JP2015007276A - スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 - Google Patents
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- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 83
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004002 naphthaldehydes Chemical class 0.000 claims description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=O FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BWHOZHOGCMHOBV-UHFFFAOYSA-N Benzalacetone Natural products CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 BWHOZHOGCMHOBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BWHOZHOGCMHOBV-BQYQJAHWSA-N trans-benzylideneacetone Chemical compound CC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 BWHOZHOGCMHOBV-BQYQJAHWSA-N 0.000 claims description 3
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- -1 gold ion Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 1-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=C2C(C=O)=CC=CC2=C1 SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JALQQBGHJJURDQ-UHFFFAOYSA-L bis(methylsulfonyloxy)tin Chemical compound [Sn+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O JALQQBGHJJURDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 1
- VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1O VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 2-Methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=O PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylacrylic acid Chemical compound CCC(=C)C(O)=O WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910001451 bismuth ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- LLABTCPIBSAMGS-UHFFFAOYSA-L lead(2+);methanesulfonate Chemical compound [Pb+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O LLABTCPIBSAMGS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N phthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1C=O ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
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- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
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- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
【課題】従来用いられているスズやスズ合金メッキ用メッキ液で、ビアやスルーホールを充填しようとすると、充填自体が上手くできなかったり、充填自体はできたとしても充填時間が極端に長いという問題を解決する。【解決手段】スズまたはスズ合金用電気メッキ液であって、以下の成分（ａ）および（ｂ）（ａ）カルボキシル基含有化合物（ｂ）カルボニル基含有化合物を含有し、成分（ａ）が１.３ｇ／Ｌ以上および成分（ｂ）が０.３ｇ／Ｌ以上であることを特徴とするスズまたはスズ合金用電気メッキ液。【選択図】図４
Description
本発明は、スズまたはスズ合金用電気メッキ液ならびにこれを用いたブラインドビアまたはスルーホールの充填方法および電子回路基板の製造方法に関する。
これまで半導体の３次元実装やプリント配線板におけるブラインドビアやスルーホールの充填工程では銅メッキが用いられ、実装工程ではハンダボールやスズ合金が用いられている。
しかしながら、従来の工程では充填工程と実装工程で異なる金属種が用いられているため工程が複雑という問題があった。
そこで、ブラインドビアやスルーホールの充填工程に、実装工程と同様にスズやスズ合金を用いることができれば、実装工程を省略できる可能性がある。実際に、ブラインドビアやスルーホールの充填工程に、スズやスズ合金を施す技術も一応報告されている（特許文献１）。
しかしながら、従来報告されているスズやスズ合金メッキ用メッキ液で、ブラインドビアやスルーホールを充填しようとすると、実際には充填自体が上手くできなかったり、充填自体はできたとしても充填時間が極端に長いという問題があった。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、従来公知のスズやスズ合金メッキ用メッキ液に特定の化合物を特定の濃度で含有させることにより、ブラインドビアやスルーホールを信頼性高く短時間で充填することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明はスズまたはスズ合金用電気メッキ液であって、以下の成分（ａ）および（ｂ）
（ａ）カルボキシル基含有化合物
（ｂ）カルボニル基含有化合物
を含有し、成分（ａ）が１.３ｇ／Ｌ以上および成分（ｂ）が０.３ｇ／Ｌ以上であることを特徴とするスズまたはスズ合金用電気メッキ液である。
（ａ）カルボキシル基含有化合物
（ｂ）カルボニル基含有化合物
を含有し、成分（ａ）が１.３ｇ／Ｌ以上および成分（ｂ）が０.３ｇ／Ｌ以上であることを特徴とするスズまたはスズ合金用電気メッキ液である。
また、本発明はブラインドビアまたはスルーホールを有する被メッキ物に、上記スズまたはスズ合金用電気メッキ液で電気メッキすることを特徴とするブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法である。
更に、本発明はブラインドビアまたはスルーホールを有する基板にメッキ充填をする工程を含む電子回路基板の製造方法において、メッキ充填を上記ブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法で行うことを特徴とする電子回路基板の製造方法である。
本発明のスズまたはスズ合金用電気メッキ液は、ブラインドビアまたはスルーホールを有する被メッキ物に電気メッキすることにより、ブラインドビアまたはスルーホールを信頼性高く短時間で充填することができる。
また、本発明のスズまたはスズ合金用電気メッキ液は、半導体の３次元実装やプリント配線板におけるブラインドビアやスルーホールの充填工程やシリコン貫通電極の形成に利用することができる。
本発明のスズまたはスズ合金用電気メッキ液（以下、「本発明メッキ液」という）に含有される成分（ａ）カルボキシル基含有化合物は、カルボキシル基を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、メタクリル酸、アクリル酸、クロトン酸、プロピレン−１，２−ジカルボン酸、エタクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル等が挙げられ、これらの中でもメタクリル酸、アクリル酸が好ましい。また、これらのカルボキシル基含有化合物は１種または２種を用いることができる。
本発明メッキ液における成分（ａ）カルボキシル基含有化合物の含有量は、１.３ｇ／Ｌ以上であり、好ましくは１.３〜２.５ｇ／Ｌである。
本発明メッキ液に含有される成分（ｂ）カルボニル基含有化合物は、カルボニル基を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、ベンザルアセトン、ナフトアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、フタルアルデヒド、サリチルアルデヒド、クロロナフトアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、バニリン等が挙げられ、これらの中でもベンザルアセトン、ナフトアルデヒド、クロロベンズアルデヒドが好ましい。また、これらのカルボニル基含有化合物は１種または２種を用いることができる。なお、本発明メッキ液にカルボニル基含有化合物を含有させる場合には、例えば、メタノール、イソプロピルアルコール等の溶剤も含有させておくことが好ましい。
本発明メッキ液における成分（ｂ）カルボニル基含有化合物の含有量は、０.３ｇ／Ｌ以上であり、好ましくは０.３〜１.０ｇ／Ｌである。
なお、本発明メッキ液においては、成分（ａ）と成分（ｂ）のモル比は特に限定されないが、好ましくは１０以下、より好ましくは２〜９である。
本発明メッキ液のベースとなる従来公知のスズまたはスズ合金用電気メッキ液としては、特に限定されないが、例えば、スズイオンと、合金用の金属イオンとして、例えば、銀イオン、金イオン、銅イオン、鉛イオン、アンチモンイオン、インジウムイオン、ビスマスイオン等や、浴を酸性にし、安定化させる酸として、例えば、硫酸、メタンスルホン酸、ホウフッ酸、フェノールスルホン酸、スルファミン酸、ピロリン酸等を含有するものが挙げられる。より具体的なスズまたはスズ合金用電気メッキ浴としては、硫酸浴、メタンスルホン酸浴、ホウフッ化物浴等が挙げられる。これらの中でも硫酸浴、メタンスルホン酸浴が好ましい。
また、本発明メッキ液には、従来公知のスズまたはスズ合金用電気メッキ液に、更に公知のノニオン系、カチオン系、アニオン系の界面活性剤、カテコール、レゾルシノール、カテコールスルホン酸等の酸化防止剤等を添加させてもよい。
以下に、本発明メッキ液の好ましい態様を記載する。
＜スズ用電気メッキ液＞
メタンスルホン酸第１スズ（スズとして）：２５〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは７０〜１２５ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸：１０〜１８０ｇ／Ｌ、好ましくは１５〜１２０ｇ／Ｌ
ポリオキシエチレンラウリルアミン：０.１〜８ｇ／Ｌ、好ましくは３〜６ｇ／Ｌ
カテコール：０.１〜５ｇ／Ｌ、好ましくは０.５〜２ｇ／Ｌ
メタクリル酸：０.２〜４ｇ／Ｌ、好ましくは１.３〜２.５ｇ／Ｌ
１−ナフトアルデヒド：０.０５〜１.５ｇ／Ｌ、好ましくは０.３〜１.０ｇ／Ｌ
メタノール：０.７〜２５ｇ／Ｌ、好ましくは３.５〜１７ｇ／Ｌ
＜スズ合金用電気メッキ液＞
メタンスルホン酸第１スズ（スズとして）：２５〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは７０〜１２５ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸鉛（鉛として）：０.１〜５０ｇ／Ｌ、好ましくは１〜３０ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸：１０〜１８０ｇ／Ｌ、好ましくは１５〜１２０ｇ／Ｌ
ポリオキシエチレンラウリルアミン：０.１〜８ｇ／Ｌ、好ましくは３〜６ｇ／Ｌ
カテコール：０.１〜５ｇ／Ｌ、好ましくは０.５〜２ｇ／Ｌ
メタクリル酸：０.２〜４ｇ／Ｌ、好ましくは１.３〜２.５ｇ／Ｌ
１−ナフトアルデヒド：０.０５〜１.５ｇ／Ｌ、好ましくは０.３〜１.０ｇ／Ｌ
メタノール：０.７〜２５ｇ／Ｌ、好ましくは３.５〜１７ｇ／Ｌ
＜スズ用電気メッキ液＞
メタンスルホン酸第１スズ（スズとして）：２５〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは７０〜１２５ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸：１０〜１８０ｇ／Ｌ、好ましくは１５〜１２０ｇ／Ｌ
ポリオキシエチレンラウリルアミン：０.１〜８ｇ／Ｌ、好ましくは３〜６ｇ／Ｌ
カテコール：０.１〜５ｇ／Ｌ、好ましくは０.５〜２ｇ／Ｌ
メタクリル酸：０.２〜４ｇ／Ｌ、好ましくは１.３〜２.５ｇ／Ｌ
１−ナフトアルデヒド：０.０５〜１.５ｇ／Ｌ、好ましくは０.３〜１.０ｇ／Ｌ
メタノール：０.７〜２５ｇ／Ｌ、好ましくは３.５〜１７ｇ／Ｌ
＜スズ合金用電気メッキ液＞
メタンスルホン酸第１スズ（スズとして）：２５〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは７０〜１２５ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸鉛（鉛として）：０.１〜５０ｇ／Ｌ、好ましくは１〜３０ｇ／Ｌ
メタンスルホン酸：１０〜１８０ｇ／Ｌ、好ましくは１５〜１２０ｇ／Ｌ
ポリオキシエチレンラウリルアミン：０.１〜８ｇ／Ｌ、好ましくは３〜６ｇ／Ｌ
カテコール：０.１〜５ｇ／Ｌ、好ましくは０.５〜２ｇ／Ｌ
メタクリル酸：０.２〜４ｇ／Ｌ、好ましくは１.３〜２.５ｇ／Ｌ
１−ナフトアルデヒド：０.０５〜１.５ｇ／Ｌ、好ましくは０.３〜１.０ｇ／Ｌ
メタノール：０.７〜２５ｇ／Ｌ、好ましくは３.５〜１７ｇ／Ｌ
本発明メッキ液は、従来公知の方法で被メッキ物に電気メッキすることができる。本発明メッキ液を用いる電気メッキの方法は、特に限定されず、例えば、被メッキ物に、アルカリ脱脂、親水化処理、酸活性等の前処理を行った後、これを本発明メッキ液に浸漬する方法等が挙げられる。
本発明メッキ液を用いた電気メッキの条件は、特に限定されず、通常のスズまたはスズ合金の電気メッキの条件を用いればよく、例えば、浴温１０〜４０℃で、アノードにスズ、陰極電流密度０.２〜３Ａ／ｄｍ２で行えばよい。また、電気メッキの際にはパドル等で撹拌することが好ましい。
本発明メッキ液で電気メッキすることができる被メッキ物は特に限定されず、例えば、表面が銅、ニッケル、真鍮等の金属、ＡＢＳ、ポリイミド、エポキシ等の樹脂等で形成されたもの等が挙げられる。
なお、本発明メッキ液は上記のような通常の被メッキ物に電気メッキをすることもできるが、特に、ブラインドビアまたはスルーホールを有する被メッキ物に電気メッキをしてブラインドビアまたはスルーホールをスズまたはスズ合金で充填するのに用いることが好ましい。
本発明メッキ液をブラインドビアを充填するのに用いる場合、本発明メッキ液における成分（ａ）と（ｂ）のモル比を１０以下、好ましくは２〜９とする。また、本発明メッキ液をスルーホールを充填するのに用いる場合、本発明メッキ液における成分（ａ）と（ｂ）のモル比を１０以下、好ましくは３.５〜１０とする。
本発明メッキ液でブラインドビアまたはスルーホールをスズまたはスズ合金で充填する場合、電気メッキの条件は、特に限定されず、例えば、浴温１０〜４０℃で、アノードにスズを用い、陰極電流密度０.０１〜２.５Ａ／ｄｍ２で行えばよい。また、メッキ時間を短縮するためには、電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時より相対的に高くすればよい。電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時より相対的に高くする方法は特に限定されず、例えば、電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時から所定時間経過後に段階的に高くする方法、電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時から直線的に高くする方法等が挙げられる。
上記のようにしてブラインドビアまたはスルーホールをスズまたはスズ合金で充填することのできる本発明メッキ液は、ブラインドビアまたはスルーホールを有する基板にメッキ充填をする工程を含む、例えば、半導体の３次元実装やプリント配線板におけるビアやスルーホールの充填工程やシリコン貫通電極の形成等の電子回路基板の製造方法に利用することができる。
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
実 施 例 １
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、７を混合した後、成分６を混合することにより調製した。
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、７を混合した後、成分６を混合することにより調製した。
実 施 例 ２
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
アスペクト比６（１０φｘ６０Ｄ）のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板を水洗し、前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（比較品１、実施品１）に１分間浸漬し、０.０７５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分（比較品１）または２０分（実施品１））電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図１）。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
アスペクト比６（１０φｘ６０Ｄ）のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板を水洗し、前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（比較品１、実施品１）に１分間浸漬し、０.０７５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分（比較品１）または２０分（実施品１））電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図１）。
比較品１ではビア底部に析出がなく空隙が見られたが、実施品１ではビア底部からの優先析出が確認された。
実 施 例 ３
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例２で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（実施品１または比較品２）に浸漬し、０.０５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分、３０分、６０分、９０分、１２０分（実施品１のみ））電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図２および図３）。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例２で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（実施品１または比較品２）に浸漬し、０.０５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分、３０分、６０分、９０分、１２０分（実施品１のみ））電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図２および図３）。
比較品２では９０分メッキした後でもビア内の充填は進んでいないが、実施品１は、メッキ時間とともに析出量が増加し、１２０分のメッキでほぼ１００％充填できた。
実 施 例 ４
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例２で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（実施品１）に浸漬し、０.０７５Ａ／ｄｍ２の電流密度で２０分、０.１５Ａ／ｄｍ２の電流密度で１０分、０.３Ａ／ｄｍ２の電流密度で１０分と変化させて電気メッキを行った。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例２で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例１で調製したスズ用電気メッキ液（実施品１）に浸漬し、０.０７５Ａ／ｄｍ２の電流密度で２０分、０.１５Ａ／ｄｍ２の電流密度で１０分、０.３Ａ／ｄｍ２の電流密度で１０分と変化させて電気メッキを行った。
この電気メッキにより４０分でブラインドビアが完全に充填された。電流密度を一定にした場合よりも電流密度を段階的に高くすることにより６５％程度ブラインドビアの充填時間が短縮された。
実 施 例 ５
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、７を混合した後、成分６を混合することにより調製した。
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、７を混合した後、成分６を混合することにより調製した。
実 施 例 ６
スズ電気メッキによるビアの充填：
アスペクト比０.５７（７０φｘ４０Ｄ）のブラインドビアを有するプリント配線板に４０℃で１分間、アルカリ脱脂処理をした後、室温で１０秒間、酸活性処理により前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例５で調製したスズ用電気メッキ液（実施品２）に浸漬し、１.５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分、２５分または３５分）電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図４）。
スズ電気メッキによるビアの充填：
アスペクト比０.５７（７０φｘ４０Ｄ）のブラインドビアを有するプリント配線板に４０℃で１分間、アルカリ脱脂処理をした後、室温で１０秒間、酸活性処理により前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例５で調製したスズ用電気メッキ液（実施品２）に浸漬し、１.５Ａ／ｄｍ２の電流密度で所定時間（１５分、２５分または３５分）電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した（図４）。
メッキ開始からビアの底部からの析出が確認され、２５分でビア内がほぼ充填され、３５分でビアの完全充填および表面への析出も確認された。また、ビア充填後の表面の析出膜厚は任意に制御できることも確認された。
実 施 例 ７
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、８を混合した後、成分６または７を混合することにより調製した。
スズ用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分１〜５、８を混合した後、成分６または７を混合することにより調製した。
実 施 例 ８
スズ電気メッキによるビアの充填：
アスペクト比５（２０φｘ１００Ｄ）のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板に前処理を行った後、実施例７で調製したスズ用電気メッキ液（実施品３または実施品４）に浸漬し、０.２Ａ／ｄｍ２の電流密度でブラインドビアが充填されるまで電気メッキを行った。
スズ電気メッキによるビアの充填：
アスペクト比５（２０φｘ１００Ｄ）のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板に前処理を行った後、実施例７で調製したスズ用電気メッキ液（実施品３または実施品４）に浸漬し、０.２Ａ／ｄｍ２の電流密度でブラインドビアが充填されるまで電気メッキを行った。
実施品３の電気メッキ液を用いて電気メッキした場合には１００分でビアが完全に充填され、実施品４の電気メッキ液を用いて電気メッキした場合には１１０分でビアが完全に充填された。
実 施 例 ９
スズ合金用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ合金用電気メッキ液を、成分１〜６、８を混合した後、成分７を混合することにより調製した。
スズ合金用電気メッキ液の調製：
下記組成のスズ合金用電気メッキ液を、成分１〜６、８を混合した後、成分７を混合することにより調製した。
実 施 例 １０
スズ合金電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例６で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例９で調製したスズ合金用電気メッキ液（実施品５）に浸漬し、１.５Ａ／ｄｍ２の電流密度で３０分間電気メッキを行った。
スズ合金電気メッキによるブラインドビアの充填：
実施例６で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例９で調製したスズ合金用電気メッキ液（実施品５）に浸漬し、１.５Ａ／ｄｍ２の電流密度で３０分間電気メッキを行った。
この電気メッキによりビアが完全に充填された。なお、ブラインドビアに充填された金属について蛍光Ｘ線分析を行ったところ、スズと鉛がそれぞれ８７％と１３％の合金であった。
本発明によれば、スズまたはスズ合金によりブラインドビアやスルーホールを充填することができる。そのため、本発明は、半導体の３次元実装やプリント配線板におけるブラインドビアやスルーホールの充填工程やシリコン貫通電極の形成に利用することができる。
以 上
以 上
Claims (8)
- スズまたはスズ合金用電気メッキ液であって、以下の成分（ａ）および（ｂ）
（ａ）カルボキシル基含有化合物
（ｂ）カルボニル基含有化合物
を含有し、成分（ａ）が１.３ｇ／Ｌ以上および成分（ｂ）が０.３ｇ／Ｌ以上であることを特徴とするスズまたはスズ合金用電気メッキ液。 - 成分（ａ）と成分（ｂ）のモル比が１０以下である請求項１記載のスズまたはスズ合金用電気メッキ液。
- 成分（ａ）のカルボキシル基含有化合物が、メタクリル酸およびアクリル酸から選ばれる１種または２種である請求項１記載のスズまたはスズ合金用電気メッキ液。
- 成分（ｂ）のカルボニル基含有化合物が、ベンザルアセトン、ナフトアルデヒドおよびクロロベンズアルデヒドから選ばれる１種または２種である請求項１記載のスズまたはスズ合金用電気メッキ液。
- ブラインドビアまたはスルーホールの充填用である請求項１〜４の何れかに記載のスズまたはスズ合金用電気メッキ液。
- ブラインドビアまたはスルーホールを有する被メッキ物に、請求項１〜５の何れかに記載のスズまたはスズ合金用電気メッキ液で電気メッキすることを特徴とするブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法。
- 電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時より相対的に高くする請求項６記載のブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法。
- ブラインドビアまたはスルーホールを有する基板にメッキ充填をする工程を含む電子回路基板の製造方法において、メッキ充填を請求項６または７に記載のビアまたはスルーホールのメッキ充填方法で行うことを特徴とする電子回路基板の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013133292A JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
| KR1020157035631A KR20160024868A (ko) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | 주석 또는 주석 합금용 전기 도금액 및 그의 용도 |
| US14/898,288 US20160130712A1 (en) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | Electroplating solution for tin or tin alloy, and use for same |
| PCT/JP2014/062367 WO2014208204A1 (ja) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
| CN201480033173.1A CN105308218B (zh) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | 锡或锡合金用电镀液及其用途 |
| TW103118809A TWI625428B (zh) | 2013-06-26 | 2014-05-29 | Electroplating bath for tin or tin alloy and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013133292A JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015007276A true JP2015007276A (ja) | 2015-01-15 |
| JP6006683B2 JP6006683B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=52141557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013133292A Active JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160130712A1 (ja) |
| JP (1) | JP6006683B2 (ja) |
| KR (1) | KR20160024868A (ja) |
| CN (1) | CN105308218B (ja) |
| TW (1) | TWI625428B (ja) |
| WO (1) | WO2014208204A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019082885A1 (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき液 |
| WO2019082884A1 (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき液 |
| WO2019181905A1 (ja) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金のめっき液、バンプの形成方法、回路基板の製造方法 |
| KR20200047736A (ko) | 2017-10-24 | 2020-05-07 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금 도금액 |
| KR20200051034A (ko) | 2017-10-24 | 2020-05-12 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금 도금액 |
| KR20200133330A (ko) | 2018-03-20 | 2020-11-27 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금의 도금액, 범프의 형성 방법, 회로 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102233334B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2021-03-29 | 삼성전자주식회사 | 주석 도금액, 주석 도금 장치 및 상기 주석 도금액을 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| CN105755513A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-07-13 | 四川昊吉科技有限公司 | 一种镀锡防腐剂 |
| JP6834070B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-02-24 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品の製造方法 |
| KR20180024765A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 주식회사 호진플라텍 | 전기도금을 이용한 주석-비스무트-납 삼원합금 솔더 조성물 |
| KR20220132528A (ko) | 2020-01-27 | 2022-09-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금 전해 도금액, 범프의 형성 방법, 및 회로 기판의 제조 방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001011687A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-16 | Ne Chemcat Corp | 錫−ビスマス合金電気めっき浴およびめっき方法 |
| JP2001089894A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2001098396A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2004193520A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP2007284733A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | C Uyemura & Co Ltd | 錫電気めっき浴、錫めっき皮膜、錫電気めっき方法及び電子機器構成部品 |
| WO2010046235A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Atotech Deutschland Gmbh | Method to form solder deposits on substrates |
| JP2012087393A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Rohm & Haas Denshi Zairyo Kk | スズめっき液 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4530741A (en) * | 1984-07-12 | 1985-07-23 | Columbia Chemical Corporation | Aqueous acid plating bath and brightener composition for producing bright electrodeposits of tin |
| US6508927B2 (en) * | 1998-11-05 | 2003-01-21 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-copper alloy electroplating bath |
-
2013
- 2013-06-26 JP JP2013133292A patent/JP6006683B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-08 KR KR1020157035631A patent/KR20160024868A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-05-08 US US14/898,288 patent/US20160130712A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-08 CN CN201480033173.1A patent/CN105308218B/zh active Active
- 2014-05-08 WO PCT/JP2014/062367 patent/WO2014208204A1/ja active Application Filing
- 2014-05-29 TW TW103118809A patent/TWI625428B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001011687A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-16 | Ne Chemcat Corp | 錫−ビスマス合金電気めっき浴およびめっき方法 |
| JP2001089894A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2001098396A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2004193520A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP2007284733A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | C Uyemura & Co Ltd | 錫電気めっき浴、錫めっき皮膜、錫電気めっき方法及び電子機器構成部品 |
| WO2010046235A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Atotech Deutschland Gmbh | Method to form solder deposits on substrates |
| JP2012506628A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物を形成する方法 |
| JP2012087393A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Rohm & Haas Denshi Zairyo Kk | スズめっき液 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019082885A1 (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき液 |
| WO2019082884A1 (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき液 |
| KR20200047736A (ko) | 2017-10-24 | 2020-05-07 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금 도금액 |
| KR20200051034A (ko) | 2017-10-24 | 2020-05-12 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금 도금액 |
| US11162182B2 (en) | 2017-10-24 | 2021-11-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Tin or tin alloy plating solution |
| US11268203B2 (en) | 2017-10-24 | 2022-03-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Tin or tin alloy plating solution |
| WO2019181905A1 (ja) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金のめっき液、バンプの形成方法、回路基板の製造方法 |
| KR20200133330A (ko) | 2018-03-20 | 2020-11-27 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 또는 주석 합금의 도금액, 범프의 형성 방법, 회로 기판의 제조 방법 |
| US11053600B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-07-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Tin or tin alloy plating solution and bump forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6006683B2 (ja) | 2016-10-12 |
| CN105308218A (zh) | 2016-02-03 |
| KR20160024868A (ko) | 2016-03-07 |
| CN105308218B (zh) | 2018-07-13 |
| US20160130712A1 (en) | 2016-05-12 |
| TW201510295A (zh) | 2015-03-16 |
| TWI625428B (zh) | 2018-06-01 |
| WO2014208204A1 (ja) | 2014-12-31 |
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