JP5579218B2 - 圧力検知素子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、圧力検知素子の製造方法に関する。
磁気抵抗効果素子を用いた圧力検知素子がある。圧力検知素子の製造過程では、例えば、実装基板の上に磁気抵抗効果素子が配置され、実装基板の電極パッドと、磁気抵抗効果素子に接続された電極と、を接続する。製造過程の種々の要因により、磁気抵抗効果素子に負荷がかかると、磁気抵抗効果素子の感度が低下する可能性がある。
特開２００２−１４８１３２号公報
本発明の実施形態は、高感度の圧力検知素子の製造方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、圧力検知素子の製造方法が提供される。本製造方法は、センサ部と、実装基板と、を準備する工程を備える。前記センサ部は、膜体と、前記膜体上に設けられた素子部と、を含む。前記素子部は、第１部分と第２部分とを有する第１電極と、第３部分と第４部分とを有する第２電極と、前記第２部分と前記第３部分との間に設けられ第１方向の磁化を有する第１磁性層と、前記第１磁性層と前記第３部分との間に設けられた第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性層と、を含む。前記膜体の歪みに応じて前記第１磁性層の磁化の方向と前記第２磁性層の磁化の方向との間の角度が変化する。前記実装基板は、基体と、前記基体上に設けられた第１電極パッドと、前記基体上に設けられ前記第１電極パッドと離間する第２電極パッドと、を含む。本製造方法は、前記センサ部に前記第１方向に沿う外部磁界を印加しつつ、前記第１電極パッドと前記第１部分とを加熱しつつ接合し、前記第２電極パッドと前記第４部分とを加熱しつつ接合する工程をさらに含む。
第１の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を示すフローチャート図である。 第１の実施形態に係る圧力検知素子を示す模式図である。 図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子のセンサ部を示す模式図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の実装基板を示す模式図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｆ）は、圧力検知素子の特性を示す模式図である。 第１の実施形態に係る別の圧力検知素子のセンサ部を示す模式的断面図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 第２の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を示すフローチャート図である。 第２の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を示す模式的断面図である。 図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、実施形態に係る圧力検知素子の構成及び特性を示す模式的斜視図である。 図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、実施形態に係る圧力検知素子の構成及び特性を示す模式的斜視図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態に係る圧力検知素子は、電極を有するセンサ部と、電極パッドを有する実装基板と、を有する。本製造方法は、センサ部と実装基板を準備する工程（ステップＳ１１０）と、電極パッドと電極とを接合する工程（ステップＳ１２０）と、を有する。
以下、本実施形態に係る製造方法が適用される圧力検知素子の例について説明する。
本実施形態に係る圧力検知素子は、例えば、血圧測定器（例えば、連続的な血圧測定や常時血圧測定など）、音圧検知器（例えばマイクロフォンなど）、大気圧計、真空計（圧力計）または流量計などに応用される。
図２は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の構成を例示する模式図である。
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子のセンサ部の構成を例示する模式図である。図３（ｃ）は、透視平面図である。図３（ａ）は、図３（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図３（ｃ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の実装基板の構成を例示する模式図である。図４（ｂ）は、透視平面図であり、図４（ａ）は、図４（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。
図３（ａ）〜図３（ｃ）に表したように、センサ部４０は、膜体３０と、素子部２５と、を含む。
膜体３０は、第１主面３０ｓを有する。第１主面３０ｓは、第１縁部３０ａと、第２縁部３０ｂと、内側部３０ｃと、を有する。第２縁部３０ｂは、第１縁部３０ａと離間している。内側部３０ｃは、例えば、第１縁部３０ａと第２縁部３０ｂとの間に位置する。
第１主面３０ｓに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
例えば、センサ部４０において、メンブレン３４が設けられる。メンブレン３４は、膜体３０に対応する。メンブレン３４の内側の一部に凹部３０ｏが設けられる。凹部３０ｏをＸ−Ｙ平面に投影したときの形状は例えば円形（扁平円を含む）。または、多角形である。メンブレン３４の凹部３０ｏ（メンブレン３４のうちで薄い部分）は、内側部３０ｃとなる。内側部３０ｃの周囲（例えばメンブレン３４のうちで、凹部３０ｏよりも厚い部分）が外側部となる。外側部の１つの部分が、第１縁部３０ａとなる。外側部の別の一部が、第２縁部３０ｂとなる。メンブレン３４には、例えは、シリコンなどが用いられる。ただし、実施形態はこれに限らず、メンブレン３４の材料は任意である。
この例では、メンブレン３４の外側部の厚さは、内側部３０ｃの厚さと異なる。実施形態はこれに限らず、これらの厚さは互いに同じでも良い。この例では、メンブレン３４の形状は、長方形であるが、形状は任意である。
素子部２５は、第１主面３０ｓ上に設けられる。素子部２５は、第１電極１０と、第２電極２０と、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、非磁性層１３と、を含む。
第１電極１０は、第１部分１０ａと、第２部分１０ｂと、を有する。第１部分１０ａは、第１縁部３０ａに対向する。第２部分１０ｂは、内側部３０ｃに対向する。
本願明細書において、「対向」は、直接面している状態の他に、他の要素が介在して向かいあう状態も含む。
第２電極２０は、第３部分２０ａと、第４部分２０ｂと、を有する。第３部分２０ａは、内側部３０ｃに対向する。第４部分２０ｂは、第２縁部３０ｂに対向する。第４部分２０ｂは、Ｘ−Ｙ平面（第１主面３０ｓに対して平行な平面）に投影したときに、第１電極１０と重ならない。
第１磁性層１１は、第２部分１０ｂと第３部分２０ａとの間に設けられる。第１磁性層１１は、第１方向の磁化を有する。
第２磁性層１２は、第１磁性層１１と第３部分２０ａとの間に設けられる。
非磁性層１３は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。
第１磁性層１１、非磁性層１３及び第２磁性層１２は、Ｚ軸方向に沿って積層される。
本願明細書において、「積層」は、互いに接して重ねられる状態に加え、他の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。
第１磁性層１１、非磁性層１３及び第２磁性層１２は、歪検知素子１５となる。すなわち、素子部２５は、第１電極１０と、第２電極２０と、歪検知素子１５と、を含む。センサ部４０においては、膜体３０の歪みに応じて、第１磁性層１１の磁化の方向と第２磁性層１２の磁化の方向との間の角度が変化する。歪検知素子１５の構成及び特性の例については後述する。
歪検知素子１５を埋め込む絶縁層１４が設けられる。絶縁層１４には、例えばＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などが用いられる。
この例では、内側部３０ｃの上に、第１電極１０の第２部分１０ｂ、第１磁性層１１、非磁性層１３、第２磁性層１２、及び、第２電極２０の第３部分２０ａがこの順で設けられている。すなわち、第２部分１０ｂは、第３部分２０ａと内側部３０ｃとの間に配置されている。ただし、実施形態は、これに限らない。後述するように、第３部分２０ａは、第２部分１０ｂと内側部３０ｃとの間に配置されても良い。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に表したように、実装基板５０は、基体５３と、第１電極パッド５１と、第２電極パッド５２と、を含む。基体５３は、第２主面５３ｓを有する。第１電極パッド５１は、第２主面５３ｓ上に設けられる。第２電極パッド５２は、第２主面５３ｓ上に設けられ第１電極パッド５１と離間する。基体５３、第１電極パッド５１及び第２電極パッド５２の形状は任意である。
図２に表したように、圧力検知素子１１０においては、第１主面３０ｓと、第２主面５３ｓと、が互いに対向するように、センサ部４０と、実装基板５０と、が配置されている。第１電極パッド５１と、第１電極１０の第１部分１０ａと、が互いに電気的に接続されている。この例では、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの間に第１導電部材６１ａが配置さる。第１導電部材６１ａにより、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとが互いに接合される。第２電極パッド５２と、第２電極２０の第４部分２０ｂと、が互いに電気的に接続されている。この例では、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの間に第２導電部材６１ｂが配置される。第２導電部材６１ｂにより、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとが互いに接合される。
本願明細書において、第１部材と第２部材とが互いに接合される状態は、第１部材が第２部材と直接的に固定される状態、第２部材が第１部材と直接的に固定される状態、第１部材が第３部材を介して第２部材と間接的に固定される状態、及び、第２部材が第３部材を介して第１部材と間接的に固定される状態を含む。
第１磁性層１１は、第１方向の磁化を有する。第１方向は、任意である。
例えば、第１方向は、Ｘ−Ｙ平面に対して平行である。この状態を用いる構成を、「面内磁化方式」ということにする。面内磁化方式においては、第１磁性層１１には面内磁化膜が用いられる。なお、例えば製造工程におけるばらつきなどに起因して、面内磁化膜において、第１方向が、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な方向からずれる場合がある。
例えば、第１方向は、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直である。この状態を用いる構成を、「垂直磁化方式」ということにする。垂直磁化方式においては、第１磁性層１１には垂直磁化膜が用いられる。なお、例えば製造工程におけるばらつきなどに起因して、垂直磁化膜において、第１方向が、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向からずれる場合がある。
例えば、第１磁性層１１は、参照層として機能する。第２磁性層１２は、フリー層として、機能する。フリー層においては、磁化の方向が、外部磁界により容易に変化する。参照層の磁化の方向は、例えば、フリー層の磁化の方向よりも変化し難い。参照層は、例えばピン層である。第１磁性層１１及び第２磁性層１２の両方がフリー層でも良い。
例えば、強磁性体に応力が印加されると、強磁性体において、逆磁歪効果が生じる。歪検知素子１５に印加される応力により、逆磁歪効果に基づいて、磁性層の磁化の方向が変化する。第１磁性層１１の磁化の方向と、第２磁性層１２の磁化の方向と、の間の角度が変化することで、例えば、ＭＲ（magnetoresistive）効果により歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。
圧力検知素子１１０においては、圧力検知素子１１０に加わる応力により、膜体３０に変位が生じ、これにより、歪検知素子１５に応力が加わり、歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。圧力検知素子１１０は、この効果を用いて、応力を検知する。
圧力検知素子１１０においては、実装工程において、センサ部４０と、実装基板５０と、を組み合わせる。このとき、センサ部４０の位置を固定するために、センサ部４０を保持する。そして、電極パッドと、電極と、を電気的に接続する。信頼性の高い接続を得るために、加熱しつつ接続が行われる。
本願発明者は、良好な特性を有するセンサ部４０を実装基板５０と組み合わせると、特性が必ずしも良好でない場合が生じることを掴んだ。すなわち、実装工程の前後で、センサ部４０の特性が変化する。良好な特性を有するセンサ部４０であっても、実装工程の後では、特性が劣化することがあることが分かった。特性が劣化すると、高感度の応力検知ができない。解析の結果、この劣化は、実装工程において、センサ部４０を保持しているときにセンサ部４０に応力が印加され、この応力が印加されている状態で、センサ部４０が加熱されることで、磁性層の磁化の方向が変化することに起因していることが分かった。
本実施形態に係る製造方法は、圧力検知素子１１０の製造において新たに見出されたこの課題を解決する。本実施形態に係る製造方法は、組み立て工程におけるセンサ部４０の特性の劣化を抑制する。
本実施形態に係る製造方法の例について説明する。
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図５（ａ）に表したように、センサ部４０を第１ステージ８１の上に載せる。第１ステージ８１には開口部８１ｏが設けられている。センサ部４０の縁部（例えば第１縁部３０ａ及び第２縁部３０ｂ）は、第１ステージ８１の開口部８１ｏが設けられていない部分の上に位置する。センサ部４０の内側部３０ｃは、開口部８１ｏの上に位置する。開口部８１ｏを介して、内側部３０ｃの下の空間が減圧状態にされる。内側部３０ｃに、例えば真空吸着８１ｖによる力が加わる。これにより、センサ部４０は、第１ステージ８１に固定される。このとき、センサ部４０の内側部３０ｃには、応力が印加される。
このように、本実施形態に係る製造方法においては、センサ部４０を保持する工程では、センサ部４０の第１縁部３０ａ及び第２縁部３０ｂを保持する。このとき、内側部３０ｃが撓む。例えば、保持する工程は、第１縁部３０ａと第２縁部３０ｂとを保持しつつ内側部３０ｃを減圧吸着する。このため、内側部３０ｃが撓む場合がある。減圧吸着により保持することで、センサ部４０の機能部（歪検知素子１５など）に接触せずにセンサ部４０を保持でき、機能部の特性の劣化を抑制できる。
図５（ａ）に表したように、歪検知素子１５の第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、例えば、Ｘ軸方向に沿っている。この例では、歪検知素子１５は、面内磁化方式の素子である。
例えば、第１ステージ８１は、高温（例えば１５０℃以上２５０℃以下など）に設定されている。これにより、後述する接合工程において、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）またはＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）などを介した、電極と電極パッドとの接合において、高い密着力が得られる。
本実施形態においては、第１ステージ８１に磁界印加部８３が併設されている。磁界印加部８３は、例えば、Ｓ極部８３Ｓと、Ｎ極部８３Ｎと、を有する。Ｓ極部８３ＳとＮ極部８３Ｎとの間に、センサ部４０が配置される。センサ部４０を加熱する際に、磁界印加部８３により、外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加する。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向に沿っている。すなわち、例えば、第１磁性層１１に外部磁界Ｈ２が印加されている状態で、センサ部４０が加熱される。
図５（ｂ）に表したように、実装基板５０を第２ステージ８２の上に載せる。実装基板５０の第１電極パッド５１の上に第１導電部材６１ａを配置する。第２電極パッド５２の上に第２導電部材６１ｂを配置する。第１導電部材６１ａ及び第２導電部材６１ｂには、例えば、熱圧着性の導電性材料が用いられる。例えば、ＡＣＦが用いられる。または、ＡＣＰなどが用いられる。
本実施形態においては、第２ステージ８２に磁界印加部８３が併設されている。磁界印加部８３は、例えば、Ｓ極部８３Ｓと、Ｎ極部８３Ｎと、を有する。Ｓ極部８３ＳとＮ極部８３Ｎとの間に、実装基板５０が配置される。
図５（ｃ）に表したように、センサ部４０の上下を反転させて、実装基板５０とセンサ部４０とを対向させる。センサ部４０の電極と、実装基板５０の電極パッドと、の位置合わせを行う。
図５（ｄ）に表したように、第１電極１０の第１部分１０ａと、実装基板５０の第１電極パッド５１と、を近接させ、第２電極１０の第４部分２０ｂと、実装基板５０の第２電極パッド５２と、を近接させる。そして、加熱しつつ圧力８１ｆ（加重）を印加して、第１部分１０ａと、第１電極パッド５１と、を第１導電部材６１ａを介して接合する。加熱しつつ圧力８１ｆを印加して、第４部分２０ｂと、第２電極パッド５２と、を第２導電部材６１ｂを介して接合する。
このとき、本実施形態においては、この接合工程において、磁界印加部８３により、外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加する。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向に沿っている。これにより、第１磁性層１１に外部磁界Ｈ２が印加されている状態で、センサ部４０が加熱される。
このように、本実施形態においては、接合工程（ステップＳ１２０）において、センサ部４０に、第１磁性層１１の磁化の方向（第１方向）に沿う外部磁界Ｈ２を印加しつつ、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとを加熱しつつ接合し、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとを加熱しつつ接合する。
これにより、第１磁性層１１の磁化が、接合工程中に変化することが抑制できる。これにより、高感度の圧力検知素子を生産良く製造することができる。
図６（ａ）〜図６（ｆ）は、圧力検知素子の特性を例示する模式図である。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、本実施形態に係る製造方法を適用したときの特性を例示している。図６（ｄ）〜図６（ｆ）は、参考例の製造方法を適用したときの特性を例示している。参考例においては、組み立て工程中に外部磁界Ｈ２を印加しない。図６（ａ）及び図６（ｄ）は、組み立て工程前、または、センサ部４０を保持したときの磁性層の磁化の状態を例示している。図６（ｂ）及び図６（ｅ）は、電極パッドと電極とを接合する高温時の磁性層の磁化の状態を例示している。図６（ｃ）及び図６（ｆ）は、接合が終わり、組み立て工程後の磁性層の磁化の状態を例示している。
図６（ｄ）に表したように、組み立て工程前において、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、所定の方向を向いている。この例では、第２磁性層１２の磁化の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１に平行である。ただし、実施形態において、第２磁性層１２の磁化の方向は任意である。センサ部４０を保持しセンサ部４０が撓んだ状態においても、センサ部４０の温度が低いときは、第１磁性層１１の磁化の方向は、変化しない。
図６（ｅ）に例示したように、電極パッドと電極とを接合する工程において、磁性層は高温になる。センサ部４０が撓み、かつ、高温である。このため、参考例においては、第１磁性層の磁化の方向は、初期の磁化の方向Ｈ１から変化する。すなわち、接合工程における熱と歪により、第１磁性層１１の磁化の方向が変化する。なお、この例では、第２磁性層１２の磁化の方向も、初期状態から変化している。
図６（ｆ）に表したように、接合が終わり温度が室温になると、第１磁性層１１の磁化の方向は、初期の磁化の方向Ｈ１から変化した状態に固定される。
このように、参考例においては、接合工程における熱と歪の印加により、１磁性層１１の磁化の方向が、組み立て工程前の状態から変化してしまう。このため、参考例の製造方法においては、圧力検知素子の特性が劣化する。
図６（ａ）に表したように、実施形態に係る製造方法においても、組み立て工程前、及び、センサ部４０を保持しセンサ部４０が撓んだ状態において、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、所定の方向を向いている。センサ部４０の温度が低い場合は、第１磁性層１１の磁化の方向は、変化しない。この状態は、参考例の状態と同じである。
図６（ｂ）に表したように、電極パッドと電極とを接合する高温で、かつ、撓んだ状態のときに、第１磁性層１１の初期の磁化の方向Ｈ１に沿った外部磁界Ｈ２を印加する。実施形態においては、この外部磁界Ｈ２により、第１磁性層１１の磁化の方向は、初期の磁化の方向Ｈ１を維持する。
このため、図６（ｃ）に表したように、接合が終わり温度が室温になったときに、第１磁性層１１の磁化の方向は、初期の磁化の方向Ｈ１を維持する。
このように、実施形態に係る製造方法においては、接合工程において熱と歪が印加されるときに、外部磁界Ｈ２を印加する。これにより、第１磁性層１１の磁化の方向が、組み立て工程前の状態から変化することが抑制される。これにより、実施形態に係る製造方法においては、圧力検知素子の特性が劣化せず、高感度の圧力検知素子を製造できる。
例えば、図６（ｂ）及び図６（ｅ）に例示した接合工程においては、例えば、圧着端子の温度が、例えば２００℃以上である。このため、接合工程において、磁性層の温度がブロッキング温度または、それに近い温度に上昇する。ブロッキング温度は、反強磁性体による第１磁性層１１（例えば参照層）の磁化を固定する交換結合が実質的に消失する温度である。ブロッキング温度の近傍では、交換結合が弱くなる。そのときに、第１磁性層１１の磁化を回転させる方向に、第１磁性層１１に応力が加わり第１磁性層１１に歪が発生すると、その方向に第１磁性層１１の磁化の一部の成分が回転する。この状態で冷却されると、第１磁性層１１の磁化の方向が固定されてしまう。接合工程においては、例えば、真空吸着部等によってセンサ部４０を固定するため、磁性層に応力が印加される。
本願発明者による種々の実験により、外部磁界Ｈ２を印加しない場合においては、磁性層の磁化の方向がばらつくことが分かった。結果として、第１磁性層１１の固着磁界が弱くなる。このため、デバイス動作時に、第１磁性層の磁化が外部圧力によって回転しやすくなり、安定に動作しなくなる。ＭＲ変化率が低下し、出力が低下する。
特に、ＡＣＦまたはＡＣＰを使った接合においては、ＡＣＦまたはＡＣＰに熱硬化樹脂を使用しているため、加圧しながら加熱する。このため、センサ部４０を真空吸着部により保持することに起因するセンサ部４０の撓みの他に、加圧によってセンサ部４０が撓みセンサ部４０に歪が生じることが分かった。そのため、接合工程における磁性層の磁化の方向がより変化し易くなることが分かった。ＡＣＦまたはＡＣＰを用いると、第１磁性層１１の交換結合がさらに弱くなり、第１磁性層１１の磁化がさらに回転し易くなる。
本実施形態に係る製造方法においては、接合工程において、センサ部４０が高温で応力が印加される状態において、第１磁性層１１の初期の磁化の方向Ｈ１に沿う外部磁界Ｈ２を印加する。これにより、接合工程において、第１磁性層１１に熱と応力とが印加され、歪による磁化回転の力が働いても、外部磁界Ｈ２により第１磁性層１１の磁化の方向が所定の方向に維持できる。
図５（ａ）に関して説明したように、センサ部４０を保持する工程で、センサ部４０が加熱される場合は、この工程で、上記の外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加することが好ましい。
外部磁界Ｈ２（外部磁界Ｈ２の強さ）は、例えば、第１磁性層１１の飽和磁界よりも大きい。これにより、例えば、第１磁性層１１に熱と応力とが印加されたときの、第１磁性層１１の磁化の方向の変化を効果的に抑制できる。
外部磁界Ｈ２は、例えば、第１磁性層１１の交換結合磁界以上である。これにより、例えば、第１磁性層１１に熱と応力とが印加されたときの、第１磁性層１１の磁化の方向の変化を効果的に抑制できる。
圧力検知素子１１０の動作時において、第１磁性層１１の磁化の方向が実質的に固定されている場合（第１磁性層１１がピン層である場合）、外部磁界Ｈ２は、例えば、５００エルステッド（Ｏｅ）以上である。
圧力検知素子１１０の動作時において、第１磁性層１１の磁化の方向が変化する（第１磁性層１１がフリー層である場合）、外部磁界Ｈ２は、例えば、１０Ｏｅ以上である。
外部磁界Ｈ２は、３０００Ｏｅ以下であることが好ましい。３０００Ｏｅを超えると、磁界印加部８３が大型化する。３０００Ｏｅ以下の外部磁界Ｈ２により、高温で応力が印加されたときの第１磁性層１１の磁化の方向の変化を十分に抑制できる。
外部磁界Ｈ２は、例えば、永久磁石により印加される。すなわち、磁界印加部８３には、永久磁石を用いることができる。永久磁石には、Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ磁石、フェライト磁石、サマリウムコバルト磁石、または、ネオジム磁石などを用いることができる。
外部磁界Ｈ２は、例えば、電磁石により印加される。すなわち、磁界印加部８３には、電磁石を用いることができる。電磁石は、四重極磁界発生コイルを含むことが好ましい。 本実施形態において、外部磁界Ｈ２の印加の方法は、任意である。
例えば、本実施形態において、接合工程における第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの接合は、例えば、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの間に第１導電性接着層（ＡＣＦまたはＡＣＰなど）を挿入して、加熱しつつ第１電極パッド５１と第１部分１０ａとに圧力８１ｆを印加して第１電極パッド５１と第１部分１０ａとを接合する。
例えば、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの接合は、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの間に第２導電性接着層を挿入して、加熱しつつ第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとに圧力８１ｆを印加して第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとを接合する。
導電性接着層を用いて圧力８１ｆを印加して接合することで、より確実な電気的特性が得られる。加熱しつつ圧力８１ｆを印加する接合工程において、外部磁界Ｈ２を印加することで、磁性層の磁化の方向の変化を抑制できる。
図７は、第１の実施形態に係る別の圧力検知素子のセンサ部の構成を例示する模式的断面図である。
図７は、図３（ｃ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。
図７に表したように、実施形態に係る別の圧力検知素子１１１のセンサ部４０においては、膜体３０の上に、第２電極２０の第３部分２０ａが設けられ、第３部分２０ａの上に第２磁性層１２が設けられ、第２磁性層１２の上に非磁性層１３が設けられ、非磁性層１３の上に第１磁性層１１が設けられ、第１磁性層１１の上に、第１電極１０の第２部分１０ｂが設けられている。このように、この例では、第３部分２０ａは、第２部分１０ｂと内側部３０ｃとの間に配置される。この場合も、第１電極１０の第１部分１０ａは、第１縁部３０ａの上に設けられ、第２電極２０の第４部分２０ｂは、第２縁部３０ｂの上に設けられている。このような圧力検知素子１１１においても、実施形態に係る製造方法を適用できる。これにより、高感度の圧力検知素子が製造できる。
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図８（ａ）に表したように、センサ部４０を第１ステージ８１の上に載せる。センサ部４０の第１縁部３０ａ及び第２縁部３０ｂを保持する。このとき、内側部３０ｃを撓ませて、センサ部４０を保持する場合もある。例えば、保持する工程は、第１縁部３０ａと第２縁部３０ｂとを保持しつつ内側部３０ｃを減圧吸着して内側部３０ｃを撓ませる。この例では、歪検知素子１５の第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、例えば、Ｚ軸方向に向いている。この例では、歪検知素子１５は、垂直磁化方式の素子である。この工程でセンサ部４０が加熱される場合は、磁界印加部８３により外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加する。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１に沿っている。
図８（ｂ）に表したように、実装基板５０を第２ステージ８２の上に載せる。実装基板５０の第１電極パッド５１の上に第１導電部材６１ａを配置する。第２電極パッド５２の上に第２導電部材６１ｂを配置する。
本実施形態においては、磁界印加部８３は、Ｚ軸方向の外部磁界Ｈ２を発生させる。磁界印加部８３のＳ極部８３ＳとＮ極部８３Ｎとの間に、実装基板５０が配置される。Ｓ極部８３Ｓは、Ｚ軸方向に沿って、Ｎ極部８３Ｎと対向する。
図８（ｃ）に表したように、センサ部４０の上下を反転させて、実装基板５０とセンサ部４０とを対向させる。第１電極１０の第１部分１０ａと、実装基板５０の第１電極パッド５１と、を近接させ、第２電極１０の第４部分２０ｂと、実装基板５０の第２電極パッド５２と、を近接させる。そして、加熱しつつ圧力８１ｆを印加して、第１部分１０ａと、第１電極パッド５１と、を第１導電部材６１ａを介して接合する。加熱しつつ圧力８１ｆを印加して、第４部分２０ｂと、第２電極パッド５２と、を第２導電部材６１ｂを介して接合する。
接合工程において、磁界印加部８３により、Ｚ軸方向に沿う外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加する。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向に沿う。これにより、第１磁性層１１に外部磁界Ｈ２が印加されている状態で、センサ部４０が加熱される。これにより、第１磁性層１１の磁化が、接合工程中に変化することが抑制できる。これにより、高感度の圧力検知素子を生産良く製造することができる。
実施形態においては、外部磁界Ｈ２は、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１に実質的に平行に設定され、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１に合わせて外部磁界Ｈ２を設定する。外部磁界Ｈ２の方向と、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１と、の間の角度の絶対値は、例えば、１０度以下である。
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
この例においては、バンプと熱硬化樹脂により接合が行われる。
図９（ａ）に表したように、センサ部４０を第１ステージ８１の上に載せる。センサ部４０の第１縁部３０ａ及び第２縁部３０ｂを保持する。このとき、内側部３０ｃを撓ませて、センサ部４０を保持する場合もある。例えば、保持する工程は、第１縁部３０ａと第２縁部３０ｂとを保持しつつ内側部３０ｃを減圧吸着して内側部３０ｃを撓ませる。この例では、歪検知素子１５の第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、例えば、Ｚ軸方向に対して垂直な方向に向いている。
この例では、この状態において、磁界印加部８３は、外部磁界Ｈ２を発生させる。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向に沿う。第１ステージ８１は、例えば１００℃以上１８０℃以下程度に加熱されている。この状態で、第１電極１０の第１部分１０ａの上に第１バンプ８７ａ（例えば金バンプ）を形成し、第２電極２０の第４部分２０ｂの上に第２バンプ８７ｂ（例えば金バンプ）を形成する。第１ステージ８１が加熱されているので、第１バンプ８７ａと第１部分１０ａとの間、第２バンプ８７ｂと第４部分２０ｂとの間において、良好な接続が得られる。
このように、バンプを形成する工程において、例えば、内側部３０ｃが撓んだ状態で高温になるが、外部磁界Ｈ２が印加されているため、第１磁性層１１の磁化が、接合工程中に変化することが抑制できる。
図９（ｂ）に表したように、実装基板５０を第２ステージ８２の上に載せる。実装基板５０の第１電極パッド５１の上に第１熱硬化樹脂層６４ａを配置する。第２電極パッド５２の上に第２熱硬化樹脂層６４ｂを配置する。この段階では、熱硬化樹脂層は十分には硬化していない。第１熱硬化樹脂層６４ａ及び第２熱硬化樹脂層６４ｂは絶縁性である。
図９（ｃ）に表したように、センサ部４０の上下を反転させて、実装基板５０とセンサ部４０とを対向させる。第１電極１０の第１部分１０ａと、実装基板５０の第１電極パッド５１と、を近接させ、第２電極１０の第４部分２０ｂと、実装基板５０の第２電極パッド５２と、を近接させる。第１バンプ８７ａは、第１熱硬化樹脂層６４ａを貫通して、第１電極パッド５１と接触する。第２バンプ８７ｂは、第２熱硬化樹脂層６４ｂを貫通して、第２電極パッド５２と接触する。そして、加熱しつつ圧力８１ｆを印加して、第１部分１０ａと、第１電極パッド５１と、を第１バンプ８７ａを介して接合する。加熱しつつ圧力８１ｆを印加して、第４部分２０ｂと、第２電極パッド５２と、を第２バンプ８７ｂを介して接合する。この加熱により第１熱硬化樹脂層８７ａ及び第２熱硬化樹脂層８７ｂが硬化し、接合の機械的強度が増す。
このように、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの接合は、第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの間に第１導電部材（第１バンプ８７ａ）と第１導電部材の周りに設けられた第１熱硬化樹脂層６４ａとを挿入して、加熱しつつ第１電極パッド５１と第１部分１０ａとに圧力を印加して第１電極パッド５１と第１部分１０ａとを接合することを含む。第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの接合は、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの間に第２導電部材（第２バンプ８７ｂ）と第２導電部材の周りに設けられた第２熱硬化樹脂層６４ｂとを挿入して、加熱しつつ第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとに圧力を印加して第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとを接合することを含む。
この接合工程においても、磁界印加部８３により、外部磁界Ｈ２をセンサ部４０に印加する。外部磁界Ｈ２の方向は、第１磁性層１１の磁化の方向に沿う。これにより、第１磁性層１１に外部磁界Ｈ２が印加されている状態で、センサ部４０が加熱される。これにより、第１磁性層１１の磁化が、接合工程中に変化することが抑制できる。これにより、高感度の圧力検知素子を生産良く製造することができる。
この例は、面内磁化方式の素子の場合であるが、垂直磁化方式の素子において、バンプと熱硬化樹脂により接合を行っても良い。この場合も、外部磁界Ｈ２は、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１に実質的に平行に設定され、その方向は、例えばＺ軸方向である。
本実施形態に係る製造方法の例について説明する。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
この例では、ワイヤボンディングを用いて接合が行われる。
図１０（ａ）に表したように、センサ部４０を第１ステージ８１上に配置する。
この例では、第１ステージ８１の上に実装基板５０が配置される。その実装基板５０の上にセンサ部４０が配置される。この例では、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、Ｘ軸方向に沿っている。センサ部４０は、例えば減圧吸着などにより保持され、例えばセンサ部４０は、撓んでいる。
第１ステージ８１には、磁界印加部８３が設けられる。磁界印加部８３による外部磁界Ｈ２は、Ｘ軸方向（すなわち、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１）に沿っている。第１ステージ８１には、配線材８６を供給するキャピラリ８５が設けられている。キャピラリ８５は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に可動である。配線材８６には、例えば、金線などが用いられる。
図１０（ｂ）に表したように、センサ部４０に外部磁界Ｈ２を印加しつつ、接合を行う。第１電極パッド５１と第１部分１０ａとの接合においては、第１電極パッド５１に第１配線部材８６ａ（配線材８６）を加熱して接合し、第１部分１０ａに第１配線部材８６ａを加熱して接合する。第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの接合においては、第２電極パッド５２に第２配線部材８６ｂ（配線材８６）を加熱して接合し、第４部分２０ｂに第２配線部材８６ｂを加熱して接合する。
このときも、第１配線部材８６ａ及び第２配線部材８６ｂの加熱による接合ときに、第１磁性層１１に熱と応力が加わる。このとき、本実施形態においては、外部磁界Ｈ２を印加することで、第１磁性層１１の磁化の方向が初期の方向から変化することが抑制できる。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図１１（ａ）に表したように、センサ部４０を第１ステージ８１上に配置する。
この例では、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、Ｚ軸方向に沿っている。磁界印加部８３による外部磁界Ｈ２は、Ｚ軸方向（すなわち、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１）に沿っている。
図１１（ｂ）に表したように、センサ部４０に外部磁界Ｈ２を印加しつつ、接合を行う。このときも、第１配線部材８６ａ及び第２配線部材８６ｂの加熱による接合ときに、第１磁性層１１に熱と応力が加わる。このとき、外部磁界Ｈ２を印加することで、第１磁性層１１の磁化の方向が初期の方向から変化することが抑制できる。
（第２の実施形態）
図１２は、第２の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
図１３は、第２の実施形態に係る圧力検知素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
図１２及び図１３に表したように、本実施形態に係る圧力検知素子の製造方法においては、センサ部４０をステージ（例えば第１ステージ８１）の上に配置する（ステップＳ２１０）。そして、電極パッドと、電極と、を接合する（ステップＳ２２０）。センサ部４０の構成、実装基板５０の工程は、第１の実施形態に関して説明したのと同様であるので、説明を省略する。
図１３に表したように、ステップＳ２２０では、センサ部４０に、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１（この例ではＸ軸方向）に沿う外部磁界Ｈ２を印加しつつ、接合を行う。この接合においては、実装基板５０の第１電極パッド５１とセンサ部４０の第１部分１０ａとの間に第１導電性接着層６３ａを挿入して、加熱しつつ第１電極パッド５１と第１部分１０ａとに圧力を印加して第１電極パッド５１と第１部分と第１導電性接着層６３ａを介して接合する。そして、第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとの間に第２導電性接着層６３ｂを挿入して、加熱しつつ第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとに圧力を印加して第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとを第１導電性接着層６３ｂを介して接合する。
例えば、センサ部４０を第１ステージ８１の上に配置するときに、センサ部４０が実質的に撓んでいない状態で配置することがある。このときにおいても、例えば、導電性接着層を用いて、加熱しつつ圧力を印加して接合する際には、第１磁性層１１に応力が加わり歪が生じる。このとき、外部磁界Ｈ２を印加することで、第１磁性層１１の磁化の方向が初期状態から変化することが抑制できる。
図１４は、第２の実施形態に係る圧力検知素子の別の製造方法を例示する模式的断面図である。
図１４に表したように、この例では、センサ部４０に、第１磁性層１１の磁化の方向Ｈ１は、Ｚ軸方向に沿っている。Ｚ軸方向に沿う外部磁界Ｈ２を印加しつつ、接合を行う。この接合においても、加熱しつつ圧力を印加して第１電極パッド５１と第１部分と第１導電性接着層６３ａを介して接合する。そして、加熱しつつ圧力を印加して第２電極パッド５２と第４部分２０ｂとを第１導電性接着層６３ｂを介して接合する外部磁界Ｈ２を印加することで、第１磁性層１１の磁化の方向が初期状態から変化することが抑制できる。
以下、実施形態に係るセンサ部４０の構成の例について説明する。
センサ部４０は、例えば、極薄磁性膜の積層膜で形成されるスピンバルブ膜を含む。スピンバルブ膜の抵抗は、外部磁界により変化する。抵抗の変化量は、ＭＲ変化率である。ＭＲ現象は、種々の物理的効果に起因する。ＭＲ現象は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ effect: Giant magnetoresistive effect）、または、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ: Tunneling magnetoresistive effect）に基づく。
スピンバルブ膜は、少なくとも２層の強磁性層が、スペーサ層を介して積層された構成を有する。スピンバルブ膜の磁気抵抗状態は、２つの強磁性層の磁化方向の相対的な角度によって決まる。例えば、２つの強磁性層の磁化が互いに平行状態のときは、スピンバルブ膜の抵抗は低い状態になる。反平行状態のときには、スピンバルブ膜の平行は、高い状態になる。２つの強磁性層の磁化どうしの角度が、中間的な角度の場合には、中間的な抵抗の状態が得られる。
少なくとも２層の磁性層のうち、磁化が容易に回転する磁性層は、例えば磁化自由層である。相対的に磁化が変化しにくい磁性層は、参照層である。
外部応力によっても磁性層の磁化方向は変化する。この現象を用いることで、スピンバルブ膜は、歪検知素子または圧力検知素子として用いることができる。歪みによる磁化自由層の磁化の変化は、例えば、逆磁歪効果に基づく。
磁歪効果は、磁性材料の磁化が変化したときに、磁性材料の歪みが変化する現象である。歪みの大きさは、磁化の大きさと方向に依存して変化する。歪みの大きさは、これらの磁化の大きさと方向のパラメータを通じて制御できる。印加する磁界の強度を増大したときに歪の量が飽和する歪の変化量は、磁歪定数λｓである。磁歪定数は、磁性材料固有の特性に依存する。磁歪定数（λｓ）は、外部磁界を印加して磁性層をある方向に飽和磁化させたときの形状変化の大きさを示す。外部磁界がない状態で長さＬであるときに、外部磁界が印加されたときにΔＬだけ変化したとすると、磁歪定数λｓは、ΔＬ／Ｌで表される。この変化量は外部磁界の大きさによって変わるが、磁歪定数λｓは、十分な外部磁界が印加され、磁化が飽和された状態のΔＬ／Ｌとしてあらわす。実施形態において、磁歪定数λｓの絶対値は、１０−５以上であることが好ましい。これにより、応力によって歪が効率的に生じ、圧力の検知感度が高まる。磁歪定数の絶対値は、例えば、１０−２以下である。この値は、磁歪効果を生じる実用的な材料の値の上限である。
磁歪効果の逆の現象として、逆磁歪効果がある。逆磁歪効果において、外部応力が印加されたときに、磁性材料の磁化が変化する。この変化の大きさは、外部応力の大きさ、及び、磁性材料の磁歪定数に依存する。磁歪効果と逆磁歪効果とは、物理的に互いに対称な効果であるため、逆磁歪効果の磁歪定数は、磁歪効果における磁歪定数と同じである。
磁歪効果及び逆磁歪効果において、正の磁歪定数と負の磁歪定数とがある。これらの定数は磁性材料に依存する。正の磁歪定数を有する材料の場合、磁化は、引っ張り歪みが印加された方向に沿うように、変化する。負の磁歪定数を有する材料の場合、磁化は、圧縮歪みが印加された方向に沿うように、変化する。
逆磁歪効果により、スピンバルブ膜の磁化自由層の磁化方向を変化させることができる。外部応力が印加されると、逆磁歪効果によって磁化自由層の磁化方向が変化するため、参照層と磁化自由層との相対的磁化角度に差が生じる。これによって、スピンバルブ膜の抵抗が変化する。これにより、スピンバルブ膜は、歪検知素子として用いることができる。
歪検知素子は、例えば、「メンブレン」の上に形成されている。メンブレンは、圧力から歪への変換を行う鼓膜のような役割を果たす。メンブレンの上に形成された歪検知素子が、歪みを読み取り圧力検知が可能になる。メンブレンには、例えば、単結晶Ｓｉ基板が用いられる。単結晶Ｓｉ基板の裏面からエッチングを行い、歪検知素子が配置されている部分を薄くする。これによりダイアフラムが形成される。ダイアフラムは、印加される圧力に応じて変形する。
例えば、ダイアフラム（例えば膜体３０）の第１主面３０ａをＸ−Ｙ平面に投影した形状が、幾何的等方形状である場合、幾何学的中心点付近では、ダイアフラム変位によって生ずる歪はＸ−Ｙ平面上で同一値になる。そのため、歪検知素子をダイアフラムの幾何学的中心点に配置すると、磁化の回転を引き起こす歪が等方的になってしまい、磁性層の磁化の回転が生じなく、素子の抵抗値変化も生じない。そのため、実施形態においては、歪検知素子は、ダイアフラムの幾何学的中心点に配置しないことが好ましい。例えば、ダイアフラムをＸ−Ｙ平面に投影したときの形状が円形である時、ダイアフラム変位により、円形の外周付近で最大の異方性歪が生じる。そのため、ダイアフラムの外周付近に歪検知素子を配置すると、圧力検知素子の感度が高くなる。
実施形態において、メンブレンには、例えば、Ｓｉを用いることができる。または、メンブレンは、曲がりやすい材料を用いたフレキシブル基板である。フレキシブル基板には、例えば、ポリマー材料などが用いられる。ポリマー材料として、例えば、アクリロニトリルブタジエンスチレン、シクロオレフィンポリマー、エチレンプロピレン、ポリアミド、ポリアミド-イミド、ポリベンジルイミダゾール、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエチレンエーテルケトン、ポリエチルイミド、ポリエチレンイミン、ポリエチレンナフタレン、ポリエステル、ポリサルフォン、ポリエチレンテレフタレート、フェノールホルムアルデヒド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、ポリオキシメチレン、ポリプロピレン、ｍ−フェニルエーテル、ポリｐ−フェニルサルファイド、ｐ−アミド、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリビニルクロライド、ポリテトラフルオロエテン、パーフルオロアルコキシ、フッ化エチレンプロピレン、ポリエチレンテトラフルオロエチレン、ポリエチレンクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、メラミンホルムアルデヒド、液晶性ポリマー、及び、尿素ホルムアルデヒドの少なくともいずれかを用いることができる。
図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、実施形態に係る圧力検知素子の構成及び特性を例示する模式的斜視図である。
図１５（ａ）は、素子部２５の構成を例示している。図１５（ｂ）は、応力が印加されていないときの歪検知素子１５の状態を例示している。図１５（ｃ）は、歪検知素子１５が正の磁歪定数を有するときに引っ張り応力が印加されたときの歪検知素子１５の状態を例示している。図１５（ｄ）は、歪検知素子１５が負の磁歪定数を有するときに引っ張り応力が印加されたときの歪検知素子１５の状態を例示している。
図１５（ａ）に表したように、第１電極１０の上に、第１磁性層１１（参照層）、非磁性層１３、第２磁性層１２（磁化自由層）及び第２電極２０が、この順に積層される。この例は、面内磁化方式である。第１磁性層１１の磁化の方向（及び、第２磁性層１２の磁化の方向）は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に実質的に平行である。実施形態はこれに限らず、第１磁性層１１の磁化の方向と、Ｘ−Ｙ平面（第１主面３０ｓ）に平行な方向と、の間の角度は、４５°よりも小さい。磁性層の磁歪定数が正である場合は、磁性層の磁化容易軸は、引っ張り応力が加わる方向に平行である。磁性層の磁歪定数が負である場合は、磁性層の磁化容易軸は、引っ張り応力が加わる方向に対して垂直である。
図１５（ｂ）に表したように、応力が印加されていないとき、第２磁性層１２（磁化自由層）の磁化の向きは、第１磁性層１１（参照層）の磁化の向きに対して、例えば平行である。この例では、磁化の向きは、Ｙ軸方向に沿う。
図１５（ｃ）に表したように、例えば、Ｘ軸方向に沿って引っ張り応力Ｆｓが印加されると、磁歪定数が正の逆磁歪効果により、Ｘ軸方向に向かって第２磁性層１２の磁化が回転する。第１磁性層１１の磁化が固定されていると、第２磁性層１２の磁化の向きと、第１磁性層１１の磁化の向きとの相対角度が変化する。相対角度の変化に応じて、歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。
図１５（ｄ）に表したように、例えば、Ｙ軸方向に沿って引っ張り応力Ｆｓが印加されると、磁歪定数が負の逆磁歪効果により、Ｘ軸方向に向かって第２磁性層１２の磁化が回転する。この場合も、引っ張り応力Ｆｓの印加により、第２磁性層１２の磁化の向きと、第１磁性層１１の磁化の向きとの相対角度が変化する。相対角度の変化に応じて、歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。
図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、実施形態に係る圧力検知素子の構成及び特性を例示する模式的斜視図である。
図１６（ａ）は、素子部２５の構成を例示している。図１６（ｂ）は、応力が印加されていないときの歪検知素子１５の状態を例示している。図１６（ｃ）は、歪検知素子１５が正の磁歪定数を有するときに引っ張り応力が印加されたときの歪検知素子１５の状態を例示している。図１６（ｄ）は、歪検知素子１５が負の磁歪定数を有するときに引っ張り応力が印加されたときの歪検知素子１５の状態を例示している。
図１６（ａ）に表したように、この例は、垂直磁化方式である。第１磁性層１１の磁化の方向（及び、第２磁性層１２の磁化の方向）は、例えば、Ｚ軸方向に実質的に平行である。実施形態はこれに限らず、第１磁性層１１の磁化の方向と、Ｘ−Ｙ平面（第１主面３０ｓ）に平行な方向と、の間の角度は、４５°よりも大きい。
図１６（ｂ）に表したように、応力が印加されていないとき、第２磁性層１２（磁化自由層）の磁化の向きは、第１磁性層１１（参照層）の磁化の向きに対して、例えば平行である。この例では、磁化の向きは、Ｙ軸方向に沿う。
図１６（ｃ）に表したように、例えば、Ｘ軸方向に沿って引っ張り応力Ｆｓが印加されると、磁歪定数が正の逆磁歪効果により、Ｘ軸方向に向かって第２磁性層１２の磁化が回転する。第２磁性層１２の磁化の向きと、第１磁性層１１の磁化の向きとの相対角度が変化する。相対角度の変化に応じて、歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。
図１６（ｄ）に表したように、例えば、Ｙ軸方向に沿って引っ張り応力Ｆｓが印加されると、磁歪定数が負の逆磁歪効果により、Ｘ軸方向に向かって第２磁性層１２の磁化が回転する。引っ張り応力Ｆｓの印加により、第２磁性層１２の磁化の向きと、第１磁性層１１の磁化の向きとの相対角度が変化する。相対角度の変化に応じて、歪検知素子１５の電気抵抗が変化する。
以下、面内磁化方式の構成の場合について、歪検知素子１５の構成の例について説明する。
例えば、第１磁性層１１が参照層である場合、第１磁性層１１には、例えば、ＦｅＣｏ合金、ＣｏＦｅＢ合金、または、ＮｉＦｅ合金等を用いることができる。第１磁性層１１の厚さは、例えば、２ｎｍ（ナノメートル）以上６ｎｍ以下である。
非磁性層１３には、金属または絶縁体を用いることができる。金属としては、例えば、Ｃｕ、ＡｕまたはＡｇ等を用いることができる。金属を用いる場合の非磁性層１３の厚さは、例えば１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。絶縁体としては、例えば、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３等）、チタン酸化物（ＴｉＯ等）、または、亜鉛酸化物（ＺｎＯ等）を用いることができる。絶縁体を用いる場合の非磁性層１３の厚さは、例えば０．６ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
第２磁性層１２が磁化自由層である場合、第２磁性層１２には、例えばＦｅＣｏ合金、または、ＮｉＦｅ合金等を用いることができる。この他、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ合金、λｓ＞１００ｐｐｍを示すＴｂ−Ｍ−Ｆｅ合金（Ｍは、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ）、Ｔｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金（Ｍ１は、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）、Ｆｅ−Ｍ３−Ｍ４−Ｂ合金（Ｍ３は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ、Ｍ４は、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ）、Ｎｉ、Ａｌ−Ｆｅ、または、フェライト（Ｆｅ３Ｏ４、（ＦｅＣｏ）３Ｏ４）など）などを用いることができる。第２磁性層１２の厚さは、例えば２ｎｍ以上である。
第２磁性層１２は、２層構造を有することができる。この場合、ＦｅＣｏ合金の層と、以下の層と、の積層膜を用いる。ＦｅＣｏ合金の層と積層される層は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ合金、λｓ＞１００ｐｐｍを示すＴｂ−Ｍ−Ｆｅ合金（Ｍは、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ）、Ｔｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金（Ｍ１は、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ）、Ｆｅ−Ｍ３−Ｍ４−Ｂ合金（Ｍ３は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ、Ｍ４は、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ）、Ｎｉ、Ａｌ−Ｆｅ、及び、フェライト（Ｆｅ３Ｏ４、（ＦｅＣｏ）３Ｏ４）など）などから選択される材料を用いる。
第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかの磁性層の磁化方向は、応力に応じて変化する。少なくともいずれかの磁性層（応力に応じて磁化方向が変化する磁性層）の磁歪定数の絶対値は、例えば、１０−５以上に設定する。これにより、逆磁歪効果によって、外部から加えられる歪に応じて磁化の方向が十分に変化する。
例えば、非磁性層１３としてＭｇＯのような酸化物を用いると、ＭｇＯ層上の磁性層は、一般には正の磁歪定数を有する。例えば、非磁性層１３の上に第２磁性層１２を形成する場合は、第２磁性層１２として、ＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／ＮｉＦeの積層構成の積層構成の磁化自由層を用いる。最上層のＮｉＦｅ層をＮｉリッチにすると、ＮｉＦｅの磁歪定数は負でその絶対値が大きくなる。酸化物層上の正の磁歪が打ち消されることを抑制するために、最上層のＮｉＦｅ層のＮｉ組成は、Ｎｉリッチにしない。具体的には、最上層のＮｉＦｅ層におけるＮｉの比率は、８０原子パーセント未満とすることが好ましい。第２磁性層１２を磁化自由層とする場合には、第２磁性層１２の厚さは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
第２磁性層１２が磁化自由層である場合において、第１磁性層１１は参照層でも磁化自由層でも良い。第１磁性層１１が参照層である場合、外部からの歪が加えられても第１磁性層１１の磁化の方向は、実質的に変化しない。第１磁性層１１の磁化の方向と第２磁性層１２の磁化の方向との間の相対磁化角度によって電気抵抗が変化する。
第１磁性層１１及び第２磁性層１２の両方が磁化自由層である場合には、例えば、第１磁性層１１の磁歪定数は、第２磁性層１２の磁歪定数とは異なる。
第１磁性層１１が参照層である場合も磁化自由層である場合も、第１磁性層１１の厚さは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
第１磁性層１１が参照層である場合、第１磁性層１１には、反強磁性層／磁性層／Ｒｕ層／磁性層の積層構造を用いたシンセティックＡＦ構造などを用いることができる。反強磁性層には、例えばＩｒＭｎなどが用いられる。第１磁性層１１が参照層である場合に、反強磁性層を用いる代わりに、第１磁性層１１に、ハード膜を用いる構成を適用しても良い。ハード膜には、例えば、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔなどが用いられる。
以下、垂直磁化方式の構成の場合について、歪検知素子１５の構成の例について説明する。
例えば、第１磁性層１１が参照層である場合、第１磁性層１１には、例えばＣｏＦｅ（２ｎｍ）／ＣｏＦｅＢ（１ｎｍ）の積層構成を用いることができる。ピニング層によって、磁化の方向は膜面方向に固定される。
非磁性層１３には、金属または絶縁体を用いることができる。金属としては、例えば、Ｃｕ、ＡｕまたはＡｇ等を用いることができる。金属を用いた場合の非磁性層１３の厚さは、例えば１ｎｍ以上７ｎｍ以下である。絶縁体としては、例えば、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３等）、チタン酸化物（ＴｉＯ等）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ等）を用いることができる。絶縁体を用いた場合の非磁性層１３の厚さは、例えば０．６ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
第２磁性層１２が磁化自由層である場合、第２磁性層１２は膜面垂直の磁化を有する。膜面垂直に磁化方向を向けるため、例えば、第２磁性層１２には、ＣｏＦｅＢ（１ｎｍ）／ＴｂＦｅ（３ｎｍ）などを用いることができる。ＭｇＯ上の界面にＣｏＦｅＢを用いることで、ＭＲ比を向上させることができる。しかしながら、ＣｏＦｅＢの単層では垂直磁気異方性を作ることが困難であるため、垂直磁気異方性を示す追加の層を用いる。この機能のため、例えば、ＴｂＦｅ層などが用いられる。Ｔｂが２０原子パーセント以上４０原子パーセント以下であると、ＴｂＦｅ層は垂直異方性を示す。こうした積層膜構成を用いることで、磁化自由層の全体の磁化の方向は、ＴｂＦｅ層による効果で、膜面垂直方向に向く。ＭｇＯ界面のＣｏＦｅＢ層の効果によって、大きなＭＲ変化率を維持することができる。ＴｂＦｅ層は、磁歪定数が正の非常に大きな値を有し、その値は、約＋１０−４である。この大きな磁歪定数により、磁化自由層の全体の磁歪定数を、＋１０−６以上の大きな値にすることが容易に実現できる。また、＋１０−５よりも大きな磁歪定数を得ることもできる。
ＴｂＦｅ層の場合は、膜面垂直に磁化方向が向いていることと、大きな磁歪定数を有することの２つの機能を発現させることが可能である。この材料を用いつつ、必要に応じて添加元素を加えても良い。
垂直磁気異方性を得るために、ＴｂＦｅ以外の材料を用いても良い。第２磁性層１２には、例えば、ＣｏＦｅＢ（１ｎｍ）／（Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｎｉ（１ｎｍ））×ｎ（ｎは２以上）を用いることができる。（Ｃｏ／Ｎｉ）多層膜は、垂直磁気異方性を発現する。Ｃｏ膜、および、Ｎｉ膜の厚さは、０．５ｎｍ以上２ｎｍ程度である。
磁化自由層の全体の磁歪定数の絶対値は、１０−６以上である。磁歪定数を高めるために、大きな磁歪定数を有するＦｅＳｉＢのような付加層が用いられる。ＦｅＳｉＢは正の大きな磁歪定数（約＋１０−４）を示すので、磁化自由層全体として正の大きな磁歪定数が得られる。ＣｏＦｅＢ（１ｎｍ）／（Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｎｉ（１ｎｍ））×ｎ／ＦｅＳｉＢ（２ｎｍ）のような構成を適応することもできる。
第２磁性層１２は、例えば、Ｍｐと、Ｍｌと、の積層膜が適用できる。Ｍｐは、垂直磁気異方性を示す磁性層であり、Ｍｌは大きな磁歪定数を示す磁性層である。第２磁性層１２には、Ｍｐ／Ｍｌ、Ｍｌ／Ｍｐ、Ｍｐ／ｘ／Ｍｌ、Ｍｌ／ｘ／Ｍｐ、ｘ／Ｍｌ／Ｍｐ、Ｍｌ／Ｍｐ／ｘ、ｘ／Ｍｐ／Ｍｌ、または、Ｍｐ／Ｍｌ／ｘのような多層膜を用いることができる。付加層ｘは、Ｍｌ及びＭｐだけで機能が充分でない場合に、必要に応じて用いることができる。たとえば、ＭＲ変化率を向上させるために、非磁性層１３との界面に設けられるｘ層として、ＣｏＦｅＢ層やＣｏＦｅ層などを用いることができる。
磁性層Ｍｐには、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ、（Ｃｏ／Ｐｄ）多層膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜、または（Ｃｏ／Ｉｒ）多層膜を用いることができる。ＴｂＦｅ及び（Ｃｏ／Ｎｉ）多層膜は、Ｍｐの機能を有する材料と見なすことができる。多層膜における層の数は、例えば、２以上１０である。
磁性層Ｍｌには、Ｎｉ、Ｎｉ合金（Ｎｉ９５Ｆｅ５のようなＮｉを多量に含む合金）、ＳｍＦｅ、ＤｙＦｅ、またはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉを含む磁性酸化材料を用いることができる。ＴｂＦｅ及び（Ｃｏ／Ｎｉ）多層膜は、Ｍｐとしての機能を有すると同時に、Ｍｌとしての機能も有する層としても用いることができる。また、ＦｅＳｉＢをベースとしたアモルファス合金層も用いることが可能である。Ｎｉ、Ｎｉリッチの合金、及び、ＳｍＦｅは、大きな負の磁歪定数を示す。この場合、磁化自由層の全体の磁歪の符号は負として機能させる。ＣｏＯｘ、ＦｅＯｘ、または、ＮｉＯｘ（０＜ｘ＜０．８）などのＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉを含む磁性材料の酸化物は、大きな正の磁歪定数を示す。この場合には、磁化自由層の全体の磁歪の符号は、正である。
膜面垂直な磁気異方性を発現させるために上記のようなＭｐ材料を用いることができるが、上述の非磁性層との界面に用いられるｘ層として考えられるＣｏＦｅＢ層でも、Ｍｐとして機能させることも場合によっては可能である。この場合、ＣｏＦｅＢ層の厚さを１ｎｍよりも薄くすることで、膜面垂直な磁気異方性を発現させることも可能となる。
面内磁化方式及び垂直磁化方式のいずれの場合にも、第１電極１０及び第２電極２０には、例えば非磁性体である、Ａｕ、Ｃｕ、ＴａまたはＡｌ等を用いることができる。第１電極１０及び第２電極２０には、軟磁性体の材料を用いることができる。これにより、歪検知素子１５に影響を及ぼす外部からの磁気ノイズを低減することができる。軟磁性体の材料としては、例えば、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）や珪素鋼（ＦｅＳｉ合金）を用いることができる。
歪検知素子１５の周囲は、絶縁層１４で囲まれている。絶縁層１４には、アルミニウム酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）またはシリコン酸化物（例えばＳｉＯ２）などが用いられる。絶縁層１４により、第１電極１０と第２電極２０とは、電気的に絶縁されている。
例えば、非磁性層１３が金属の場合は、ＧＭＲ効果が発現する。非磁性層１３が絶縁体の場合は、ＴＭＲ効果が発現する。歪検知素子１５においては、例えば、積層方向に沿って電流を流すＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane）−ＧＭＲ効果が用いられる。
実施形態によれば、高感度の圧力検知素子の製造方法が提供できる。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、圧力検知素子に含まれるセンサ部、電極、磁性層、非磁性層、歪検知素子、素子部、メンブレン、実装基板、電極パッド、導電部材及び導電性接着層など、並びに、製造装置に含まれるステージ及び磁界印加部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述し圧力検知素子の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての圧力検知素子の製造方法メモリも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…第１電極、 １０ａ…第１部分、 １０ｂ…第２部分、 １１…第１磁性層、 １２…第２磁性層、 １３…非磁性層、 １４…絶縁層、 １５…歪検知素子、 ２０…第２電極、 ２０ａ…第３部分、 ２０ｂ…第４部分、 ２５…素子部、 ３０…膜体、 ３０ａ…第１縁部、 ３０ｂ…第２縁部、 ３０ｃ…内側部、 ３０ｏ…凹部、 ３０ｓ…第１主面、 ３４…メンブレン、 ４０…センサ部、 ５０…実装基板、 ５１…第１電極パッド、 ５２…第２電極パッド、 ５３…基体、 ５３ｓ…第２主面、 ６１ａ…第１導電部材、 ６１ｂ…第１導電部材、 ６３ａ…第１導電性接着層、 ６３ｂ…第２導電性接着層、 ６４ａ…第１熱硬化樹脂層、 ６４ｂ…第２熱硬化樹脂層、 ８１…第１ステージ、 ８１ｆ…圧力、 ８１ｏ…開口部、 ８１ｖ…真空吸着、 ８２…第２ステージ、 ８３…磁界印加部、 ８３Ｎ…Ｎ極部、 ８３Ｓ…Ｓ極部、 ８５…キャピラリ、 ８６…配線材、 ８６ａ…第１配線部材、 ８６ｂ…第２配線部材、 ８７ａ…第１バンプ（第１導電部材）、 ８７ｂ…第２バンプ（第２導電部材）、 １１０、１１１…圧力検出素子、 Ｈ１…磁化の方向、 Ｈ２…外部磁界

Claims (11)

  1. 膜体と、前記膜体上に設けられた素子部と、を含み、前記素子部は、第１部分と第２部分とを有する第１電極と、第３部分と第４部分とを有する第２電極と、前記第２部分と前記第３部分との間に設けられ第１方向の磁化を有する第１磁性層と、前記第１磁性層と前記第３部分との間に設けられた第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性層と、を含み、前記膜体の歪みに応じて前記第１磁性層の磁化の方向と前記第２磁性層の磁化の方向との間の角度が変化するセンサ部と、基体と、前記基体上に設けられた第１電極パッドと、前記基体上に設けられ前記第１電極パッドと離間する第２電極パッドと、を含む実装基板と、を用意する工程と、
    前記センサ部に前記第１方向に沿う外部磁界を印加しつつ、前記第１電極パッドと前記第１部分とを加熱しつつ接合し、前記第２電極パッドと前記第４部分とを加熱しつつ接合する工程と、
    を備えた圧力検知素子の製造方法。
  2. 前記第１電極パッドと前記第１部分との接合は、前記第１電極パッドと前記第１部分との間に第１導電性接着層を挿入して、加熱しつつ前記第１電極パッドと前記第１部分とに圧力を印加して前記第１電極パッドと前記第１部分とを接合することを含み、
    前記第２電極パッドと前記第４部分との接合は、前記第２電極パッドと前記第４部分との間に第２導電性接着層を挿入して、加熱しつつ前記第２電極パッドと前記第４部分とに圧力を印加して前記第２電極パッドと前記第４部分とを接合することを含む請求項１記載の圧力検知素子の製造方法。
  3. 前記第１電極パッドと前記第１部分との接合は、前記第１電極パッドと前記第１部分との間に第１導電部材と前記第１導電部材の周りに設けられた第１熱硬化樹脂層とを挿入して、加熱しつつ前記第１電極パッドと前記第１部分とに圧力を印加して前記第１電極パッドと前記第１部分とを接合することを含み、
    前記第２電極パッドと前記第４部分との接合は、前記第２電極パッドと前記第４部分との間に第２導電部材と前記第２導電部材の周りに設けられた第２熱硬化樹脂層とを挿入して、加熱しつつ前記第２電極パッドと前記第４部分とに圧力を印加して前記第２電極パッドと前記第４部分とを接合することを含む請求項１記載の圧力検知素子の製造方法。
  4. 前記第１電極パッドと前記第１部分との接合は、前記第１電極パッドに第１配線部材を加熱して接合する工程と、前記第１部分に前記第１配線部材を加熱して接合する工程と、を含み、
    前記第２電極パッドと前記第４部分との接合は、前記第２電極パッドに第２配線部材を加熱して接合する工程と、前記第４部分に前記第２配線部材を加熱して接合する工程と、を含む請求項１記載の圧力検知素子の製造方法。
  5. 前記外部磁界は、前記第１磁性層の飽和磁界よりも大きい請求項１〜４のいずれか１つに記載の圧力検知素子の製造方法。
  6. 前記飽和磁界は、５００エルステッド以上である請求項５記載の圧力検知素子の製造方法。
  7. 前記外部磁界は、前記第１磁性層の交換結合磁界以上である請求項１〜６のいずれか１つに記載の圧力検知素子の製造方法。
  8. 前記交換結合磁界は、３０００エルステッド以上である請求項７記載の製造方法。
  9. 前記第１磁性層は、面内磁化膜である請求項１〜８のいずれか１つに記載の圧力検知素子の製造方法。
  10. 前記第１磁性層は、垂直磁化膜である請求項１〜８のいずれか１つに記載の圧力検知素子の製造方法。
  11. 前記膜体は、ポリマー材料を含む請求項１〜１０のいずれか１つに記載の圧力検知素子の製造方法。
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