KR102259417B1 - 폴더블 터치 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고수명 터치 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 본 발명의 터치 패널은 기판의 화면영역 상에 투명 전도성 물질로 이루어진 감지전극 패턴, 및 상기 기판의 베젤영역 상에 상기 투명 전도성 물질과 불투명 배선 물질의 2층막 구조로 이루어진 배선 패턴을 포함하고, 상기 배선 물질은 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하고, 적어도 상기 배선 물질에서 Ni의 조성비 25~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 갖는다. 본 발명의 터치 패널에 따르면, 환경 변화에 대해 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없이 안정적인 터치 동작을 위한 긴 수명을 유지할 수 있다.

Description

폴더블 터치 패널 및 그 제조방법{Foldable Touch Panel And Manufacturing Methods Thereof}

본 발명은 터치 패널 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 긴 수명의 안정적인 터치 동작을 위한 터치 패널 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.

기존의 물리적 방식의 입력 장치인 키보드(keyboard)를 대체하는 가상의 입력 장치인 터치스크린이 스마트폰, 태블릿 PC(Personal Computer), ATM(Automated Teller Machine) 기기 등에 일반적으로 사용되고 있다. 터치스크린을 위한 터치 패널은 손가락 끝이나, 스타일러스 펜의 접촉 위치를 검출하기 입력 장치로서, 구조 및 검출 방식에 따라 저항막, 정전용량, 초음파, 광학 방식 등의 터치 패널로 구분될 수 있다. 이러한 방식들 중에서 정확도, 내구성, 투과율, 안정성, 분해능 특성이 우수한 정전용량 방식 터치 패널이 주류를 이루고 있다.

이러한 정전 용량 방식의 터치 패널은 일반적으로 PET(Polyethylene Terephthalate) 또는 COP(Cyclo Olefin Polymer) 기판 위에 스퍼터링 방법을 통해서 형성된 인듐, 주석의 산화막인 ITO(indium tin oxide) 박막 또는 은 나노 전선 또는 메탈 메쉬 등을 터치 감지 전극 물질로 사용을 하고, 은(Ag) 페이스트를 스크린 프린팅 방법으로 배선 전극을 형성하거나, 스퍼터링 방법으로 동, 니켈, 은, 크롬, 몰리브데늄 등의 물질이 함유된 박막을 배선 전극 물질로 사용하고 있다. 이러한 터치 패널이 LCD(Liquid Crystal Display) 혹은 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 디스플레이 패널 위에 장착되는 터치스크린 모듈로 사용되고 있다.

최근에는 스크린을 접거나 구부릴 수 있는 플렉시블(flexible) 또는 폴더블(foldable) 터치 스크린 모듈에 대해서 관심이 집중되고 있는 상황이다. 이러한 폴더블 터치 패널의 경우 접거나 구부러지지 않는 일반 터치 패널에 비해서 훨씬 더 가혹적인 환경에서 성능 구현이 필요하다. 폴더블 터치 패널의 경우 수만 내지 수십만 회의 반복적인 접었다 폈다 하는 사용으로 인해 터치 감지 전극 물질 및 배선 전극 물질들이 가혹한 환경에 노출되게 된다. 특히, 배선 전극 물질의 경우 이러한 가혹 사용 조건에 견디기 위해서 내구성, 연성, 내열성 등의 특성을 확보해야만 안정적인 터치 동작의 구현이 가능해진다.

그러나, 종래의 기술로 제조되는 터치 패널의 경우 가혹한 환경에 노출시 이와 같이 전극 물질의 연성, 내열성 등의 특성이 떨어짐으로 인해 터치 기능의 오작동 내지 불량이 발생하게 되므로, 이에 대한 개선이 요구된다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 환경 변화에 대해 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없이 안정적인 터치 동작을 위한 긴 수명을 유지하면서 폴딩 특성이 우수한 터치패널 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 터치 패널은, 기판의 화면영역 상에 투명 전도성 물질로 이루어진 감지전극 패턴; 및 상기 기판의 베젤영역 상에 상기 투명 전도성 물질과 불투명 배선 물질의 2층막 구조로 이루어진 배선 패턴을 포함하고, 상기 배선 물질은 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하며, 적어도 상기 배선 물질에서 Ni의 조성비 25~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함한다.

그리고, 본 발명의 다른 일면에 따른 터치패널의 제조 방법은, 기판 상에 투명 전도성 물질과 불투명 배선 물질의 2층막을 순차 적층하는 단계; 화면영역과 베젤영역에 대한 상기 2층막의 패터닝을 수행하는 단계; 및 상기 화면영역에 남아있는 배선 물질을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 화면영역에 최종적으로 남아있는 투명 전도성 물질로 이루어진 감지전극 패턴을 형성하고, 상기 베젤영역에 최종적으로 남아있는 상기 2층막 구조의 배선 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 상기 배선 물질은 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하며, 상기 배선 물질에서 Ni의 조성비 20~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함한다.

상기 배선 물질은 Co, C, Si 및 Mn 성분 중 어느 한 성분 이상을 더 포함할 수 있다.

상기 배선 물질은 Ni 및 Fe 성분으로 이루어지고, Ni의 조성비 34~44at% 및 Fe의 조성비 56~66at%를 포함할 수 있다.

상기 배선 물질은 Ni, Fe, Co 및 C 성분으로 이루어지고, Ni의 조성비 29~35at% 및 Fe의 조성비 57~63at%를 포함할 수 있다.

상기 배선 물질은 Ni, Fe, Co, C, Si 및 Mn 성분으로 이루어지고, Ni의 조성비 27~33at% 및 Fe의 조성비 51~56at%를 포함할 수 있다.

상기 배선 물질의 두께는 0.01 ~ 10μm일 수 있고, 상기 배선 물질의 면저항은 0.01~30Ω/sq일 수 있으며, 상기 배선 물질의 열팽창 계수는 20~100℃ 온도 범위에서 5ppm/℃ 이하일 수 있다.

본 발명에 따르면, 정전 용량 터치 패널의 구성 요소들 중 전극, 특히 배선 전극 부위에 온도, 습도 등과 같은 환경 변화에 대해 안정적인 물질을 적용함으로써, 환경 변화 발생시 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없이 안정적인 터치 동작을 위한 긴 수명을 유지할 수 있게 한다.

또한, 벤딩, 폴딩이 많이 사용되는 플렉시블(Flexible) 또는 폴더블(foldable) 터치 패널에 있어서도, 온도 및 물성 변화 특성이 적은 배선 전극 물질을 적용함으로써, 우수한 플렉시블 기능 구현이 가능한 터치 패널을 제공할 수 있다.

나아가, 열적 변형 특성이 우수한 배선 전극 물질 적용을 통해, 잔류 응력이 적게 발생하여 배선 전극 부위의 밀착력 특성이 우수해짐으로 인해, 신뢰성이 우수한 터치 패널 제작이 가능해, 긴 수명을 가질 수 있는 터치 패널의 제작이 가능해진다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 터치 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정흐름 상의 기판의 단면도이다.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상술한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 터치 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정흐름 상의 기판의 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 터치 패널은 도 1의 공정에 따라 최종적으로, 도 1의 (i)와 같이, 기판(10)의 화면영역(50) 상에 투명 전도성 물질(20)로 이루어진 감지전극 패턴(20b), 및 기판(10)의 베젤(besel) 영역(60) 상에 투명 전도성 물질(20)과 불투명 배선 물질(30)의 2층막 구조로 이루어진 배선 패턴(40)을 포함한다. 배선 물질(30)은, 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하고, 배선 물질(30)에서 적어도 Ni의 조성비 25~50 at%(Atomic Percentage) 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함한다. 이와 같은 배선 물질(30)의 형성 방식은, 벤딩, 폴딩 등 물리적 환경 변화, 온도, 습도 등 화학적 환경 변화에 따라 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없고 열팽창 계수의 변화가 크지 않도록 할 수 있다.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 터치 패널의 제조 방법을 좀 더 자세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 터치 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정흐름 상의 기판의 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 터치 패널의 제조 방법은, 기본적으로, 기판(10) 상에 투명 전도성 물질(20)과 불투명 배선 물질(30)의 2층막을 순차 적층하는 단계(도 1의 (a),(b)), 화면영역(50)과 베젤영역(60)에 대한 상기 2층막의 패터닝을 수행하는 단계(도 1의 (c),(d),(e),(f)), 및 상기 화면영역(50)에 남아있는 배선 물질(31)을 제거하는 단계(도 1의 (g),(h),(i))를 포함한다. 이에 따라 도 1의 (i)와 같이, 기판(10)의 화면영역(50) 상에 최종적으로 남아있는 투명 전도성 물질(20)로 이루어진 감지전극 패턴(20b), 및 기판(10)의 베젤영역(60) 상에 최종적으로 남아있는 투명 전도성 물질(20)과 불투명 배선 물질(30)의 2층막 구조로 이루어진 배선 패턴(40)을 완성할 수 있다.

이를 위하여, 먼저, 기판(10) 상에 투명 전도성 물질(20)을 형성한다(도 1의 (a)). 기판(10)은 유리(예, 알루미나규산염 유리, 소다 석회 유리 등), 석영 등 강성의 투명 기판일 수도 있고, 플렉서블 또는 폴더블 터치스크린(예, 정전 용량 방식 등)에 적용을 위하여 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PI(Polyimide), PC(Poly Carbonate), COP(cyclo olefin polymer), PP(poly propylene), CPI(colorless Polyimide) 필름 등 형태일 수도 있다. 필름 형태는 이축 연신 방법 또는 액상의 코팅액을 이용하여 형성된 것일 수 있다.

투명 전도성 물질(20)은, 인듐 주석 산화물 (ITO, indium tin oxide), 비소 주석 산화물 (ATO, antimony tin oxide), 불소 함유 주석 산화물 (FTO, fluorine-doped tin oxide), 아연 주석 산화물 (ZTO, zinc tin oxide), 주석산화물(SnO₂), PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브 (CNT, carbon nanotube), 은나노와이어(Ag Nano Wire), 그래핀 (graphene) 또는 이들의 혼합 물질로 이루어질 수 있다.

예를 들어, 91%의 투과율을 가지는 6μm 두께의 PET 필름 상에 DC 스퍼터링 방법을 통해 인듐 주석 산화물 (ITO)을 두께 500Å로 형성한 경우, 면저항 50Ω/sq 의 투명 전도성 물질(20) 박막을 획득할 수 있었다.

다음에, 투명 전도성 물질(20)이 형성된 기판(10) 상에 불투명 배선 물질(30)을 형성하여 적층한다(도 1의 (b)).

위와 같은 투명 전도성 물질(20) 및 불투명 배선 물질(30)은 물리적 기상 증착, 화학적 기상 증착, 원자층 증착, 전해 도금, 무전해 도금 방식, 스핀 코팅법, 그래비어 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 실크 스크린 인쇄법 등으로 증착 또는 적층될 수 있다. 여기서, 물리적 기상 증착 방식은, DC(Direct Current) 스퍼터링, 고주파(RF, Radio Frequency) 스퍼터링, MF(Mid-frequency) 스퍼터링, 이온빔(Ion beam) 스퍼터링, 레이저 유도(laser induced) 증착, 전자빔(E-beam) 증발 방식 등을 포함한다. 또한, 화학적 기상 증착 방식은, APCVD(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 방식 등을 포함한다.

다음에, 화면영역(50)과 베젤영역(60)에 대한 투명 전도성 물질(20) 및 불투명 배선 물질(30)이 적층된 2층막을 패터닝하기 위하여, 먼저, PR(Photoresist, 포토레지스트)을 도포한다(도 1의 (c)). 이때 PR 막의 두께는 1~2㎛의 두께 정도를 가지도록 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 슬릿 코팅, 콤마 코팅 등의 방법으로 PR 코팅이 이루어질 수 있다. 이 후 소정의 노광 마스크를 이용한 노광 공정으로 필요한 부분만 PR이 남도록 처리한 후, 습식 또는 건식 식각법을 이용하여 오픈된 영역의 상층부의 배선 물질(30)을 먼저 식각하여 패터닝된 배선 물질(30a)을 형성한다(도 1의 (d)). PR은 포지티브형 또는 네가티브형 어느 것이든 무관하며, 또한, PR은 노광 후 바로 현상을 실시하는 광반응형일 수도 있고, 또한 노광을 실시한 후 베이킹 공정을 실시하여, 광반응이 촉진되는 화학증폭형일 수도 있다.

이후 습식 또는 건식 식각법을 이용하여 다시 한번 더 오픈된 영역의 투명 전도성 물질(20)을 식각하여 패터닝된 투명 전도성 물질(20a)을 형성한다(도 1의 (e)). 투명 전도성 물질(20) 및 불투명 배선 물질(30)의 2층막에 대한 패터닝을 위한 식각이 완성되면 패터닝된 투명 전도성 물질(20a)과 배선 물질(30a) 위에 남아 있는 PR을 제거한다(도 1의 (f)).

이후 화면영역(50)이 될 부분에 남아있는 불투명 배선 물질(31)을 제거하기 위하여, 먼저, 위와 같이 형성된 투명 전도성 물질(20) 및 불투명 배선 물질(30)의 2층막에 대한 패턴이 있는 기판(10) 위의 전면에 위와 같은 방법으로 다시 PR을 도포한다(도 1의 (g)). 이 후 소정의 노광 마스크를 이용한 노광 공정으로 베젤영역(60) 부분을 충분히 포함하는 영역에만 PR을 남기고 화면영역(50)의 PR은 제거되도록 위에서 기술한 바와 같은 방법으로 처리한다(도 1의 (h)). 다음에 습식 또는 건식 식각법을 이용하여 오픈된 영역의 배선 물질(31)만을 식각으로 제거하고 베젤영역(60)만 남아 유지되는 배선 물질(30b)을 형성하고 남아 있는 PR을 제거함으로써 완성한다(도 1의 (i)). 이와 같이 화면영역(50)이 될 부분에 남아있는 불투명 배선 물질(31)이 제거되면, 화면영역(50)에는 기판(10) 상에 감지전극 패턴이 되는 투명 전도성 물질(20b)만이 남게 된다.

위와 같은 투명 전도성 물질(20, 20a, 20b) 및 불투명 배선 물질(30, 30a, 30b)은 노광 공정 기반으로 또는 인쇄법 등을 이용하여 패턴 선폭 (CD, Critical Dimension)을 10㎛이하 수준으로 형성하여 메탈메쉬(metal mesh), 즉, 투광성을 가진 초미세 금속망 패턴 형태가 되도록 할 수도 있다.

특히, 불투명 배선 물질(30, 30a, 30b)은, 벤딩, 폴딩 등 물리적 환경 변화, 온도, 습도 등 화학적 환경 변화에 따라 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없고 열팽창 계수의 변화가 크지 않도록, 형성된다. 이를 위하여 불투명 배선 물질(30, 30a, 30b)은, 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하고, 배선 물질(30, 30a, 30b)에서 적어도 Ni의 조성비 25~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함한다. 배선 물질(30, 30a, 30b)은, Ni 및 Fe 성분만으로 이루어질 수도 있고, 환경 변화에 따라 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없고 열팽창 계수의 변화가 크지 않도록 하기 위하여, Co, C, Si 및 Mn 성분 중 어느 한 성분 이상을 더 포함할 수도 있다.

예를 들어, 배선 물질(30, 30a, 30b)은 Ni 및 Fe 성분만으로 이루어질 수 있고, 이 경우에 Ni의 조성비 34~44at% 및 Fe의 조성비 56~66at%일 수 있다.

또한, 예를 들어, 배선 물질(30, 30a, 30b)은 Ni, Fe, Co 및 C 성분으로 이루어질 수 있고, 이 경우에 Ni의 조성비 29~35at% 및 Fe의 조성비 57~63at%일 수 있다.

또한, 예를 들어, 배선 물질(30, 30a, 30b)은 Ni, Fe, Co, C, Si 및 Mn 성분으로 이루어질 수 있고, 이 경우에 Ni의 조성비 27~33at% 및 Fe의 조성비 51~56at%일 수 있다.

이와 같은 배선 물질(30, 30a, 30b)의 두께는 0.01 ~ 10μm일 수 있으며, 그 면저항은 0.01~30Ω/sq일 수 있다. 배선 물질(30, 30a, 30b)의 열팽창 계수는 20~100℃ 온도 범위에서 5ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.

<제작 샘플의 성능 비교>

예를 들어, 본 발명에 따라, 91%의 투과율을 가지는 6μm 두께의 PET 필름 상에 DC 스퍼터링 방법을 통해 인듐 주석 산화물 (ITO)을 두께 500Å로 형성한 경우, 면저항 50Ω/sq의 투명 전도성 물질(20) 박막을 획득할 수 있었다. 배선 물질(30)의 경우 Ni 및 Fe로 구성이 되도록 DC 스퍼터링 방법을 통해 형성한 경우, 박막의 두께는 0.4 ㎛이고 면저항은 2Ω/sq의 특성을 나타내고, Auger 분광기 분석 결과 Ni이 36at%, Fe가 64at%로 분석되었다. 이때, 이와 같은 배선 물질(30)이 적용된 본 발명의 터치 패널 샘플에서는 열평창계수가 2ppm/℃로 측정이 되었고, 터치 스크린에 적용 시 민감도(Sensitivity), 위치입력 정확도(Position Accuracy), 지터링(Jittering) 등의 성능이 우수함을 확인하였다.

이와 같은 본 발명의 터치 패널 샘플과 비교하기 위한 비교 샘플 #1은, 배선 물질(30) 박막을 Cu로 형성하되 그 두께를 0.2㎛로 형성하였고, 면저항은 0.2 Ω/sq으로 측정되다. 이와 같은 비교 샘플 #1의 터치 패널에서는, 열팽창계수가 15ppm/℃으로 나타났다.

다음으로, 본 발명의 터치 패널 샘플과 비교하기 위한 비교 샘플 #2은, 아래의 [표1]과 같이, 배선 물질(30) 박막을 Ni 및 Fe로 구성이 되도록 제작하되 그 조성비에 따라 비교 샘플 #2-1, #2-2, #2-3, #2-4로 구분하였다.

[표 1]

위와 같은 비교 샘플 #1, 및 비교 샘플 #2-1, #2-2, #2-3, #2-4에서, 공통적으로, 온도가 상승함에 따라 배선 물질(30)의 열팽창이 발생하게 됨으로 인해, 온도에 따른 채널 저항의 변화가 발생하게 되어 각각에서 설정된 터치 구동 잡음의 발생으로 터치 성능의 오동작이 발생함을 확인할 수 있었다. 반면, 본 발명의 터치 패널 샘플의 경우에는, 온도에 따른 채널 저항의 변화량이 작음으로 인해 터치 작동 범위 내의 터치 구동 잡음만이 발생하여 온도 등 환경 변화에 따른 터치 오작동의 발생이 없음을 확인할 수 있었다.

다음으로 폴딩 적용에 따른 터치 성능의 평가를 실시하였다. 곡률 반경은 1R(반지름 1mm)로 적용을 실시하였고, 디스플레이가 안쪽으로 접히는 인폴딩(in-folding) 방식의 폴딩을 실시하였다. 폴딩은 20만회 이상 반복 실시하였다. 20만회 이상 반복 폴딩 실시결과, 본 발명의 터치 패널 샘플의 경우에는, 터치 구동에 문제가 없고 터치 성능의 저하가 없었지만, 비교 샘플 #1, 및 비교 샘플 #2-1, #2-2, #2-3, #2-4에서는, 20만회 폴딩 실시후 터치 오동작이 발생하거나 터치 감도의 저하가 발생하는 것이 관측되었다.

이는 비교 샘플 #1의 경우 열팽창계수가 큰 Cu 물질을 적용됨으로 인해 반복적인 폴딩 수행시 미세하게 발생되는 열에너지로 인해 배선 전극의 미세 변화가 발생하게 되어 채널 저항의 변화가 발생하게 됨으로써 터치 기능이 오동작이나 저하가 발생한 것으로 나타났다. 또한 비교 샘플 #2-1, #2-2, #2-3, #2-4의 경우에, 본 발명의 터치 패널 샘플처럼 Ni 및 Fe를 함유하고 있지만, Ni 및 Fe의 조성비가 특정 범위를 벗어나게 되면 열팽창 계수의 특성이 나빠지게 되어 우수한 터치 패널의 성능 구현이 어렵다는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명의 터치 패널 샘플의 경우 열적 변형 특성을 최소화하기 위해 Ni 및 Fe 조성비가 특정되어 함유된 배선 물질(30)을 전극 배선에 적용함으로써 폴딩 반복이 20만회 이상 되어도 배선 전극의 저항 변화량 등이 최소화되어 터치 기능이 유지가 된 것으로 나타났다.

본 발명에 따른 Ni 및 Fe를 포함하는 배선 물질(30)은 터치 패널에만 적용이 한정되는 것은 아니며, 터치를 감지하는 위와 같은 터치 센서에만 국한되지 않고, 압력을 감지하는 압력 센서, 온도를 감지하는 온도 센서, 지문을 인식할 수 있는 지문 센서 등에도 다양하게 적용되어 다양한 환경변화에 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없고 열팽창 계수의 변화가 크지 않도록 하여 정상적인 동작이 오랫동안 유지되도록 할 수 있다.

또한, 본 발명의 터치패널은 정전용량 방식으로 손가락, 정전펜 등의 터치를 감지하는 터치스크린에 적용하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않으며 경우에 따라서는 감지전극 패턴(20b)과 배선 패턴(40)을 포함하여 저항막, 초음파, 광학 방식 등의 터치스크린으로 구현하는 경우에도 간단한 설계변경을 통하여 적용할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 정전 용량 터치 패널의 구성 요소들 중 전극, 특히 배선 전극 부위에 온도, 습도 등과 같은 환경 변화에 대해 안정적인 물질을 적용함으로써, 환경 변화 발생시 내구성, 연성, 내열성 등과 관련한 물리적 특성 변화가 없이 안정적인 터치 동작을 위한 긴 수명을 유지할 수 있게 한다. 또한, 벤딩, 폴딩이 많이 사용되는 플렉시블(Flexible) 또는 폴더블(foldable) 터치 패널에 있어서도, 온도 및 물성 변화 특성이 적은 배선 전극 물질을 적용함으로써, 우수한 플렉시블 기능 구현이 가능한 터치 패널을 제공할 수 있다. 나아가, 열적 변형 특성이 우수한 배선 전극 물질 적용을 통해, 잔류 응력이 적게 발생하여 배선 전극 부위의 밀착력 특성이 우수해짐으로 인해, 신뢰성이 우수한 터치 패널 제작이 가능해, 긴 수명을 가질 수 있는 터치 패널의 제작이 가능해진다.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상이 상술한 바람직한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 구체화된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주에서 다양하게 구현될 수 있다.

기판(10)
투명 전도성 물질(20, 20a, 20b)
배선 물질(30, 30a, 30b)
화면영역(50)
베젤영역(60)

Claims (9)

1. 기판의 화면영역 상에 투명 전도성 물질로 이루어진 감지전극 패턴; 및
   상기 기판의 베젤영역 상에 상기 투명 전도성 물질과 불투명 배선 물질의 2층막 구조로 이루어진 배선 패턴을 포함하고,
   상기 배선 물질은 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하며, 적어도 상기 배선 물질에서 Ni의 조성비 25~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함하고,
   상기 배선 물질의 두께는 0.01 ~ 10μm이고,
   상기 배선 물질의 면저항은 0.01~30Ω/sq이며,
   상기 배선 물질의 열팽창 계수는 20~100℃ 온도 범위에서 5ppm/℃ 이하인 터치 패널.
2. 기판 상에 투명 전도성 물질과 불투명 배선 물질의 2층막을 순차 적층하는 단계;
   화면영역과 베젤영역에 대한 상기 2층막의 패터닝을 수행하는 단계; 및
   상기 화면영역에 남아있는 배선 물질을 제거하는 단계를 포함하고,
   상기 화면영역에 최종적으로 남아있는 투명 전도성 물질로 이루어진 감지전극 패턴을 형성하고, 상기 베젤영역에 최종적으로 남아있는 상기 2층막 구조의 배선 패턴을 형성하기 위한 것으로서,
   상기 배선 물질은 적어도 Ni 및 Fe 성분을 포함하며, 상기 배선 물질에서 Ni의 조성비 25~50at% 및 Fe의 조성비 50~70at%를 포함하고,
   상기 배선 물질의 두께는 0.01 ~ 10μm이고,
   상기 배선 물질의 면저항은 0.01~30Ω/sq이며,
   상기 배선 물질의 열팽창 계수는 20~100℃ 온도 범위에서 5ppm/℃ 이하인 터치 패널의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서,
   Ni의 조성비 및 Fe의 조성비의 합이 100 at% 미만이고, 상기 배선 물질이 Co, C, Si 및 Mn 성분 중 어느 한 성분 이상을 더 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
4. 제2항에 있어서,
   상기 배선 물질은 Ni 및 Fe 성분으로 이루어지고,
   Ni의 조성비 34~44at% 및 Fe의 조성비 56~66at%를 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
5. 제2항에 있어서,
   상기 배선 물질은 Ni, Fe, Co 및 C 성분으로 이루어지고,
   Ni의 조성비 29~35at% 및 Fe의 조성비 57~63at%를 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
6. 제2항에 있어서,
   상기 배선 물질은 Ni, Fe, Co, C, Si 및 Mn 성분으로 이루어지고,
   Ni의 조성비 27~33at% 및 Fe의 조성비 51~56at%를 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
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