JP6745774B2 - センサ及び電子機器 - Google Patents
センサ及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6745774B2 JP6745774B2 JP2017179844A JP2017179844A JP6745774B2 JP 6745774 B2 JP6745774 B2 JP 6745774B2 JP 2017179844 A JP2017179844 A JP 2017179844A JP 2017179844 A JP2017179844 A JP 2017179844A JP 6745774 B2 JP6745774 B2 JP 6745774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- magnetic
- fixed end
- film portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0047—Housings or packaging of magnetic sensors ; Holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R15/00—Magnetostrictive transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R21/00—Variable-resistance transducers
- H04R21/02—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2410/00—Microphones
- H04R2410/03—Reduction of intrinsic noise in microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2499/00—Aspects covered by H04R or H04S not otherwise provided for in their subgroups
- H04R2499/10—General applications
- H04R2499/11—Transducers incorporated or for use in hand-held devices, e.g. mobile phones, PDA's, camera's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(c)は、第1実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図1(a)は、図1(b)及び図1(c)の矢印ARから見た平面図である。図1(b)は、図1(a)のA1−A2線断面図である。図1(c)は、図1(a)のB1−B2線断面図である。
図2は、第1実施形態に係るセンサの動作を例示する模式図である。
図2は、膜部(例えば第1膜部71)に力が加わっていない状態ST0に対応する。図2に示すように、第1磁性部61からバイアス磁界H1が生じる。バイアス磁界H1は、Y軸方向(第1端部方向D61と交差する方向)に沿っている。第1検知素子51に含まれる磁性層の磁化(この例では、磁化11am)、及び、第2検知素子52に含まれる磁性層の磁化(この例では、磁化12am)は、バイアス磁界H1に沿う。
図3(a)は、膜部(例えば第1膜部71)に力が加わっていない状態ST0に対応する。状態ST0においては、例えば検知素子に歪が生じていない。図3(b)は、膜部(例えば第1膜部71)に力が加わり、検知素子に応力が加わった状態ST1に対応する。図3(c)は、膜部(例えば第1膜部71)に別の力が加わり、検知素子に別の応力が加わった状態ST2に対応する。
図4は、図1(a)に対応する平面図である。図4に示すように、センサ110aにおいては、第1膜部71及び第2膜部72の周りの全体が空間になっている。実施形態において、膜部の形状及び膜部の周りの形状は、任意である。
図5は、図1(a)に対応する平面図である。図5に示すように、センサ110bにおいては、第1膜部71及び第2膜部72に加えて、第3膜部73及び第4膜部74が設けられる。これらの膜部は、第1端部方向D61に沿って並ぶ。さらに、第1検知素子51及び第2検知素子52に加えて、第3検知素子53及び第4検知素子54が設けられる。第3検知素子53は、第3膜部73に設けられる。第4検知素子54は、第4膜部74に設けられる。第3検知素子53及び第4検知素子54の構成は、例えば、第1検知素子51の構成(または第2検知素子52の構成)と同様でる。実施形態に係るセンサ110bにおいて、検知素子の数は任意である。これらの検知素子は、例えば、直列に電気的に接続されても良い。
図7は、図6(a)対応する平面図である。
図7に示すように、センサ111aにおいては、複数の膜部(例えば第1膜部71及び第2膜部72など)が設けられる。複数の膜部のそれぞれは、「両持ち梁」の構成を有する。複数の膜部の数は、3以上または4以上でも良い。複数の膜部のそれぞれに検知素子が設けられる。複数の膜部に設けられる検知素子は、互いに直列に電気的に接続されていてもよい。
図9に示すように、センサ113においても、支持部70s、第1膜部71、第2膜部72、第1磁性部61、第2磁性部62、第1検知素子51及び第2検知素子52が設けられる。センサ113においては、第1検知素子51が複数設けられ、第2検知素子52が複数設けられる。センサ113におけるこれ以外の構成は、例えば、センサ110の構成と同様である。
図10に示すように、センサ113aにおいては、膜部(第1膜部71及び第2膜部72など)の数が、4以上である。このように、膜部の数は、任意である。
図11に示すように、センサ114においては、2つの「片持ち梁」が1つのセットとなる。複数のセットが、第1端部方向D61に沿って並ぶ。
図12に示すように、センサ115においても、2つの「片持ち梁」が1つのセットとなる。第1磁性部61と第2磁性部62との間に、このセットが設けられる。この例では、第3磁性部61A及び第4磁性部62Aがさらに設けられる。第3磁性部61A及び第4磁性部62Aは、Z軸方向(第1素子方向Ds1)において、支持部70sと重なる。第3磁性部61A及び第4磁性部62Aのそれぞれの端部は、第1端部方向D61(X軸方向)に沿って伸びる。第3磁性部61Aと第4磁性部62Aとの間に、別のセットが設けられる。
図13(a)に示すように、センサ116aにおいて、第1膜部71、第2膜部72及び第3膜部73が設けられる。第1膜部71の第1固定端71eから第3膜部73の第3固定端73eに向かう方向は、第1固定端交差方向Dc71に沿う。第1検知素子51から第3検知素子53に向かう方向は、第1固定端交差方向Dc71に沿う。第1固定端交差方向Dc71は、第1固定端方向D71と交差する。第3膜部73から第2膜部72の一部に向かう方向は、第1端部方向D61に沿う。
図14に示すように、センサ117においては、第1膜部71の外縁の全体が、支持部70sにより支持されても良い。第2膜部72の外縁の全体が、支持部70sにより支持されても良い。複数の第1検知素子51は、第1膜部71に固定される。複数の第1検知素子51は、第1固定端方向D71に沿って並ぶ。
図15に示すように、センサ120においては、第1磁性部61と第2磁性部62の間に、保持部70s、第1膜部71及び第2膜部72が設けられても良い。この場合、第1磁性部61及び第2磁性部62は、支持部70sに支持されなくても良い。第1磁性部61及び第2磁性部62は、例えば、プリント基板などの基板に支持されていても良い。第1磁性部61及び第2磁性部62は、例えば、カバーなどの筐体に支持されていても良い。
図16に示すように、検知素子50Aにおいて、下部電極204と、下地層205と、ピニング層206と、第2磁化固定層207と、磁気結合層208と、第1磁化固定層209と、中間層203と、磁化自由層210と、キャップ層211と、上部電極212と、が、この順で並ぶ。検知素子50Aは、例えば、ボトムスピンバルブ型である。
図17に示すように、検知素子50AAにおいて、絶縁層213が設けられるこれ以外は、検知素子50Aと同様である。絶縁層213は、下部電極204と上部電極212との間に設けられる。絶縁層213は、下部電極204と上部電極212とを結ぶ方向と交差する方向において、磁化自由層210及び第1磁化固定層209と並ぶ。絶縁層213を除く部分は、検知素子50Aと同様なので説明を省略する。
図18に示すように、検知素子50Bにおいて、下部電極204と、下地層205と、磁化自由層210と、中間層203と、第1磁化固定層209と、磁気結合層208と、第2磁化固定層207と、ピニング層206と、キャップ層211と、上部電極212と、が、順に積層される。検知素子50Bは、例えば、トップスピンバルブ型である。
図19に示すように、検知素子50Cにおいて、下部電極204と、下地層205と、ピニング層206と、第1磁化固定層209と、中間層203と、磁化自由層210と、キャップ層211と、が、この順で積層される。検知素子50Cは、例えば、単一の磁化固定層を用いたシングルピン構造を有する。
図20に示すように、検知素子50Dにおいて、下部電極204と、下地層205と、下部ピニング層221と、下部第2磁化固定層222と、下部磁気結合層223と、下部第1磁化固定層224と、下部中間層225と、磁化自由層226と、上部中間層227と、上部第1磁化固定層228と、上部磁気結合層229と、上部第2磁化固定層230と、上部ピニング層231と、キャップ層211とが、順に積層される。
図21に示すように、検知素子50Eにおいて、下部電極204と、下地層205と、第1磁化自由層241と、中間層203と、第2磁化自由層242と、キャップ層211と、上部電極212と、が、この順で積層される。この例では、第1対向磁性層11b及び第2対向磁性層12bの磁化は、変化可能である。
図22は、第2実施形態に係る電子機器を例示する模式図である。
図22に示すように、本実施形態に係るマイクロフォン320は、上記の実施形態に係る任意のセンサ、または、それらの変形のセンサを含む。この例では、センサとして、センサ110が用いられている。
本実施形態に係るマイクロフォン320(音響マイクロフォン)は、第1部材321(例えばプリント基板などの基板)と、第2部材323(例えば、カバーなどの筐体)と、センサと、を含む。センサとして、実施形態に係る任意のセンサのいずれか、または、それらの変形が用いられる。この例では、センサとして、センサ110が用いられている。第1部材321は、例えばアンプなどの回路を含む。第2部材323には、アコースティックホール325が設けられる。音329は、アコースティックホール325を通って、第2部材323の内部に進入する。
図24(a)及び図24(b)は、第3実施形態に係る血圧センサを例示する模式図である。
図24(a)は、ヒトの動脈血管の上の皮膚を例示する模式的平面図である。図24(b)は、図24(a)のH1−H2線断面図である。
図25は、第4実施形態に係るタッチパネルを例示する模式図である。
本実施形態に係るタッチパネル340は、実施形態に係る任意のセンサ、または、それらの変形が用いられる。この例では、センサとしてセンサ110が用いられている。タッチパネル340において、センサ110が、ディスプレイの内部及びディスプレイの外部の少なくともいずれかに搭載される。タッチパネル340は、電子機器の1つである。
(構成1)
支持部と、
前記支持部に支持された変形可能な第1膜部であって、第1固定端方向に沿って延びる第1固定端を含む、前記第1膜部と、
前記第1膜部に固定された第1検知素子であって、第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向磁性層と、前記第1磁性層と前記第1対向磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含み、前記第1対向磁性層から前記第1磁性層に向かう方向は第1素子方向に沿う、前記第1検知素子と、
前記第1固定端方向に対して傾斜した第1端部方向に沿って延びる第1端部を含む第1磁性部であって、前記第1磁性部は、前記第1素子方向において前記支持部の一部と重なる、前記第1磁性部と、
を備えたセンサ。
(構成2)
前記第1膜部は、第1膜部端をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1膜部端は、前記第1素子方向において変位可能である、構成1記載のセンサ。
(構成3)
前記第1端部方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1交差方向における前記第1固定端の位置は、前記第1交差方向における前記第1端部の位置と、前記第1交差方向における前記第1膜部端の位置、との間にある、構成2記載のセンサ。
(構成4)
前記第1膜部は、第1膜部端と、第1内側部と、をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう前記方向において、前記第1内側部は、前記第1固定端と前記第1膜部端との間に位置し、
前記第1内側部は、前記第1素子方向において変位可能である、構成1記載のセンサ。
(構成5)
前記第1膜部に固定された第1膜部端検知素子をさらに備え、
前記第1膜部端検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1膜部端検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも長く、
前記第1検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも短く、
前記第1膜部端検知素子は、第1膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1対向膜部端磁性層との間に設けられた第1膜部端中間層と、を含む、構成4記載のセンサ。
(構成6)
前記支持部に支持された変形可能な第2膜部であって、前記第1端部方向に対して傾斜する第2固定端方向に沿って延びる第2固定端を含む、前記第2膜部と、
前記第2膜部に固定された第2検知素子であって、第2磁性層と、前記第2磁性層と前記第2膜部との間に設けられた第2対向磁性層と、前記第2磁性層と前記第2対向磁性層との間に設けられた第2中間層と、を含む前記第2検知素子と、
をさらに備えた、構成1〜3のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成7)
前記第1検知素子から前記第2検知素子に向かう方向は、前記第1端部方向に沿う、構成6記載のセンサ。
(構成8)
前記第1固定端から前記第2固定端に向かう方向は、前記第1端部方向に沿う、構成6または7に記載のセンサ。
(構成9)
前記第1端部方向及び前記第1素子方向を含む平面に対して垂直な方向に沿った、前記第1検知素子と前記第1端部との間の距離は、前記垂直な方向に沿った、前記第2検知素子と前記第1端部との間の距離の0.8倍以上1.2倍以下である、構成6〜8のいずれか1つに記載の記載のセンサ。
(構成10)
前記第1検知素子から前記第2検知素子に向かう方向は、前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1固定端交差方向に沿う、構成6記載のセンサ。
(構成11)
前記第1固定端から前記第2固定端に向かう方向は、第1固定端交差方向に沿う、構成10記載のセンサ。
(構成12)
前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第1膜部の長さは、前記第2固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第2膜部の長さとは異なる、構成6〜11のいずれか1に記載のセンサ。
(構成13)
前記支持部に支持された変形可能な第3膜部であって、前記第1端部方向と交差する第3固定端方向に沿って延びる第3固定端を含む、前記第3膜部と、
前記第3膜部に固定された第3検知素子であって、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記第3膜部との間に設けられた第3対向磁性層と、前記第3磁性層と前記第3対向磁性層との間に設けられた第3中間層と、を含む前記第3検知素子と、
をさらに備え、
前記第1検知素子から前記第3検知素子に向かう方向は、前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1固定端交差方向に沿う、構成6〜9のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成14)
前記第1固定端から前記第3固定端に向かう方向は、第1固定端交差方向に沿う、構成13記載のセンサ。
(構成15)
前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第1膜部の長さは、前記第3固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第3膜部の長さとは異なる、構成13または14に記載のセンサ。
(構成16)
第2磁性部をさらに備え、
前記第2磁性部は、前記第1素子方向において前記支持部の別の一部と重なり、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に前記第1検知素子の少なくとも一部が位置した、構成1〜15のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成17)
前記第1検知素子は、複数設けられ、
前記複数の第1検知素子の1つの前記第1固定端方向に沿う位置は、前記複数の第1検知素子の別の1つ前記第1固定端方向に沿う位置とは、異なる、構成1〜16のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成18)
前記複数の第1検知素子の前記1つは、前記複数の第1検知素子の前記別の1つと、電気的に接続された、構成17記載のセンサ。
(構成19)
第1部材と、
第2部材と、
をさらに備え、
前記支持部、前記第1膜部及び前記第1検知素子は、前記第1部材と前記第2部材との間に位置する構成1〜18のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成20)
構成1〜19のいずれか1つに記載のセンサと、
筐体と、
を備えた電子機器。
(構成21)
支持部と、
前記支持部に支持された変形可能な第1膜部であって、第1固定端方向に沿って延びる第1固定端を含む、前記第1膜部と、
前記第1膜部に固定された第1検知素子であって、第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向磁性層と、前記第1磁性層と前記第1対向磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含み、前記第1対向磁性層から前記第1磁性層に向かう方向は第1素子方向に沿う、前記第1検知素子と、
前記第1固定端方向に対して傾斜した第1端部方向に沿って延びる第1端部を含む第1磁性部と、
を備えたセンサ。
(構成22)
前記第1膜部は、第1膜部端をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1膜部端は、前記第1素子方向において変位可能である、構成21記載のセンサ。
(構成23)
前記第1端部方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1交差方向における前記第1固定端の位置は、前記第1交差方向における前記第1端部の位置と、前記第1交差方向における前記第1膜部端の位置、との間にある、構成22記載のセンサ。
(構成24)
前記第1膜部は、第1膜部端と、第1内側部と、をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう前記方向において、前記第1内側部は、前記第1固定端と前記第1膜部端との間に位置し、
前記第1内側部は、前記第1素子方向において変位可能である、構成21記載のセンサ。
(構成25)
前記第1膜部に固定された第1膜部端検知素子をさらに備え、
前記第1膜部端検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1膜部端検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも長く、
前記第1検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも短く、
前記第1膜部端検知素子は、第1膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1対向膜部端磁性層との間に設けられた第1膜部端中間層と、を含む、構成24記載のセンサ。
(構成26)
前記支持部に支持された変形可能な第2膜部であって、前記第1端部方向に対して傾斜する第2固定端方向に沿って延びる第2固定端を含む、前記第2膜部と、
前記第2膜部に固定された第2検知素子であって、第2磁性層と、前記第2磁性層と前記第2膜部との間に設けられた第2対向磁性層と、前記第2磁性層と前記第2対向磁性層との間に設けられた第2中間層と、を含む前記第2検知素子と、
をさらに備えた、構成21〜23のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成27)
前記第1検知素子から前記第2検知素子に向かう方向は、前記第1端部方向に沿う、構成26記載のセンサ。
(構成28)
前記第1固定端から前記第2固定端に向かう方向は、前記第1端部方向に沿う、構成26または27に記載のセンサ。
(構成29)
前記第1端部方向及び前記第1素子方向を含む平面に対して垂直な方向に沿った、前記第1検知素子と前記第1端部との間の距離は、前記垂直な方向に沿った、前記第2検知素子と前記第1端部との間の距離の0.8倍以上1.2倍以下である、構成26〜28のいずれか1つに記載の記載のセンサ。
(構成30)
前記第1検知素子から前記第2検知素子に向かう方向は、前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1固定端交差方向に沿う、構成26記載のセンサ。
(構成31)
前記第1固定端から前記第2固定端に向かう方向は、第1固定端交差方向に沿う、構成30記載のセンサ。
(構成32)
前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第1膜部の長さは、前記第2固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第2膜部の長さとは異なる、構成26〜31のいずれか1に記載のセンサ。
(構成33)
前記支持部に支持された変形可能な第3膜部であって、前記第1端部方向と交差する第3固定端方向に沿って延びる第3固定端を含む、前記第3膜部と、
前記第3膜部に固定された第3検知素子であって、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記第3膜部との間に設けられた第3対向磁性層と、前記第3磁性層と前記第3対向磁性層との間に設けられた第3中間層と、を含む前記第3検知素子と、
をさらに備え、
前記第1検知素子から前記第3検知素子に向かう方向は、前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1固定端交差方向に沿う、構成26〜29のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成34)
前記第1固定端から前記第3固定端に向かう方向は、第1固定端交差方向に沿う、構成33記載のセンサ。
(構成35)
前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第1膜部の長さは、前記第3固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する方向に沿う前記第3膜部の長さとは異なる、構成33または34に記載のセンサ。
(構成36)
第2磁性部をさらに備え、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に前記第1検知素子の少なくとも一部が位置した、構成21〜35のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成37)
前記第1検知素子は、複数設けられ、
前記複数の第1検知素子の1つの前記第1固定端方向に沿う位置は、前記複数の第1検知素子の別の1つ前記第1固定端方向に沿う位置とは、異なる、構成21〜36のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成38)
前記複数の第1検知素子の前記1つは、前記複数の第1検知素子の前記別の1つと、電気的に接続された、構成37記載のセンサ。
(構成39)
第1部材と、
第2部材と、
をさらに備え、
前記支持部、前記第1膜部及び前記第1検知素子は、前記第1部材と前記第2部材との間に位置する構成21〜38のいずれか1つに記載のセンサ。
(構成40)
構成21〜39のいずれか1つに記載のセンサと、
筐体と、
を備えた電子機器。
Claims (10)
- 支持部と、
前記支持部に支持された変形可能な第1膜部であって、第1固定端方向に沿って延びる第1固定端を含む、前記第1膜部と、
前記第1膜部に固定された第1検知素子であって、第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向磁性層と、前記第1磁性層と前記第1対向磁性層との間に設けられた第1中間層と、を含み、前記第1対向磁性層から前記第1磁性層に向かう方向は第1素子方向に沿う、前記第1検知素子と、
前記第1固定端方向に対して傾斜した第1端部方向に沿って延びる第1端部を含む第1磁性部であって、前記第1磁性部は、前記第1素子方向において前記支持部の一部と重なる、前記第1磁性部と、
を備えたセンサ。 - 前記第1膜部は、第1膜部端をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1膜部端は、前記第1素子方向において変位可能である、請求項1記載のセンサ。 - 前記第1膜部は、第1膜部端と、第1内側部と、をさらに含み、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう方向は、前記第1固定端方向と交差し、
前記第1固定端から前記第1膜部端に向かう前記方向において、前記第1内側部は、前記第1固定端と前記第1膜部端との間に位置し、
前記第1内側部は、前記第1素子方向において変位可能である、請求項1記載のセンサ。 - 前記第1膜部に固定された第1膜部端検知素子をさらに備え、
前記第1膜部端検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1膜部端検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも長く、
前記第1検知素子と前記第1固定端との間の距離は、前記第1検知素子と前記第1膜部端との間の距離よりも短く、
前記第1膜部端検知素子は、第1膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1膜部との間に設けられた第1対向膜部端磁性層と、前記第1膜部端磁性層と前記第1対向膜部端磁性層との間に設けられた第1膜部端中間層と、を含む、請求項3記載のセンサ。 - 前記支持部に支持された変形可能な第2膜部であって、前記第1端部方向に対して傾斜する第2固定端方向に沿って延びる第2固定端を含む、前記第2膜部と、
前記第2膜部に固定された第2検知素子であって、第2磁性層と、前記第2磁性層と前記第2膜部との間に設けられた第2対向磁性層と、前記第2磁性層と前記第2対向磁性層との間に設けられた第2中間層と、を含む前記第2検知素子と、
をさらに備えた、請求項1または2に記載のセンサ。 - 前記第1固定端から前記第2固定端に向かう方向は、前記第1端部方向に沿う、請求項5記載のセンサ。
- 前記支持部に支持された変形可能な第3膜部であって、前記第1端部方向と交差する第3固定端方向に沿って延びる第3固定端を含む、前記第3膜部と、
前記第3膜部に固定された第3検知素子であって、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記第3膜部との間に設けられた第3対向磁性層と、前記第3磁性層と前記第3対向磁性層との間に設けられた第3中間層と、を含む前記第3検知素子と、
をさらに備え、
前記第1検知素子から前記第3検知素子に向かう方向は、前記第1固定端方向及び前記第1素子方向を含む平面と交差する第1固定端交差方向に沿う、請求項5または6に記載のセンサ。 - 第2磁性部をさらに備え、
前記第2磁性部は、前記第1素子方向において前記支持部の別の一部と重なり、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に前記第1検知素子の少なくとも一部が位置した、請求項1〜7のいずれか1つに記載のセンサ。 - 第1部材と、
第2部材と、
をさらに備え、
前記支持部、前記第1膜部及び前記第1検知素子は、前記第1部材と前記第2部材との間に位置する請求項1〜8のいずれか1つに記載のセンサ。 - 請求項1〜9のいずれか1つに記載のセンサと、
筐体と、
を備えた電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017179844A JP6745774B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | センサ及び電子機器 |
US15/896,123 US10788545B2 (en) | 2017-09-20 | 2018-02-14 | Sensor having deformable film portion and magnetic portion and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017179844A JP6745774B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | センサ及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019056579A JP2019056579A (ja) | 2019-04-11 |
JP6745774B2 true JP6745774B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=65721119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017179844A Active JP6745774B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | センサ及び電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10788545B2 (ja) |
JP (1) | JP6745774B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7095813B2 (ja) | 2019-10-21 | 2022-07-05 | 株式会社村田製作所 | センサ、歪検知センサ、圧力センサ、およびマイクロフォン |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6889135B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-06-18 | 株式会社東芝 | センサ |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5146428A (ja) | 1974-10-18 | 1976-04-20 | Diamond Electric Mfg | Nenshoseigyosochi |
US5450372A (en) * | 1994-03-30 | 1995-09-12 | At&T Corp. | Magnetoresistive microphone and acoustic sensing devices |
SG106612A1 (en) * | 2001-05-29 | 2004-10-29 | Sony Electronics Singapore Pte | A force sensing device |
JP4277655B2 (ja) | 2003-11-11 | 2009-06-10 | 株式会社デンソー | 多軸磁気センサ装置及びその製造方法 |
DE102004032482B4 (de) * | 2004-07-05 | 2008-01-31 | Infineon Technologies Ag | Sensor und Verfahren zum Erfassen einer Verformung |
JP2008515043A (ja) * | 2004-09-27 | 2008-05-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 入力装置用の磁気センサ |
WO2007037926A2 (en) * | 2005-09-23 | 2007-04-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Mems pixel sensor |
US7750627B2 (en) * | 2006-10-24 | 2010-07-06 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic film sensor having a magnetic film for generating a magnetostriction and a depressed insulating layer |
JP2008224486A (ja) | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Alps Electric Co Ltd | 磁気式圧力センサ |
US10170685B2 (en) | 2008-06-30 | 2019-01-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Piezoelectric MEMS microphone |
US8531088B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-09-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Piezoelectric MEMS microphone |
US8304275B2 (en) * | 2010-08-31 | 2012-11-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS device assembly and method of packaging same |
JP4924853B1 (ja) | 2011-02-23 | 2012-04-25 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びマイクロフォン |
US8351625B2 (en) | 2011-02-23 | 2013-01-08 | Omron Corporation | Acoustic sensor and microphone |
US9029963B2 (en) * | 2012-09-25 | 2015-05-12 | Sand 9, Inc. | MEMS microphone |
JP2014074606A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 圧力センサ、音響マイク、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6055286B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-12-27 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ、およびタッチパネル |
JP6113581B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-04-12 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、音響マイク、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6074344B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-02-01 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
CN104219613B (zh) * | 2014-03-20 | 2017-11-10 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻音频采集器 |
JP5940639B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-29 | 株式会社東芝 | 歪検知装置 |
JP2016161410A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 歪検出素子、圧力センサ及びマイクロフォン |
JP6523004B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2019-05-29 | 株式会社東芝 | 歪検知素子および圧力センサ |
JP6480837B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-03-13 | 株式会社東芝 | センサ、情報端末、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6421101B2 (ja) | 2015-09-09 | 2018-11-07 | 株式会社東芝 | センサ、情報端末、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US9841469B2 (en) * | 2016-01-26 | 2017-12-12 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple sense layer magnetization orientations |
US10145907B2 (en) * | 2016-04-07 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
US9933496B2 (en) * | 2016-04-21 | 2018-04-03 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple axis sense capability |
JP2018116010A (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社東芝 | 圧力センサ及び電子機器 |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2017179844A patent/JP6745774B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-14 US US15/896,123 patent/US10788545B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7095813B2 (ja) | 2019-10-21 | 2022-07-05 | 株式会社村田製作所 | センサ、歪検知センサ、圧力センサ、およびマイクロフォン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10788545B2 (en) | 2020-09-29 |
US20190086481A1 (en) | 2019-03-21 |
JP2019056579A (ja) | 2019-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6223761B2 (ja) | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル | |
JP6211866B2 (ja) | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル | |
JP6212000B2 (ja) | 圧力センサ、並びに圧力センサを用いたマイクロフォン、血圧センサ、及びタッチパネル | |
US10746526B2 (en) | Strain sensing element and pressure sensor | |
US10481027B2 (en) | Sensor, electronic device, microphone, blood pressure sensor, and touch panel | |
JP2016161410A (ja) | 歪検出素子、圧力センサ及びマイクロフォン | |
JP6173855B2 (ja) | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル | |
US10094723B2 (en) | Sensor and electronic device | |
JP6304989B2 (ja) | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ、タッチパネル、圧力センサの製造方法、および圧力センサの製造装置 | |
JP6595422B2 (ja) | センサ及び電子機器 | |
JP2015061056A (ja) | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル | |
JP6370980B2 (ja) | センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル | |
JP6745774B2 (ja) | センサ及び電子機器 | |
JP6421101B2 (ja) | センサ、情報端末、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル | |
JP6502802B2 (ja) | センサ、情報端末、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル | |
JP6577632B2 (ja) | センサ | |
JP6510100B2 (ja) | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ、タッチパネル | |
US20180210041A1 (en) | Sensor and electronic device | |
US20190062148A1 (en) | Sensor | |
JP6615971B2 (ja) | センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル | |
JP6363271B2 (ja) | センサ | |
JP2019045467A (ja) | センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200804 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6745774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |