JPH09155726A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

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JPH09155726A
JPH09155726A JP34441895A JP34441895A JPH09155726A JP H09155726 A JPH09155726 A JP H09155726A JP 34441895 A JP34441895 A JP 34441895A JP 34441895 A JP34441895 A JP 34441895A JP H09155726 A JPH09155726 A JP H09155726A
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JP
Japan
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polishing
polishing liquid
flat
work
liquid
Prior art date
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Pending
Application number
JP34441895A
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English (en)
Inventor
Akio Chiba
亜紀雄 千葉
Koji Koizumi
光次 小泉
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Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】被加工物の両主面を平坦にする研磨装置を提供
する。 【構成】上定盤と下定盤との間に被加工物とともに液中
に砥粒の混在した研磨液を介在させ、前記上定盤及び下
定盤と被加工物との相対的移動により、前記被加工物の
両主面を研磨する研磨装置において、前記上定盤と下定
盤の何れにも複数の貫通孔を設け、該貫通孔を通して前
記研磨液を被加工物と上下定盤間に供給した構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は研磨装置を利用分野と
し、特に被加工物を水晶振動子(水晶片)としてその両
主面を均等にする研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】「発明の背景」圧電振動子、特に水晶振
動子は振動特性に優れることから、各種の電子機器に周
波数や時間の基準源として、あるいはフィルタ素子等と
して多用されている。そして、圧電材としての水晶片を
所定の厚みに加工するため、種々の研磨装置が用いられ
ている。
【0003】「従来技術の一例」第4図及び第5図は従
来例を説明する研磨装置の図で、第5図は断面図、第6
図は上定盤を除く平面図である。研磨装置は、概ね、中
心を主軸1の貫通した上下定盤2、3と、両者間に挟ま
れたキャリア4からなる。主軸1には太陽ギア5が嵌着
し、外周側にインタ−ナルギア6が設けられる。キャリ
ア4は、被加工物としての水晶片7を収容する保持孔8
を複数個有する。そして、太陽ギア5(主軸1)とイン
ターナルギア6とを同方向に駆動させ、キャリア4を遊
星運動させる。すなわち、キャリア4を主軸1の回りに
自公転させる。
【0004】このようなものでは、液中(水等)9に砥
粒10を混在させた研磨液11を、例えば上定盤2に設
けた貫通孔12に注入しながら、研磨装置を駆動してキ
ャリア4を遊星運動させる。そして、水晶片7と上下定
盤2、3間との相対的移動に伴い、両者間に取り込まれ
た研磨液11中の砥粒10が作用して水晶片7の両主面
を研磨する。この際、回転速度や回転数等により研磨量
(加工量)を制御して所定の厚みにする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】「従来技術の問題点」
しかしながら、上記構成の研磨装置では、第6図に示し
たように、水晶片7の上面(上定盤側)が平坦で、下面
(下定盤側)が凸上に研磨されることが判明した。
【0006】「問題点の考察」この問題点を考察したと
ころ、次の結論に達した。すなわち、水晶片7の上面に
は、上定盤2の貫通孔12を通して研磨液11(砥粒1
0)が、全面に万遍なく供給される。したがって、平坦
に加工される。一方、水晶片7の下面には、下定盤上に
落下した砥粒10が、側面から浸入する。したがって、
水晶片7下面の外周ほど研磨され、内部(中央)になる
ほどその研磨量が少なくなる。すなわち、第7図に示し
たように、砥粒10が内部に移動する際、砥粒自体が研
磨されて小さくなり、研磨量が少なくなる。との結論に
達した。なお、高周波数化に伴い、水晶片の厚みは小さ
くなるため、凸面の振動特性に与える悪影響が顕在化す
る。また、水晶片を大きくするほど(所謂水晶ウェハと
する場合)、外周部分に比較し、中央部分での研磨量が
少なくなる。したがって、研磨後に水晶ウェハを分割す
る場合は、厚みの不均一化を生ずる。
【0007】「発明の目的」本発明は、被加工物の両主
面を平坦にする研磨装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、研磨装置の上
定盤と下定盤の何れにも複数の貫通孔を設け、該貫通孔
を通して研磨液を水晶片と上下定盤間に供給したこと
を、基本的な解決手段とする。以下、本発明の一実施例
を説明する。
【0009】
【作用】本発明では、上下両定盤の貫通孔から、研磨液
が注入されるので、水晶片の上下面に万遍なく砥粒が供
給される。以下、本発明の一実施例を説明する。
【0010】
【実施例】第1図は本発明の一実施例を説明する研磨装
置の断面図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は簡略する。研磨装置は、研磨
装置は、前述のように、太陽ギア5、インタ−ナルギア
6及びこれらに歯合して水晶片7を収容する保持孔8を
もったキャリア4と、主軸1が貫通してキャリア4を押
圧するた上下定盤2、3とからなり、キャリア4を遊星
運動させる機構とする。
【0011】そして、この実施例では、上定盤2のみな
らず、下定盤3にも複数の貫通孔12を設ける。そし
て、下定盤3に設けた供給機構12により、研磨液11
を上下定盤2、3間に噴出する。なお、研磨液11は液
中(水等)9に砥粒10を混在させてなる。噴射機構1
2は、概ね、研磨液11の貯留タンク13、ポンプ1
4、配管系15及び給液部16からなる。給液部16
は、例えば第2図(断面図)に示したように、断面をT
字状とし、主軸1を中心として下定盤3の外表面に取り
付けられる。そして、下定盤3の各貫通孔12及び配管
系に連通する液路17を有する。なお、T字状の垂直部
と配管系15の接合部とは、液漏れシール18を備えた
図示しない回転結合構造となっている。
【0012】このような構成であれば、供給機構12に
より、研磨液11は下定盤3の貫通孔12からも噴出さ
れる。したがって、研磨液11中の砥粒10が、水晶片
7と下定盤3との間に万遍なく供給される。すなわち、
第3図に示したように、同質の砥粒10が水晶片7の下
面全面に供給される。このようなことから、水晶片7の
上下面とも、平坦に研磨される。特に、水晶片7の厚み
が小さく、また水晶ウェハが大型化した場合、その効果
が大きい。
【0013】
【他の事項】上記実施例では、上定盤2への研磨液11
の供給機構は説明しなかったが、上方に設けた図示しな
い貯留タンクから自然供給してもよいし、また、下定盤
3に設けた供給機構12と同様にしてもよい。そして、
上下定盤2、3とも同一供給機構として、加工条件を同
一にすれば、より一層の効果を奏する。また、研磨装置
は、上下定盤2、3を有してキャリア4(被加工物)を
遊星運動させる、としたが、要は上下定盤2、3と被加
工物の相対移動により研磨する機構であれば、本発明を
適用できる。また、供給機構12は実施例に限らず、い
かようにも変更できるもので、要するに上下定盤2、3
のいずれにも貫通孔12を設けて、被加工物の両主面に
研磨液11(砥粒10)を供給するようにしたものは、
基本的に本発明の技術的範囲に属する。
【0014】
【発明の効果】本発明は、研磨装置の上定盤と下定盤の
何れにも複数の貫通孔を設け、該貫通孔を通して研磨液
を水晶片と上下定盤間に供給したので、被加工物の両主
面を平坦にする研磨装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を説明する研磨装置の一部断
面図である。
【図2】本発明の一実施例を説明する研磨装置の特に給
液部の一部断面図である。
【図3】本発明の一実施例による研磨装置の作用を説明
する一部拡大図である。
【図4】従来例を説明する研磨装置の一部断面図であ
る。
【図5】従来例を説明する研磨装置の上定盤を除去した
平面図である。
【図6】従来例の研磨装置による水晶片の断面図であ
る。
【図7】従来例の研磨装置による水晶片の研磨状態を説
明する一部拡大図である。
【符号の説明】
1 主軸、2 上定盤、3 下定盤、4 キャリア、5
太陽ギア、6 インターナルギア、7 水晶片、8
保持孔、9 水、10 砥粒、11 研磨液、12 貫
通孔、13 貯留タンク、14 ポンプ、15 配管
系、16 給液部、17 液路、18 液漏れシール.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上定盤と下定盤との間に被加工物とともに
    液中に砥粒の混在した研磨液を介在させ、前記上定盤及
    び下定盤と被加工物との相対的移動により、前記被加工
    物の両主面を研磨する研磨装置において、前記上定盤と
    下定盤の何れにも複数の貫通孔を設け、該貫通孔を通し
    て前記研磨液を被加工物と上下定盤間に供給したことを
    特徴とする研磨装置。
JP34441895A 1995-12-04 1995-12-04 研磨装置 Pending JPH09155726A (ja)

Priority Applications (1)

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JP34441895A JPH09155726A (ja) 1995-12-04 1995-12-04 研磨装置

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JP34441895A JPH09155726A (ja) 1995-12-04 1995-12-04 研磨装置

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ID=18369106

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195119A (ja) * 2011-09-15 2014-10-09 Siltronic Ag 半導体ウェハの両面研磨方法
CN115870867A (zh) * 2022-12-26 2023-03-31 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光装置及抛光方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195119A (ja) * 2011-09-15 2014-10-09 Siltronic Ag 半導体ウェハの両面研磨方法
US9308619B2 (en) 2011-09-15 2016-04-12 Siltronic Ag Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer
CN115870867A (zh) * 2022-12-26 2023-03-31 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光装置及抛光方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040210