JPH01135468A - 表面研磨方法 - Google Patents

表面研磨方法

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Publication number
JPH01135468A
JPH01135468A JP62293442A JP29344287A JPH01135468A JP H01135468 A JPH01135468 A JP H01135468A JP 62293442 A JP62293442 A JP 62293442A JP 29344287 A JP29344287 A JP 29344287A JP H01135468 A JPH01135468 A JP H01135468A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing cloth
wafer
plate
surface plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62293442A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Sakamoto
坂本 憲太郎
Kazuo Fujie
藤江 和男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Japan Silicon Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp, Japan Silicon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP62293442A priority Critical patent/JPH01135468A/ja
Publication of JPH01135468A publication Critical patent/JPH01135468A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体シリコンウェーハ等の表面研磨に用
いて好適な研磨方法に関する。
[従来の技術] シリコンウェーハ(以下、ウェーハと略称する)は、I
Cや半導体素子の基板となる超高純度シリコン単結晶の
円盤状薄板である。このウェーハは、極めて高精度の表
面粗さや平面度が要求されるため、一般にその表面には
ラッピングやポリッシングが行われており、最終的に鏡
面仕上げが施されている。
これらラッピングやポリッシングなどの研磨工程におい
ては、従来より種々の方法が用いられているが、一般に
は、その表面に研磨布が張り付けられた定盤にウェーハ
を加圧し、これらウェーハ及び定盤を相対運動させてウ
ェーハ片面を研磨する方法が広く用いられており、以下
第2図ないし第4図を用いて片面研磨方法を説明する。
第2図において、符号1はウェーハであす、コのウェー
ハlは図に示すように複数枚が等間隔に円形のキャリア
プレート2に固定されている。この固定方法としては、
ウェーハlの片面にワックスを塗布することによりウェ
ーハlをキャリアプレート2の片面に接着するワックス
法と、真空吸着、水貼り等の方法により吸着するワック
スレス法とがある。
上記のいずれかの方法によりキャリアプレート2の片面
に固着されたウェーハlは、ついで表面研磨が行われる
が、この方法を第3図により説明する。
まず、キャリアプレート2を、ウェーハlが固着された
面を下方にして、その表面に研磨布3が張り付けられた
定盤4上に載置する。なお、この定盤4は図示しない駆
動装置と連結されており、軸線Oを中心として回転運動
をすることが可能である。また、定盤4上に載置するキ
ャリアプレート2の枚数は図では1枚となっているが、
実際には複数枚を載置するものである。
次に、キャリアプレート2の上部に加圧ヘッド5を密着
させ、ウェーハlを研磨布3に加圧す−る。
なお、この加圧ヘッド5は図示しない昇降装置と自在継
手によって連結されており、上昇下降可能でかつ回転自
在となっている。
ウェーハ1を研磨布3に加圧したら、研磨布3上に砥粒
とアルカリ液とを混合したスラリー状研磨液を供給しな
がら定盤4軸線0を中心として一方向に等速度で回転さ
せる。すると、キャリアプレート2に固着された各ウェ
ーハlと研磨布3との接触面における相対速度は定盤4
の軸線Oから離れるに従って大きくなるため、キャリア
プレート2に固着されたウェーハ1の内、研磨布3と定
盤4の外側において接触しているウェーハlにはより大
きい相対速度が与えられ、キャリアプレート2は加圧ヘ
ッド5と共に反時計方向に回転させられる。そして、各
ウェーハlの下面が研磨布3に擦られ、研磨液を介して
研磨されるのである。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、上述した従来の片面研磨方法においては、定
盤4は一方向にのみ等速回転しているため、以下に述べ
るような問題点があった。
すなわち、研磨布3は軟質弾性材からなるものであるた
め、連続して一方向にのみ回転させると、その表面の起
伏が、次第に第4図(A)に示すように、図中矢印で示
すウェーハlの相対的な移動方向に揃ってよじれ、最終
的には、第4図(B)に示すように平滑化してしまう。
すると、研磨によって生じる切り屑6や研磨液に含まれ
た砥粒7が研石布3内部に閉じ込められて、研磨布3が
容易に目詰まりを起こし、短時間で研磨不能となってし
まう。また、表面に加圧された被研磨材が、常に同一箇
所を通過するため、研磨布3表面が偏減りするというこ
ともあり、研磨布3の寿命が早く尽きるという問題があ
った。そして、研磨布3上に新たに供給された研磨液も
、研磨に何隻寄与することなく、平滑化された研磨布3
表面を容易に流れて外部に排出されてしまい、非常に不
経済なものであった。
この発明は、このような背景の下になされたもので、研
磨布表面の目詰まりや偏減りを防止して研磨布の寿命を
延長させ、また、表面に供給される研磨液を無駄にしな
い表面研磨方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を解決するためにこの発明は、研磨中に定盤
の回転方向を反転させるようにして研磨を行う。
[作用 ] 上記手段によれば、被研磨材の研磨布表面に対する相対
的な移動方向が一定でなくなるので、連続して研磨を行
っても研磨布表面が目詰まりを起こしたり、偏減りを起
こしたりすることがなく、また、研磨液を無駄にするこ
ともないのである。
[実施例] 以下、各図を参照しながら本発明の詳細な説明する。な
お、既に説明した各構成要素については、その説明を省
略する。
本実施例は、定盤4と連結された図示しない駆動装置に
逆転機構を設け、図示しない制御装置にあらかじめ入力
されたプログラムに従って、研磨中に定盤4の回転方向
を反転させるものである。
すなわち、従来と同様にウェーハlをキャリアプレート
2に固着し、キャリアプレート2上部を加圧ヘッド5で
加圧することによって、ウェーハlを研磨布3表面に加
圧し、スラリー状研磨液を供給しながら定盤4を回転さ
せて研磨を行う。すると、制御装置にあらかじめ入力さ
れたプログラムに従って、定盤4の回転方向が反転しな
がら、ウェーハ1表面が研磨布3表面に擦られ、研磨液
を介して研磨されるのである。
本実施例においては、定盤4の時計方向若しくは反時計
方向のいずれか一方向の回転によって、第4図(B)に
示すように研磨布3表面に切り屑6や砥粒7が閉じ込め
られても、定盤4反転時に、第1図(A)に示すように
研磨布3表面が逆方向に起こされるため、切り屑6や砥
粒7が容易に研磨布3表面から排出されるのである。そ
して、同時に新たな研磨液が、切り屑6や砥粒7と入れ
代わって研磨布3表面に供給され、研磨布3表面に止ま
るため、無駄に外部に排出されることがないのである。
次に本発明の他の実施例を説明するが、上記実施例と重
複する事項については、その説明を省略する。
本実施例は、定盤4が一方向に数回転して、研磨布3表
面が、第4図(A)に示すように、一方向に揃ってよじ
れた段階で、定盤4を反転させるものである。
本実施例においては、研磨布3表面が、第4図([1)
に示すように平滑化する以前に定盤4を反転させるので
、ウェーハ1の表面は常に研磨布3表面と擦られ、研磨
液を介して研磨される。加えて、定盤4反転時には、第
1図(13)に示すように、研磨布3表面が、図中矢印
で示すウェーハ1の研磨布3に対する相対的な運動方向
に対して、すべて対向する方向によじれているため、ウ
ェーハ1表面は研磨布3表面とより強く擦られ、研磨液
を介して大きく研磨される。従って、本実施例によれば
、従来の表面研磨方法に比して研磨時間は大幅に短縮さ
れ、極めて効率的に表面研磨を行うことかできるのであ
る。
次に、さらに他の実施例について説明するh(、上記各
実施例と重複する事項については説明を省略する。
本実施例は、最初は定盤4の回転方向を適宜反転させな
がらウェーハ1表面を大きく研磨し、−定時間が経過し
たら反転を中止して、定盤4を一方向にのみ回転させて
、ウエーノ凡!表面d研磨を行うものである。
本実施例においては、まず定盤4の反転により、ウェー
ハ1表面は短時間で大きくかつ粗く研磨される。そして
、この後反転を中止して、定盤4を一方向にのみ回転さ
せると、第4図([()に示すように、研磨布3表面は
平滑化して、ウェー7X1表面が滑らかに研磨され、き
め細か0面粗度力(得られる。従って、本実施例によれ
ば、ウェー7%11表面を短時間で粗研磨した後、引き
続き仕上げ研磨を施すことができ、極めて合理的に表面
研磨を行うことができるのである。
以上説明した各実施例においては、ウエーノ\lの片面
を研磨する場合についてのみ述べたが、本発明の表面研
磨方法はこれに限るものではなく、ウェーハ1を、表面
に研磨布が張り付けられた2枚の定盤で挟み込んで両面
を研■する場合にも、当然適用可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明は、研磨中に定盤の回転
方向を反転させるようにして研磨を行うしのである。
従って、被研磨材の研磨布表面に対する相対運動の方向
は交互に変化し、研磨布表面の目詰まりや偏減りが防止
され、研磨布の寿命は大幅に長くなる。そして、表面に
供給される研磨液も無駄に排出されないので、非常に経
済的に表面研磨を行うことができるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は定盤を反転させた時の研磨布表面拡大図であり
、(A)は定盤が一方向に回転して研磨布表面が目詰ま
りを起こした段階で反転させた時の研磨布表面拡大図、
(I3)は定盤が一方向に敗回転した段階で反転させた
時の研磨布表面拡大図、第2図はウェーハが固着された
キャリアプレートの平面図、第3図は研磨装置の断面図
、第4図は定盤を一方向にのみ回転させた時の研磨布表
面拡大図であり、(A)は定盤を一方向に数回転させた
時の研磨布表面拡大図、(B)は一方向にのみ回転が続
けられて、平滑化した研磨布表面の拡大図である。 l・・・・・・ウェーハ、  2・・・・・・キャリア
プレート、3・・・・・・研磨布、 4・・・・・・定
盤。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被研磨材を、その表面に研磨布が張り付けられた
    定盤に加圧し、定盤をその軸線を中心として回転運動さ
    せて上記被研磨材表面と上記研磨布表面に相対運動を与
    え、被研磨材表面の研磨を行う表面研磨方法において、
    研磨中に上記定盤の回転方向を反転させるようにするこ
    とを特徴とする表面研磨方法。
  2. (2)定盤の回転方向を、数回転毎に交互に反転させる
    ようにすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の表面研磨方法。
  3. (3)まず定盤を反転させながら研磨を行い、続いて、
    定盤の反転を中止して一方向にのみ回転させて研磨を行
    うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面研
    磨方法。
JP62293442A 1987-11-20 1987-11-20 表面研磨方法 Pending JPH01135468A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03228569A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Fujikoshi Kikai Kogyo Kk ポリシング装置およびポリシング方法
JP2011067901A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
KR20200031229A (ko) 2018-09-14 2020-03-24 주식회사 파마리서치프로덕트 Dna 단편 혼합물 및 키토산을 유효성분으로 포함하는 아토피 피부염 예방 또는 치료용 조성물

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