JP2014220439A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDF

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HK14112255.9A HK1198783A1 (en) 2013-05-10 2014-12-04 Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
US15/015,607 US9385072B2 (en) 2013-05-10 2016-02-04 Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7199167B2 (ja) 2018-06-29 2023-01-05 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール、電力変換装置、およびパワー半導体モジュールの製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9893058B2 (en) * 2015-09-17 2018-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure
JP6673012B2 (ja) * 2016-05-26 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102017202770B4 (de) * 2016-08-31 2023-06-07 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterchipgehäuse mit einem sich wiederholenden Grundflächenmuster
JP2018107416A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018137342A (ja) 2017-02-22 2018-08-30 株式会社村田製作所 半導体装置及びその製造方法
US10741466B2 (en) 2017-11-17 2020-08-11 Infineon Technologies Ag Formation of conductive connection tracks in package mold body using electroless plating
EP3495318A3 (en) 2017-12-08 2019-08-21 Infineon Technologies AG Semiconductor package with air cavity
US11133281B2 (en) 2019-04-04 2021-09-28 Infineon Technologies Ag Chip to chip interconnect in encapsulant of molded semiconductor package
US10796981B1 (en) 2019-04-04 2020-10-06 Infineon Technologies Ag Chip to lead interconnect in encapsulant of molded semiconductor package
CN112018052A (zh) 2019-05-31 2020-12-01 英飞凌科技奥地利有限公司 具有可激光活化模制化合物的半导体封装
KR102119142B1 (ko) * 2019-10-01 2020-06-05 해성디에스 주식회사 웨이퍼 레벨 패키지의 캐리어를 리드 프레임으로 제작하는 방법
CN111354718B (zh) * 2020-03-23 2022-02-25 江苏中科智芯集成科技有限公司 含多芯片封装结构的芯片排列布线方法、装置及电子设备
US11587800B2 (en) 2020-05-22 2023-02-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor package with lead tip inspection feature
DE102021104696A1 (de) * 2021-02-26 2022-09-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zur verbindung eines elektrischen bauelementes mit einer bodeneinheit unter verwendung einer lötfreien verbindung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335366A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2002076234A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Rohm Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2004356382A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2010165777A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
US7969022B1 (en) * 2007-03-21 2011-06-28 Marvell International Ltd. Die-to-die wire-bonding
WO2011142006A1 (ja) * 2010-05-12 2011-11-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2011249838A (ja) * 2011-08-04 2011-12-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3039488B2 (ja) * 1997-11-21 2000-05-08 日本電気株式会社 半導体装置
JP3768761B2 (ja) * 2000-01-31 2006-04-19 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
US20020180020A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-05 Chih-Wen Lin Three-dimension multi-chip stack package technology
JP4489485B2 (ja) * 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4357344B2 (ja) * 2004-04-16 2009-11-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
KR100630741B1 (ko) * 2005-03-04 2006-10-02 삼성전자주식회사 다중 몰딩에 의한 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP4881620B2 (ja) * 2006-01-06 2012-02-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4900661B2 (ja) * 2006-02-22 2012-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性記憶装置
JP5239309B2 (ja) * 2007-11-21 2013-07-17 株式会社村田製作所 半導体装置
JP5183186B2 (ja) * 2007-12-14 2013-04-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2010087129A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
KR101601847B1 (ko) * 2009-05-21 2016-03-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP5237900B2 (ja) * 2009-08-11 2013-07-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5302175B2 (ja) 2009-12-14 2013-10-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN102184907A (zh) * 2011-04-19 2011-09-14 无锡红光微电子有限公司 To3p防水密封引线框架
JP6129659B2 (ja) * 2013-06-25 2017-05-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335366A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2002076234A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Rohm Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2004356382A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US7969022B1 (en) * 2007-03-21 2011-06-28 Marvell International Ltd. Die-to-die wire-bonding
JP2010165777A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2011142006A1 (ja) * 2010-05-12 2011-11-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2011249838A (ja) * 2011-08-04 2011-12-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7199167B2 (ja) 2018-06-29 2023-01-05 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール、電力変換装置、およびパワー半導体モジュールの製造方法

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