JP2014195119A - 半導体ウェハの両面研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも1つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に450mmの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。
【選択図】図1d
Description
メント、真空または接着によって裏側が支持プレート上に保持され、他方の側が研磨を受ける。
アプレートに緩く挿入され、各々が研磨パッドで被覆された上部研磨プレートと下部研磨プレートとの間で「自由に浮動する」態様で表側および裏側が同時に研磨される。この研磨方法は、通常はシリカゾルに基づく研磨剤スラリーを供給することによって行なわれる。
7039およびUS 2008−0305722に開示されている。
に入れる必要がある。研磨傷および研磨されたウェハ表面上でのLLS値の増大のリスクも同様の態様で増大する。
1) 特定の表面構造を有する研磨パッド、
2) ウェハを収容するためのキャリアプレートの再構成、および
3) 両面で行なわれる研磨剤の供給。
果を、的を絞った態様で抑制できる。
Claims (15)
- キャリアプレート(1)の好適に寸法決めされた切欠き部(3)に位置し、かつ、表側と裏側とを有する、半導体材料からなる少なくとも1つのウェハ(5)の同時両面研磨方法であって、両面研磨は、研磨剤を供給しながら、第1の研磨パッドで被覆された上部研磨プレートと第2の研磨パッドで被覆された下部研磨プレートとの間で行なわれ、前記第1の(上部)研磨パッドの表面および前記第2の(下部)研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも1つのチャネル状凹部によって断続的である、方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部は、少なくとも3つの巻きを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部の巻きと巻きとの間の距離Wは、内側部分から外側部分に向かって一定である、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部の巻きと巻きとの間の距離Wは、内側部分から外側部分に向かって連続的に大きくなる、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部の巻きと巻きとの間の距離Wは、内側部分から外側部分に向かって連続的に小さくなる、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面は、前記研磨パッドの表面において前記研磨パッドの中点の周囲に円形に配置された3つの螺旋状のチャネル状凹部を有し、その巻きと巻きとの間の距離Wは、内側部分から外側部分に向かって連続的に大きくなり、前記3つの螺旋状のチャネル状凹部の各々は、3つの円形チャネルが接続されない状態で合流して、前記研磨パッドの端縁領域において3つの螺旋を囲む円形形状を構成し、外側端縁領域は、外側の第3の前記研磨パッドの表面におけるリング状領域によって形成される、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部の幅は、内側部分から外側部分に向かって連続的に大きくなる、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨パッドの表面において螺旋状に延びる前記少なくとも1つのチャネル状凹部の深さは、内側部分から外側部分に向かって連続的に大きくなる、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 3つのセグメント化された切欠き部(2)が前記キャリアプレート(1)の少なくとも1つの好適に寸法決めされた円形の切欠き部(3)を取囲んでおり、前記3つのセグメント化された切欠き部(2)は、(面積に対して)同一のサイズを有し、前記円形の切欠き部(3)から距離Aのところに、リング状の態様で、互いの間の距離がそれぞれ最大でも110°である状態で、ウェブ(4)によって互いから切離されている、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記キャリアプレート(1)の前記好適に寸法決めされた切欠き部(3)内で前記半導体ウェハ(5)の固有の回転が可能である、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記キャリアプレート(1)の前記好適に寸法決めされた切欠き部(3)内での前記半導体ウェハ(5)の固有の回転は、前記半導体ウェハが前記切欠き部(3)に固定されることによって防止される、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記上部研磨プレートおよび前記下部研磨プレートに存在し、前記上部研磨パッドおよび前記下部研磨パッドにも存在する開口を介して、加圧された態様で、前記半導体ウェハ(5)の前記表側および前記裏側で前記研磨剤の供給が行なわれ、前記研磨剤の供給用のノズルは、前記研磨プレートの前記開口に一体化できる、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨剤の供給のために前記研磨プレートに一体化された前記ノズルの前記開口または前記研磨プレートおよび/もしくは前記研磨パッドの前記開口の向きは、前記研磨パッドの表面に対して、45°から90°以下の角度範囲内にある、請求項12に記載の方法。
- 前記研磨パッドの内側円形領域において単位時間当たりに前記開口から加工間隙に流入する前記研磨剤の量は、同一時間内に外側リング状領域に位置する前記開口から流入する量よりも多い、請求項13に記載の方法。
- 半導体材料からなる前記少なくとも1つのウェハ(5)の前記表側は、前記上部研磨パッドにおいて研磨される、請求項1から14のいずれかに記載の方法。
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