JP6006683B2 - スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 - Google Patents
スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6006683B2 JP6006683B2 JP2013133292A JP2013133292A JP6006683B2 JP 6006683 B2 JP6006683 B2 JP 6006683B2 JP 2013133292 A JP2013133292 A JP 2013133292A JP 2013133292 A JP2013133292 A JP 2013133292A JP 6006683 B2 JP6006683 B2 JP 6006683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- electroplating
- filling
- plating
- minutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/421—Blind plated via connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
(a)カルボキシル基含有化合物
(b)カルボニル基含有化合物
を含有し、成分(a)が1.3g/L以上および成分(b)が0.3g/L以上であることを特徴とするスズまたはスズ合金用電気メッキ液である。
<スズ用電気メッキ液>
メタンスルホン酸第1スズ(スズとして):25〜150g/L、好ましくは70〜125g/L
メタンスルホン酸:10〜180g/L、好ましくは15〜120g/L
ポリオキシエチレンラウリルアミン:0.1〜8g/L、好ましくは3〜6g/L
カテコール:0.1〜5g/L、好ましくは0.5〜2g/L
メタクリル酸:0.2〜4g/L、好ましくは1.3〜2.5g/L
1−ナフトアルデヒド:0.05〜1.5g/L、好ましくは0.3〜1.0g/L
メタノール:0.7〜25g/L、好ましくは3.5〜17g/L
<スズ合金用電気メッキ液>
メタンスルホン酸第1スズ(スズとして):25〜150g/L、好ましくは70〜125g/L
メタンスルホン酸鉛(鉛として):0.1〜50g/L、好ましくは1〜30g/L
メタンスルホン酸:10〜180g/L、好ましくは15〜120g/L
ポリオキシエチレンラウリルアミン:0.1〜8g/L、好ましくは3〜6g/L
カテコール:0.1〜5g/L、好ましくは0.5〜2g/L
メタクリル酸:0.2〜4g/L、好ましくは1.3〜2.5g/L
1−ナフトアルデヒド:0.05〜1.5g/L、好ましくは0.3〜1.0g/L
メタノール:0.7〜25g/L、好ましくは3.5〜17g/L
スズ用電気メッキ液の調製:
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分1〜5、7を混合した後、成分6を混合することにより調製した。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填:
アスペクト比6(10φx60D)のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板を水洗し、前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例1で調製したスズ用電気メッキ液(比較品1、実施品1)に1分間浸漬し、0.075A/dm2の電流密度で所定時間(15分(比較品1)または20分(実施品1))電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した(図1)。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填:
実施例2で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例1で調製したスズ用電気メッキ液(実施品1または比較品2)に浸漬し、0.05A/dm2の電流密度で所定時間(15分、30分、60分、90分、120分(実施品1のみ))電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した(図2および図3)。
スズ電気メッキによるブラインドビアの充填:
実施例2で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例1で調製したスズ用電気メッキ液(実施品1)に浸漬し、0.075A/dm2の電流密度で20分、0.15A/dm2の電流密度で10分、0.3A/dm2の電流密度で10分と変化させて電気メッキを行った。
スズ用電気メッキ液の調製:
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分1〜5、7を混合した後、成分6を混合することにより調製した。
スズ電気メッキによるビアの充填:
アスペクト比0.57(70φx40D)のブラインドビアを有するプリント配線板に40℃で1分間、アルカリ脱脂処理をした後、室温で10秒間、酸活性処理により前処理を行った。この前処理を行った基板を、実施例5で調製したスズ用電気メッキ液(実施品2)に浸漬し、1.5A/dm2の電流密度で所定時間(15分、25分または35分)電気メッキを行った。電気メッキ後の基板の断面からビアの充填具合を観察した(図4)。
スズ用電気メッキ液の調製:
下記組成のスズ用電気メッキ液を、成分1〜5、8を混合した後、成分6または7を混合することにより調製した。
スズ電気メッキによるビアの充填:
アスペクト比5(20φx100D)のブラインドビアを有するシリコンウエハ基板に前処理を行った後、実施例7で調製したスズ用電気メッキ液(実施品3または実施品4)に浸漬し、0.2A/dm2の電流密度でブラインドビアが充填されるまで電気メッキを行った。
スズ合金用電気メッキ液の調製:
下記組成のスズ合金用電気メッキ液を、成分1〜6、8を混合した後、成分7を混合することにより調製した。
スズ合金電気メッキによるブラインドビアの充填:
実施例6で用いたのと同様の基板に前処理を行った後、実施例9で調製したスズ合金用電気メッキ液(実施品5)に浸漬し、1.5A/dm2の電流密度で30分間電気メッキを行った。
以 上
Claims (4)
- スズまたはスズ合金用電気メッキ液であって、以下の成分(a)および(b)
(a)メタクリル酸およびアクリル酸から選ばれるカルボキシル基含有化合物の1種
または2種
(b)ベンザルアセトン、ナフトアルデヒドおよびクロロベンズアルデヒドから選ば
れるカルボニル基含有化合物の1種または2種
を含有し、成分(a)が1.3g/L以上および成分(b)が0.3g/L以上であり、成分(a)に対する成分(b)のモル比が10以下である、
ことを特徴とするブラインドビアまたはスルーホールの充填用スズまたはスズ合金用電気メッキ液。 - ブラインドビアまたはスルーホールを有する被メッキ物に、請求項1に記載のブラインドビアまたはスルーホールの充填用スズまたはスズ合金用電気メッキ液で電気メッキすることを特徴とするブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法。
- 電気メッキ中の電流密度を電気メッキ開始時より相対的に高くする請求項2記載のブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法。
- ブラインドビアまたはスルーホールを有する基板にメッキ充填をする工程を含む電子回路基板の製造方法において、メッキ充填を請求項2または3に記載のブラインドビアまたはスルーホールのメッキ充填方法で行うことを特徴とする電子回路基板の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013133292A JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
PCT/JP2014/062367 WO2014208204A1 (ja) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
CN201480033173.1A CN105308218B (zh) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | 锡或锡合金用电镀液及其用途 |
KR1020157035631A KR20160024868A (ko) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | 주석 또는 주석 합금용 전기 도금액 및 그의 용도 |
US14/898,288 US20160130712A1 (en) | 2013-06-26 | 2014-05-08 | Electroplating solution for tin or tin alloy, and use for same |
TW103118809A TWI625428B (zh) | 2013-06-26 | 2014-05-29 | Electroplating bath for tin or tin alloy and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013133292A JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015007276A JP2015007276A (ja) | 2015-01-15 |
JP6006683B2 true JP6006683B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=52141557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013133292A Active JP6006683B2 (ja) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160130712A1 (ja) |
JP (1) | JP6006683B2 (ja) |
KR (1) | KR20160024868A (ja) |
CN (1) | CN105308218B (ja) |
TW (1) | TWI625428B (ja) |
WO (1) | WO2014208204A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021153160A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102233334B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2021-03-29 | 삼성전자주식회사 | 주석 도금액, 주석 도금 장치 및 상기 주석 도금액을 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
CN105755513A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-07-13 | 四川昊吉科技有限公司 | 一种镀锡防腐剂 |
JP6834070B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-02-24 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品の製造方法 |
KR20180024765A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 주식회사 호진플라텍 | 전기도금을 이용한 주석-비스무트-납 삼원합금 솔더 조성물 |
JP6620859B2 (ja) | 2017-10-24 | 2019-12-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法 |
JP6620858B2 (ja) | 2017-10-24 | 2019-12-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法 |
WO2019082884A1 (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金めっき液 |
US11268203B2 (en) | 2017-10-24 | 2022-03-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Tin or tin alloy plating solution |
CN111788337A (zh) | 2018-03-20 | 2020-10-16 | 三菱综合材料株式会社 | 锡或锡合金电镀液、凸点的形成方法及电路基板的制造方法 |
WO2019181905A1 (ja) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金のめっき液、バンプの形成方法、回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4530741A (en) * | 1984-07-12 | 1985-07-23 | Columbia Chemical Corporation | Aqueous acid plating bath and brightener composition for producing bright electrodeposits of tin |
US6508927B2 (en) * | 1998-11-05 | 2003-01-21 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-copper alloy electroplating bath |
JP4077119B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2008-04-16 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴およびめっき方法 |
JP2001089894A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
JP4547583B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2010-09-22 | 石原薬品株式会社 | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
JP2004193520A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP5158303B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2013-03-06 | 上村工業株式会社 | 錫電気めっき浴、錫めっき皮膜、錫電気めっき方法及び電子機器構成部品 |
JP2012506628A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物を形成する方法 |
JP5574912B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-08-20 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | スズめっき液 |
-
2013
- 2013-06-26 JP JP2013133292A patent/JP6006683B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-08 WO PCT/JP2014/062367 patent/WO2014208204A1/ja active Application Filing
- 2014-05-08 CN CN201480033173.1A patent/CN105308218B/zh active Active
- 2014-05-08 KR KR1020157035631A patent/KR20160024868A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-05-08 US US14/898,288 patent/US20160130712A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-29 TW TW103118809A patent/TWI625428B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021153160A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015007276A (ja) | 2015-01-15 |
US20160130712A1 (en) | 2016-05-12 |
TWI625428B (zh) | 2018-06-01 |
CN105308218A (zh) | 2016-02-03 |
CN105308218B (zh) | 2018-07-13 |
KR20160024868A (ko) | 2016-03-07 |
TW201510295A (zh) | 2015-03-16 |
WO2014208204A1 (ja) | 2014-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6006683B2 (ja) | スズまたはスズ合金用電気メッキ液およびその用途 | |
KR102220798B1 (ko) | 주석 또는 주석 합금 도금액 | |
US7968444B2 (en) | Lead-free tin alloy electroplating compositions and methods | |
JP5428667B2 (ja) | 半導体チップ搭載用基板の製造方法 | |
JP4812365B2 (ja) | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 | |
JP2004308006A (ja) | 電気めっき組成物および方法 | |
JP2007284733A (ja) | 錫電気めっき浴、錫めっき皮膜、錫電気めっき方法及び電子機器構成部品 | |
CN111356789B (zh) | 锡或锡合金电镀液 | |
CN111279020B (zh) | 锡或锡合金电镀液 | |
JP2009242860A (ja) | 酸性銅用前処理剤およびこれを利用するめっき方法 | |
JP5682678B2 (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP2013093360A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP2021116461A (ja) | 錫又は錫合金めっき液 | |
WO2019082885A1 (ja) | 錫又は錫合金めっき液 | |
TW201346076A (zh) | 銅電鍍液之組成物及其進行電鍍銅之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160815 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6006683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |