JP2015061310A - 音響センサ及び音響センサシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体70と、第1歪検知素子S1と、を含む音響センサ300a。基体は、支持体71と、支持体に支持された可撓性の第1膜部F1と、を含む。第1歪検知素子は、第1膜部の第1面F1a上に設けられる。第1歪検知素子は、第1磁性層と、第2磁性層と、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含む。第1膜部に接する第1伝達材TM1により第1膜部が受けた音響波により、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化との間の角度が可変である。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る音響センサを例示する模式的断面図である。
図1に表したように、本実施形態に係る音響センサ300aは、基体70と、センサ部72と、を含む。センサ部72は、例えば、基体70の上に設けられる。センサ部72は、歪検知素子50(第1歪検知素子S1)を含む。基体70は、支持体71と、トランスデュース薄膜64(第1膜部F1)と、を含む。トランスデュース薄膜64は、膜面64aを有する。トランスデュース薄膜64は、可撓性である。トランスデュース薄膜64は、変形可能である。歪検知素子50は、例えば、膜面64aに固定される。歪検知素子50は、例えば、膜面64aの上に設けられる。
筐体90と基体70との間に、音響カプラ73が充填される。音響カプラ73の音響インピーダンスは、例えば、被測定物810の音響インピーダンスよりも低い。音響カプラ73に用いられる物質は、空洞部70h内に充填された物質と同じでなくても良い。すなわち、音響整合層は、多層構造でも良い。
図2に表したように、音響センサ300bの底面に、筐体90と一体型の底板91が設けられてもよい。底板91と第1膜部F1との間に、第1伝達材が配置される。この例では、底板91と被測定物810の間に、音響カプラ材97が設けられる。音響センサ300bは、被測定物810に密着される。
図3に表したように、歪抵抗変化部50s(歪検知素子50)は、例えば、第1磁性層10と、第2磁性層20と、第1磁性層10と第2磁性層20との間に設けられた第1中間層15と、を含む。第1中間層15は、非磁性層である。
これらの図は、歪検知素子50における磁化方向と、引っ張り応力の方向と、の関係を例示している。
図5(a)に表したように、歪検知素子50は、例えば、第1電極51と、第2電極52と、を含む。第1電極51と、第2電極52と、の間に歪抵抗変化部50sが設けられる。この例では、歪抵抗変化部50sにおいて、第1電極51の側から第2電極52に向けて、バッファ層41、反強磁性層42、磁性層43、Ru層44、第2磁性層20、第1中間層15、第1磁性層10及びキャップ層45が、設けられる。バッファ層41の厚さは、例えば、1nm以上10nm以下である。バッファ層41は、例えば、TaまたはTiを含むアモルファス層である。バッファ層41は、シード層を兼ねる場合もある。バッファ層41には、例えば、RuまたはNiFeなどの層が用いられる。RuまたはNiFeなどの層は、結晶配向促進のためのシード層となる。バッファ層41として、これらの積層膜が用いられても良い。
第1磁性層10と第2磁性層20との両方が磁化自由層である場合には、例えば、第1磁性層10の磁歪定数は、第2磁性層20の磁歪定数と、異なるように設定される。
図6(a)〜図6(d)は、第2の実施形態に係る音響センサを例示する模式図である。
図7に表したように、基体70上に、複数のセンサ部72が、例えば一体的に形成されている。半導体技術を用いることで、複数のセンサ部72が一体形成された複合基体を作製することができる。
本実施形態によれば、高感度の音響センサが提供される。
図8は、第3の実施形態に係る音響センサを例示する模式的平面図である。
図8に表したように、本実施形態に係る音響センサ300dにおいても、複数のセンサ部72が設けられる。複数のセンサ部72は、例えば、一体的に形成される。この例では、複数のセンサ部72のそれぞれに含まれるトランスデュース薄膜64のサイズは、互いに異なる。これ以外については、音響センサ300dは、音響センサ300cと同様である。
図9の横軸は、周波数fである。縦軸は、強度Intである。
本実施形態によれば、高感度の音響センサが提供される。
図10(a)〜図10(d)は、第4の実施形態に係る音響センサの一部を例示する模式的平面図である。
図10(a)〜図10(d)に表したように、トランスデュース薄膜64の膜面64aの形状は、例えば、円形、扁平円(楕円を含む)、正方形、長方形または多角形である。例えば、膜面64aの形状は、多角形の角を丸めた形状でもよい。この場合、膜面64aの重心64bは、それぞれ、円の中心、扁平円の中心、楕円の中心、正方形の対角線の中心、及び、長方形の対角線の中心である。
本実施形態においても、高感度な音響センサが提供される。
図11(a)及び図11(b)は、第5の実施形態の係る音響センサを例示する模式図である。
これらの図は、音響センサに含まれる回路を例示している。これら回路は、音響センサに含まれず、音響センサに接続されても良い。
図12は、第6の実施形態に係る音響センサを例示する模式的断面である。
図12に表したように、本実施形態に係る音響センサ306は、第1〜第5の実施形態に係る音響センサのいずれかに加えて、受電部620を含む。受電部620は、例えば、筐体90の内部に設けられる。受電部620は、例えば、受電部基板621と、受電部基板621の上に設けられたアンプ622及び電力伝送回路623とを含む。受電部620は、例えば、超音波ワイヤレス給電の受電部となる。
図13は、本実施形態に係る音響センサ306aに用いられる回路部を例示している。図13は、超音波を伝送手段とした電力送信システムのブロック図を例示している。超音波によるワイヤレス電力伝送システムは、送電部630aと、受電部630bと、を含む。
図14は、本実施形態に係る音響センサ306bに用いられる整流回路640を例示している。整流回路640は、無線電力伝送システムに係る整流回路である。 筐体90内部に設けられた受電部により、ケーブルを介さずに、ワイヤレスで電源が供給される。
図15(a)〜図15(e)は、第7の実施形態に係る音響センサを示す模式的断面図である。
図15(a)に表したように、音響センサ307においては、チップ701と、プリント基板702と、が設けられる。チップ701は、例えば、チップ縁部701egに塗布された接着材により、プリント基板702に接着される。例えば、プリント基板702には、ダイアフラム703の上部の位置に、孔704が設けられる。これにより、ダイアフラム703が変形することができる。プリント基板702は、配線取り出しのための孔705を含む。
例えば、被測定物810の破壊が近づくと、音響放射の発生頻度は高くなる。音響放射の発生を計測することにより、被測定物810の劣化程度が推定される。図16に表したように、音響放射波の振幅波形AM1が、設定値DL1を越える回数が計測される。
図17は、第8の実施形態に係る音響センサシステムを例示する模式図である。
図17に表したように、本実施形態に係る音響センサシステム350においては、複数の音響センサが用いられる。この例では、複数の音響センサ300aが用いられている。音響センサとして、上記の実施形態に係る任意の音響センサ、及び、その変形を用いても良い。複数の音響センサにより、例えば、音響放射発生源710の位置特定(位置標定)の精度が向上する。例えば、音響センサの設置間隔は、被測定物810における音響放射の伝搬距離よりも狭くする。例えば、複数の音響センサ300aを直線上に配置する。これにより、例えば、音響放射発生源710の1次元の位置を特定することができる。例えば、複数の音響センサ300aを同一平面上に配置する。これにより、例えば、音響放射発生源710の2次元の位置を特定することができる。例えば、複数の音響センサ300aを複数の平面上に配置する。これにより、例えば、音響発生源710の3次元の位置を特定することができる。
Claims (20)
- 支持体と、前記支持体に支持された可撓性の第1膜部と、を含む基体と、
前記第1膜部の第1面上に設けられ、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含む第1歪検知素子と、
を備え、
前記第1膜部に接する第1伝達材により前記第1膜部が受けた音響波により、前記第1磁性層の磁化と前記第2磁性層の磁化との間の角度が可変の音響センサ。 - 支持体と、前記支持体に支持された可撓性の第1膜部と、を含む基体と、
前記第1膜部の第1面上に設けられ、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含む第1歪検知素子と、
前記第1膜部に接し被測定物の音響波を前記第1膜部に伝える第1伝達材と、
を備えた音響センサ。 - 前記第1伝達材は、前記支持体と前記第1膜部とで区画される空間に充填される請求項1または2に記載の音響センサ。
- 前記基体を、音響波を放出する被測定物に固定させる固定部をさらに備え、
前記第1伝達材の音響インピーダンスは、前記被測定物の音響インピーダンスよりも低い請求項1〜3のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 前記基体と前記第1歪検知素子と前記第1伝達材とを格納する筐体と、
底板と、をさらに備え、
前記底板と前記第1膜部との間に前記第1伝達材が配置される請求項1〜4のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 前記底板と被測定物との間に設けられた音響カプラ材をさらに備えた請求項5に記載の音響センサ。
- 前記第1伝達材は、液体、ゲル状または固体である請求項1〜6のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1伝達材は、水、グリセリン、水銀及びゴムの少なくともいずれかを含む請求項1〜6のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1伝達材は、
第1層と、
前記第1層と前記第1膜部との間に設けられた第2層と、
を含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 第2歪検知素子と、
第2伝達材と、
をさらに備え、
前記基体は、前記支持体に支持された第2膜部をさらに含み、
前記第2歪検知素子は、前記第2膜部の第2面上に設けられ、第3磁性層と、第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた第2中間層と、を含み、
前記第2伝達材は、前記第2膜部に接し前記音響波を前記第2膜部に伝える請求項1〜9のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 前記第1膜部の前記第1面の面積は、前記第2膜部の前記第2面の面積とは異なる請求項10記載の音響センサ。
- 前記第1歪検知素子におけるセンサ部の共振周波数は、前記第2検知素子におけるセンサ部の共振周波数とは異なる請求項10または11に記載の音響センサ。
- 第2歪検知素子をさらに備え、
前記第2歪検知素子は、前記第1面上に設けられ、第3磁性層と、第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた第2中間層とを含む請求項1〜9のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 第3歪検知素子をさらに備え、
前記第3歪検知素子は、前記第1面上に設けられ、第5磁性層と、第6磁性層と、前記第5磁性層と前記第6磁性層との間に設けられた第3中間層とを含む請求項10〜12のいずれか1つに記載の音響センサ。 - 前記第1膜部の形状は円形である請求項1〜14のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1膜部の形状は多角形である請求項1〜14のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1膜部の形状は矩形である請求項1〜14のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1膜部の形状は多角形の角を丸めた形状である請求項1〜14のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 前記第1歪検知素子の面積は、前記第1面の面積の1/5以下である請求項1〜16のいずれか1つに記載の音響センサ。
- 請求項1〜19のいずれか1つに記載の音響センサを複数備えた音響センサシステム。
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