CN117026316A - 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 - Google Patents
一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117026316A CN117026316A CN202310879283.0A CN202310879283A CN117026316A CN 117026316 A CN117026316 A CN 117026316A CN 202310879283 A CN202310879283 A CN 202310879283A CN 117026316 A CN117026316 A CN 117026316A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- copper plating
- filling copper
- filling
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 238000011049 filling Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 126
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 17
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 12
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000002199 base oil Substances 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- -1 polyoxyethylene propylene Polymers 0.000 claims description 5
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 5
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 6
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 3
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
- H05K3/424—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法。根据本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。本发明的填孔镀铜液,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。本发明还提供了填孔镀铜液的制备方法和填孔镀铜方法。
Description
技术领域
本发明属于印制电路板技术领域,具体涉及一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法。
背景技术
电镀是印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board))和集成电路封装基板(Integrated Circuit Substrate,IC)制作工艺中的重要工序,它利用电解作用使金属在电沉积的作用下实现线路的层间互联。目前,随着电子元器件的集成程度越来越高,功率越来越大,以全铜填充的形式实现层间互联的要求越来越普遍。电子产品的微型化、多功能化推动了PCB朝线路精细化、小孔微型化的方向发展,其主流产品为高密度互联板(HighDensity Interconnector,HDI)和IC板。为满足HDI及IC载板的高密度、高集成化要求,PCB制造业开创了电镀填孔技术。
盲孔填孔可以提高电路板的导通性能,改善产品的导热性,减少孔内空洞,降低传输信号的损失,有效地提高电子产品的可靠性和稳定性,随着HDI板和IC载板制程的逐渐成熟,电镀填孔成为HDI板和IC载板不可或缺的一环。
HDI孔的加工从简单的盲埋孔发展到目前的高阶填孔板,在小孔加工与处理技术上,先后产生了多种不同设计,以用来解决HDI中球栅网格阵列封装(Ball Grid Array,BGA)区域球阵列的高密度排列。
现有的填孔镀铜工艺,填孔效果和对于通孔的深镀能力不理想,镀铜结晶不够细密。因此,为实现更好的填充,需要开发新的填孔镀铜液和与之相匹配的填孔镀铜方法。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的上述技术问题之一。为此,本发明提供了一种填孔镀铜液,该填孔镀铜液具有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明还提供了一种填孔镀铜液的制备方法
本发明还提供了一种填孔镀铜方法。
本发明的第一方面提供了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
本发明关于填孔镀铜液的技术方案中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明的填孔镀铜液,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。
根据本发明的一些实施方式,所述承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述聚氧乙烯丙烯聚醚基础油包括SN-2808。
根据本发明的一些实施方式,所述整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述甘油醚加聚物季铵盐包括Leveler8016。
根据本发明的一些实施方式,所述光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5-1.5mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述含硫有机磺酸盐包括SPS。
根据本发明的一些实施方式,所述基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
本发明的第二方面提供了一种制备所述的填孔镀铜液的方法,所述方法包括:将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀。
本发明关于填孔镀铜液的制备方法中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜液的制备方法,将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀即可,制备过程简单,反应条件不苛刻,容易实现大规模生产。
本发明的第三方面提供了一种填孔镀铜方法,包括预处理、电镀过程和后处理,所述电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
本发明关于填孔镀铜方法中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜方法,与本发明的填孔镀铜液相配合,能够产生良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明的填孔镀铜方法,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜方法,镀铜结晶细密、延展性好。
根据本发明的一些实施方式,所述电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
根据本发明的一些实施方式,所述电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,所述预处理包括依次进行的除油和水洗。
根据本发明的一些实施方式,所述预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
根据本发明的一些实施方式,除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%。
根据本发明的一些实施方式,除油过程中,除油剂可以为PP601除油剂。
根据本发明的一些实施方式,除油的温度为35℃~45℃。
根据本发明的一些实施方式,热水洗的温度为40℃~50℃。
根据本发明的一些实施方式,热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,所述水洗可以在室温下进行。
根据本发明的一些实施方式,水洗的溢流量为3~5体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,水洗可以进行多次。
根据本发明的一些实施方式,酸洗的温度为20℃~30℃。
根据本发明的一些实施方式,酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
附图说明
图1是dimple值的计算示意图。
图2是填孔镀铜各阶段的成长示意图。
图3是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的效果图。
图4是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的可靠性测试图。
图5是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的样品放大1500倍微观形貌图。
图6是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的样品放大2500倍微观形貌图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例,并结合实施例对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
在本发明的一些实施例中,本发明提供了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
可以理解,本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。
在本发明的一些实施例中,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
在本发明的一些实施例中,承载剂在填孔镀铜液中的控制点为20mL/L。
承载剂与氯离子一起作用抑制电镀速率,使高低电流区的差异降低(即增大极化电阻)。
在本发明的一些实施例中,整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
在本发明的一些实施例中,整平剂在填孔镀铜液中的控制点为25mL/L。
整平剂吸附在高电流密度区(凸起区或转角处),使该处的电镀速度趋缓。
含硫有机物光亮剂可以使铜离子加速在阴极还原,使铜层结构变得更细致。
在本发明的一些实施例中,含硫有机物光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5mL/L~1.5mL/L。
在本发明的一些实施例中,含硫有机物光亮剂在填孔镀铜液中的控制点为1mL/L。
在本发明的一些实施例中,基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
CuSO4·5H2O为镀液中Cu2+的主要来源。提高铜离子浓度,可提高填孔能力,但对通孔的镀通率有负面影响。
H2SO4可以增强镀液的导电性,本发明的填孔镀铜液为低酸高铜体系。
Cl-可以让Cu2+和金属铜在双电层将形成稳定转换的电子传递。
在本发明的一些实施例中,基础液的控制点包括:
CuSO4·5H2O:265g/L;
H2SO4:20mL/L;
Cl-:55ppm。
分析频率为1次/天。
在本发明的另外一些实施例中,本发明提供了一种制备本发明的填孔镀铜液的方法,方法包括:将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀。
可以理解,本发明的填孔镀铜液的制备方法,将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀即可,制备过程简单,反应条件不苛刻,容易实现大规模生产。
在本发明的另外一些实施例中,本发明提供了一种填孔镀铜方法,包括预处理、电镀过程和后处理,电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
电流密度不能低于15ASF,否则dimple值会过大。
可以理解,本发明的填孔镀铜方法,与本发明的填孔镀铜液相配合,能够产生良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
参考图1所示,dimple值=A-B。
填孔率=B/A×100%。
本发明的填孔镀铜方法,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜方法,镀铜结晶细密、延展性好。
本发明的填孔镀铜方法,有利于设计叠孔(Stack Via)和焊盘上孔(Via-on-Pad),提高了载板的密度,更多I/O脚的封装载板得以应用。由此,可以改善电气性能,有助于高频设计,提高连接可靠性,提高运行频率和避免电磁干扰。
本发明的填孔镀铜方法,塞孔和电气互连一步完成,避免了采用树脂,导电胶填孔造成的缺陷,同时,也避免了其他材料填孔造成的CTE不一现象。
本发明的填孔镀铜方法,盲孔内用电镀铜填孔,避免了表面缺陷,有利于更精细线路的设计和制作。
本发明的填孔镀铜方法,电镀填孔后孔内为铜柱,导电性能比导电树脂更好,可提高板件散热性能。
在本发明的一些实施例中,电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
在本发明的一些实施例中,电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
在本发明的一些实施例中,预处理包括依次进行的除油和水洗。
在本发明的一些实施例中,预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
预处理的关键点包括:
(1)PTH后+不过闪镀+再填孔电镀;
(2)保证除油效果,确保铜面清洁,无氧化。
在本发明的一些实施例中,除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%。
在本发明的一些实施例中,除油过程中,除油剂可以为PP601除油剂。
在本发明的一些实施例中,除油的温度为35℃~45℃。
在本发明的一些实施例中,热水洗的温度为40℃~50℃。
在本发明的一些实施例中,热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
在本发明的一些实施例中,水洗可以在室温下进行。
在本发明的一些实施例中,水洗的溢流量为3~5体积循环量。
在本发明的一些实施例中,水洗可以进行多次。
在本发明的一些实施例中,酸洗的温度为20℃~30℃。
在本发明的一些实施例中,酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
填孔镀铜包括起始期、爆发期、回复期和平衡期。具体而言:
起始期中:
载运剂分子量最大,结构冗长,扩散速率较不易进入孔内,故大多分布于板面,光泽剂分子较小,大部分沉积于孔内。平整剂吸附于电流密集区,抑制高电流区铜过厚,发挥整平功效。
爆发期中:
此时为填孔电镀重要步骤,孔内/表面相对沉积率由约1.83暴增至7.37,此时所有添加剂吸附动作已完成,使孔内铜沉积速度远高于板面,达到填孔之目的。
回复期中:
填孔已接近完成,言孔凹陷变小,渐成平面,故载运剂与整平剂开始去抢盲孔处光泽剂位置,电镀速度迅速降低,孔内/表面沉积率降回3.33。
平衡期中:
各添加剂浓度分部不受质传等因素影响,达到一稳定平衡状态,盲孔处与板面成长速率趋近相等。
各期的成长机制参考图2所示。
下面再结合具体的实施例来更好的理解本发明的技术方案。
实施例中,承载剂具体为聚氧乙烯丙烯聚醚基础油(SN-2808),整平剂具体为甘油醚加聚物季铵盐(Leveler8016),光亮剂为含硫有机磺酸盐(SPS)。
实施例1
本实施例制备了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂和光亮剂;
其中:
基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
承载剂在填孔镀铜液中的添加量为20mL/L。
整平剂在填孔镀铜液中的添加量为25mL/L。
光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为1mL/L。
制备方法为:将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀。
实施例2
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为22mL/L。
实施例3
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为25mL/L。
实施例4
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为28mL/L。
实施例5
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为30mL/L。
性能测试
使用实施例1至5至别的填孔镀铜液进行填孔镀铜,步骤包括预处理、电镀过程和后处理,电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%,除油剂为PP601除油剂。
除油的温度为35℃~45℃。
热水洗的温度为40℃~50℃。
热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
水洗在室温下进行。
水洗的溢流量为3~5体积循环量。
水洗可以进行多次。
酸洗的温度为20℃~30℃。
酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
板厚0.9mm,孔径0.2mil。
测试了填孔后的凹陷。其中:
实施例1的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0.312mm。
实施例2的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0.251mm。
实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例4的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例5的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,如图3所示,可以看出填孔饱满,浸锡(288℃)6次后无断铜现象。
此外,还对实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后的可靠性进行了测试,实验条件为288±5℃,漂浸10s,3次。结果如图4所示,可以看出,无断铜、无角裂、无镀层分离。
还观察了填孔后的样品微观形貌,如图5和图6所示,图5为放大1500倍的示意图,图6为放大2500倍的示意图。可以看出,镀铜结晶细密,均匀。
上面结合实施例对本发明作了详细说明,但是本发明不限于上述实施例,在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (10)
1.一种填孔镀铜液,其特征在于,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
2.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
3.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
4.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5-1.5mL/L。
5.根据权利要求1至4任一项所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
6.一种制备如权利要求1至5任一项所述的填孔镀铜液的方法,其特征在于,所述方法包括:将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀。
7.一种填孔镀铜方法,其特征在于,包括预处理、电镀过程和后处理,所述电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
8.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
9.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
10.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述预处理包括依次进行的除油和水洗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310879283.0A CN117026316A (zh) | 2023-07-17 | 2023-07-17 | 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310879283.0A CN117026316A (zh) | 2023-07-17 | 2023-07-17 | 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117026316A true CN117026316A (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=88638043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310879283.0A Pending CN117026316A (zh) | 2023-07-17 | 2023-07-17 | 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117026316A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002103751A2 (en) * | 2000-11-20 | 2002-12-27 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the cu filling of submicron features of vlsi/ulsi interconnect |
JP2003321792A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Ebara Corp | 銅めっき浴および該めっき浴を用いる微細回路配線形成方法並びにこれに使用する装置 |
CN105002527A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-10-28 | 广东光华科技股份有限公司 | 整平剂溶液及其制备方法和应用 |
CN105951137A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-21 | 中国广州分析测试中心 | 一种hdi积层板盲埋孔镀铜浴 |
CN110642731A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-03 | 苏州清飙科技有限公司 | 盲孔全铜电镀用整平剂及其制备方法、以及电镀液 |
KR20220107756A (ko) * | 2021-01-26 | 2022-08-02 | 주식회사 호진플라텍 | 평탄제 및 광택제 기능을 동시에 갖는 유기 첨가제를 사용한 전해 구리 도금 약품 |
CN116180172A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-30 | 广东硕成科技股份有限公司 | 一种增加区域极化电阻的镀铜液添加剂、镀铜液及其应用 |
-
2023
- 2023-07-17 CN CN202310879283.0A patent/CN117026316A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002103751A2 (en) * | 2000-11-20 | 2002-12-27 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the cu filling of submicron features of vlsi/ulsi interconnect |
JP2003321792A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Ebara Corp | 銅めっき浴および該めっき浴を用いる微細回路配線形成方法並びにこれに使用する装置 |
CN105002527A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-10-28 | 广东光华科技股份有限公司 | 整平剂溶液及其制备方法和应用 |
CN105951137A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-21 | 中国广州分析测试中心 | 一种hdi积层板盲埋孔镀铜浴 |
CN110642731A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-03 | 苏州清飙科技有限公司 | 盲孔全铜电镀用整平剂及其制备方法、以及电镀液 |
KR20220107756A (ko) * | 2021-01-26 | 2022-08-02 | 주식회사 호진플라텍 | 평탄제 및 광택제 기능을 동시에 갖는 유기 첨가제를 사용한 전해 구리 도금 약품 |
CN116180172A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-30 | 广东硕成科技股份有限公司 | 一种增加区域极化电阻的镀铜液添加剂、镀铜液及其应用 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
深圳市同泰化学技术有限公司: "线路板酸性填孔镀铜液", pages 1 - 4, Retrieved from the Internet <URL:http://www.tongtai-technology.com/news/434.html> * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6006683B2 (ja) | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 | |
JP4932370B2 (ja) | 電解めっき方法、プリント配線板及び半導体ウェハー | |
KR20170095731A (ko) | 보이드 및 다른 결함을 감소시키기 위해 스루홀을 충진하는 방법 | |
JP6899062B1 (ja) | Icボードのスルーホールを充填するための電気銅めっき液およびその電気めっき方法 | |
US20200048786A1 (en) | High-speed electroplating method | |
US6761814B2 (en) | Via filling method | |
KR20170095730A (ko) | 보이드 및 다른 결함을 감소시키기 위해 스루홀을 충진하는 방법 | |
CN108866548B (zh) | 一种金属镀层及其制备方法和应用 | |
Yin et al. | Effect of PEG molecular weight on bottom-up filling of copper electrodeposition for PCB interconnects | |
KR102381835B1 (ko) | 전해 구리 도금용 양극 및 그것을 이용한 전해 구리 도금 장치 | |
CN107385487B (zh) | 2,4,8,10-四氧杂-3,9-二磷杂螺环化合物在hdi板快速镀铜前处理溶液的应用及其前处理工艺 | |
CN117026316A (zh) | 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 | |
Wang et al. | Factors governing filling of blind via and through hole in electroplating | |
JP2024525363A (ja) | 電解めっきのための複合波形 | |
CN115917049A (zh) | 用于填充通孔的流平剂和电解组合物 | |
CN116134180A (zh) | 用于填充通孔的流平剂和电解组合物 | |
JP2017503929A (ja) | 銅の電析 | |
JP2009242860A (ja) | 酸性銅用前処理剤およびこれを利用するめっき方法 | |
KR20100003492A (ko) | 3차원 SiP의 관통형 비아와 범프의 전기화학적 가공방법 | |
CN113502512A (zh) | 电镀铜溶液添加剂、电镀铜溶液以及电镀方法 | |
HONMA et al. | Advanced plating technology for electronic devices | |
Yen et al. | Next generation electroplating technology for high planarity, minimum surface deposition microvia filling | |
JP2014027288A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
Ganesan et al. | Innovative advances in copper electroplating for IC Substrate manufacturing | |
Lefebvre et al. | Copper electroplating for HDI and IC substrate through hole fill |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |