された前記第2の半導体基板の主面と反対側を薄型化する第2工程と、薄型化された前記第2の半導体基板の主面と反対側の面を、絶縁層を介して前記第1の半導体基板の主面に固着し、前記支持体を除去する第3工程と、薄型化された前記第2の半導体基板に、前記第2の半導体基板の主面から主面と反対側の面に貫通するビアホールを、前記第2の半導体基板の主面側から前記反対側の面に向かって形成する第4工程と、前記ビアホールを介して、前記第1の半導体基板の前記半導体チップと前記第2の半導体基板の前記半導体チップとの間の信号伝達を可能にする接続部を形成する第5工程と、を有することを要件とする。
本発明によれば、信頼性及び生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
〈第1の実施の形態〉
[本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図3は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図3を参照するに、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10は、半導体基板11c、半導体基板21c、半導体基板31c、半導体基板41c、半導体基板51c、半導体基板61c、半導体基板71cが積層された構造を有する。半導体装置10は、例えばCMOS・LSI、メモリーデバイス、センサーデバイス、MEMS等である。
[本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図3は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図3を参照するに、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10は、半導体基板11c、半導体基板21c、半導体基板31c、半導体基板41c、半導体基板51c、半導体基板61c、半導体基板71cが積層された構造を有する。半導体装置10は、例えばCMOS・LSI、メモリーデバイス、センサーデバイス、MEMS等である。
半導体装置10を構成する半導体基板11c〜71cは、例えばシリコンウェハ等である。半導体基板11c〜71cがシリコンウェハである場合には、半導体装置10は、複数の半導体基板(ウェハ)が半導体基板(ウェハ)状態のまま接合された所謂WOW構造の半導体装置である。
半導体基板11c〜71cは、半導体チップが形成されている複数の領域A(以下、「半導体チップ形成領域A」とする)と、複数の半導体チップ形成領域Aを分離するスクライブ領域Bとを有する。スクライブ領域BにあるCは、ダイシングブレード等が半導体装置10を切断する位置(以下、「切断位置C」とする)を示している。半導体装置10は、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
半導体基板11c〜71cの各半導体チップ形成領域Aは、基板本体12〜72(図示せず)と、半導体集積回路13〜73(図示せず)と、電極パッド15〜75とを有する。基板本体12〜72(図示せず)は、例えばシリコン等から構成されている。半導体集積回路13〜73(図示せず)は、例えばシリコン等に拡散層(図示せず)、絶縁層(図示せず)、ビアホール(図示せず)、及び配線層(図示せず)等が形成されたものであり、基板本体12〜72(図示せず)の一方の面側に設けられている。以降、半導体基板11c〜71cにおいて、半導体集積回路13〜73(図示せず)が設けられている側の面を主面と称する場合がある。
電極パッド15〜75は、絶縁層(図示せず)を介して半導体集積回路13〜73(図示せず)上に設けられている。電極パッド15〜75は、半導体集積回路13〜73(図示せず)に設けられた配線層(図示せず)と電気的に接続されている。電極パッド15〜75としては、例えばTi層上にAu層を積層した積層体等を用いることができる。電極パッド15〜75として、Ni層上にAu層を積層した積層体、Ni層上にPd層及びAu層を順次積層した積層体、Niの代わりにCo、Ta、Ti、TiN等の高融点金属からなる層を用い、同層上にCu層或いはAl層を積層した積層体或いはダマシン構造状の配線等を用いても構わない。
半導体基板11cと半導体基板21cとは、樹脂層16を介して接合されており、半導体基板11cの電極パッド15と半導体基板21cの電極パッド25とは、ビアホール21yに充填された金属層38を介して電気的に接続されている。半導体基板21cと半導体基板31cとは、樹脂層26を介して接合されており、半導体基板21cの電極パッド25と半導体基板31cの電極パッド35とは、ビアホール31yに充填された金属層48を介して電気的に接続されている。なお、ビアホールは、半導体基板間(隣接する半導体基板間には限らない)を接続するために設けられた接続孔であり、内部に金属層や光導波路等が形成されることで半導体基板間を信号伝達可能に接続する。ビアホール内部に形成された金属層や光導波路等を接続部と称する場合がある。
半導体基板31cと半導体基板41cとは、樹脂層36を介して接合されており、半導体基板31cの電極パッド35と半導体基板41cの電極パッド45とは、ビアホール41yに充填された金属層58を介して電気的に接続されている。半導体基板41cと半導体基板51cとは、樹脂層46を介して接合されており、半導体基板41cの電極パッド45と半導体基板51cの電極パッド55とは、ビアホール51yに充填された金属層68を介して電気的に接続されている。
半導体基板51cと半導体基板61cとは、樹脂層56を介して接合されており、半導体基板51cの電極パッド55と半導体基板61cの電極パッド65とは、ビアホール61yに充填された金属層78を介して電気的に接続されている。半導体基板61cと半導体基板71cとは、樹脂層66を介して接合されており、半導体基板61cの電極パッド65と半導体基板71cの電極パッド75とは、ビアホール71yに充填された金属層88を介して電気的に接続されている。
半導体基板71cには、開口部76xを有するソルダーレジスト層76が形成されており、開口部76x内には外部接続端子91が形成されている。外部接続端子91は、半導体装置10と半導体装置10の外部に設けられた配線基板等とを電気的に接続するために設けられた端子であり、電極パッド75と電気的に接続されている。外部接続端子91としては、はんだボール、Auバンプ、導電性ペースト等を用いることができる。外部接続端子91として、はんだボールを用いた場合には、外部接続端子91の材料としては、例えば、Pbを含む合金、SnとCuの合金、SnとAgの合金、SnとAgとCuの合金等を用いることができる。
[本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程]
続いて、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図4A〜図4Tは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図4A〜図4Tにおいて、図3に示す半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
続いて、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図4A〜図4Tは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図4A〜図4Tにおいて、図3に示す半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
始めに、図4A及び図4Bに示す半導体基板11を準備する。図4Aは平面図であり、図4Bは断面図である。図4A及び図4Bを参照するに、半導体基板11は、基板本体12と、半導体集積回路13と、電極パッド15とを有する。ただし、図4Aにおいて、電極パッド15は省略されている。又、図4Bにおいて、11aは半導体基板11の一方の面(電極パッド15が形成されている側の面;主面)を、11bは半導体基板11の他方の面(主面と反対側の面)を示している。
基板本体12は、例えばシリコン等から構成されている。半導体集積回路13は、例えばシリコン等に拡散層(図示せず)、絶縁層(図示せず)、ビアホール(図示せず)、及び配線層(図示せず)等が形成されたものである。電極パッド15は、絶縁層(図示せず)を介して半導体集積回路13上に設けられている。電極パッド15は、半導体集積回路13に設けられた配線層(図示せず)と電気的に接続されている。電極パッド15としては、例えばTi層上にAu層を積層した積層体等を用いることができる。電極パッド15として、Ni層上にAu層を積層した積層体、Ni層上にPd層及びAu層を順次積層した積層体、Niの代わりにCo、Ta、Ti、TiN等の高融点金属からなる層を用い、同層上にCu層或いはAl層を積層した積層体或いはダマシン構造状の配線等を用いても構わない。
半導体基板11は、複数の半導体チップ形成領域Aと、複数の半導体チップ形成領域Aを分離するスクライブ領域Bとを有する。スクライブ領域BにあるCは、ダイシングブレード等が半導体基板11を切断する位置(以下、「切断位置C」とする)を示している。
半導体基板11の直径φ1は、例えば6インチ(約150mm)、8インチ(約200mm)、12インチ(約300mm)等である。半導体基板11の厚さT1は、例えば0.625mm(φ1=6インチの場合)、0.725mm(φ1=8インチの場合)、0.775mm(φ1=12インチの場合)等である。本実施の形態では、半導体基板11として、8インチ(約200mm)のシリコンウェハを用いた場合を例にとり、以下の説明を行う。
半導体基板11の直径φ1は、例えば6インチ(約150mm)、8インチ(約200mm)、12インチ(約300mm)等である。半導体基板11の厚さT1は、例えば0.625mm(φ1=6インチの場合)、0.725mm(φ1=8インチの場合)、0.775mm(φ1=12インチの場合)等である。本実施の形態では、半導体基板11として、8インチ(約200mm)のシリコンウェハを用いた場合を例にとり、以下の説明を行う。
次いで図4Cに示す工程では、図4A及び図4Bに示す半導体基板11の外縁部11xを除去する。外縁部11xを除去した後の半導体基板11を半導体基板11cとする。外縁部11xの除去は、例えば外縁部11xを除去した後の半導体基板11cが平面視円形となるように、半導体基板11の外縁部11xをグラインダー等を用いて研削する。この際、ドライポリッシングやウェットエッチング等を併用しても構わない。
ここで、ドライポリッシングとは、例えばシリカを含有させた繊維を押し固めて形成した研磨布を用いて表面を削る(磨く)加工方法である。ウェットエッチングとは、例えばスピンナで半導体基板11を回転させながらフッ硝酸等を供給してエッチングを行う加工方法である。外縁部11xを除去した後の半導体基板11cを例えば平面視円形とした場合には、半導体基板11cの平面視円形部分の直径φ2は、例えば193.0±0.1mmとすることができる。この場合、直径φ1が8インチ(約200mm)であった半導体基板11が小径化されて、直径φ2が193.0±0.1mmの半導体基板11cになったことになる。
次いで図4Dに示す工程では、半導体基板11cの面11aに樹脂層16を形成する。樹脂層16の材料としては、例えば主たる組成がベンゾシクロブテン(BCB)である樹脂を用いることができる。又、樹脂層16の材料として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等を用いても構わない。樹脂層16の厚さT2は、例えば5μm程度とすることができる。樹脂層16は、例えばスピンコート法により半導体基板11cの面11aに例えば主たる組成がベンゾシクロブテン(BCB)である樹脂を塗布することにより形成することができる。その後、樹脂層16を例えば140℃でプリベークして半硬化させる。半硬化した樹脂層16は、接着性を有する。なお、樹脂層16は、スピンコート法の代わりに気相成長法を用いて形成しても構わないし、フィルム状の樹脂を貼り付ける方法を用いて形成しても構わない。
図4Dに示す工程において、半導体基板11cの面11bを基準面とし、基準面に対して樹脂層16の面16aが平行であることが好ましい。基準面に対して樹脂層16の面16aが平行でないと、例えば後述する図4Iの工程でビアホール21yが斜めに形成され、斜めに形成されたビアホール21yに金属層38等が形成されるため、隣接する半導体基板同士の接続信頼性が低下する等の問題が生じ得るからである。なお、この場合の平行とは、基準面に対する樹脂層16の面16aの高さH1のばらつきが1μm以下であることをいう。従って、樹脂層16を形成した後、高さH1のばらつきを確認する工程を設けることが好ましい。高さH1のばらつきが1μmを超えている場合には、高さH1のばらつきが1μm以下となるように樹脂層16の面16aを加工する工程を設けることが好ましい。樹脂層16の面16aは、例えばCMP等により加工(研削)することができる。
なお、既にn枚の半導体基板が積層され、その最上層(第n層)の半導体基板上に樹脂層を形成する場合には、最下層の半導体基板の背面(デバイスが形成されていない側の面)を基準面とし、基準面に対して樹脂層の上面が平行であることが好ましい。この場合の平行とは、基準面に対する樹脂層の上面の高さのばらつきが(1×n)μm以下であることをいう。すなわち、前述のように、1枚の半導体基板上に樹脂層を形成する場合は、基準面に対する樹脂層の上面の高さのばらつきは1×1=1μm以下であることが好ましく、例えば10枚積層した半導体基板上に樹脂層を形成する場合は、基準面(最下層の半導体基板の背面)に対する樹脂層の上面の高さのばらつきは1×10=10μm以下であることが好ましい。
次いで図4Eに示す工程では、図4A及び図4Bに示す半導体基板11と同様の形態である半導体基板21を準備する。図4Eにおいて、21aは半導体基板21の一方の面(電極パッド25が形成されている側の面;主面)を、21bは半導体基板21の他方の面(主面と反対側の面)を示している。半導体基板21は、基板本体22と、半導体集積回路23と、電極パッド25とを有する。半導体基板21の詳細については、半導体基板11と同様であるため、その説明は省略する。
そして、準備した半導体基板21の面21b側に凹部21xを形成する。凹部21xを形成した後の半導体基板21を半導体基板21cとする。凹部21xは、例えば半導体基板21の外縁部(複数の半導体チップ形成領域Aを除く部分)のみを残し、中心部近傍(複数の半導体チップ形成領域Aを含む部分)を薄型化するように形成する。凹部21xは、例えば半導体基板21の面21bをグラインダー等を用いて研削することにより形成することができる。この際、ドライポリッシングやウェットエッチング等を併用しても構わない。
凹部21xは、例えば平面視円形とすることができるが、他の形状としても構わない。凹部21xを例えば平面視円形とした場合には、凹部21xの平面視円形部分の直径φ3は、例えば195.2±0.1mmとすることができる。半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3は、例えば1μm〜100μm程度とすることができるが、強度の観点からは10μm〜50μm程度とすることが好ましい。半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3を10μm〜50μm程度とすることにより、機械的振動などによる破壊や半導体チップに対する応力が低減されるからである。なお、凹部21xの側面は、必ずしも底面に対して垂直に形成する必要はない。
半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3を1μm以上としなければならない理由は以下のとおりである。半導体基板21cの背面(デバイスが形成されていない側の面)で発生した欠陥や汚染がデバイスまで拡散しないためには、半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3は、最低でも半導体集積回路23におけるトランジスタ等のデバイスの素子分離深さ(図示せず)の5倍以上必要であると考えられる。ここで、半導体集積回路23におけるトランジスタ等のデバイスの素子分離深さ(図示せず)は200〜500nm程度である。従って、半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3は、前記素子分離深さの最低値200nmの5倍である1μm以上としなければならない。
このように、半導体基板21の面21bに、半導体基板21の外縁部(複数の半導体チップ形成領域Aを除く部分)のみを残し、中心部近傍(複数の半導体チップ形成領域Aを含む部分)を薄型化するように凹部21xを形成することにより、凹部21xを形成した後の半導体基板21cは十分な剛性を維持することができる。従って、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、背景技術の項で説明したような半導体基板21cを支持する機能を有する支持体を用いる必要はなく、薄型化された半導体基板21cを薄型化前の半導体基板21と同等に取り扱うことができる。その結果、半導体基板に支持体を接合及び除去するという、通常の半導体装置におけるウェハプロセスとは異なる工程が必要なくなるため、生産性の向上を図ることができる。
次いで図4Fに示す工程では、半導体基板21cの凹部21xに、半導体基板11cを接合する。最初に、半導体基板21cの凹部21xの底面に、半導体基板11cの面11aに形成されている樹脂層16が接するように半導体基板11cを配置する。半導体基板11c及び半導体基板21cの、例えばスクライブ領域Bには位置合わせを精度良く行うためのアライメントマークが予め形成されている。半導体基板11cの配置は、アライメントマークを基準にして周知の方法で行うことができる。アライメントの精度は、例えば2μm以下とすることができる。
なお、半導体基板21cの凹部21xの側面と、半導体基板11cの側面との間には一定の隙間が形成される。半導体基板21cの凹部21x及び半導体基板11cが、例えばともに平面視円形の場合には、平面視円環状の隙間が形成される。続いて、図4Fに示す構造体を例えば250℃で加熱した状態で、半導体基板11cを面11bの方向から押圧し、半導体基板21cの凹部21xの底面に半導体基板11cの面11aに形成されている樹脂層16を圧着させる。これにより、樹脂層16は硬化し、半導体基板11cは半導体基板21cの凹部21xに接合される。この加熱には300℃を用いることもできるが望ましくは200℃以下である。300℃のような高温を用いると熱膨張の違いにより応力が発生し、積層数を増やすに従い剥がれや半導体基板の割れの原因になるためである。
次いで図4Gに示す工程では、半導体基板21cの面21aを覆うように感光性のレジスト膜27を形成する。レジスト膜27は、例えば液状レジストを半導体基板21cの面21aに塗布することにより形成する。レジスト膜27の厚さは、例えば10μmとすることができる。
次いで、図4Hに示す工程では、所定のマスクを介して図4Gに示すレジスト膜27を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜27を現像することで、レジスト膜27に開口部27xを形成する。なお、説明の便宜上、図4H〜図4Sまでは、図4Gに示す構造体の一部分(電極パッド15及び電極パッド25近傍)のみを拡大して示すことにする。図4Hにおける14及び24は、図4A〜図4Gでは省略されていた、半導体集積回路13及び半導体集積回路23上に設けられている絶縁層である。絶縁層14及び24は、例えばSi3N4やSiO2等から構成されている。絶縁層14及び24の厚さは、半導体集積回路13及び半導体集積回路23との電気的絶縁が達成される例えば0.1μm〜2.0μmとすることができる。
次いで、図4Iに示す工程では、半導体基板21cにビアホール21yを形成する。ビアホール21yは、開口部27xに対応する部分の半導体基板21c(基板本体22、半導体集積回路23、絶縁層24,電極パッド25)及び樹脂層16を貫通し、半導体基板11cの電極パッド15が露出するように形成する。ビアホール21yは、例えばドライエッチング等により形成することができる。ビアホール21yは、例えば平面視円形であり、その直径φ4は、例えば1μm〜30μmとすることができる。ただし、ビアホール21yの直径φ4は、アスペクト比(=深さD1/直径φ4)が0.5以上5以下となるような値とすることが好ましい。ビアホール21yの直径φ4をアスペクト比(=深さD1/直径φ4)が0.5以上5以下となるような値とすることにより、ビアホール21yを形成する際のエッチングの加工速度(スループット)の向上や、ビアホール21yへの金属層38の埋め込みやすさの向上等を実現できるからである。
次いで、図4Jに示す工程では、図4Iに示すレジスト膜27を除去する。次いで、図4Kに示す工程では、絶縁層24の上面、電極パッド25の上面及び側面、ビアホール21yの壁面、ビアホール21yの底部に露出する電極パッド15の上面を覆うように絶縁層28を形成する。絶縁層28は、例えばプラズマCVD法等により形成することができる。絶縁層28の材料としては、例えばSi3N4やSiO2等を用いることができる。絶縁層28の厚さは、例えば0.1μm〜2.0μmとすることができる。
次いで、図4Lに示す工程では、ビアホール21yの壁面を除く部分の絶縁層28を除去する。絶縁層28の除去は、例えばRIE(Reactive Ion Etching)により行うことができる。この工程は、フォトマスクを使用せずに絶縁層28の所定部分のみを除去する工程であり、セルフアラインプロセスと称される。セルフアラインプロセスにより、ビアホール21yと電極パッド25とを正確に位置決めすることができる。又、部分的に電極パッドを設けない設計を用いることで、例えば電極パッドの無いところはエッチングが進み、更に下層に設けた異なる半導体基板の電極パッドまでエッチングされ深さの異なるビアホールを形成することができる。
次いで、図4Mに示す工程では、絶縁層24の上面、電極パッド25の上面及び側面、絶縁層28の上面、ビアホール21yの底部に露出する電極パッド15の上面を覆うように金属層29を形成する。金属層29は、例えば無電解めっき法等により形成することができる。金属層29は、例えばスパッタ法、CVD法等を用いて形成しても構わない。金属層29としては、例えばTi層上にCu層を積層した積層体等を用いることができる。金属層29として、例えばTa層上にCu層を積層した積層体等を用いても構わない。又、埋め込む材料は設計基準を満足する導体でよく、Cuの代わりにWやAl、又はドープトポリシリコン、或いはカーボンナノチューブ等の炭素材料や導電性ポリマの何れかを用いることができる。又、絶縁層の絶縁性が十分である場合は、バイヤ金属層を用いない埋め込み配線の組み合わせを選ぶことができる。
次いで図4Nに示す工程では、ビアホール21yの内部を除く金属層29の上面を覆うように感光性のレジスト膜37を形成する。レジスト膜37は、例えばドライフィルムレジストを金属層29の上面に貼付することにより形成することができる。レジスト膜37の厚さは、例えば10μmとすることができる。次いで、図4Oに示す工程では、所定のマスクを介して図4Nに示すレジスト膜37を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜37を現像することで、レジスト膜37に開口部37xを形成する。開口部37xは、例えば平面視円形であり、その直径φ5は、例えば1μm〜30μmとすることができる。
次いで図4Pに示す工程では、図4Oに示すビアホール21yの内部及び開口部37xの一部に金属層38を形成する。金属層38は、例えば金属層29を給電層とする電解めっき法により、図4Oに示すビアホール21yの内部及び開口部37xの一部を充填するようにめっき膜を析出成長させることにより形成することができる。金属層38を構成するめっき膜としては、例えばCuめっき膜を用いることができる。次いで、図4Qに示す工程では、図4Pに示すレジスト膜37を除去する。
次いで図4Rに示す工程では、金属層38に覆われていない部分の金属層29を除去する。金属層29は、例えばウェットエッチング等により除去することができる。次いで図4Sに示す工程では、電極パッド25及び金属層38を覆うように金属層39を形成する。金属層39は、例えば絶縁層24上に電極パッド25及び金属層38を開口するレジスト膜を形成し、電極パッド25及び金属層38を給電層とする電解めっき法により、開口部を充填するようにめっき膜を析出成長させ、その後レジスト膜を除去することにより形成することができる。金属層39としては、例えばTi層上にAu層を積層した積層体等を用いることができる。金属層39として、例えばNi層上にPd層、Au層を順次積層した積層体、Niの代わりにCo、Ta、Ti、TiN等の高融点金属からなる層を用い、同層上にCu層或いはAl層を積層した積層体或いはダマシン構造状の配線等を用いても構わない。
次いで図4Tに示す工程では、半導体装置21cの外縁部を除去する。外縁部を除去した後の半導体基板21cを半導体基板21dとする。外縁部の除去は、例えば外縁部を除去した後の半導体基板21dが平面視円形となるように、半導体基板21cの外縁部をグラインダー等を用いて研削する。この際、ドライポリッシングやウェットエッチング等を併用しても構わない。外縁部を除去した後の半導体基板21dを例えば平面視円形とした場合には、半導体基板21dの平面視円形部分の直径φ6は、例えば半導体基板11cの平面視円形部分の直径φ2と同様に、193.0±0.1mmとすることができる。
次いで、半導体基板21dの面21aに樹脂層26を形成した後、図4A及び図4Bに示す半導体基板11と同様の形態である半導体基板31を準備する。そして、図4E〜図4Tに示す工程を繰り返す。更に半導体基板41〜71についても同様の工程を繰り返す。そして、最後に周知の方法で外部接続端子91を形成する。外部接続端子91を形成する場合には、金属層39として例えばNi層を形成する。そして、Ni層を露出する開口部76xを有するソルダーレジスト層76を形成し、開口部76x内に露出するNi層上に外部接続端子91を形成する。
外部接続端子91は、半導体装置10と半導体装置10の外部に設けられた配線基板等とを電気的に接続するために設けられた端子である。外部接続端子91としては、はんだボール、Auバンプ、導電性ペースト等を用いることができる。外部接続端子91として、はんだボールを用いた場合には、外部接続端子91の材料としては、例えば、Pbを含む合金、SnとCuの合金、SnとAgの合金、SnとAgとCuの合金等を用いることができる。
このようにして、図3に示す半導体装置10が製造される。半導体装置10は、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
本発明の第1の実施の形態によれば、薄型化せずに外縁部のみを除去(小径化)した第1の半導体基板を準備する。又、外縁部のみを残し、中心部近傍を薄型化するように凹部を形成した第2の半導体基板を準備する。そして、第1の半導体基板に第2の半導体基板の凹部を接合し、薄型化された第2の半導体基板を貫通するビアホールを形成して、第1及び第2の半導体基板の半導体チップの電極パッド同士をビアホールに充填された金属層を介して電気的に接続する。そして、第2の半導体基板の外縁部を除去する。更に、第2の半導体基板と同様に外縁部のみを残し、中心部近傍を薄型化するように凹部を形成した第3の半導体基板を準備する。そして、第2の半導体基板に第3の半導体基板の凹部を接合し、薄型化された第3の半導体基板を貫通するビアホールを形成して、第2及び第3の半導体基板の半導体チップの電極パッド同士をビアホールに充填された金属層を介して電気的に接続する。そして、第3の半導体基板の外縁部を除去する。
このような工程を繰り返すことにより、複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続することができる。この際、従来のように半導体基板に支持体を接合及び除去するという、通常の半導体装置におけるウェハプロセスとは異なる工程が必要なくなるため、生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。なお、準備した第1の半導体基板の径が、第2の半導体基板の凹部の底面の径よりも小さい場合には、第1の半導体基板の外縁部を除去することなく、本発明に係る上下配線方式を適用することができる。
又、本発明の第1の実施の形態によれば、半導体基板同士を接続する際に、ビアホールにバンプを形成する工程が必要なくなるため、生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
又、本発明の第1の実施の形態によれば、半導体集積回路が形成されている面と、半導体集積回路が形成されていない面とを対向させるように半導体基板同士を接合するため、単純に同様の工程を繰り返すだけで3個以上の半導体基板を積層することが可能となり、生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
又、本発明の第1の実施の形態によれば、ビアホールは半導体基板の薄型化された部分のみに形成され、深いビアホールを形成する必要がないため、ビアホールの孔加工や金属充填の時間が長くなったり、又、必要な材料が増えたりすることがなく、半導体装置の製造コストの上昇を防止することができる。
又、本発明の第1の実施の形態によれば、半導体基板を極めて薄型化してからビアホールを形成するため、ビアホールのサイズや密度が異なってもビアホール先端部分の直径が変わる度合いを軽減することが可能となり、電気的接続の際の抵抗値のばらつきを軽減し信頼性を向上することができる。
〈第1の実施の形態の変形例〉
第1の実施の形態では、半導体基板21の面21bに、半導体基板21の外縁部(複数の半導体チップ形成領域Aを除く部分)のみを残し、中心部近傍(複数の半導体チップ形成領域Aを含む部分)を薄型化するように凹部21xを形成することにより、凹部21xを形成した後の半導体基板21cが十分な剛性を維持する例を示した。しかしながら、凹部21xを形成せずに半導体基板21の面21b側全体を薄型化しても構わない。この場合には、以下のような製造工程とすることができる。
第1の実施の形態では、半導体基板21の面21bに、半導体基板21の外縁部(複数の半導体チップ形成領域Aを除く部分)のみを残し、中心部近傍(複数の半導体チップ形成領域Aを含む部分)を薄型化するように凹部21xを形成することにより、凹部21xを形成した後の半導体基板21cが十分な剛性を維持する例を示した。しかしながら、凹部21xを形成せずに半導体基板21の面21b側全体を薄型化しても構わない。この場合には、以下のような製造工程とすることができる。
図5A〜図5Dは、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図5A〜図5Dにおいて、図3に示す半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
始めに、図4A及び図4Bに示す半導体基板11を準備する。次いで、図5Aに示す工程では、半導体基板11の外縁部11xを除去することなく、半導体基板11の面11aに樹脂層16を形成する。この際、図4Dに示す工程と同様に、半導体基板11cの面11bを基準面とし、基準面に対する樹脂層16の面16aの高さH1のばらつきが1μm以下であることが好ましい。従って、樹脂層16を形成した後、高さH1のばらつきを確認する工程を設けることが好ましい。高さH1のばらつきが1μmを超えている場合には、高さH1のばらつきが1μm以下となるように樹脂層16の面16aを加工する工程を設けることが好ましい。樹脂層16の面16aは、例えばCMP等により加工することができる。
なお、既にn枚の半導体基板が積層され、その最上層(第n層)の半導体基板上に樹脂層を形成する場合には、最下層の半導体基板の背面(デバイスが形成されていない側の面)を基準面とし、基準面に対して樹脂層の上面が平行であることが好ましい。この場合の平行とは、基準面に対する樹脂層の上面の高さのばらつきが(1×n)μm以下であることをいう。すなわち、前述のように、1枚の半導体基板上に樹脂層を形成する場合は、基準面に対する樹脂層の上面の高さのばらつきは1×1=1μm以下であることが好ましく、例えば10枚積層した半導体基板上に樹脂層を形成する場合は、基準面(最下層の半導体基板の背面)に対する樹脂層の上面の高さのばらつきは1×10=10μm以下であることが好ましい。
次いで、図5Bに示す工程では、図4A及び図4Bに示す半導体基板11と同様の形態である半導体基板21を準備する。そして、半導体基板21の面21aに接着層96を形成し支持体97を接合(仮接着)する。支持体97としては、アライメント時に光が透過する基板を用いることが好ましく、例えば石英ガラスの基板等を用いることができる。接着層96としては、後述する図5Dに示す工程において加熱する温度で軟化する接着剤(200℃程度又はそれ以下で軟化する接着剤)を用いることができる。接着層96は、例えばスピンコート法により半導体基板21の面21aに形成することができる。接着層96は、スピンコート法の代わりに、フィルム状の接着剤を貼り付ける方法を用いて半導体基板21の面21aに形成しても構わない。
次いで、図5Cに示す工程では、半導体基板21の面21b側全体を薄型化する。薄型化後の半導体基板21を半導体基板21cとする。薄型化は、例えば半導体基板21の面21bをグラインダー等を用いて研削することにより実現することができる。この際、ドライポリッシングやウェットエッチング等を併用しても構わない。半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3は、例えば1μm〜100μm程度とすることができるが、強度の観点からは10μm〜50μm程度とすることが好ましい。半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3を10μm〜50μm程度とすることにより、機械的振動などによる破壊や半導体チップに対する応力が低減されるからである。支持体97は、薄型化されて剛性が低下した半導体基板21cを支持する機能を有する。半導体基板21cの薄型化された部分の厚さT3を1μm以上としなければならない理由は前述のとおりである。
次いで、図5Dに示す工程では、半導体基板21cの面21bに、半導体基板11の面11aに形成されている樹脂層16の面16aが接するように半導体基板11上に支持体97を有する半導体基板21cを配置する。半導体基板11及び半導体基板21cの、例えばスクライブ領域Bには位置合わせを精度良く行うためのアライメントマークが予め形成されている。半導体基板11上への支持体97を有する半導体基板21cの配置は、アライメントマークを基準にして周知の方法で行うことができる。アライメントの精度は、例えば2μm以下とすることができる。そして、例えば250℃で加熱した状態で、図5Dに示す構造体を支持体97の方向から押圧し、半導体基板21cの面21bに半導体基板11の面11aに形成されている樹脂層16の面16aを圧着させる。これにより、樹脂層16は硬化し、半導体基板11は半導体基板21cの面21b側に接合される。この加熱には300℃を用いることもできるが望ましくは200℃以下である。300℃のような高温を用いると熱膨張の違いにより応力が発生し、積層数を増やすに従い剥がれや半導体基板の割れの原因になるためである。なお、接着層96は図5Dに示す工程において加熱する温度で軟化する接着剤(200℃程度又はそれ以下で軟化する接着剤)を用いているため、支持体97は半導体基板11と21cとを接合後、容易に除去することができる。
次いで、第1の実施の形態の図4Gと同様の工程により、半導体基板21cの面21aを覆うように感光性のレジスト膜27を形成する。レジスト膜27は、例えば液状レジストを半導体基板21cの面21aに塗布することにより形成する。レジスト膜27の厚さは、例えば10μmとすることができる。以降、第1の実施の形態の図4H〜図4Tと同様の工程を実施する。
次いで、半導体基板21cの面21aに樹脂層26を形成した後、図4A及び図4Bに示す半導体基板11と同様の形態である半導体基板31を準備する。そして、上述の工程及び図4H〜図4Tに示す工程を繰り返す。更に半導体基板41〜71についても同様の工程を繰り返す。そして、最後に周知の方法で外部接続端子91を形成する。外部接続端子91を形成する場合には、金属層39として例えばNi層を形成する。そして、Ni層を露出する開口部76xを有するソルダーレジスト層76を形成し、開口部76x内に露出するNi層上に外部接続端子91を形成することにより、図3に示す半導体装置10に相当する半導体装置が製造される。ただし、製造された半導体装置において、積層された各半導体基板の外縁部は除去されていない。製造された半導体装置は、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
本発明の第1の実施の形態の変形例によれば、薄型化しない第1の半導体基板を準備する。又、薄型化した第2の半導体基板を準備する。そして、第1の半導体基板に第2の半導体基板を接合し、薄型化された第2の半導体基板を貫通するビアホールを形成して、第1及び第2の半導体基板の半導体チップの電極パッド同士をビアホールに充填された金属層を介して電気的に接続する。更に、薄型化した第3の半導体基板を準備する。そして、第2の半導体基板に第3の半導体基板を接合し、薄型化された第3の半導体基板を貫通するビアホールを形成して、第2及び第3の半導体基板の半導体チップの電極パッド同士をビアホールに充填された金属層を介して電気的に接続する。
このような工程を繰り返すことにより、複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続することができる。その結果、半導体基板同士を接続する際に、ビアホールにバンプを形成する工程が必要なくなるため、生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
又、本発明の第1の実施の形態の変形例によれば、半導体集積回路が形成されている面と、半導体集積回路が形成されていない面とを対向させるように半導体基板同士を接合するため、単純に同様の工程を繰り返すだけで3個以上の半導体基板を積層することが可能となり、生産性が高く製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
又、本発明の第1の実施の形態の変形例によれば、ビアホールは半導体基板の薄型化された部分のみに形成され、深いビアホールを形成する必要がないため、ビアホールの孔加工や金属充填の時間が長くなったり、又、必要な材料が増えたりすることがなく、半導体装置の製造コストの上昇を防止することができる。
又、本発明の第1の実施の形態の変形例によれば、半導体基板を極めて薄型化してからビアホールを形成するため、ビアホールのサイズや密度が異なってもビアホール先端部分の直径が変わる度合いを軽減することが可能となり、電気的接続の際の抵抗値のばらつきを軽減し信頼性を向上することができる。
〈第2の実施の形態〉
[本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aは、隣接する半導体基板の金属パッド同士を接続するビアホール及び金属層が、1個から4個に変更された点を除いて、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10と同様に構成される。
[本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aは、隣接する半導体基板の金属パッド同士を接続するビアホール及び金属層が、1個から4個に変更された点を除いて、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10と同様に構成される。
図6において、21z〜71zはビアホールを、38a〜88aはビアホール21z〜71zを充填する金属層を示している。ビアホール及び金属層は、各半導体基板の1個の金属パッドに対して4個ずつ設けられている。
このように、1つの金属パッドに対して複数個のビアホール及び金属層を設けることにより、金属パッド同士の接続信頼性を向上することができる。又、直下の半導体基板に金属パッドを設計しなければ、一つ以上の下層の半導体基板に対しビアホール及び金属層を設けることができる。この方式では、同じ電気信号、或いは異なる電気信号を所望の半導体基板に接続することができる。又、ビアホール径が小さくなるため、ビアホール及び金属層を設ける工程に要する時間を短縮することができる。なお、1個の金属パッドに対して設けられるビアホール及び金属層の数は、2個、3個又は5個以上であっても構わない。
[本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程]
続いて、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図7A〜図7Fは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図7A〜図7Fにおいて、図6に示す半導体装置10Aと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
続いて、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図7A〜図7Fは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図7A〜図7Fにおいて、図6に示す半導体装置10Aと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
始めに、図4A〜図4Gと同様の工程を行う。次いで、図7A及び図7Bに示す工程では、所定のマスクを介して図4Gに示すレジスト膜27を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜27を現像することで、レジスト膜27に開口部27yを形成する。図7Aは断面図であり、図7Bは平面図である。なお、説明の便宜上、図7A〜図7Fまでは、図4Gに示す構造体の一部分(電極パッド15及び電極パッド25近傍)のみを拡大して示すことにする。
次いで、図7Cに示す工程では、半導体基板21cにビアホール21zを形成する。ビアホール21zは、開口部27yに対応する部分の半導体基板21c(基板本体22、半導体集積回路23、絶縁層24,電極パッド25)及び樹脂層16を貫通し、半導体基板11cの電極パッド15が露出するように形成する。ビアホール21zは、例えばドライエッチング等により形成することができる。ビアホール21zは、例えば平面視円形であり、その直径φ7は、例えば1μm〜10μmとすることができる。ただし、ビアホール21zの直径φ7は、アスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることが好ましい。ビアホール21zの直径φ7をアスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることにより、ビアホール21zを形成する際のエッチングの加工速度(スループット)の向上や、ビアホール21zへの金属層38aの埋め込みやすさの向上等を実現できるからである。
次いで、図7Dに示す工程では、図7Cに示すレジスト膜27を除去する。次いで、図4K〜図4Qと同様な工程を行い、図7Eに示すようにビアホール21zに金属層38aを充填する。次いで、金属層38aに覆われていない部分の金属層29を、例えばウェットエッチング等により除去した後、図7Fに示すように、電極パッド25及び金属層38aを覆うように金属層39を形成する。金属層39は、例えば絶縁層24上に電極パッド25及び金属層38aを開口するレジスト膜を形成し、電極パッド25及び金属層38aを給電層とする電解めっき法により、開口部を充填するようにめっき膜を析出成長させ、その後レジスト膜を除去することにより形成することができる。
以降、第1の実施の形態と同様の工程を繰り返すことにより、図6に示す半導体装置10Aが製造される。半導体装置10Aは、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
本発明の第2の実施の形態によれば、本発明の第1の実施の形態と同様の効果を奏する。更に、ビアホール径が小さくなるため、ビアホール及び金属層を設ける工程に要する時間を短縮することができるとともに、1つの金属パッドに対して複数個のビアホール及び金属層を設けることにより金属パッド同士の接続信頼性を向上することができる。
〈第3の実施の形態〉
[本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図8は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図6と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aでは4個のビアホール及び金属層に対して1個設けられていた金属パッドを、1個のビアホール及び金属層に対して1個設けるようにした点を除いて、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aと同様に構成される。
[本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図8は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図6と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aでは4個のビアホール及び金属層に対して1個設けられていた金属パッドを、1個のビアホール及び金属層に対して1個設けるようにした点を除いて、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置10Aと同様に構成される。
図8において、15a及び15b〜75a及び75bは金属パッドを示している。金属パッドは、1個のビアホール及び金属層に対して1個設ずつ設けられている。
このように、1つの金属パッドに対して1個のビアホール及び金属層を設けることにより、隣接する金属パッドに同一の信号を割り当てた場合には、第2の実施の形態と同様に金属パッド同士の接続信頼性を向上することができる。又、隣接する金属パッドに異なる信号を割り当てた場合には、配線設計の自由度を高めることができる。
[本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程]
続いて、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図9A〜図9Fは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図9A〜図9Fにおいて、図8に示す半導体装置10Bと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態又は第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
続いて、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図9A〜図9Fは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図9A〜図9Fにおいて、図8に示す半導体装置10Bと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態又は第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
始めに、図4A〜図4Gと同様の工程を行う。次いで、図9A及び図9Bに示す工程では、所定のマスクを介して図4Gに示すレジスト膜27を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜27を現像することで、レジスト膜27に開口部27yを形成する。図9Aは断面図であり、図9Bは平面図である。なお、説明の便宜上、図9A〜図9Fまでは、図4Gに示す構造体の一部分(電極パッド15及び電極パッド25近傍)のみを拡大して示すことにする。
次いで、図9Cに示す工程では、半導体基板21cにビアホール21zを形成する。ビアホール21zは、開口部27yに対応する部分の半導体基板21c(基板本体22、半導体集積回路23、絶縁層24,電極パッド25)及び樹脂層16を貫通し、半導体基板11cの電極パッド15a及び15bが露出するように形成する。ビアホール21zは、例えばドライエッチング等により形成することができる。ビアホール21zは、例えば平面視円形であり、その直径φ7は、例えば1μm〜10μmとすることができる。ただし、ビアホール21zの直径φ7は、アスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることが好ましい。ビアホール21zの直径φ7をアスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることにより、ビアホール21zを形成する際のエッチングの加工速度(スループット)の向上や、ビアホール21zへの金属層38bの埋め込みやすさの向上等を実現できるからである。
次いで、図9Dに示す工程では、図9Cに示すレジスト膜27を除去する。次いで、図4K〜図4Qと同様な工程を行い、図9Eに示すようにビアホール21zに金属層38bを充填する。次いで、金属層38bに覆われていない部分の金属層29を、例えばウェットエッチング等により除去した後、図9Fに示すように、電極パッド25及び金属層38bを覆うように金属層39aを形成する。金属層39aは、例えば絶縁層24上に電極パッド25及び金属層38bを開口するレジスト膜を形成し、電極パッド25及び金属層38bを給電層とする電解めっき法により、開口部を充填するようにめっき膜を析出成長させ、その後レジスト膜を除去することにより形成することができる。
以降、第1の実施の形態と同様の工程を繰り返すことにより、図8に示す半導体装置10Bが製造される。半導体装置10Bは、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
本発明の第3の実施の形態によれば、本発明の第1の実施の形態と同様の効果を奏する。更に、隣接する金属パッドに同一の信号を割り当てた場合には、第2の実施の形態と同様に金属パッド同士の接続信頼性を向上することができる。又、隣接する金属パッドに異なる信号を割り当てた場合には、配線設計の自由度を高めることができる。
〈第4の実施の形態〉
[本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図10は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図8と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置10Cは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bでは全ての半導体基板の全てのビアホールに対応する位置に設けられていた金属パッドを、一部設けないようにし、金属パッドが設けられた半導体基板同士をビアホール及び金属層で直接接続している点を除いて、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bと同様に構成される。
[本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図10は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図8と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置10Cは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bでは全ての半導体基板の全てのビアホールに対応する位置に設けられていた金属パッドを、一部設けないようにし、金属パッドが設けられた半導体基板同士をビアホール及び金属層で直接接続している点を除いて、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置10Bと同様に構成される。
このように、金属パッドを一部の半導体基板のみに設けることにより、隣接していない半導体基板同士をビアホール及び金属層で直接接続することができるため、配線設計の自由度を高めることができる。
[本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程]
続いて、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図11A〜図11Hは、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図11A〜図11Hにおいて、図10に示す半導体装置10Cと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態から第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
続いて、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。図11A〜図11Hは、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。図11A〜図11Hにおいて、図10に示す半導体装置10Cと同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。又、本発明の第1の実施の形態から第3の実施の形態に係る半導体装置の製造工程と類似する部分に関しては、説明を省略する場合がある。
始めに、図4A〜図4Gと同様の工程を行う。次いで、図11A及び図11Bに示す工程では、所定のマスクを介して図4Gに示すレジスト膜27を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜27を現像することで、レジスト膜27に開口部27zを形成する。図11Aは断面図であり、図11Bは平面図である。なお、説明の便宜上、図11A〜図11Hまでは、図4Gに示す構造体の一部分(電極パッド15及び電極パッド25近傍)のみを拡大して示すことにする。
次いで、図11Cに示す工程では、半導体基板21cにビアホール21zを形成する。ビアホール21zは、開口部27zに対応する部分の半導体基板21c(基板本体22、半導体集積回路23、絶縁層24,電極パッド25)及び樹脂層16を貫通し、半導体基板11cの電極パッド15a及び15bが露出するように形成する。ビアホール21zは、例えばドライエッチング等により形成することができる。ビアホール21zは、例えば平面視円形であり、その直径φ7は、例えば1μm〜10μmとすることができる。ただし、ビアホール21zの直径φ7は、アスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることが好ましい。ビアホール21zの直径φ7をアスペクト比(=深さD2/直径φ7)が0.5以上5以下となるような値とすることにより、ビアホール21zを形成する際のエッチングの加工速度(スループット)の向上や、ビアホール21zへの金属層38bの埋め込みやすさの向上等を実現できるからである。
次いで、図11Dに示す工程では、図11Cに示すレジスト膜27を除去する。次いで、図4K〜図4Lと同様な工程を行った後、図11Eに示すように、絶縁層24の上面、電極パッド25の上面及び側面、絶縁層28の上面、ビアホール21zの底部に露出する電極パッド15a及び15bの上面を覆うように金属層29を形成する。金属層29は、例えば無電解めっき法等により形成することができる。金属層29は、例えばスパッタ法、CVD法等を用いて形成しても構わない。金属層29としては、例えばTi層上にCu層を積層した積層体等を用いることができる。金属層29として、例えばTa層上にCu層を積層した積層体等を用いても構わない。又、埋め込む材料は設計基準を満足する導体でよく、Cuの代わりにWやAl、又はドープトポリシリコン、或いはカーボンナノチューブ等の炭素材料や導電性ポリマの何れかを用いることができる。又、絶縁層の絶縁性が十分である場合は、バイヤ金属層を用いない埋め込み配線の組み合わせを選ぶことができる。
次いで図11Fに示す工程では、ビアホール21zの内部を除く金属層29の上面を覆うように感光性のレジスト膜37を形成する。レジスト膜37は、例えばドライフィルムレジストを金属層29の上面に貼付することにより形成することができる。レジスト膜27の厚さは、例えば10μmとすることができる。その後、所定のマスクを介してレジスト膜37を露光し、次いで露光処理されたレジスト膜37を現像することで、レジスト膜37に開口部37yを形成する。開口部37yは電極パッド25が形成されている部分に対応するビアホール21z上のみに形成される。
次いで、図4P〜図4Rと同様な工程を行い、図11Gに示すように、金属層38bに覆われていない部分の金属層29を除去する。次いで図11Hに示す工程では、電極パッド25及び金属層38bを覆うように金属層39aを形成する。金属層39aは、例えば絶縁層24上に電極パッド25及び金属層38bを開口するレジスト膜を形成し、電極パッド25及び金属層38bを給電層とする電解めっき法により、開口部を充填するようにめっき膜を析出成長させ、その後レジスト膜を除去することにより形成することができる。
以降、第1の実施の形態と同様の工程を繰り返すことにより、図10に示す半導体装置10Cが製造される。なお、金属層が充填されていないビアホールは、電極パッドを有する半導体基板を積層した後に、第1の実施の形態と同様な方法により充填される。半導体装置10Cは、切断位置Cにおいてダイシングブレード等により切断され、個片化されることにより最終製品の形態となる。
なお、金属パッドをどの半導体基板のどの位置に設け、どの位置に設けないかは、任意に決定することができ、図10に例示した態様には限定されない。
本発明の第4の実施の形態によれば、本発明の第1の実施の形態と同様の効果を奏する。更に、全ての半導体基板の全てのビアホールに対応する位置に設けられていた金属パッドを、一部設けないようにすることにより、隣接していない半導体基板同士をビアホール及び金属層で直接接続することができるため、配線設計の自由度を高めることができる。
〈第5の実施の形態〉
第1〜第4の実施の形態では、半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する半導体装置の製造方法を例示した。しかしながら、積層する基板は全て半導体チップを有する半導体基板でなくてもよく、半導体チップを有しない構造層を一部に含んでいても構わない。そこで、第5の実施の形態では、半導体チップを有しない構造層を含む半導体装置の製造方法を例示する。ここで、構造層とは、シリコン基板、金属層、絶縁層等を含む半導体チップを有しない全ての層を指すものとする。
第1〜第4の実施の形態では、半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する半導体装置の製造方法を例示した。しかしながら、積層する基板は全て半導体チップを有する半導体基板でなくてもよく、半導体チップを有しない構造層を一部に含んでいても構わない。そこで、第5の実施の形態では、半導体チップを有しない構造層を含む半導体装置の製造方法を例示する。ここで、構造層とは、シリコン基板、金属層、絶縁層等を含む半導体チップを有しない全ての層を指すものとする。
[本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の構造]
始めに、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図12は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置10Dは、図3に示す本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10の樹脂層66と半導体基板71cとの間に構造層81及び樹脂層86を設けた点を除いて、半導体装置10と同様に構成される。
始めに、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図12は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置10Dは、図3に示す本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10の樹脂層66と半導体基板71cとの間に構造層81及び樹脂層86を設けた点を除いて、半導体装置10と同様に構成される。
図12に示す半導体装置10Dにおいて、構造層81は、樹脂層66を介して半導体基板61c上に積層され、半導体基板71cは樹脂層86を介して構造層81上に積層されている。構造層81には、半導体基板61cと71cとを電気的に接続するためのビアホール(図示せず)や金属層(図示せず)等が設けられている。樹脂層86としては、樹脂層16等と同様の材料を用いることができる。
構造層81は、半導体チップを有しないシリコン基板81cと、絶縁膜81dと、溝81xとを有する。溝81xはシリコン基板81cの半導体基板71c側に設けられ、溝81xを含むシリコン基板81cの表面には、例えばSi3N4やSiO2等から構成されている絶縁膜81dが形成されている。シリコン基板81cは、絶縁膜81dにより、隣接する半導体基板71cと絶縁されている。溝81xには例えば水やエタノール等の冷却媒体が充填されており、溝81xは冷媒流路として機能する。溝81xの形状や形成位置は任意で構わない。
このように、半導体装置において積層する基板は半導体チップを有する半導体基板には限定されず、半導体チップを有しない構造層を一部に含んでも構わない。半導体装置において積層する構造層に、例えば冷媒流路を有するシリコン基板を含めることにより、半導体基板で発生する熱を放熱する冷却機能を持たせることができる。冷却機能を有する構造層は、特にCPU等の発熱の大きなデバイスを含む半導体基板に隣接して設けると有効である。なお、半導体装置は、半導体チップを有しない構造層を複数層含んでも構わない。
[本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造工程]
続いて、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。
続いて、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造工程について説明をする。
始めに、構造層81を準備する。具体的には、シリコン基板81cを所定の外径に加工し、一方の面に溝81xを形成する。溝81xは、例えばDRIE(Deep Reactive Ion Etching)等により形成することができる。そして、溝81xを含むシリコン基板81cの表面に絶縁膜81dを形成する。絶縁膜81dは、例えばプラズマCVD法等により形成することができる。以上の工程により、構造層81が完成する。
次いで、図4A〜図4Tと同様の工程により、半導体基板11cから半導体基板61c、樹脂層66、構造層81、樹脂層86及び半導体基板71cを順次積層しビアホールや金属層等を形成することにより、半導体装置10Dが完成する。
以上、半導体チップを有しないシリコン基板を含む構造層を含む半導体装置の製造方法を例示したが、構造層は半導体チップを有しないシリコン基板以外に、Cu等の金属層やエポキシ樹脂等の絶縁層を含んでも構わないし、MEMSを有する構造であっても構わない。MEMSの一例としては、圧力センサや加速度センサ等を挙げることができる。
本発明の第5の実施の形態によれば、本発明の第1の実施の形態と同様の効果を奏する。更に、半導体装置に半導体チップを有しない構造層を設けることにより、半導体基板で発生する熱を放熱する冷却機能等を実現することができる。
〈第6の実施の形態〉
第1〜第4の実施の形態では、半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する半導体装置の製造方法(WOW)を例示した。又、第5の実施の形態では、半導体チップを有しない構造層を含む半導体装置の製造方法を例示した。第6の実施の形態では、WOWに周知の半導体装置の工程(所謂前工程や後工程)も含めた半導体装置全体の製造工程について例示する。
第1〜第4の実施の形態では、半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する半導体装置の製造方法(WOW)を例示した。又、第5の実施の形態では、半導体チップを有しない構造層を含む半導体装置の製造方法を例示した。第6の実施の形態では、WOWに周知の半導体装置の工程(所謂前工程や後工程)も含めた半導体装置全体の製造工程について例示する。
図13は、WOWに周知の半導体装置の工程も含めた半導体装置全体の製造工程のフローチャートの例である。図13を参照するに、まず『酸化』の工程(S11)では、半導体基板の表面に酸化膜を形成する。次に『拡散』の工程(S12)では、半導体基板にドーパント(不純物)を導入し半導体領域を形成する。次に『FEOL(Front End Of Line)』の工程(S13)では、リソグラフィー(S13a)、エッチング(S13b)、成膜(S13c)及びCMP(S13d)を必要回数繰り返すことにより、トランジスタ等のデバイスを形成する。
具体的には、リソグラフィー(S13a)の工程では、半導体基板にフォトレジスト(感光性物質)を塗布し、露光装置を用いてフォトマスクに描かれた素子・回路のパターンを焼き付ける。エッチング(S13b)の工程では、不要な酸化膜や金属膜等を物理的又は化学的に食刻加工することにより除去する。成膜(S13c)の工程では、スパッタリングやCVD等の方法によりトランジスタ等のデバイスを構成する酸化膜や金属膜等を成膜する。CMP(S13d)の工程では、半導体基板の表面を研磨する。
次に『BEOL(Back End Of Line)』の工程(S14)では、リソグラフィー(S14a)、エッチング(S14b)、成膜(S14c)及びCMP(S14d)を必要回数繰り返すことにより、半導体基板に形成されたトランジスタ等のデバイスをCu等で配線し回路を完成させる。リソグラフィー(S14a)、エッチング(S14b)、成膜(S14c)及びCMP(S14d)については、前述のとおりである。これにより、半導体チップを有する半導体基板が完成する。
次に『WOW(ウェハオンウェハ)』の工程(S15)では、薄型化(S15a)、積層(S15b)、リソグラフィー(S15c)、ビアホールエッチング(S15d)、成膜(S15e)及び平坦化(S15f)を必要回数繰り返すことにより、半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する。
具体的には、薄型化(S15a)の工程では、図4Eや図5Cに示したように半導体基板を薄型化する。積層(S15b)の工程では、図4Fや図5Dに示したように薄型化した半導体基板と薄型化していない半導体基板を積層する。リソグラフィー(S15c)、ビアホールエッチング(S15d)、成膜(S15e)及び平坦化(S15f)の工程では、図4Hから図4S等に示したように、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続する。
次に『電気検査』の工程(S16)では、積層された半導体基板の電気的な検査を行う。次に『グラインディング』の工程(S17)では、積層された半導体基板を研磨して厚さを調整する。次に『ダイシング』の工程(S18)では、積層された半導体基板を切断し、複数の積層された半導体チップを作製する。次に『ボンディング』の工程(S19)では、積層された半導体チップをリードフレームに固着し、半導体チップの電極パッドとリードフレームとをボンディングワイヤで電気的に接続する。次に『モールディング』の工程(S20)では、リードフレームに固着された積層された半導体チップを樹脂で封止する。次に『最終検査』の工程(S21)では、S20の工程で最終製品の形態になった積層された半導体チップの出荷検査(電気特性検査や外観検査等)を行う。以上で全工程が終了する。
図13において、S11からS14までは個片化(ダイシング)前の半導体基板を取り扱う周知の工程である。S15の本発明に係るWOWの工程も、S14に引き続き個片化(ダイシング)前の半導体基板を取り扱う工程である。すなわち、個片化(ダイシング)前の半導体基板の状態を保ったままで、三次元化し(半導体チップを有する複数の半導体基板を積層し)、異なる層の半導体基板を構成する半導体チップ同士を信号伝達可能に接続することができる。『BEOL(Back End Of Line)』の工程の後に半導体チップを個片化(ダイシング)し、個片化された半導体チップの状態で三次元化を行う従来の工程と比較すると、WOWでは『BEOL(Back End Of Line)』の工程の後に寸断なく個片化(ダイシング)前の半導体基板を三次元化する工程に移行することができる。その結果、半導体装置の製造工程を簡略化できると共に、量産設備に対する投資を抑制することができる。
又、WOWでは、半導体基板を積層する枚数に対する理論的限界がない。つまり、半導体基板を積層する枚数に従った集積度が得られる。例えば半導体基板10枚をWOWで積層した半導体装置を作製すれば、例えば半導体チップ当たり32GBのメモリーデバイスは320GBとなり、約1000個の三次元チップが得られる。ロジックデバイスでは、CPUコア部とキャッシュ部を別々の半導体基板に作り込み、WOWで積層すれば、16コア、32コア、64コア・・・といったマルチコア化が可能になる。32コアといった多数コアが実現できれば、CPUコア自体を冗長的に扱うことが可能となり、実効的に不良のない三次元ロジックデバイスを編成できる。
更に、WOWでは、半導体基板の厚さが配線距離になり、デバイス層の厚さを加味しても20μm程度でデバイス同士を接続することができる。通常回路の長配線が数100μmから数10mm程度であること考えると、配線を非常に短縮することができる。このため、信号線として取り扱うと、単位ビアホール当たりのバス・バンド幅が大きい高速情報転送が可能となる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、各実施の形態では、平面視円形の半導体基板(シリコンウェハ)を用いた場合を例にとり説明を行ったが、半導体基板は平面視円形に限定されず、例えば平面視長方形等のパネル状のものを用いても構わない。
又、半導体集積回路が形成されている基板の材料はシリコンに限定されず、例えばゲルマニウムやサファイア等を用いても構わない。
又、各実施の形態では、積層された半導体基板を構成する半導体チップ同士をビアホール内に形成された金属層を介して電気信号により接続する例を示したが、積層された半導体基板を構成する半導体チップ同士の接続は電気信号には限定されず、例えば光信号により接続しても構わない。この際、ビアホール内には金属層に代えて光導波路を形成すればよい。
又、各実施の形態では、半導体基板に電極パッドを形成してからビアホールを形成する例を示したが、ビアホールを形成してから電極パッドを形成しても構わない。又、ビアホールを充填した金属層の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)等で削る工程(ダマシン工程)を設けても構わない。
又、各実施の形態では、半導体基板の外縁部のみを残し、中心部近傍を薄型化するように凹部を形成する例を示したが、凹部は薄型化された半導体基板が十分な剛性を維持するために形成するものである。従って、半導体基板が十分な剛性を維持することができれば特定の形状には限定されない。例えば、格子状の部分のみを残し、その他の部分を薄型化するような形状(複数の凹部を形成する)としても構わない。
又、各実施の形態で説明した電極パッドとビアホールの接続形態は、一つの半導体装置内に混在していても構わない。
又、第2の実施の形態から第5の実施の形態に対して、第1の実施の形態の変形例と同様な変形を加えても構わない。
10,10A,10B,10C 半導体装置
11,11c,21c,31c,41c,51c,61c,71c 半導体基板
11a,11b,16a,21a,21b 面
11x 外縁部
12,22 基板本体
13,23 半導体集積回路
14,24,28 絶縁層
15,15a,15b,25,25a,25b,35,35a,35b,45,45a,45b,55,55a,55b、65,65a,65b,75,75a,75b 電極パッド
16,26,36,46,56,66,76,86 樹脂層
21x 凹部
21y,21z,31y,31z,41y,41z,51y,51z,61y,61z,71y,71z ビアホール
27,37 レジスト膜
29,38,38a,39,39a,38b,48,48a,58,58a,68,68a,78,78a,88,88a 金属層
27x,27y,27z,37x,37y,76x 開口部
81 構造層
81c シリコン基板
81d 絶縁膜
81x 溝
91 外部接続端子
96 接着層
97 支持体
A 半導体チップ形成領域
B スクライブ領域
C 切断位置
D1、D2 深さ
H1 高さ
T1〜T3 厚さ
φ1〜φ7 直径
11,11c,21c,31c,41c,51c,61c,71c 半導体基板
11a,11b,16a,21a,21b 面
11x 外縁部
12,22 基板本体
13,23 半導体集積回路
14,24,28 絶縁層
15,15a,15b,25,25a,25b,35,35a,35b,45,45a,45b,55,55a,55b、65,65a,65b,75,75a,75b 電極パッド
16,26,36,46,56,66,76,86 樹脂層
21x 凹部
21y,21z,31y,31z,41y,41z,51y,51z,61y,61z,71y,71z ビアホール
27,37 レジスト膜
29,38,38a,39,39a,38b,48,48a,58,58a,68,68a,78,78a,88,88a 金属層
27x,27y,27z,37x,37y,76x 開口部
81 構造層
81c シリコン基板
81d 絶縁膜
81x 溝
91 外部接続端子
96 接着層
97 支持体
A 半導体チップ形成領域
B スクライブ領域
C 切断位置
D1、D2 深さ
H1 高さ
T1〜T3 厚さ
φ1〜φ7 直径
Claims (12)
- 主面側に半導体集積回路を有する複数の半導体チップが形成された半導体基板を、全ての前記半導体基板の主面が同一方向を向くように積層し、異なる層の前記半導体基板を構成する前記半導体チップ同士を信号伝達可能に接続し、その後前記半導体チップ部分を個片化する半導体装置の製造方法であって、
第1の半導体基板及び第2の半導体基板を準備する第1工程と、
支持体を準備し、主面を前記支持体側に向けて前記第2の半導体基板を前記支持体に仮固定し、前記支持体に仮固定された前記第2の半導体基板の主面と反対側を薄型化する第2工程と、
薄型化された前記第2の半導体基板の主面と反対側の面を、絶縁層を介して前記第1の半導体基板の主面に固着し、前記支持体を除去する第3工程と、
薄型化された前記第2の半導体基板に、前記第2の半導体基板の主面から主面と反対側の面に貫通するビアホールを、前記第2の半導体基板の主面側から前記反対側の面に向かって形成する第4工程と、
前記ビアホールを介して、前記第1の半導体基板の前記半導体チップと前記第2の半導体基板の前記半導体チップとの間の信号伝達を可能にする接続部を形成する第5工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 更に、他の半導体基板を準備し、前記他の半導体基板に前記第2工程から前記第5工程と同様の工程を繰り返し、前記第2の半導体基板上に他の半導体基板を積層する第6工程を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、平面視略円形形状であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接続部は、前記半導体チップ同士を電気信号により接続することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接続部は、前記半導体チップ同士を光信号により接続することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 積層された前記半導体基板の一部に、前記半導体基板と絶縁された、半導体チップを有しない構造層を含むことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造層は、基板、金属層又は絶縁層であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造層は、前記半導体基板を冷却する機能を有することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造層はMEMSを有することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程において薄型化された部分の前記半導体基板の厚さは、前記半導体基板の有するデバイスの素子分離深さの5倍以上であることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程において薄型化された部分の前記半導体基板の厚さは1μm以上であることを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程において形成されたビアホールのアスペクト比は、0.5以上5以下であることを特徴とする請求項1乃至11の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
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