JP5740268B2 - 表示装置 - Google Patents
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- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 178
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 397
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 35
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 24
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 MgO) Chemical compound 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229910018084 Al-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018192 Al—Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
- G06F3/04146—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position using pressure sensitive conductive elements delivering a boolean signal and located between crossing sensing lines, e.g. located between X and Y sensing line layers
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Description
本発明の別の実施形態によれば、表示装置は、複数の第1配線と、複数の第2配線と、複数のセンサ部と、制御部と、を含むタッチパネルを含む。前記複数の第1配線は、第1方向に沿って並ぶ。前記複数の第1配線のそれぞれは、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる。複数の第2配線は、前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ。前記複数の第2配線のそれぞれは、前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含む中間層と、を含む。前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能である。前記複数のセンサ部のそれぞれの一端は、前記複数の第1配線のそれぞれと接続される。前記複数のセンサ部のそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれと接続される。前記制御部は、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続される。前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化する。前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する。表示装置は、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、複数の表示用走査配線と、をさらに含む。前記複数の表示用走査配線は、前記第1方向に沿って並び、前記複数の表示用走査配線のそれぞれは前記第2方向に沿って延び、前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の表示用走査配線のそれぞれに接続され、前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれに接続されている。
本発明の別の実施形態によれば、表示装置は、複数の第1配線と、複数の第2配線と、複数のセンサ部と、制御部と、を含むタッチパネルを含む。前記複数の第1配線は、第1方向に沿って並ぶ。前記複数の第1配線のそれぞれは、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる。複数の第2配線は、前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ。前記複数の第2配線のそれぞれは、前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含む中間層と、を含む。前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能である。前記複数のセンサ部のそれぞれの一端は、前記複数の第1配線のそれぞれと接続される。前記複数のセンサ部のそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれと接続される。前記制御部は、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続される。前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化する。前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する。表示装置は、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、複数の表示用信号配線と、さらに含む。前記複数の表示用信号配線は、前記第3方向に沿って並び、前記複数の表示用信号配線のそれぞれ前記第4方向に沿って延び、前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の第1配線のそれぞれに接続され、前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の表示用信号配線のそれぞれに接続されている。
本発明の別の実施形態によれば、表示装置は、複数の第1配線と、複数の第2配線と、複数のセンサ部と、制御部と、を含むタッチパネルを含む。前記複数の第1配線は、第1方向に沿って並ぶ。前記複数の第1配線のそれぞれは、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる。複数の第2配線は、前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ。前記複数の第2配線のそれぞれは、前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられる。前記複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含む中間層と、を含む。前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能である。前記複数のセンサ部のそれぞれの一端は、前記複数の第1配線のそれぞれと接続される。前記複数のセンサ部のそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれと接続される。前記制御部は、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続される。前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化する。前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する。表示装置は、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、複数の表示用走査配線と、複数の表示用信号配線と、をさらに含む。前記複数の表示用走査配線は、前記第1方向に沿って並び、前記複数の表示用走査配線のそれぞれは前記第2方向に沿って延び、前記複数の表示用信号配線は、前記第3方向に沿って並び、前記複数の表示用信号配線のそれぞれは前記第4方向に沿って延び、前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の表示用走査配線のそれぞれに接続され、前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の表示用信号配線のそれぞれに接続されている。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係るタッチパネルの構成を例示する模式図である。
図1に表したように、本実施形態に係るタッチパネル310は、複数の第1配線110と、複数の第2配線120と、複数のセンサ部50と、制御部101と、を含む。
例えば、制御部101は、複数の第1配線110に接続された第1配線用回路110dと、複数の第2配線120に接続された第2配線用回路120dと、第1配線用回路110dと第2配線用回路120dとに接続された制御回路105と、を含む。
図2(a)に表したように、複数のセンサ部50のそれぞれは、第1強磁性層10と、第2強磁性層20と、中間層30と、を含む。中間層30は、非磁性材料を含む。中間層30を介して、第1強磁性層10と第2強磁性層20との間に電流が通電可能である。
これらの図は、センサ部50の状態を例示している。これらの図は、センサ部積層体における磁化の方向と、引っ張り応力の方向と、の関係を例示している。
図3(c)は、磁歪定数が負である場合の状態を例示している。この場合には、第2強磁性層20(磁化自由層)の磁化の方向は、引っ張り応力が加わる方向(この例ではX軸方向)に対して垂直な方向とは異なる方向に設定する。
この図には、第1強磁性層10(磁化固定層)の磁化の方向が一例として図示されており、磁化の方向は、この図に示した方向でなくても良い。
図4に表したように、センサ部50は可変抵抗として機能する。すなわち、センサ部50に一端50aと他端50bとの間の電気抵抗Rsは、高抵抗値Rhと低抵抗値Rlとの間で変化する。センサ部50に加わる応力に応じて、電気抵抗Rsが変化する。
図5(a)に示した例では、センサ部50において、下地層41、反強磁性層42、第1強磁性層10(磁化固定層)、中間層30、第2強磁性層20(磁化自由層)及び保護層43が、この順で積層されている。この構成は、例えば、ボトム型スピンバルブ膜と呼ばれる。
図6(a)は模式的平面図である。図6(b)は、図6(a)の一部PAの模式的断面図である。
図7は、第2の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式図である。
図7に表したように、本実施形態に係る表示装置320は、第1の実施形態に関して説明したタッチパネル310と、複数の第1トランジスタ61と、複数の画素電極65と、光学層70と、を含む。
図8は、表示装置320における表示動作DOを例示している。
第1トランジスタ61の第1ゲート61Gが第1配線110に接続されており、第1トランジスタ61の第1ドレイン61Dが画素電極に接続され、第1トランジスタ61の第1ソース61Sが第2配線120に接続されている。第1ゲート61G及び第1ソース61Sと並列に、センサ部50が接続されている。
図9は、表示装置320における検出動作SOを例示している。
検出動作SOにおいては、複数の第1配線110のうちの1つがロウ状態LLに設定されており、このときに、センサ部50を介して第2配線120と第1配線110との間に流れる電流(電流C50)が検出される。これにより、センサ部50の電気抵抗Rsが検出される。複数の第1配線110を順次走査し、選択することで、入力面(画面)の全体における検出が行われる。
図10(a)は、表示装置320における動作の例を示すタイムチャートである。図10(b)は、表示画面の駆動状態を例示する模式図である。
図11(a)は、表示装置320における別の動作の例を示すタイムチャートである。図11(b)は、表示画面の駆動状態を例示する模式図である。
図13(a)及び図13(b)は、第2の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的断面図である。
図13(a)は、図12のA1−A2線断面図である。図13(b)は、図12のB1−B2線断面図である。図12においては、図を見やすくするために、層間絶縁膜やパッシベーション膜などは省略されている。
図16(a)は、図12のA1−A2線断面に相当する断面図である。図16(b)は、図12のB1−B2線断面に相当する断面図である。
図17(a)は、図12のA1−A2線断面に相当する断面図である。図17(b)は、図12のB1−B2線断面に相当する断面図である。
これにより、簡単な構成により、より精度の高い検出がより安定して可能になる。
このように、突起部80(及びスペーサ80s)の構成は任意であり、種々の変形が可能である。
すなわち、図18は、本実施形態に係る別の表示装置325の構成を例示している。この例では、光学層70として、例えば有機発光層72が用いられる。すなわち、表示装置325は、タッチパネル機能を有する有機EL表示装置である。
図19は、表示装置325の3つの表示画素70eを例示している。図20は、図19のA1−A2線断面を例示している。
図21は、第3の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式図である。
図21に表したように、本実施形態に係る表示装置330は、第1の実施形態に関して説明したタッチパネル310と、複数の第1トランジスタ61と、複数の画素電極65と、光学層70と、に加え、複数の表示用走査配線111をさらに含む。
図22に表したように、本実施形態に係る別の表示装置331は、第1の実施形態に関して説明したタッチパネル310と、複数の第1トランジスタ61と、複数の画素電極65と、光学層70と、に加え、複数の表示用信号配線121をさらに含む。
図23に表したように、本実施形態に係る別の表示装置332は、第1の実施形態に関して説明したタッチパネル310と、複数の第1トランジスタ61と、複数の画素電極65と、光学層70と、に加え、複数の表示用走査配線111と、複数の表示用信号配線121と、をさらに含む。
Claims (14)
- 第1方向に沿って並ぶ複数の第1配線であって、前記複数の第1配線のそれぞれは前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1配線と、
前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ複数の第2配線であって、前記複数の第2配線のそれぞれは前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる複数の第2配線と、
それぞれが前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられた複数のセンサ部であって、複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含むの中間層と、を含み、前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能であり、一端が前記複数の第1配線のそれぞれと接続され、他端が前記複数の第2配線のそれぞれと接続された複数のセンサ部と、
前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続された制御部と、
を含み、
前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化し、
前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する、タッチパネルと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、
前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、
を備え、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の第1配線のそれぞれに接続され、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれに接続されている表示装置。 - 前記低抵抗値は、前記第1トランジスタの前記一端と前記他端との間が導通状態のときの前記第1トランジスタの前記一端と前記他端との間の電気抵抗よりも高く、
前記高抵抗値は、前記第1トランジスタの前記一端と前記他端との間が非導通状態のときの前記第1トランジスタの前記一端と前記他端との間の電気抵抗よりも低い請求項1記載の表示装置。 - 前記低抵抗値は、1メガオームよりも高く、
前記高抵抗値は、1テラオームよりも低い請求項1または2に記載の表示装置。 - 第1基板と、
前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面、及び、前記第2基板の前記第1基板に対向する面の少なくともいずれかに設けられた複数の突起部と、
をさらに備え、
前記タッチパネルと、前記複数の第1トランジスタと、前記複数の画素電極と、は、前記第1基板の前記第2基板に対向する前記面上に設けられ、
前記光学層は、前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、
前記複数の突起部のそれぞれは、前記第1方向と前記第2方向とを含む平面に対して垂直な方向から見たときに、前記センサ部と重なる部分を有し、
前記突起部は、前記第1基板及び前記第2基板へ加わる応力を前記センサ部に伝達する請求項1〜3のいずれか1つに記載の表示装置。 - 第1方向に沿って並ぶ複数の第1配線であって、前記複数の第1配線のそれぞれは前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1配線と、
前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ複数の第2配線であって、前記複数の第2配線のそれぞれは前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる複数の第2配線と、
それぞれが前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられた複数のセンサ部であって、複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含むの中間層と、を含み、前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能であり、一端が前記複数の第1配線のそれぞれと接続され、他端が前記複数の第2配線のそれぞれと接続された複数のセンサ部と、
前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続された制御部と、
を含み、
前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化し、
前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する、タッチパネルと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、
前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、
複数の表示用走査配線と、
を備え、
前記複数の表示用走査配線は、前記第1方向に沿って並び、前記複数の表示用走査配線のそれぞれは前記第2方向に沿って延び、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の表示用走査配線のそれぞれに接続され、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の第2配線のそれぞれに接続されている表示装置。 - 第1方向に沿って並ぶ複数の第1配線であって、前記複数の第1配線のそれぞれは前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1配線と、
前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ複数の第2配線であって、前記複数の第2配線のそれぞれは前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる複数の第2配線と、
それぞれが前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられた複数のセンサ部であって、複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含むの中間層と、を含み、前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能であり、一端が前記複数の第1配線のそれぞれと接続され、他端が前記複数の第2配線のそれぞれと接続された複数のセンサ部と、
前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続された制御部と、
を含み、
前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化し、
前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する、タッチパネルと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、
前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、
複数の表示用信号配線と、
をさらに備え、
前記複数の表示用信号配線は、前記第3方向に沿って並び、前記複数の表示用信号配線のそれぞれ前記第4方向に沿って延び、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の第1配線のそれぞれに接続され、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の表示用信号配線のそれぞれに接続されている表示装置。 - 第1方向に沿って並ぶ複数の第1配線であって、前記複数の第1配線のそれぞれは前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1配線と、
前記第1方向と交差する第3方向に沿って並ぶ複数の第2配線であって、前記複数の第2配線のそれぞれは前記第3方向と交差する第4方向に沿って延びる複数の第2配線と、
それぞれが前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とのそれぞれの交差部に設けられた複数のセンサ部であって、複数のセンサ部のそれぞれは、第1強磁性層と、第2強磁性層と、非磁性材料を含むの中間層と、を含み、前記中間層を介して前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に電流が通電可能であり、一端が前記複数の第1配線のそれぞれと接続され、他端が前記複数の第2配線のそれぞれと接続された複数のセンサ部と、
前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とに接続された制御部と、
を含み、
前記センサ部の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電気抵抗は、前記センサ部に加わる応力に応じて高抵抗値と前記高抵抗値よりも低い低抵抗値との間で変化し、
前記制御部は、前記センサ部における前記電気抵抗の変化を検出する、タッチパネルと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられた複数の第1トランジスタと、
それぞれが前記交差部のそれぞれに設けられ、前記複数の第1トランジスタの一端と直接または間接に接続された複数の画素電極と、
前記第1トランジスタを介して前記画素電極に供給された電荷に基づいて、光を放出する、及び、複屈折性、旋光性、散乱性、回折性及び吸収性の少なくともいずれかを含む光学特性が変化する光学層と、
複数の表示用走査配線と、
複数の表示用信号配線と、
を備え、
前記複数の表示用走査配線は、前記第1方向に沿って並び、前記複数の表示用走査配線のそれぞれは前記第2方向に沿って延び、
前記複数の表示用信号配線は、前記第3方向に沿って並び、前記複数の表示用信号配線のそれぞれは前記第4方向に沿って延び、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれのゲートは、前記複数の表示用走査配線のそれぞれに接続され、
前記複数の第1トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の表示用信号配線のそれぞれに接続されている表示装置。 - 前記第1強磁性層から前記第2強磁性層に向かう積層方向に対して垂直な第1軸に沿った前記センサ部の長さは5マイクロメートル以下であり、前記積層方向に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第2軸に沿った前記センサ部の長さは5マイクロメートル以下である請求項1〜7のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記第1方向と前記第2方向とを含む平面内における前記複数のセンサ部のそれぞれの面積は、前記平面内における前記複数の画素電極のそれぞれの面積の5%以下である請求項1〜8のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記光学層は、液晶を含む請求項1〜9のいずれか1つに記載の表示装置。
- 複数の第3配線と、
複数の第2トランジスタと、
をさらに備え、
前記複数の第2トランジスタのそれぞれのゲートは、前記第1トランジスタのそれぞれの前記一端と接続され、
前記複数の第2トランジスタのそれぞれの一端は、前記複数の画素電極のそれぞれと接続され、
前記複数の第2トランジスタのそれぞれの他端は、前記複数の第3配線のそれぞれと接続され、
前記光学層は、有機発光材料を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層の少なくともいずれかは、Fe、Co及びNiの少なくともいずれかを含み、
前記中間層は、Mg、Al及びTiの少なくともいずれかの酸化物、並びに、Mg、Al及びTiの少なくともいずれかの窒化物の少なくともいずれかを含む請求項1〜11のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記中間層の厚さは、1ナノメートル以上3ナノメートル以下である請求項1〜12のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層の少なくともいずれかの強磁性層の磁化方向は、前記応力に応じて変化し、前記少なくともいずれかの強磁性層の磁歪定数の絶対値は、10−5以上である請求項1〜13のいずれか1つに記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211211A JP5740268B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 表示装置 |
US13/479,861 US8933909B2 (en) | 2011-09-27 | 2012-05-24 | Touch panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211211A JP5740268B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013073374A JP2013073374A (ja) | 2013-04-22 |
JP5740268B2 true JP5740268B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=47910759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011211211A Active JP5740268B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8933909B2 (ja) |
JP (1) | JP5740268B2 (ja) |
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JP5235964B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、歪検知素子装置、および血圧センサ |
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JP6190226B2 (ja) | 2013-09-20 | 2017-08-30 | 株式会社東芝 | 慣性センサ |
JP6327821B2 (ja) | 2013-09-20 | 2018-05-23 | 株式会社東芝 | 音響センサ及び音響センサシステム |
JP2015061057A (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6196557B2 (ja) | 2014-01-20 | 2017-09-13 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、加速度センサ及び圧力センサの製造方法 |
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2011
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US20130076687A1 (en) | 2013-03-28 |
US8933909B2 (en) | 2015-01-13 |
JP2013073374A (ja) | 2013-04-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140930 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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