JP2019045467A - センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検知精度を向上できるセンサを提供する。【解決手段】実施形態によれば、センサは、変形可能な膜部と、前記膜部の一部に固定された第１センサ部と、を含む。前記膜部は、複数の孔を含む第１膜を含む。前記第１センサ部は、第１磁性層と、第２磁性層と、第１中間層と、を含む。前記第２磁性層は、前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられる。前記第１中間層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられる。前記複数の孔の少なくとも一部から前記第１センサ部へ向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサ部に向かう第１方向に沿う。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、センサに関する。

外部から加わる圧力を電気信号に変換する圧力センサなどのセンサがある。センサにおいて、検知精度の向上が求められている。

特許第４７２３１７５号公報

本発明の実施形態は、検知精度を向上できるセンサを提供する。

本発明の実施形態によれば、センサは、変形可能な膜部と、前記膜部の一部に固定された第１センサ部と、を含む。前記膜部は、複数の孔を含む第１膜を含む。前記第１センサ部は、第１磁性層と、第２磁性層と、第１中間層と、を含む。前記第２磁性層は、前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられる。前記第１中間層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられる。前記複数の孔の少なくとも一部から前記第１センサ部へ向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサ部に向かう第１方向に沿う。

図１（ａ）〜図１（ｄ）は、実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係るセンサの膜部の一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。 図７（ａ）〜図７（ｄ）は、実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。 第２の実施形態に係る電子機器を例示する模式図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第２の実施形態に係る電子機器を例示する模式的断面図である。 図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第２の実施形態に係る別の電子機器を例示する模式図である。 第２の実施形態に係る別の電子機器を例示する模式図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 図２９（ａ）及び図２９（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 図３１（ａ）及び図３１（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。 実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。 図３３（ａ）及び図３３（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。

以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１（ａ）は、斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲからみたときのセンサの一部を示す平面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態に係るセンサ１１０は、膜部７０と、第１センサ部５１と、を含む。センサ１１０は、例えば圧力センサである。

膜部７０は、変形可能である。膜部７０は、例えば、支持部７０ｓに支持される。例えば、膜部７０及び支持部７０ｓとなる基板の一部に凹部７０ｈが形成される。基板のうちの薄い部分が膜部７０となる。基板のうちの厚い部分が支持部７０ｓとなる。この例では、支持部７０ｓは、膜部７０の外縁と接続されている。膜部７０の平面形状は、例えば、略四角形（長方形などを含む）または円形（偏平円を含む）などである。変形可能な上記の膜部は、自由端を有しても良い。

図１（ｃ）に示すように、膜部７０は、第１膜７１を含む。
第１膜７１と第１センサ部５１とを結ぶ方向（第１方向）をＺ軸方向とする。例えば、第１膜７１と、第１センサ部５１と、を最短で結ぶ方向が、第１方向に対応する。

Ｚ軸方向に対して垂直な１つの軸をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

この例では、膜部７０は、さらに第２膜７２及び第３膜７３を含む。第２膜７２及び第３膜７３の少なくともいずれかは省略されてもよい。第２膜７２は、第３膜７３と第１センサ部５１との間に設けられている。第１膜７１は、第２膜７２と第３膜７３との間に設けられている。第１膜７１から第２膜７２に向かう方向は、Ｚ軸方向に沿う。第３膜７３から第１膜７１に向かう方向は、Ｚ軸方向に沿う。第１膜７１のＺ軸方向における位置は、第２膜７２のＺ軸方向における位置と、第３膜７３のＺ軸方向における位置との間である。

膜部７０の上面ＦＵ（この例では第２膜７２の上面）の少なくとも一部は、例えば気体又は液体と接する。膜部７０の下面ＦＬ（この例では第３膜７３の下面）の少なくとも一部は、例えば気体又は液体と接する。

第１センサ部５１は、膜部７０に設けられる。第１センサ部５１は、例えば、膜部７０の一部の面上に固定される。この面の表裏（上下）は任意である。

図１（ｄ）に示すように、第１センサ部５１は、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、第１中間層１１ｉと、を含む。第２磁性層１２は、第１膜７１と第１磁性層１１との間に設けられる。第１中間層１１ｉは、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。この例では、第２磁性層１２から第１磁性層１１に向かう方向は、Ｚ軸方向に対応する。

この例では、複数のセンサ部（例えば、第２センサ部５２、第３センサ部５３、センサ部５１Ｐ、センサ部５２Ｐ、及び、センサ部５３Ｐなど）が設けられている。この例では、第２センサ部５２の少なくとも一部は、Ｘ軸方向に沿って、第１センサ部５１の少なくとも一部と重なる。第２センサ部５２と第３センサ部５３との間に、第１センサ部５１が設けられている。センサ部５１Ｐの少なくとも一部は、Ｙ軸方向に沿って、第１センサ部５１の少なくとも一部と重なる。センサ部５２Ｐの少なくとも一部は、Ｙ軸方向に沿って、第２センサ部５２の少なくとも一部と重なる。センサ部５３Ｐの少なくとも一部は、Ｙ軸方向に沿って、第３センサ部５３の少なくとも一部と重なる。

第２センサ部５２は、第３磁性層１３と、第４磁性層１４と、第２中間層１２ｉと、を含む。第４磁性層１４は、第１膜７１と第３磁性層１３との間に設けられる。第２中間層１２ｉは、第３磁性層１３と第４磁性層１４との間に設けられる。

第３センサ部５３は、第５磁性層１５と、第６磁性層１６と、第３中間層１３ｉと、を含む。第６磁性層１６は、第１膜７１と第５磁性層１５との間に設けられる。第３中間層１３ｉは、第５磁性層１５と第６磁性層１６との間に設けられる。

センサ部５１Ｐ〜５３Ｐの構成は、第１〜第３センサ部５１〜５３と同様である。

図１（ｄ）に示すように、第１センサ導電層５８ｅと膜部７０との間に上記の磁性層が設けられる。上記の磁性層と膜部７０との間に第２センサ導電層５８ｆが設けられる。

第１センサ部５１と電気的に接続された第１センサ導電層５８ｅが、第１センサ電極ＥＬ１と電気的に接続される。第１センサ部５１と電気的に接続された第２センサ導電層５８ｆが、第２センサ電極ＥＬ２と電気的に接続される。

第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかの磁化は、膜部７０の変形に応じて変化する。第１磁性層１１の磁化と、第２磁性層１２の磁化と、の間の角度は、膜部７０の変形に応じて変化する。この角度の変化により、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗（第１センサ部５１の電気抵抗）が変化する。例えば、第１センサ電極ＥＬ１と第２センサ電極ＥＬ２との間の電気抵抗の変化を検知することで、膜部７０に加わる圧力を検知できる。この圧力は、例えば、音波などである。

実施形態において、電気的に接続される状態は、複数の導体が直接接する状態の他に、複数の導体が他の導体を介して接続される場合を含む。電気的に接続される状態は、複数の導体が、スイッチング及び増幅などの機能を有する素子を介して接続される場合を含む。例えば、第１センサ電極ＥＬ１と第１磁性層１１との間の電流経路、及び、第２センサ電極ＥＬ２と第２磁性層１２との間の電流経路の少なくともいずれかに、スイッチ素子及びアンプ素子の少なくともいずれかが挿入されていても良い。

例えば、第１磁性層１１が磁化自由層であり、第２磁性層１２が磁化参照層である。例えば、第１磁性層１１が磁化参照層であり、第２磁性層１２が磁化自由層でも良い。第１磁性層１１及び第２磁性層１２の両方が磁化自由層でも良い。上記の第１センサ部５１に関する説明は、他のセンサ部（第２センサ部５２、第３センサ部５３、センサ部５１Ｐ、センサ部５２Ｐ、及び、センサ部５３Ｐなど）にも適用される。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、センサ１１０は、制御部６０をさらに含んでも良い。制御部６０は、センサ部（第１センサ部５１など）と電気的に接続される。制御部６０は、第１センサ電極ＥＬ１及び第２センサ電極ＥＬ２と電気的に接続される。制御部６０は、センサ部の電気抵抗を検知する回路を含む。

第１膜７１は、複数の孔７１ｐを含む。複数の孔７１ｐの少なくとも一部は、第１膜７１のうちＺ軸方向においてセンサ部と重なる第１領域Ｒａに位置する。すなわち、複数の孔７１ｐの少なくとも一部から第１センサ部５１へ向かう方向は、Ｚ軸方向に沿う。第１膜７１は、例えば、多孔質の膜である。この例では、第１膜７１のうちＺ軸方向においてセンサ部と重ならない第２領域Ｒｂにも、複数の孔７１ｐの一部が設けられている。例えば、複数の孔７１ｐは、第１膜７１の全体に分布している。

例えば、磁性層を用いたセンサ部（第１センサ部５１など）においては、歪（応力）に対する電気抵抗の変化が大きい。すなわち、感度が高い。しかしながら、高い感度が得られる歪（応力）の範囲は比較的狭い場合がある。

これに対し、実施形態においては、複数の孔７１ｐにより第１膜７１の密度を調整する。これにより、膜部７０の共振周波数が変化する。これにより、目的とする応力（例えば音波など）の検知可能範囲の広さを調整できる。例えば、所望の範囲の応力を高い精度で検知できる。

実施形態によれば、検知精度を向上できるセンサが提供できる。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係るセンサの膜部の一部を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）は、図１（ｃ）に示した、膜部７０の領域Ｒ１の拡大図である。領域Ｒ１は、Ｚ軸方向において第１センサ部５１と並ぶ部分である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ３−Ｂ４線断面図である。

既に述べた通り、第１膜７１は、例えば、多孔質の膜である。第１膜７１は、例えば、第１元素の酸化物、第１元素のリン酸塩、及び第１元素の酸窒化物からなる群より選択された少なくとも１つを含む。第１元素は、例えば、シリコン、アルミニウム、カルシウム、ホウ素、タングステン及びチタンからなる群より選択された少なくとも１つを含む。

例えば、第１膜７１は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、アルミニウムシリケート、シリコン酸窒化物、アルミノリン酸塩、アルミノケイ酸塩、及びリン酸アルミニウムからなる群より選択された少なくとも１つを含む。この場合、第１膜７１は、例えばゾルゲル法や気相法を用いて形成される。第１膜７１は、例えば、界面活性剤及びシリコン等を含む膜を熱処理することによって形成される。第１膜７１は、ゼオライトを含んでもよい。

第１膜７１は、例えば、有機物を含んでもよい。例えば、第１膜７１は、界面活性剤を含む。例えば、第１膜７１は、アミノ酸及びデオキシリボ核酸の少なくともいずれかを含む。例えば、第１膜７１は、分子構造に、ヒドロキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、アミン、イミン、エステル結合、及びエーテル結合からなる群より選択される少なくとも１つを含む。

第１膜７１の断面（第１断面Ｃ１）における、孔７１ｐの径ｒｐ（円相当直径）の平均は、例えば、０．２ナノメートル（ｎｍ）以上１０００ｎｍ以下である。複数の孔７１ｐの一部は、互いに繋がっていてもよい。第１膜７１は、例えば網目状であってもよい。複数の孔７１ｐは、第１膜７１の任意の断面において、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などを用いて観察される。

例えば、第１膜７１のＺ軸方向に沿った厚さＴ１は、膜部７０のＺ軸方向に沿った厚さＴ０の０．３倍以上０．９倍以下である。厚さＴ１は、例えば５０ｎｍ以上１０マイクロメートル（μｍ）以下である。

第２膜７２は、例えば、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、アルミニウムシリケート及びシリコン酸窒化物からなる群より選択された少なくとも１つを含む。第３膜は、例えば、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、アルミニウムシリケート及びシリコン酸窒化物からなる群より選択された少なくとも１つを含む。

図２（ａ）に示す例では、第２膜７２は複数の孔７２ｐを含み、第３膜７３は複数の孔７３ｐを含む。１つの例において、第２膜７２は、孔を実質的に含まない。１つの例において、第３膜７３は、孔を実質的に含まない。

第１膜７１の密度（グラム／立方センチメートル（ｇ／ｃｍ^３））は、第２膜の密度よりも低く、第３膜の密度よりも低い。例えば、第１膜７１の密度は、０．９ｇ／ｃｍ^３以上２０．０ｇ／ｃｍ^３以下である。

第１膜７１中の複数の孔７１ｐの密度は、第２膜７２中の複数の孔７２ｐの密度よりも低く、第３膜７３中の複数の孔７３ｐの密度よりも低い。膜中の複数の孔の密度は、単位体積の膜中の孔の数（個／ｃｍ^３）である。

例えば、膜中の孔の密度は、膜の任意の断面において、単位面積あたりの複数の孔の数（個／ｃｍ^２）に対応する。
例えば、第１膜７１の任意の断面（第１断面Ｃ１）は、第１断面領域ＣＲ１を含む。例えば、第２膜７２の断面（第２断面Ｃ２）は、第２断面領域ＣＲ２を含む。例えば、第３膜７３の断面（第３断面Ｃ３）は、第３断面領域ＣＲ３を含む。第１断面領域ＣＲ１の面積は、第２断面領域ＣＲ２の面積と同じであり、第３断面領域ＣＲ３の面積と同じである。この場合、第１断面領域ＣＲ１に含まれる複数の孔７１ｐの数は、例えば、第２断面領域ＣＲ２に含まれる複数の孔７２ｐの数より多く、第３断面領域ＣＲ３に含まれる複数の孔７３ｐの数より多い。

第１膜７１の空孔率は、第２膜７２の空孔率より高く、第３膜７３の空孔率よりも高い。すなわち、第１膜７１の体積に対する複数の孔７１ｐの体積の割合は、第２膜７２の体積に対する複数の孔７２ｐの体積の割合よりも高く、第３膜７３の体積に対する複数の孔７３ｐの割合よりも高い。第１膜の空孔率は、例えば３０％以上８５％以下である。空孔率は、小角Ｘ線散乱法、Ｘ線反射率法、吸着法などから決定される。空孔率は、走査プローブ顕微鏡や走査型電子顕微鏡などを用いて決定することもできる。
例えば、空孔率は、膜の任意の断面において、単位面積あたりの複数の孔の面積に対応する。
例えば、第１断面領域ＣＲ１の面積に対する、第１断面領域ＣＲ１に含まれる複数の孔７１ｐの面積の割合は、第２断面領域ＣＲ２の面積に対する、第２断面領域ＣＲ２に含まれる複数の孔７２ｐの面積の割合よりも高い。例えば、第１断面領域ＣＲ１の面積に対する、第１断面領域ＣＲ１に含まれる複数の孔７１ｐの面積の割合は、第３断面領域ＣＲ３の面積に対する、第３断面領域ＣＲ３に含まれる複数の孔７３ｐの面積の割合よりも高い。

例えば、膜の任意の断面においては、表面に現われる孔に応じて、凹凸が生じることがある。この場合、図２（ｂ）に示すように、第１膜７１の第１断面Ｃ１の表面粗さは、第２膜７２の第２断面Ｃ２の表面粗さよりも粗く、第３膜７３の第３断面Ｃ３の表面粗さよりも粗い。表面粗さは、例えば、算術平均粗さＲａ（JIS B 0601）である。

図２（ａ）に示すように、例えば、第１膜７１のＺ軸方向に沿った厚さＴ１は、第２膜７２のＺ軸方向に沿った厚さＴ２よりも厚い。例えば、第１膜７１のＺ軸方向に沿った厚さＴ１は、第３膜７３のＺ軸方向に沿った厚さＴ３よりも厚い。

例えば、厚さＴ１は、厚さＴ２の１．５倍以上２００倍以下である。例えば、厚さＴ１は、厚さＴ３の１．５倍以上２００倍以下である。

センサの特性の一例について説明する。
図３は、実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。
図３の横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を表し、図３の縦軸は、センサの感度Ｓｎを表す。感度Ｓｎは、膜部７０に加わる圧力Ｐに対する、膜部７０に生じる歪εの大きさ（歪傾きｄε／ｄＰ）に対応する。

図３には、センサ１１０Ａの特性ＣＡ、センサ１１０Ｂの特性ＣＢ、及び、センサ１１０Ｃの特性ＣＣを示す。センサ１１０Ａ、センサ１１０Ｂ及びセンサ１１０Ｃのそれぞれは、上述のセンサ１１０と同様のセンサである。

センサ１１０Ａの第１膜７１の空孔率は、センサ１１０Ｂの第１膜７１の空孔率よりも低い。言い換えると、センサ１１０Ａの第１膜７１の密度は、センサ１１０Ｂの第１膜７１の密度よりも高い。
センサ１１０Ｂの第１膜７１の空孔率は、センサ１１０Ｃの第１膜７１の空孔率よりも低い。言い換えると、センサ１１０Ｂの第１膜７１の密度は、センサ１１０Ｃの第１膜７１の密度よりも高い。

この場合、センサ１１０Ｂの膜部７０の共振周波数ｆｂは、センサ１１０Ａの膜部７０の共振周波数ｆａよりも高い。センサ１１０Ｃの膜部７０の共振周波数ｆｃは、センサ１１０Ｂの膜部７０の共振周波数ｆｂよりも高い。第１膜７１の密度によって、膜部７０の共振周波数を調整することができる。検知対象に合わせて共振周波数を変化させることで、センサの検知精度を向上させることができる。

例えば、膜部７０の共振周波数よりも低い周波数帯を検知に用いる場合を考える。すなわち、感度の周波数特性のうち比較的フラットな帯域を利用する。この場合、センサ１１０Ｃが検知する周波数の帯域ＦＢＣは、センサ１１０Ｂが検知する周波数の帯域ＦＢＢよりも広い。帯域ＦＢＢは、センサ１１０Ａが検知する周波数の帯域ＦＢＡよりも広い。このように膜部の共振周波数を高くすることで、検知対象の周波数の帯域を拡大できる。 膜部７０の面積や引張応力を変化させて共振周波数を高くする参考例の方法がある。しかし、参考例の方法では、感度が低下する。これに対して、実施形態においては、帯域ＦＢＡにおける感度、帯域ＦＢＢにおける感度、帯域ＦＢＣにおける感度は、例えば互いに等しい。実施形態によれば、感度の低下を抑制することができる。

実施形態に係るセンサ１１０において、膜部７０の一次共振周波数は、例えば２５ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下である。センサ１１０においては、例えば、可聴音域から超音波領域までの任意の帯域において、安定した検出が可能である。実施形態によれば、例えば、実質的にフラットな周波数特性を有する広帯域用の超音波センサが提供できる。

膜部が多孔質の膜を含む場合、音波が膜部を透過したり、膜部に吸収されたりすることがある。これに対して、第２膜７２及び第３膜７３によって、音波の透過や吸収が抑制される。これにより、感度の低下をより抑制することができる。

例えば、第１膜７１の複数の孔７１ｐに気体中の物質が吸着することを、第２膜７２及び第３膜７３によって抑制できる。

例えば、センサ１１０の製造時に、第２膜７２及び第３膜７３によって、第１膜７１をプロセスダメージから保護することができる。

図４は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図４は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。図４に示したように、センサ１１１において、第２膜７２は、膜領域７２ａと膜領域７２ｂとを有する。これ以外は、センサ１１１は、上述のセンサ１１０と同様である。

膜領域７２ａのＺ軸方向における位置は、第１センサ部５１のＺ軸方向における位置と、第１膜７１のＺ軸方向における位置と、の間である。膜領域７２ｂは、第１センサ部５１とＹ軸方向において並ぶ。このように第１センサ部５１の一部が第２膜７２に埋め込まれるように設けられてもよい。

図５は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図５は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。図５に示した実施形態に係るセンサ１１２において、第１膜７１は、複数の孔７１ｑを含む。複数の孔７１ｑの少なくとも一部から第１センサ部５１へ向かう方向は、Ｚ軸方向に沿う。例えば、複数の孔７１ｑは、第１膜７１の全体に分布していてもよい。第１膜７１のうちＺ軸方向において支持部７０ｓと重なる領域には、複数の孔７１ｑが設けられなくてもよい。

複数の孔７１ｑのそれぞれは、Ｚ軸方向に延びる。例えば、複数の孔７１ｑのそれぞれは、第１膜７１を貫通する。

第１膜７１は、例えば、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及びカーボンからなる群より選択された少なくとも１つを含む。この例において、第１膜７１は、多孔質の膜でなくてもよい。複数の孔７１ｑは、例えば、リソグラフィやエッチングによる加工により形成できる。孔７１ｑの径ｒｑ（Ｙ軸方向に沿った長さ）は、例えば１０ｎｍ以上１０μｍ以下である。

図６は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図６は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。図６に示した実施形態に係るセンサ１１３において、膜部７０は、上述の第１膜７１の代わりに第１膜７１Ａを含む。これ以外については、センサ１１３は、センサ１１０と同様である。

第１膜７１Ａは、金属化合物部７１ｍと、炭素含有部７１ｃと、を含む。この例では、第１膜７１Ａは、金属化合物部７１ｍと炭素含有部７１ｃとが混合した膜である。例えば、金属化合物部７１ｍは、炭素含有部７１ｃの周囲に設けられ、炭素含有部７１ｃと接する。

金属化合物部７１ｍの少なくとも一部から炭素含有部７１ｃの少なくとも一部に向かう方向は、Ｚ軸方向と交差する。例えば、金属化合物部７１ｍの一部は、炭素含有部７１ｃの一部とＸ軸方向及びＹ軸方向において並ぶ。例えば、金属化合物部７１ｍの一部は、炭素含有部７１ｃの別の一部とＺ軸方向において並ぶ。例えば、金属化合物部７１ｍ及び炭素含有部７１ｃは、第１膜７１Ａの全体に分布している。

金属化合物部７１ｍは、酸化物、窒化物及び酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含む。
金属化合物部７１ｍに含まれる酸化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含む。
金属化合物部７１ｍに含まれる窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つの窒化物を含む。

金属化合物部７１ｍに含まれる酸窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つの酸窒化物を含む。

炭素含有部７１ｃは、ヒドロキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、エーテル結合、エステル結合、アミン及びイミンからなる群から選択された少なくとも１つを含む。

金属化合物部７１ｍの密度は、炭素含有部７１ｃの密度と異なる。例えば、第１膜７１Ａにおいて、密度の低い材料を多くする。これにより、膜部７０の共振周波数を高くすることができる。検知対象の周波数の帯域を拡大できる。

図７（ａ）〜図７（ｄ）は、実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図７（ａ）に示すように、センサ１１４は、カバー８０ａ（第１部材）と基板８０ｂ（第２部材）とを含む。基板８０ｂは、例えばプリント基板でありアンプなどの回路を含む。カバー８０ａと基板８０ｂとの間に、上述のセンサ１１０（第１センサ部５１及び膜部７０）が設けられている。基板８０ｂは、開口部ＯＰ１を有する。音波は、開口部ＯＰ１を通って膜部７０に到達する。

図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す領域Ｒ２の拡大図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第３膜７３の少なくとも一部は、開口部ＯＰ１と第１膜７１の少なくとも一部との間に位置する。これにより、複数の孔７１ｐを有する第１膜７１を音波が透過すること等を抑制できる。

図７（ｃ）に示すように、センサ１１５は、カバー８０ｃ（第２部材）と基板８０ｄ（第１部材）とを含む。カバー８０ｃと基板８０ｄとの間にセンサ１１０が設けられている。カバー８０ｃは、開口部ＯＰ２を有する。音波は、開口部ＯＰ２を通って膜部７０に到達する。図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示す領域Ｒ３の拡大図である。第２膜７２の少なくとも一部は、開口部ＯＰ２と第１膜７１の少なくとも一部との間に位置する。これにより、第１膜７１を音波が透過することなどを抑制できる。

以下、実施形態において用いられるセンサ部の例について説明する。以下の説明において、「材料Ａ／材料Ｂ」の記載は、材料Ａの層の上に、材料Ｂの層が設けられている状態を示す。

図８は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図８に示すように、センサ部５０Ａにおいて、下部電極２０４と、下地層２０５と、ピニング層２０６と、第２磁化参照層２０７と、磁気結合層２０８と、第１磁化参照層２０９と、中間層２０３と、磁化自由層２１０と、キャップ層２１１と、上部電極２１２と、が、この順で並ぶ。センサ部５０Ａは、例えば、ボトムスピンバルブ型である。磁化参照層は、例えば、磁化固定層である。

下地層２０５には、例えば、タンタルとルテニウムの積層膜（Ｔａ／Ｒｕ）が用いられる。このＴａ層の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３ナノメートル（ｎｍ）である。このＲｕ層の厚さは、例えば、２ｎｍである。ピニング層２０６には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒＭｎ層が用いられる。第２磁化参照層２０７には、例えば、２．５ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層が用いられる。磁気結合層２０８には、例えば、０．９ｎｍの厚さのＲｕ層が用いられる。第１磁化参照層２０９には、例えば、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ２０層が用いられる。中間層２０３には、例えば、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。磁化自由層２１０には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。キャップ層２１１には、例えばＴａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さは、例えば、１ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。

下部電極２０４及び上部電極２１２には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、及び、金（Ａｕ）のからなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。下部電極２０４及び上部電極２１２として、このような電気抵抗が比較的小さい材料を用いることで、センサ部５０Ａに効率的に電流を流すことができる。下部電極２０４及び上部電極２１２には、非磁性材料が用いられる。

下部電極２０４及び上部電極２１２は、例えば、下部電極２０４及び上部電極２１２用の下地層（図示せず）と、下部電極２０４及び上部電極２１２用のキャップ層（図示せず）と、それらの間に設けられたＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ａｇ、及び、Ａｕからなる群から選択された少なくとも１つの層とを含んでいても良い。例えば、下部電極２０４及び上部電極２１２には、タンタル（Ｔａ）／銅（Ｃｕ）／タンタル（Ｔａ）などが用いられる。下部電極２０４及び上部電極２１２の下地層としてＴａを用いることで、例えば、基板（例えば膜）と下部電極２０４及び上部電極２１２との密着性が向上する。下部電極２０４及び上部電極２１２用の下地層として、チタン（Ｔｉ）、または、窒化チタン（ＴｉＮ）などを用いても良い。

下部電極２０４及び上部電極２１２のキャップ層としてＴａを用いることで、そのキャップ層の下の銅（Ｃｕ）などの酸化が抑制される。下部電極２０４及び上部電極２１２用のキャップ層として、チタン（Ｔｉ）、または、窒化チタン（ＴｉＮ）などを用いても良い。

下地層２０５には、例えば、バッファ層（図示せず）と、シード層（図示せず）とを含む積層構造が用いられる。このバッファ層は、例えば、下部電極２０４や膜等の表面の荒れを緩和し、このバッファ層の上に積層される層の結晶性を改善する。バッファ層として、例えば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びクロム（Ｃｒ）よりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。バッファ層として、これらの材料から選択された少なくとも１つの材料を含む合金を用いても良い。

下地層２０５のうちのバッファ層の厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。バッファ層の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましい。バッファ層の厚さが薄すぎると、バッファ効果が失われる。バッファ層の厚さが厚すぎると、センサ部５０Ａの厚さが過度に厚くなる。バッファ層の上にシード層が形成され、例えば、そのシード層がバッファ効果を有する。この場合、バッファ層は省略しても良い。バッファ層には、例えば、３ｎｍの厚さのＴａ層が用いられる。

下地層２０５のうちのシード層は、このシード層の上に積層される層の結晶配向を制御する。このシード層は、このシード層の上に積層される層の結晶粒径を制御する。このシード層として、ｆｃｃ構造（face-centered cubic structure：面心立方格子構造）、ｈｃｐ構造（hexagonal close-packed structure：六方最密格子構造）またはｂｃｃ構造（body-centered cubic structure：体心立方格子構造）の金属等が用いられる。

下地層２０５のうちのシード層として、ｈｃｐ構造のルテニウム（Ｒｕ）、または、ｆｃｃ構造のＮｉＦｅ、または、ｆｃｃ構造のＣｕを用いることにより、例えば、シード層の上のスピンバルブ膜の結晶配向をｆｃｃ（１１１）配向にすることができる。シード層には、例えば、２ｎｍの厚さのＣｕ層、または、２ｎｍの厚さのＲｕ層が用いられる。シード層の上に形成される層の結晶配向性を高める場合には、シード層の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。シード層の厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下がより好ましい。これにより、結晶配向を向上させるシード層としての機能が十分に発揮される。

一方、例えば、シード層の上に形成される層を結晶配向させる必要がない場合（例えば、アモルファスの磁化自由層を形成する場合など）には、シード層は省略しても良い。シード層としては、例えば、２ｎｍの厚さのＣｕ層が用いられる。

ピニング層２０６は、例えば、ピニング層２０６の上に形成される第２磁化参照層２０７（強磁性層）に、一方向異方性（unidirectional anisotropy）を付与して、第２磁化参照層２０７の磁化を固定する。ピニング層２０６には、例えば反強磁性層が用いられる。ピニング層２０６には、例えば、Ｉｒ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｍｎ、Ｐｄ−Ｐｔ−Ｍｎ、Ｒｕ−Ｍｎ、Ｒｈ−Ｍｎ、Ｒｕ−Ｒｈ−Ｍｎ、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｃｒ−Ｍｎ−ＰｔおよびＮｉ−Ｏよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。Ｉｒ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｍｎ、Ｐｄ−Ｐｔ−Ｍｎ、Ｒｕ−Ｍｎ、Ｒｈ−Ｍｎ、Ｒｕ−Ｒｈ−Ｍｎ、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｃｒ−Ｍｎ−ＰｔおよびＮｉ−Ｏよりなる群から選択された少なくとも１つに、さらに添加元素を加えた合金を用いても良い。ピニング層２０６の厚さは適切に設定される。これにより、例えば、十分な強さの一方向異方性が付与される。

例えば、磁界印加中での熱処理が行われる。これにより、例えば、ピニング層２０６に接する強磁性層の磁化の固定が行われる。熱処理時に印加されている磁界の方向にピニング層２０６に接する強磁性層の磁化が固定される。熱処理温度（アニール温度）は、例えば、ピニング層２０６に用いられる反強磁性材料の磁化固着温度以上である。Ｍｎを含む反強磁性層を用いる場合、ピニング層２０６以外の層にＭｎが拡散してＭＲ変化率を低減する場合がある。熱処理温度は、Ｍｎの拡散が起こる温度以下に設定することが望ましい。熱処理温度は、例えば２００℃以上５００℃以下である。熱処理温度は、例えば、好ましくは、２５０℃以上４００℃以下である。

ピニング層２０６として、ＰｔＭｎまたはＰｄＰｔＭｎが用いられる場合には、ピニング層２０６の厚さは、８ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。ピニング層２０６の厚さは、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。ピニング層２０６としてＩｒＭｎを用いる場合には、ピニング層２０６としてＰｔＭｎを用いる場合よりも薄い厚さで、一方向異方性を付与することができる。この場合には、ピニング層２０６の厚さは、４ｎｍ以上１８ｎｍ以下が好ましい。ピニング層２０６の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。ピニング層２０６には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒ_２２Ｍｎ_７８層が用いられる。

ピニング層２０６として、ハード磁性層を用いても良い。ハード磁性層として、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｄ、または、Ｆｅ−Ｐｄなどを用いても良い。これらの材料においては、例えば、磁気異方性および保磁力が比較的高い。これらの材料は、ハード磁性材料である。ピニング層２０６として、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｄ、または、Ｆｅ−Ｐｄにさらに添加元素を加えた合金を用いても良い。例えば、ＣｏＰｔ（Ｃｏの比率は、５０ａｔ．％以上８５ａｔ．％以下）、（Ｃｏ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｃｒ_ｙ（ｘは、５０ａｔ．％以上８５ａｔ．％以下であり、ｙは、０ａｔ．％以上４０ａｔ．％以下）、または、ＦｅＰｔ（Ｐｔの比率は、４０ａｔ．％以上６０ａｔ．％以下）などを用いても良い。

第２磁化参照層２０７には、例えば、Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}合金（ｘは、０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下）、または、Ｎｉ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}合金（ｘは、０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下）が用いられる。これらの材料に非磁性元素を添加した材料が用いられても良い。第２磁化参照層２０７として、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。第２磁化参照層２０７として、これらの材料から選択された少なくとも１つの材料を含む合金を用いても良い。第２磁化参照層２０７として、（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙ合金（ｘは、０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下であり、ｙは、０ａｔ．％以上３０ａｔ．％以下）を用いることもできる。第２磁化参照層２０７として、（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙのアモルファス合金を用いることで、センサ部のサイズが小さい場合にも、センサ部５０Ａの特性のばらつきを抑制することができる。

第２磁化参照層２０７の厚さは、例えば、１．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。これにより、例えば、ピニング層２０６による一方向異方性磁界の強度をより強くすることができる。例えば、第２磁化参照層２０７の上に形成される磁気結合層を介して、第２磁化参照層２０７と第１磁化参照層２０９との間の反強磁性結合磁界の強度をより強くすることができる。例えば、第２磁化参照層２０７の磁気膜厚（飽和磁化と厚さとの積）は、第１磁化参照層２０９の磁気膜厚と、実質的に等しいことが好ましい。

薄膜でのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０の飽和磁化は、約１．９Ｔ（テスラ）である。例えば、第１磁化参照層２０９として、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層を用いると、第１磁化参照層２０９の磁気膜厚は、１．９Ｔ×３ｎｍであり、５．７Ｔｎｍとなる。一方、Ｃｏ_７５Ｆｅ_２５の飽和磁化は、約２．１Ｔである。上記と等しい磁気膜厚が得られる第２磁化参照層２０７の厚さは、５．７Ｔｎｍ／２．１Ｔであり、２．７ｎｍとなる。この場合、第２磁化参照層２０７には、約２．７ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層を用いることが好ましい。第２磁化参照層２０７として、例えば、２．５ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層が用いられる。

センサ部５０Ａにおいては、第２磁化参照層２０７と磁気結合層２０８と第１磁化参照層２０９とにより、シンセティックピン構造が用いられている。その代わりに、１層の磁化参照層のシングルピン構造を用いても良い。シングルピン構造を用いる場合には、磁化参照層として、例えば、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層が用いられる。シングルピン構造の磁化参照層に用いる強磁性層として、上述した第２磁化参照層２０７の材料と同じ材料を用いても良い。

磁気結合層２０８は、第２磁化参照層２０７と第１磁化参照層２０９との間において、反強磁性結合を生じさせる。磁気結合層２０８は、シンセティックピン構造を形成する。磁気結合層２０８の材料として、例えば、Ｒｕが用いられる。磁気結合層２０８の厚さは、例えば、０．８ｎｍ以上１ｎｍ以下であることが好ましい。第２磁化参照層２０７と第１磁化参照層２０９との間に十分な反強磁性結合を生じさせる材料であれば、磁気結合層２０８としてＲｕ以外の材料を用いても良い。磁気結合層２０８の厚さは、例えば、ＲＫＫＹ（Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida）結合のセカンドピーク（２ｎｄピーク）に対応する０．８ｎｍ以上１ｎｍ以下の厚さに設定される。さらに、磁気結合層２０８の厚さは、ＲＫＫＹ結合のファーストピーク（１ｓｔピーク）に対応する０．３ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚さに設定しても良い。磁気結合層２０８の材料として、例えば、０．９ｎｍの厚さのＲｕが用いられる。これにより、高信頼性の結合がより安定して得られる。

第１磁化参照層２０９に用いられる磁性層は、ＭＲ効果に直接的に寄与する。第１磁化参照層２０９として、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が用いられる。具体的には、第１磁化参照層２０９として、（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙ合金（ｘは、０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下であり、ｙは、０ａｔ．％以上３０ａｔ．％以下）を用いることもできる。第１磁化参照層２０９として、（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙのアモルファス合金を用いた場合には、例えば、センサ部５０Ａのサイズが小さい場合においても、結晶粒に起因した素子間のばらつきを抑制することができる。

第１磁化参照層２０９の上に形成される層（例えばトンネル絶縁層（図示せず））を平坦化することができる。トンネル絶縁層の平坦化により、トンネル絶縁層の欠陥密度を減らすことができる。これにより、より低い面積抵抗で、より大きいＭＲ変化率が得られる。例えば、トンネル絶縁層の材料としてＭｇＯを用いる場合には、第１磁化参照層２０９として、（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙのアモルファス合金を用いることで、トンネル絶縁層の上に形成されるＭｇＯ層の（１００）配向性を強めることができる。ＭｇＯ層の（１００）配向性をより高くすることで、より大きいＭＲ変化率が得られる。（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙ合金は、アニール時にＭｇＯ層の（１００）面をテンプレートとして結晶化する。このため、ＭｇＯと（Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｂ_ｙ合金との良好な結晶整合が得られる。良好な結晶整合を得ることで、より大きいＭＲ変化率が得られる。

第１磁化参照層２０９として、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金以外に、例えば、Ｆｅ−Ｃｏ合金を用いても良い。

第１磁化参照層２０９がより厚いと、より大きなＭＲ変化率が得られる。第１磁化参照層２０９が薄いと、例えば、より大きな固定磁界が得られる。ＭＲ変化率と固定磁界との間には、第１磁化参照層２０９の厚さにおいてトレードオフの関係が存在する。第１磁化参照層２０９としてＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金を用いる場合には、第１磁化参照層２０９の厚さは、１．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。第１磁化参照層２０９の厚さは、２．０ｎｍ以上４ｎｍ以下がより好ましい。

第１磁化参照層２０９には、上述した材料の他に、ｆｃｃ構造のＣｏ_９０Ｆｅ_１０合金、または、ｈｃｐ構造のＣｏ、または、ｈｃｐ構造のＣｏ合金が用いられる。第１磁化参照層２０９として、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。第１磁化参照層２０９として、これらの材料から選択された少なくとも１つの材料を含む合金が用いられる。第１磁化参照層２０９として、ｂｃｃ構造のＦｅＣｏ合金材料、５０％以上のコバルト組成を含むＣｏ合金、または、５０％以上のＮｉ組成の材料（Ｎｉ合金）を用いることで、例えば、より大きなＭＲ変化率が得られる。

第１磁化参照層２０９として、例えば、Ｃｏ_２ＭｎＧｅ、Ｃｏ_２ＦｅＧｅ、Ｃｏ_２ＭｎＳｉ、Ｃｏ_２ＦｅＳｉ、Ｃｏ_２ＭｎＡｌ、Ｃｏ_２ＦｅＡｌ、Ｃｏ_２ＭｎＧａ_０．５Ｇｅ_０．５、及び、Ｃｏ_２ＦｅＧａ_０．５Ｇｅ_０．５などのホイスラー磁性合金層を用いることもできる。例えば、第１磁化参照層２０９として、例えば、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層が用いられる。

中間層２０３は、例えば、第１磁化参照層２０９と磁化自由層２１０との間の磁気的な結合を分断する。

中間層２０３の材料には、例えば、金属、絶縁体または半導体が用いられる。金属としては、例えば、Ｃｕ、ＡｕまたはＡｇ等が用いられる。中間層２０３として金属を用いる場合、中間層の厚さは、例えば、１ｎｍ以上７ｎｍ以下程度である。この絶縁体または半導体としては、例えば、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３等）、チタン酸化物（ＴｉＯ等）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ等）、または、ガリウム酸化物（Ｇａ−Ｏ）などが用いられる。中間層２０３として絶縁体または半導体を用いる場合は、中間層２０３の厚さは、例えば０．６ｎｍ以上２．５ｎｍ以下程度である。中間層２０３として、例えば、ＣＣＰ（Current-Confined-Path）スペーサ層を用いても良い。スペーサ層としてＣＣＰスペーサ層を用いる場合には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の絶縁層中に銅（Ｃｕ）メタルパスが形成された構造が用いられる。例えば、中間層として、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。

磁化自由層２１０には、強磁性体材料が用いられる。磁化自由層２１０には、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む強磁性体材料が用いられる。磁化自由層２１０の材料として、例えばＦｅＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金等が用いられる。さらに、磁化自由層２１０には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ合金、λｓ（磁歪定数）が大きいＦｅ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ合金、Ｔｂ−Ｍ−Ｆｅ合金、Ｔｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金、Ｆｅ−Ｍ３−Ｍ４−Ｂ合金、Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、または、フェライト等が用いられる。これらの材料においては、例えば、λｓ（磁歪定数）が大きい。上記のＴｂ−Ｍ−Ｆｅ合金において、Ｍは、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ及びＥｒよりなる群から選択された少なくとも１つである。上記のＴｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金において、Ｍ１は、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ及びＥｒよりなる群から選択された少なくとも１つである。Ｍ２は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａよりなる群から選択された少なくとも１つである。上記のＦｅ−Ｍ３−Ｍ４−Ｂ合金において、Ｍ３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａよりなる群から選択された少なくとも１つである。Ｍ４は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＥｒよりなる群から選択された少なくとも１つである。上記のフェライトとしては、Ｆｅ_３Ｏ_４、（ＦｅＣｏ）_３Ｏ_４などが挙げられる。磁化自由層２１０の厚さは、例えば２ｎｍ以上である。

磁化自由層２１０には、ホウ素を含む磁性材料が用いられても良い。磁化自由層２１０には、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ホウ素（Ｂ）とを含む合金が用いられても良い。磁化自由層２１０には、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金、または、Ｆｅ−Ｂ合金が用いられる。例えば、Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０合金が用いられる。磁化自由層２１０に、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ホウ素（Ｂ）とを含む合金を用いる場合、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、または、Ｗなどを添加しても良い。これらの元素を添加することで、例えば、高磁歪が促進される。磁化自由層２１０として、例えば、Ｆｅ−Ｇａ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ−Ｂ合金、または、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ合金を用いても良い。このようなホウ素を含有する磁性材料を用いることで磁化自由層２１０の保磁力（Ｈｃ）が低くなり、歪に対する磁化方向の変化が容易となる。これにより、高い感度が得られる。

磁化自由層２１０におけるホウ素濃度（例えば、ホウ素の組成比）は、５ａｔ．％（原子パーセント）以上が好ましい。これにより、アモルファス構造が得易くなる。磁化自由層におけるホウ素濃度は、３５ａｔ．％以下が好ましい。ホウ素濃度が高すぎると、例えば、磁歪定数が減少する。磁化自由層におけるホウ素濃度は、例えば、５ａｔ．％以上３５ａｔ．％以下が好ましく、１０ａｔ．％以上３０ａｔ．％以下がさらに好ましい。

磁化自由層２１０の磁性層の一部に、Ｆｅ_１−ｙＢ_ｙ（０＜ｙ≦０．３）、または（Ｆｅ_ｚＸ_１−ｚ）_１−ｙＢ_ｙ（Ｘは、ＣｏまたはＮｉ、０．８≦ｚ＜１、０＜ｙ≦０．３）用いる場合、大きい磁歪定数λと低い保磁力を両立することが容易となる。このため、高いゲージファクタを得る観点で、特に好ましい。例えば、磁化自由層２１０として、Ｆｅ_８０Ｂ_２０（４ｎｍ）が用いられる。磁化自由層として、Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０（０．５ｎｍ）／Ｆｅ_８０Ｂ_２０（４ｎｍ）が用いられる。

磁化自由層２１０は多層構造を有しても良い。中間層２０３としてＭｇＯのトンネル絶縁層を用いる場合には、磁化自由層２１０のうちの中間層２０３に接する部分には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の層を設けることが好ましい。これにより、高い磁気抵抗効果が得られる。この場合、中間層２０３の上には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の層が設けられ、そのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の層の上には、磁歪定数の大きい他の磁性材料が設けられる。磁化自由層２１０が多層構造を有する場合、磁化自由層２１０には、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ（２ｎｍ）／Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ（４ｎｍ）などが用いられる。

キャップ層２１１は、キャップ層２１１の下に設けられる層を保護する。キャップ層２１１には、例えば、複数の金属層が用いられる。キャップ層２１１には、例えば、Ｔａ層とＲｕ層との２層構造（Ｔａ／Ｒｕ）が用いられる。このＴａ層の厚さは、例えば１ｎｍであり、このＲｕ層の厚さは、例えば５ｎｍである。キャップ層２１１として、Ｔａ層やＲｕ層の代わりに他の金属層を設けても良い。キャップ層２１１の構成は、任意である。例えば、キャップ層２１１として、非磁性材料が用いられる。キャップ層２１１の下に設けられる層を保護可能なものであれば、キャップ層２１１として、他の材料を用いても良い。

磁化自由層２１０にホウ素を含有する磁性材料を用いる場合、酸化物材料や窒化物材料の拡散抑制層（図示しない）を磁化自由層２１０とキャップ層２１１との間に設けても良い。これにより、例えば、ホウ素の拡散が抑制される。酸化物層または窒化物層を含む拡散抑制層を用いることにより、磁化自由層２１０に含まれるホウ素の拡散を抑制し、磁化自由層２１０のアモルファス構造を保つことができる。拡散抑制層に用いられる酸化物材料や窒化物材料として、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｎ、ＣｄまたはＧａなどの元素を含む酸化物材料または窒化物材料が用いられる。拡散抑制層は、磁気抵抗効果には寄与しない層である。拡散抑制層の面積抵抗は、低いほうが好ましい。例えば、拡散抑制層の面積抵抗は、磁気抵抗効果に寄与する中間層の面積抵抗よりも低く設定されることが好ましい。拡散抑制層の面積抵抗を下げる観点では、拡散抑制層には、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｇａの酸化物または窒化物が好ましい。これらの材料において、バリアハイトは低い。ホウ素の拡散を抑制する機能としては、より化学結合の強い酸化物のほうが好ましい。例えば、１．５ｎｍのＭｇＯ層が用いられる。酸窒化物は、酸化物及び窒化物のいずれかに含まれる。

拡散抑制層に酸化物または窒化物を用いる場合、拡散抑制層の厚さは、例えば、０．５ｎｍ以上が好ましい。これより、ホウ素の拡散抑制機能が十分に発揮される。拡散抑制層の厚さは、５ｎｍ以下が好ましい。これにより、例えば、低い面積抵抗が得られる。拡散抑制層の厚さは、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以上３ｎｍ以下が好ましい。

拡散抑制層として、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）よりなる群から選択された少なくとも１つを用いても良い。拡散抑制層として、これらの軽元素を含む材料が用いられる。これらの軽元素は、ホウ素と結合して化合物を生成する。拡散抑制層と磁化自由層２１０との界面を含む部分に、例えば、Ｍｇ−Ｂ化合物、Ａｌ−Ｂ化合物、及び、Ｓｉ−Ｂ化合物の少なくとも１つが形成される。これらの化合物が、ホウ素の拡散を抑制する。

拡散抑制層と磁化自由層２１０との間に他の金属層などが挿入されていても良い。拡散抑制層と磁化自由層２１０との距離が離れすぎていると、その間でホウ素が拡散して磁化自由層２１０中のホウ素濃度が下がってしまう。このため、拡散抑制層と磁化自由層２１０との間の距離は、１０ｎｍ以下が好ましく３ｎｍ以下がさらに好ましい。

図９は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図９に示すように、センサ部５０ＡＡにおいて、絶縁層２１３が設けられるこれ以外は、センサ部５０Ａと同様である。絶縁層２１３は、下部電極２０４と上部電極２１２との間に設けられる。絶縁層２１３は、下部電極２０４と上部電極２１２とを結ぶ方向と交差する方向において、磁化自由層２１０及び第１磁化参照層２０９と並ぶ。絶縁層２１３を除く部分は、センサ部５０Ａと同様なので説明を省略する。

絶縁層２１３には、例えば、アルミニウム酸化物（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３）、または、シリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ_２）などが用いられる。絶縁層２１３により、センサ部５０ＡＡのリーク電流が抑制される。絶縁層２１３は、後述するセンサ部に設けられても良い。

図１０は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図１０に示すように、センサ部５０ＡＢにおいて、ハードバイアス層２１４がさらに設けられる。これ以外は、センサ部５０Ａと同様である。ハードバイアス層２１４は、下部電極２０４と上部電極２１２との間に設けられる。下部電極２０４と上部電極２１２との間とを結ぶ方向と交差する方向において、磁化自由層２１０及び第１磁化参照層２０９は、ハードバイアス層２１４の２つの部分の間に設けられる。これ以外は、センサ部５０ＡＡと同様である。

ハードバイアス層２１４は、ハードバイアス層２１４の磁化により、磁化自由層２１０の磁化方向を設定する。ハードバイアス層２１４により、外部からの圧力が膜に印加されていない状態において、磁化自由層２１０の磁化方向は、所望の方向に設定される。

ハードバイアス層２１４には、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｄ、または、Ｆｅ−Ｐｄなどが用いられる。これらの材料においては、例えば、磁気異方性および保磁力が比較的高い。これらの材料は、例えば、ハード磁性材料である。ハードバイアス層２１４には、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−ＰｄまたはＦｅ−Ｐｄに、さらに添加元素を加えた合金を用いても良い。ハードバイアス層２１４には、例えば、ＣｏＰｔ（Ｃｏの比率は、５０ａｔ．％以上８５ａｔ．％以下）、（Ｃｏ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{１００−ｙ}Ｃｒ_ｙ（ｘは５０ａｔ．％以上８５ａｔ．％以下、ｙは０ａｔ．％以上４０ａｔ．％以下）、または、ＦｅＰｔ（Ｐｔの比率は４０ａｔ．％以上６０ａｔ．％以下）などが用いられても良い。このような材料を用いる場合、ハードバイアス層２１４の磁化の方向は、ハードバイアス層２１４の保磁力よりも大きい外部磁界を加えることで、外部磁界を加えた方向に設定（固定）される。ハードバイアス層２１４の厚さ（例えば、下部電極２０４から上部電極に向かう方向に沿った長さ）は、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

下部電極２０４と上部電極２１２の間に絶縁層２１３を設ける場合、絶縁層２１３の材料として、ＳｉＯ_ｘまたはＡｌＯ_ｘが用いられる。さらに、絶縁層２１３とハードバイアス層２１４の間に、図示しない下地層を設けても良い。ハードバイアス層２１４にＣｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｄ、または、Ｆｅ−Ｐｄなどのハード磁性材料を用いる場合には、ハードバイアス層２１４用の下地層の材料として、ＣｒやＦｅ−Ｃｏなどが用いられる。

ハードバイアス層２１４は、図示しないハードバイアス層用ピニング層に積層された構造を有していても良い。この場合、ハードバイアス層２１４とハードバイアス層用ピニング層の交換結合により、ハードバイアス層２１４の磁化の方向を設定（固定）できる。この場合、ハードバイアス層２１４には、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つ、または、これらの少なくとも１種を含む合金の強磁性材料が用いられる。この場合、ハードバイアス層２１４には、例えば、Ｃｏ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}合金（ｘは０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下）、Ｎｉ_ｘＦｅ_{１００−ｘ}合金（ｘは０ａｔ．％以上１００ａｔ．％以下）、または、これらに非磁性元素を添加した材料が用いられる。ハードバイアス層２１４として、上記の第１磁化参照層２０９と同様の材料が用いられる。ハードバイアス層用ピニング層には、上記のセンサ部５０Ａ中のピニング層２０６と同様の材料が用いられる。ハードバイアス層用ピニング層を設ける場合、下地層２０５に用いる材料と同様の下地層をハードバイアス層用ピニング層の下に設けても良い。ハードバイアス層用ピニング層は、ハードバイアス層の下部に設けても良いし、上部に設けても良い。この場合のハードバイアス層２１４の磁化方向は、ピニング層２０６と同様に、磁界中熱処理により決定される。

上記のハードバイアス層２１４及び絶縁層２１３は、実施形態に係るセンサ部のいずれにも適用できる。ハードバイアス層２１４とハードバイアス層用ピニング層との積層構造を用いると、大きな外部磁界がハードバイアス層２１４に短い時間で加わった場合においても、ハードバイアス層２１４の磁化の向きを容易に保持することができる。

図１１は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図１１に示すように、センサ部５０Ｂにおいて、下部電極２０４と、下地層２０５と、磁化自由層２１０と、中間層２０３と、第１磁化参照層２０９と、磁気結合層２０８と、第２磁化参照層２０７と、ピニング層２０６と、キャップ層２１１と、上部電極２１２と、が、順に積層される。センサ部５０Ｂは、例えば、トップスピンバルブ型である。

下地層２０５には、例えば、タンタルと銅の積層膜（Ｔａ／Ｃｕ）が用いられる。このＴａ層の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３ｎｍである。このＣｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。磁化自由層２１０には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。中間層２０３には、例えば、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。第１磁化参照層２０９には、例えば、Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０／Ｆｅ_５０Ｃｏ_５０が用いられる。このＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層の厚さは、例えば２ｎｍである。このＦｅ_５０Ｃｏ_５０層の厚さは、例えば１ｎｍである。磁気結合層２０８には、例えば、０．９ｎｍの厚さのＲｕ層が用いられる。第２磁化参照層２０７には、例えば、２．５ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層が用いられる。ピニング層２０６には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒＭｎ層が用いられる。キャップ層２１１には、例えばＴａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さは、例えば、１ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。

センサ部５０Ｂに含まれる各層の材料は、センサ部５０Ａに含まれる各層の材料を上下反転させて用いることができる。上記の拡散抑制層を、センサ部５０Ｂの下地層２０５と磁化自由層２１０の間に設けても良い。

図１２は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、センサ部５０Ｃにおいて、下部電極２０４と、下地層２０５と、ピニング層２０６と、第１磁化参照層２０９と、中間層２０３と、磁化自由層２１０と、キャップ層２１１と、が、この順で積層される。センサ部５０Ｃは、例えば、単一の磁化参照層を用いたシングルピン構造を有する。

下地層２０５には、例えば、Ｔａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、２ｎｍである。ピニング層２０６には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒＭｎ層が用いられる。第１磁化参照層２０９には、例えば、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層が用いられる。中間層２０３には、例えば、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。磁化自由層２１０には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。キャップ層２１１には、例えばＴａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さは、例えば、１ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。

センサ部５０Ｃの各層の材料には、例えば、センサ部５０Ａの各層の材料と同様のものが用いられる。

図１３は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図１３に示すように、センサ部５０Ｄにおいて、下部電極２０４と、下地層２０５と、下部ピニング層２２１と、下部第２磁化参照層２２２と、下部磁気結合層２２３と、下部第１磁化参照層２２４と、下部中間層２２５と、磁化自由層２２６と、上部中間層２２７と、上部第１磁化参照層２２８と、上部磁気結合層２２９と、上部第２磁化参照層２３０と、上部ピニング層２３１と、キャップ層２１１とが、順に積層される。

下地層２０５には、例えば、Ｔａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３ナノメートル（ｎｍ）である。このＲｕ層の厚さは、例えば、２ｎｍである。下部ピニング層２２１には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒＭｎ層が用いられる。下部第２磁化参照層２２２には、例えば、２．５ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層が用いられる。下部磁気結合層２２３には、例えば、０．９ｎｍの厚さのＲｕ層が用いられる。下部第１磁化参照層２２４には、例えば、３ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層が用いられる。下部中間層２２５には、例えば、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。磁化自由層２２６には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。上部中間層２２７には、例えば、１．６ｎｍの厚さのＭｇＯ層が用いられる。上部第１磁化参照層２２８には、例えば、Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０／Ｆｅ_５０Ｃｏ_５０が用いられる。このＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０層の厚さは、例えば２ｎｍである。このＦｅ_５０Ｃｏ_５０層の厚さは、例えば１ｎｍである。上部磁気結合層２２９には、例えば、０．９ｎｍの厚さのＲｕ層が用いられる。上部第２磁化参照層２３０には、例えば、２．５ｎｍの厚さのＣｏ_７５Ｆｅ_２５層が用いられる。上部ピニング層２３１には、例えば、７ｎｍの厚さのＩｒＭｎ層が用いられる。キャップ層２１１には、例えばＴａ／Ｒｕが用いられる。このＴａ層の厚さは、例えば、１ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。

センサ部５０Ｄの各層の材料には、例えば、センサ部５０Ａの各層の材料と同様のものが用いられる。

図１４は、実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的斜視図である。
図１４に示すように、センサ部５０Ｅにおいて、下部電極２０４と、下地層２０５と、第１磁化自由層２４１と、中間層２０３と、第２磁化自由層２４２と、キャップ層２１１と、上部電極２１２と、が、この順で積層される。

下地層２０５には、例えば、Ｔａ／Ｃｕが用いられる。このＴａ層の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３ｎｍである。このＣｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。第１磁化自由層２４１には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。中間層２０３には、例えば、４ｎｍの厚さのＣｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０が用いられる。キャップ層２１１には、例えばＣｕ／Ｔａ／Ｒｕが用いられる。このＣｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。このＴａ層の厚さは、例えば、１ｎｍである。このＲｕ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。

センサ部５０Ｅの各層の材料は、センサ部５０Ａの各層の材料と同様のものが用いられる。第１磁化自由層２４１及び第２磁化自由層２４２の材料として、例えばセンサ部５０Ａの磁化自由層２１０と同様のものを用いても良い。

（第２の実施形態）
本実施形態は、電子機器に係る。電子機器は、例えば、上記の実施形態に係るセンサ及びその変形のセンサを含む。電子機器は、例えば、情報端末を含む。情報端末は、レコーダなどを含む。電子機器は、マイクロフォン、血圧センサ、タッチパネルなどを含む。

図１５は、第２の実施形態に係る電子機器を例示する模式図である。
図１５に示すように、本実施形態に係る電子機器７５０は、例えば、情報端末７１０である。情報端末７１０には、例えば、マイクロフォン６１０が設けられる。

マイクロフォン６１０は、例えば、センサ３１０を含む。第１膜４０は、例えば、情報端末７１０の表示部６２０が設けられた面に対して実質的に平行である。第１膜４０の配置は、任意である。センサ３１０は、第１の実施形態に関して説明した任意のセンサが適用される。

図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第２の実施形態に係る電子機器を例示する模式的断面図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、電子機器７５０（例えば、マイクロフォン３７０（音響マイクロフォン））は、筐体３６０と、カバー３６２と、センサ３１０と、を含む。筐体３６０は、例えば、基板３６１（例えばプリント基板）と、カバー３６２と、を含む。基板３６１は、例えばアンプなどの回路を含む。

筐体３６０（基板３６１及びカバー３６２の少なくともいずれか）には、アコースティックホール３２５が設けられる。図１６（ｂ）に示す例においては、アコースティックホール３２５は、カバー３６２に設けられている。図１６（ｂ）に示す例においては、アコースティックホール３２５は、基板３６１に設けられている。音３２９は、アコースティックホール３２５を通って、カバー３６２の内部に進入する。マイクロフォン３７０は、音圧に対して感応する。

例えば、センサ３１０を基板３６１の上に置き、電気信号線（図示しない）を設ける。センサ３１０を覆うように、カバー３６２が設けられる。センサ３１０の周りに筐体３６０が設けられる。センサ３１０の少なくとも一部は、筐体３６０の中に設けられる。例えば、第１センサ部５１及び第１膜４０は、基板３６１とカバー３６２との間に設けられる。例えば、センサ３１０は、基板３６１とカバー３６２との間に設けられる。

図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第２の実施形態に係る別の電子機器を例示する模式図である。
これらの図の例では、電子機器７５０は、血圧センサ３３０である。図１７（ａ）は、ヒトの動脈血管の上の皮膚を例示する模式的平面図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＨ１−Ｈ２線断面図である。

血圧センサ３３０においては、センサとしてセンサ３１０が用いられている。センサ３１０が動脈血管３３１の上の皮膚３３３に接触される。これにより、血圧センサ３３０は、連続的に血圧測定を行うことができる。

図１８は、第２の実施形態に係る別の電子機器を例示する模式図である。
この図の例では、電子機器７５０は、タッチパネル３４０である。タッチパネル３４０において、センサ３１０が、ディスプレイの内部及びディスプレイの外部の少なくともいずれかに設けられる。

例えば、タッチパネル３４０は、複数の第１配線３４６と、複数の第２配線３４７と、複数のセンサ３１０と、制御回路３４１と、を含む。

この例では、複数の第１配線３４６は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。複数の第１配線３４６のそれぞれは、Ｘ軸方向に沿って延びる。複数の第２配線３４７は、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。複数の第２配線３４７のそれぞれは、Ｙ軸方向に沿って延びる。

複数のセンサ３１０の１つは、複数の第１配線３４６と複数の第２配線３４７との交差部に設けられる。センサ３１０の１つは、検知のための検知要素Ｅｓの１つとなる。交差部は、第１配線３４６と第２配線３４７とが交差する位置及びその周辺の領域を含む。

複数のセンサ３１０の１つの一端Ｅ１は、複数の第１配線３４６の１つと接続される。複数のセンサ３１０の１つの他端Ｅ２は、複数の第２配線３４７の１つと接続される。

制御回路３４１は、複数の第１配線３４６及び複数の第２配線３４７と接続される。例えば、制御回路３４１は、複数の第１配線３４６と接続された第１配線用回路３４６ｄと、複数の第２配線３４７と接続された第２配線用回路３４７ｄと、第１配線用回路３４６ｄ及び第２配線用回路３４７ｄと接続された制御信号回路３４５と、を含む。
第２の実施形態によれば、感度を向上できるセンサを用いた電子機器が提供できる。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
複数の孔を含む第１膜を含む変形可能な膜部と、
前記膜部の一部に固定された第１センサ部であって、
第１磁性層と、
前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、
を含む前記第１センサ部と、
を備え、
前記複数の孔の少なくとも一部から前記第１センサ部へ向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサ部に向かう第１方向に沿う、センサ。
（構成２）
前記膜部は、第２膜をさらに含み、
前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１膜の密度は、前記第２膜の密度よりも低い、構成１記載のセンサ。
（構成３）
前記膜部は、第２膜をさらに含み、
前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２膜は、孔を実質的に含まない、構成１記載のセンサ。
（構成４）
前記膜部は、複数の孔を含む第２膜をさらに含み、
前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１膜中の前記複数の孔の密度は、前記第２膜中の前記複数の孔の密度よりも高い、構成１記載のセンサ。
（構成５）
前記膜部は、第２膜をさらに含み、
前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１膜の空孔率は、前記第２膜の空孔率よりも高い、構成１記載のセンサ。
（構成６）
前記膜部は、第２膜をさらに含み、
前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１膜の断面の表面粗さは、前記第２膜の断面の表面粗さよりも粗い、構成１記載のセンサ。
（構成７）
前記第１膜の前記第１方向に沿った厚さは、前記第２膜の前記第１方向に沿った厚さよりも厚い、構成２〜６のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成８）
前記膜部は、第３膜をさらに含み、
前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
前記第１膜の前記密度は、前記第３膜の密度よりも低い、構成２記載のセンサ。
（構成９）
前記膜部は、第３膜をさらに含み、
前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
前記第３膜は、孔を実質的に含まない、構成２〜７のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１０）
前記膜部は、複数の孔を含む第３膜をさらに含み、
前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
前記第１膜中の前記複数の孔の前記密度は、前記第３膜中の前記複数の孔の密度よりも高い、構成４記載のセンサ。
（構成１１）
前記膜部は、第３膜をさらに含み、
前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
前記第１膜の前記空孔率は、前記第３膜の空孔率よりも高い、構成５記載のセンサ。
（構成１２）
前記膜部は、第３膜をさらに含み、
前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
前記第１膜の断面の表面粗さは、前記第３膜の断面の表面粗さよりも粗い、構成６記載のセンサ。
（構成１３）
前記第２膜は、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、アルミニウムシリケート、及びシリコン酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含む構成２〜１２のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１４）
前記第１膜は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、アルミニウムシリケート、シリコン酸窒化物、及びアルミノリン酸塩からなる群から選択された少なくとも１つを含む構成１〜１３のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１５）
前記第１膜の空孔率は、３０％以上である構成１〜１５のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１６）
金属化合物部と炭素含有部とを含む第１膜を含む変形可能な膜部と、
前記膜部の一部に固定された第１センサ部であって、
第１磁性層と、
前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、
を含む前記第１センサ部と、
を備え、
前記金属化合物部の少なくとも一部から前記炭素含有部の少なくとも一部に向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサ部に向かう第１方向と交差した、センサ。
（構成１７）
前記金属化合物部は、酸化物、窒化物及び酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記酸化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記酸窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１６記載のセンサ。
（構成１８）
前記炭素含有部は、ヒドロキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、エーテル結合、エステル結合、アミン及びイミンからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１６または１７に記載のセンサ。
（構成１９）
開口部を有する第１部材と、
第２部材と、
をさらに備え、
前記第１センサ部及び前記膜部は、前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、
前記開口部と、前記第１膜の少なくとも一部と、の間に前記第２膜の少なくとも一部が位置する、構成２〜１３のいずれか１つに記載のセンサ。

図１９〜図２１は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図１９〜図２１は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。
センサ１２０において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１０とは異なる。これ以外は、センサ１２０は、センサ１１０と同様である。センサ１２１において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１２とは異なる。これ以外は、センサ１２１は、センサ１１２と同様である。センサ１２２において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１３とは異なる。これ以外は、センサ１２２は、センサ１１３と同様である。センサ１２０〜１２２において、第１センサ部５１のＺ軸方向における位置は、支持部７０ｓのＺ軸方向における位置と、第１膜７１（または第１膜７１Ａ）の一部のＺ軸方向における位置と、の間である。第１膜７１（または第１膜７１Ａ）の上記の一部と、第３膜７３と、の間に、第１センサ部５１が設けられる。

図２２〜図２４は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図２２〜図２４は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。
センサ１３０において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１０とは異なる。これ以外は、センサ１３０は、センサ１１０と同様である。センサ１３１において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１２とは異なる。これ以外は、センサ１３１は、センサ１１２と同様である。センサ１３２において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１３とは異なる。これ以外は、センサ１３２は、センサ１１３と同様である。センサ１３０〜１３２において、第１センサ部５１のＺ軸方向における位置は、支持部７０ｓのＺ軸方向における位置と、第１膜７１（または第１膜７１Ａ）のＺ軸方向における位置と、の間である。

センサ１２０〜１３２の製造において、例えば、第１センサ部５１の形成の後に、膜部７０の少なくとも一部（第１膜７１）が形成される。第１センサ部５１の形成は、例えば、高温での熱処理を含む。熱処理の後に膜部７０が形成される場合、膜部７０のダメージが抑制できる。

図２５〜図２７は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図２５〜図２７は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。
センサ１４０〜１４２は、膜部７０及び第１センサ部５１に加えて、絶縁膜７５を含む。センサ１４０において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１０とは異なる。センサ１４１において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１２とは異なる。センサ１４２において、Ｚ軸方向における第１センサ部５１の位置が、センサ１１３とは異なる。センサ１４０〜１４２において、第１センサ部５１のＺ軸方向における位置は、支持部７０ｓのＺ軸方向における位置と、第１膜７１（または第１膜７１Ａ）のＺ軸方向における位置と、の間である。第１膜７１（または第１膜７１Ａ）と、絶縁膜７５と、の間に、第１センサ部５１が設けられる。

図２８は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図２８は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。センサ１５０は、膜部７０及び第１センサ部５１に加えて、絶縁膜７５を含む。絶縁膜７５の一部と膜部７０との間に、第１センサ部５１が設けられる。絶縁膜７５の一部と支持部７０ｓとの間に膜部７０の一部が位置する。絶縁膜７５のさらに別の一部と第３膜７３との間に第１膜７１が設けられる。絶縁膜７５は、例えば、第１センサ部５１及び膜部７０を保護する。

図２９（ａ）及び図２９（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図２９（ａ）に示すように、膜部７０（この例では、第１膜７１及び第３膜７３）を形成する。

図２９（ｂ）に示すように、第１センサ部５１を形成する。例えば、第１センサ部５１の形成において、熱処理が行われる。この後、絶縁膜７５（図２８参照）を形成する。

この例においては、熱処理中に、膜部７０に含まれるガスなどの少なくとも一部が除去される。熱処理の後に絶縁膜７５を形成することで、ガスの除去が効果的に行われる。

図３０は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図３０は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。センサ１５１は、膜部７０及び第１センサ部５１に加えて、絶縁膜７５を含む。絶縁膜７５の一部と膜部７０との間に、第１センサ部５１が設けられる。絶縁膜７５の一部と支持部７０ｓとの間に膜部７０の一部が位置する。絶縁膜７５のさらに別の一部と第３膜７３との間に第１膜７１が設けられる。絶縁膜７５は、例えば、第１センサ部５１及び膜部７０を保護する。

図３１（ａ）及び図３１（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図３１（ａ）に示すように、膜部７０（この例では、第１膜７１及び第３膜７３）を形成する。

図３１（ｂ）に示すように、第１センサ部５１を形成する。例えば、第１センサ部５１の形成において、熱処理が行われる。この後、絶縁膜７５（図３０参照）を形成する。

この例においては、熱処理中に、膜部７０に含まれるガスなどの少なくとも一部が除去される。熱処理の後に絶縁膜７５を形成することで、ガスの除去が効果的に行われる。

図３２は、実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図３２は、図１（ｃ）に示す断面図に対応する。センサ１５２は、膜部７０及び第１センサ部５１に加えて、絶縁膜７５を含む。絶縁膜７５の一部と膜部７０との間に、第１センサ部５１が設けられる。絶縁膜７５の一部と支持部７０ｓとの間に膜部７０の一部が位置する。絶縁膜７５のさらに別の一部と第３膜７３との間に第１膜７１Ａが設けられる。絶縁膜７５は、例えば、第１センサ部５１及び膜部７０を保護する。

図３３（ａ）及び図３３（ｂ）は、実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図３３（ａ）に示すように、膜部７０（この例では、第１膜７１Ａ及び第３膜７３）を形成する。

図３３（ｂ）に示すように、第１センサ部５１を形成する。例えば、第１センサ部５１の形成において、熱処理が行われる。この後、絶縁膜７５（図３２参照）を形成する。

この例においては、熱処理中に、膜部７０に含まれるガスなどの少なくとも一部が除去される。熱処理の後に絶縁膜７５を形成することで、ガスの除去が効果的に行われる。

実施形態に係る上記のセンサは、例えば、磁性装置である。

実施形態によれば、検知精度を向上できるセンサが提供される。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれるセンサ部、磁性層、膜部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述したセンサ及び電子機器を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及び電子機器も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１…第１磁性層、 １１ｉ…第１中間層、 １２…第２磁性層、 １２ｉ…第２中間層、 １３…第３磁性層、 １３ｉ…第３中間層、 １４…第４磁性層、 １５…第５磁性層、 １６…第６磁性層、 ４０…第１膜、 ５０Ａ…センサ部、 ５０Ｂ…センサ部、 ５０Ｃ…センサ部、 ５０Ｄ…センサ部、 ５０Ｅ…センサ部、 ５０ＡＡ…センサ部、 ５０ＡＢ…センサ部、 ５１…第１センサ部、 ５１Ｐ…センサ部、 ５２…第２センサ部、 ５２Ｐ…センサ部、 ５３…第３センサ部、 ５３Ｐ…センサ部、 ５８ｅ…第１センサ導電層、 ５８ｆ…第２センサ導電層、 ６０…制御部、 ７０…膜部、 ７０ｈ…凹部、 ７０ｓ…支持部、 ７１、７１Ａ…第１膜、 ７１ｃ…炭素含有部、 ７１ｍ…金属化合物部、 ７１ｐ、７１ｑ…孔、 ７２…第２膜、 ７２ａ、７２ｂ…膜領域、 ７２ｐ…孔、 ７３…第３膜、 ７３ｐ…孔、 ７５…絶縁膜、 ８０ａ…カバー、 ８０ｂ…基板、 ８０ｃ…カバー、 ８０ｄ…基板、 １１０、１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１２０〜１２２、１３０〜１３２、１４０〜１４２、１５０〜１５２…センサ、 ２０３…中間層、 ２０４…下部電極、 ２０５…下地層、 ２０６…ピニング層、 ２０７…第２磁化参照層、 ２０８…磁気結合層、 ２０９…第１磁化参照層、 ２１０…磁化自由層、 ２１１…キャップ層、 ２１２…上部電極、 ２１３…絶縁層、 ２１４…ハードバイアス層、 ２２１…下部ピニング層、 ２２２…第２磁化参照層、 ２２３…下部磁気結合層、 ２２４…第１磁化参照層、 ２２５…下部中間層、 ２２６…磁化自由層、 ２２７…上部中間層、 ２２８…第１磁化参照層、 ２２９…上部磁気結合層、 ２３０…第２磁化参照層、 ２３１…上部ピニング層、 ２４１…第１磁化自由層、 ２４２…第２磁化自由層、 ３１０…センサ、 ３２５…アコースティックホール、 ３２９…音、 ３３０…血圧センサ、 ３３１…動脈血管、 ３３３…皮膚、 ３４０…タッチパネル、 ３４１…制御回路、 ３４５…制御信号回路、 ３４６…第１配線、 ３４６ｄ…第１配線用回路、 ３４７…第２配線、 ３４７ｄ…第２配線用回路、 ３６０…筐体、 ３６１…基板、 ３６２…カバー、 ３７０…マイクロフォン、 ６１０…マイクロフォン、 ６２０…表示部、 ７１０…情報端末、 ７５０…電子機器、 Ｃ１…第１断面、 Ｃ２…第２断面、 Ｃ３…第３断面、 ＣＡ、ＣＢ、ＣＣ…特性、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…領域、 ＦＬ…下面、 ＥＬ１…第１センサ電極、 ＦＢＡ…帯域、 ＥＬ２…第２センサ電極、 ＦＢＢ…帯域、 ＦＢＣ…帯域、 ＣＲ１…第１断面領域、 ＣＲ２…第２断面領域、 ＣＲ３…第３断面領域、 ｆ…周波数、 ＦＵ…上面、 ＯＰ１、ＯＰ２…開口部、 Ｒａ…第１領域、 Ｒｂ…第２領域、 Ｓｎ…感度、 ｆａ、ｆｂ、ｆｃ…共振周波数、 ｒｐ…径

Claims (13)

1. 複数の孔を含む第１膜を含む変形可能な膜部と、
   前記膜部の一部に固定された第１センサ部であって、
   第１磁性層と、
   前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
   前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、
   を含む前記第１センサ部と、
   を備え、
   前記複数の孔の少なくとも一部から前記第１センサ部へ向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサ部に向かう第１方向に沿う、センサ。
2. 前記膜部は、第２膜をさらに含み、
   前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第１膜の密度は、前記第２膜の密度よりも低い、請求項１記載のセンサ。
3. 前記膜部は、第２膜をさらに含み、
   前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第２膜は、孔を実質的に含まない、請求項１記載のセンサ。
4. 前記膜部は、複数の孔を含む第２膜をさらに含み、
   前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第１膜中の前記複数の孔の密度は、前記第２膜中の前記複数の孔の密度よりも高い、請求項１記載のセンサ。
5. 前記膜部は、第２膜をさらに含み、
   前記第１膜から前記第２膜に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
   前記第１膜の空孔率は、前記第２膜の空孔率よりも高い、請求項１記載のセンサ。
6. 前記第１膜の前記第１方向に沿った厚さは、前記第２膜の前記第１方向に沿った厚さよりも厚い、請求項２〜５のいずれか１つに記載のセンサ。
7. 前記膜部は、第３膜をさらに含み、
   前記第１膜の前記第１方向における位置は、前記第２膜の前記第１方向における位置と、前記第３膜の前記第１方向における位置と、の間であり、
   前記第１膜の前記密度は、前記第３膜の密度よりも低い、請求項２記載のセンサ。
8. 前記第２膜は、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、アルミニウムシリケート、及びシリコン酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含む請求項２〜７のいずれか１つに記載のセンサ。
9. 前記第１膜は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、アルミニウムシリケート、シリコン酸窒化物、及びアルミノリン酸塩からなる群から選択された少なくとも１つを含む請求項１〜８のいずれか１つに記載のセンサ。
10. 金属化合物部と炭素含有部とを含む第１膜を含む変形可能な膜部と、
    前記膜部の一部に固定された第１センサ部であって、
    第１磁性層と、
    前記第１膜と前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、
    を含む前記第１センサ部と、
    を備え、
    前記金属化合物部の少なくとも一部から前記炭素含有部の少なくとも一部に向かう方向は、前記第１膜から前記第１センサに向かう第１方向と交差した、センサ。
11. 前記金属化合物部は、酸化物、窒化物及び酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記酸化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記酸窒化物は、シリコン、アルミニウム、チタン及びタングステンからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１０記載のセンサ。
12. 前記炭素含有部は、ヒドロキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、エーテル結合、エステル結合、アミン及びイミンからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１０または１１に記載のセンサ。
13. 開口部を有する第１部材と、
    第２部材と、
    をさらに備え、
    前記第１センサ部及び前記膜部は、前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、
    前記開口部と、前記第１膜の少なくとも一部と、の間に前記第２膜の少なくとも一部が位置する、請求項２〜８のいずれか１つに記載のセンサ。

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