JPH11207610A - 研磨量制御システム及びその方法 - Google Patents
研磨量制御システム及びその方法Info
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- JPH11207610A JPH11207610A JP2928498A JP2928498A JPH11207610A JP H11207610 A JPH11207610 A JP H11207610A JP 2928498 A JP2928498 A JP 2928498A JP 2928498 A JP2928498 A JP 2928498A JP H11207610 A JPH11207610 A JP H11207610A
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークの被膜層の測定結果を次の研磨作業に
素早くフィードバックさせて、ワークの生産性向上を図
ることができ、しかも、高精度の研磨作業を可能にした
研磨量制御システム及びその方法を提供する。 【解決手段】 両面研磨装置１で研磨した磁気ディスク
Ｗの両面のメッキ層の厚さをＸ線膜厚計２で測定し、そ
の測定結果に応じて、両面研磨装置１の駆動モータ１
５，１８の回転速度を制御する。具体的には、次に研磨
する磁気ディスクＷの上面及び下面のメッキ層の研磨量
が１．８μｍ〜２．２μｍ内になるように上定盤１３，
下定盤１１の回転速度を制御すると共に、同磁気ディス
クＷの上下面のメッキ層の厚差が−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍ内になるように上定盤１３，下定盤１１の
いずれかの回転速度を制御する。
素早くフィードバックさせて、ワークの生産性向上を図
ることができ、しかも、高精度の研磨作業を可能にした
研磨量制御システム及びその方法を提供する。 【解決手段】 両面研磨装置１で研磨した磁気ディスク
Ｗの両面のメッキ層の厚さをＸ線膜厚計２で測定し、そ
の測定結果に応じて、両面研磨装置１の駆動モータ１
５，１８の回転速度を制御する。具体的には、次に研磨
する磁気ディスクＷの上面及び下面のメッキ層の研磨量
が１．８μｍ〜２．２μｍ内になるように上定盤１３，
下定盤１１の回転速度を制御すると共に、同磁気ディス
クＷの上下面のメッキ層の厚差が−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍ内になるように上定盤１３，下定盤１１の
いずれかの回転速度を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク等
のワークの被膜層に対する研磨量を制御するための研磨
量制御システム及びその方法に関するものである。
のワークの被膜層に対する研磨量を制御するための研磨
量制御システム及びその方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ニッケルは、強磁性体金属であ
るが、アモルファス状のメッキ膜にすると共に適度なリ
ンを含有させることで非磁性となる。その一例として、
無電解ニッケル−リンのメッキ膜がある。この無電解ニ
ッケル−リン（以下「Ｎi−Ｐ」と記す）のメッキ膜
は、高い力学的強度と高耐食性と上記のように非磁性と
を有することから、磁気ディスク等の強化膜として用い
られている。すなわち、磁気ディスク基板の両面に無電
解Ｎi−Ｐのメッキ膜の層を形成して、このメッキ層の
表面を研磨して平坦化し、所定の磁気ディスクを形成し
ていた。ところで、磁気ディスクのメッキ層は一定の厚
さまで研磨することで平坦性を得ることができる。ま
た、メッキ層が平坦に研磨されても、磁気ディスクの一
方面のメッキ層の厚さと他方面のメッキ層の厚さとが異
なる場合には、磁気ディスクの表側の特性と裏側の特性
とが異なるおそれがある。そこで、従来は、研磨後の磁
気ディスクのメッキ層の厚さをＸ線膜厚計で測定して、
メッキ層が所望の厚さに研磨されているか否か及び一方
面のメッキ層の厚さと他方面のメッキ層の厚さとの差が
所定範囲内の値になっているか否かを調べる。そして、
研磨パッドの荒れなど、研磨条件が変化してメッキ層が
所望の厚さに研磨されなくなった場合には、研磨装置の
定盤やサンギア等の回転速度を手作業で変えることによ
り、メッキ層の研磨量を制御していた。
るが、アモルファス状のメッキ膜にすると共に適度なリ
ンを含有させることで非磁性となる。その一例として、
無電解ニッケル−リンのメッキ膜がある。この無電解ニ
ッケル−リン（以下「Ｎi−Ｐ」と記す）のメッキ膜
は、高い力学的強度と高耐食性と上記のように非磁性と
を有することから、磁気ディスク等の強化膜として用い
られている。すなわち、磁気ディスク基板の両面に無電
解Ｎi−Ｐのメッキ膜の層を形成して、このメッキ層の
表面を研磨して平坦化し、所定の磁気ディスクを形成し
ていた。ところで、磁気ディスクのメッキ層は一定の厚
さまで研磨することで平坦性を得ることができる。ま
た、メッキ層が平坦に研磨されても、磁気ディスクの一
方面のメッキ層の厚さと他方面のメッキ層の厚さとが異
なる場合には、磁気ディスクの表側の特性と裏側の特性
とが異なるおそれがある。そこで、従来は、研磨後の磁
気ディスクのメッキ層の厚さをＸ線膜厚計で測定して、
メッキ層が所望の厚さに研磨されているか否か及び一方
面のメッキ層の厚さと他方面のメッキ層の厚さとの差が
所定範囲内の値になっているか否かを調べる。そして、
研磨パッドの荒れなど、研磨条件が変化してメッキ層が
所望の厚さに研磨されなくなった場合には、研磨装置の
定盤やサンギア等の回転速度を手作業で変えることによ
り、メッキ層の研磨量を制御していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の研磨量制御方法では、次のような問題があった。一般
に、磁気ディスクの研磨は流れ作業で行われ、既研磨の
磁気ディスクのメッキ層の厚さを測定している間も、磁
気ディスクの研磨は続けられる。このため、厚さ測定
後、研磨装置の定盤等の回転速度を制御する迄の間、不
良研磨の磁気ディスクが生産されてしまうこととなる。
実際には、厚さ測定はバッチ単位（例えば磁気ディスク
５０枚）でサンプリングされた１，２枚の磁気ディスク
について行うことが多く、また、場合によっては、半日
に１回しか測定しない場合もある。このような場合に
は、研磨装置の上定盤及び下定盤を適正な回転速度に制
御する迄の間に、不良研磨の磁気ディスクが多量に生産
されてしまう。これに対して、メッキ層を測定して上定
盤や下定盤の回転速度を決定するという一連の作業の終
了を待って、次のワークの研磨を行うことも考えられる
が、この作業が手作業で行われることから、測定結果を
研磨作業にフィードバックする迄に長時間を要し、磁気
ディスクの生産性の低下を招くことになる。
の研磨量制御方法では、次のような問題があった。一般
に、磁気ディスクの研磨は流れ作業で行われ、既研磨の
磁気ディスクのメッキ層の厚さを測定している間も、磁
気ディスクの研磨は続けられる。このため、厚さ測定
後、研磨装置の定盤等の回転速度を制御する迄の間、不
良研磨の磁気ディスクが生産されてしまうこととなる。
実際には、厚さ測定はバッチ単位（例えば磁気ディスク
５０枚）でサンプリングされた１，２枚の磁気ディスク
について行うことが多く、また、場合によっては、半日
に１回しか測定しない場合もある。このような場合に
は、研磨装置の上定盤及び下定盤を適正な回転速度に制
御する迄の間に、不良研磨の磁気ディスクが多量に生産
されてしまう。これに対して、メッキ層を測定して上定
盤や下定盤の回転速度を決定するという一連の作業の終
了を待って、次のワークの研磨を行うことも考えられる
が、この作業が手作業で行われることから、測定結果を
研磨作業にフィードバックする迄に長時間を要し、磁気
ディスクの生産性の低下を招くことになる。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、ワークの被膜層の測定結果を次の研磨
作業に素早くフィードバックさせて、ワークの生産性向
上を図ることができ、しかも、高精度の研磨作業を可能
にした研磨量制御システム及びその方法を提供すること
を目的とするものである。
なされたもので、ワークの被膜層の測定結果を次の研磨
作業に素早くフィードバックさせて、ワークの生産性向
上を図ることができ、しかも、高精度の研磨作業を可能
にした研磨量制御システム及びその方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、サンギア及びインターナルギア
の少なく共一方を回転させることで、被膜層を基板の上
下面に各々有するワークを保持したキャリアをサンギア
周りで自公転させ、回転する下定盤とワークを押圧しな
がら回転する上定盤とによりワークの下面被膜層と上面
被膜層とを研磨する両面研磨装置と、両面研磨装置によ
る研磨後のワークの上面被膜層及び下面被膜層の各厚さ
を測定する膜厚測定装置と、膜厚測定装置で測定された
上面被膜層及び下面被膜層の各厚さに応じて、両面研磨
装置の上定盤と下定盤との回転速度を制御する制御装置
とを具備する研磨量制御システムであって、制御装置
は、ワークの研磨前の上面被膜層の厚さと膜厚測定装置
で測定された研磨後の上面被膜層の厚さとの差である上
膜研磨量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量許容
範囲内であるときに、研磨後の上面被膜層値を出力し、
また、上膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さいとき
に、次研磨におけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範
囲内になるように、ワークに対する上定盤の回転速度を
上げ、逆に、上膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きい
ときに、次研磨におけるワークの上膜研磨量が研磨量許
容範囲内になるように、ワークに対する上定盤の回転速
度を下げる上定盤回転速度制御部と、研磨前の下面被膜
層の厚さと膜厚測定装置で測定された研磨後の下面被膜
層の厚さとの差である下膜研磨量を演算し、この下膜研
磨量が研磨量許容範囲内であるときに、下面被膜層値を
出力し、また、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さ
いときに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量
許容範囲内になるように、ワークに対する下定盤の回転
速度を上げ、逆に、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも
大きいときに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研
磨量許容範囲内になるように、ワークに対する下定盤の
回転速度を下げる下定盤回転速度制御部と、上定盤回転
速度制御部からの上面被膜層値と下定盤回転速度制御部
からの下面被膜層値との差である両面膜厚差が所定の膜
厚差許容範囲外であるときに、次研磨におけるワークの
両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になるように、上定盤及
び下定盤の少なく共一方の回転速度を制御する両面膜厚
差調整部とを具備する構成とした。かかる構成により、
ワークの上面被膜層と下面被膜層とが両面研磨装置の上
定盤及び下定盤との回転によって研磨された後、膜厚測
定装置によって、上面被膜層と下面被膜層との各厚さが
測定される。すると、制御装置において、膜厚測定装置
で測定された各被膜層の厚さに応じて上定盤と下定盤と
の回転速度とが制御される。すなわち、制御装置の上定
盤回転速度制御部により、演算された上膜研磨量が研磨
量許容範囲より小さい場合や大きい場合には、次研磨に
おけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になるよ
うに上定盤の回転速度が上下される。また、下定盤回転
速度制御部により、演算された下膜研磨量が研磨量許容
範囲より小さい場合や大きい場合には、次研磨における
ワークの下膜研磨量が研磨量許容範囲内になるように下
定盤の回転速度が上下される。また、上膜研磨量及び下
膜研磨量が研磨量許容範囲内である場合には、両面膜厚
差調整部により、その両面膜厚差が膜厚差許容範囲外か
否かが判断され、膜厚差許容範囲外の場合には、次研磨
におけるワークの両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になる
ように、上定盤及び下定盤の少なくとも一方の回転速度
が制御される。ところで、この発明における膜厚測定装
置は、上面被膜層及び下面被膜層の各厚さを測定し得る
ものであればよく、その好例として、請求項２の発明
は、請求項１に記載の研磨量制御システムにおいて、膜
厚測定装置は、Ｘ線膜厚計である構成とした。かかる構
成により、上面被膜層及び下面被膜層の各厚さを高精度
で測定することができる。また、ワークとしてディスク
やウエハなど各種の部材を適用することができる。その
一例として、請求項３の発明は、請求項１または請求項
２に記載の研磨量制御システムにおいて、ワークは、被
膜層としてのニッケル−リンのメッキ層を磁気ディスク
基板の上下面に各々有した磁気ディスクである構成とし
た。さらに、研磨量許容範囲や膜厚差許容範囲は被膜層
の平坦性などを考慮して決定されれば良く、その一例と
して、請求項４の発明は、請求項３に記載の研磨量制御
システムにおいて、研磨量許容範囲は、１μｍ〜５μｍ
であり、膜厚差許容範囲は、−０．１５μｍ〜＋０．１
５μｍである構成とした。
に、請求項１の発明は、サンギア及びインターナルギア
の少なく共一方を回転させることで、被膜層を基板の上
下面に各々有するワークを保持したキャリアをサンギア
周りで自公転させ、回転する下定盤とワークを押圧しな
がら回転する上定盤とによりワークの下面被膜層と上面
被膜層とを研磨する両面研磨装置と、両面研磨装置によ
る研磨後のワークの上面被膜層及び下面被膜層の各厚さ
を測定する膜厚測定装置と、膜厚測定装置で測定された
上面被膜層及び下面被膜層の各厚さに応じて、両面研磨
装置の上定盤と下定盤との回転速度を制御する制御装置
とを具備する研磨量制御システムであって、制御装置
は、ワークの研磨前の上面被膜層の厚さと膜厚測定装置
で測定された研磨後の上面被膜層の厚さとの差である上
膜研磨量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量許容
範囲内であるときに、研磨後の上面被膜層値を出力し、
また、上膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さいとき
に、次研磨におけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範
囲内になるように、ワークに対する上定盤の回転速度を
上げ、逆に、上膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きい
ときに、次研磨におけるワークの上膜研磨量が研磨量許
容範囲内になるように、ワークに対する上定盤の回転速
度を下げる上定盤回転速度制御部と、研磨前の下面被膜
層の厚さと膜厚測定装置で測定された研磨後の下面被膜
層の厚さとの差である下膜研磨量を演算し、この下膜研
磨量が研磨量許容範囲内であるときに、下面被膜層値を
出力し、また、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さ
いときに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量
許容範囲内になるように、ワークに対する下定盤の回転
速度を上げ、逆に、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも
大きいときに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研
磨量許容範囲内になるように、ワークに対する下定盤の
回転速度を下げる下定盤回転速度制御部と、上定盤回転
速度制御部からの上面被膜層値と下定盤回転速度制御部
からの下面被膜層値との差である両面膜厚差が所定の膜
厚差許容範囲外であるときに、次研磨におけるワークの
両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になるように、上定盤及
び下定盤の少なく共一方の回転速度を制御する両面膜厚
差調整部とを具備する構成とした。かかる構成により、
ワークの上面被膜層と下面被膜層とが両面研磨装置の上
定盤及び下定盤との回転によって研磨された後、膜厚測
定装置によって、上面被膜層と下面被膜層との各厚さが
測定される。すると、制御装置において、膜厚測定装置
で測定された各被膜層の厚さに応じて上定盤と下定盤と
の回転速度とが制御される。すなわち、制御装置の上定
盤回転速度制御部により、演算された上膜研磨量が研磨
量許容範囲より小さい場合や大きい場合には、次研磨に
おけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になるよ
うに上定盤の回転速度が上下される。また、下定盤回転
速度制御部により、演算された下膜研磨量が研磨量許容
範囲より小さい場合や大きい場合には、次研磨における
ワークの下膜研磨量が研磨量許容範囲内になるように下
定盤の回転速度が上下される。また、上膜研磨量及び下
膜研磨量が研磨量許容範囲内である場合には、両面膜厚
差調整部により、その両面膜厚差が膜厚差許容範囲外か
否かが判断され、膜厚差許容範囲外の場合には、次研磨
におけるワークの両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になる
ように、上定盤及び下定盤の少なくとも一方の回転速度
が制御される。ところで、この発明における膜厚測定装
置は、上面被膜層及び下面被膜層の各厚さを測定し得る
ものであればよく、その好例として、請求項２の発明
は、請求項１に記載の研磨量制御システムにおいて、膜
厚測定装置は、Ｘ線膜厚計である構成とした。かかる構
成により、上面被膜層及び下面被膜層の各厚さを高精度
で測定することができる。また、ワークとしてディスク
やウエハなど各種の部材を適用することができる。その
一例として、請求項３の発明は、請求項１または請求項
２に記載の研磨量制御システムにおいて、ワークは、被
膜層としてのニッケル−リンのメッキ層を磁気ディスク
基板の上下面に各々有した磁気ディスクである構成とし
た。さらに、研磨量許容範囲や膜厚差許容範囲は被膜層
の平坦性などを考慮して決定されれば良く、その一例と
して、請求項４の発明は、請求項３に記載の研磨量制御
システムにおいて、研磨量許容範囲は、１μｍ〜５μｍ
であり、膜厚差許容範囲は、−０．１５μｍ〜＋０．１
５μｍである構成とした。
【０００６】また、上記課題を解決するために、請求項
５の発明は、ワークの両面を研磨する両面研磨装置と、
研磨装置によるワークの研磨後の重量を測定する重量測
定装置と、この重量に応じて、研磨装置の研磨時間を制
御する制御装置とを具備する研磨量制御システムであっ
て、制御装置は、研磨前のワークと重量測定装置で測定
された研磨後のワークとの重量差を演算し、この重量差
が所定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨にお
けるワークの重量差が重量許容範囲内になるように、研
磨装置の研磨時間を長くし、逆に、重量差が重量許容範
囲よりも大きいときに、次研磨における重量差が重量許
容範囲内になるように、研磨装置の研磨時間を短くする
ものである構成とした。かかる構成により、両面研磨装
置によってワークの両面が研磨された後、重量測定装置
によってその重量が測定され、制御装置により、演算さ
れた重量差に応じて研磨装置の研磨時間が制御される。
すなわち、重量差が重量許容範囲よりも小さい場合や大
きい場合には、次研磨におけるワークの重量差が重量許
容範囲内になるように、研磨装置の研磨時間が伸縮され
る。
５の発明は、ワークの両面を研磨する両面研磨装置と、
研磨装置によるワークの研磨後の重量を測定する重量測
定装置と、この重量に応じて、研磨装置の研磨時間を制
御する制御装置とを具備する研磨量制御システムであっ
て、制御装置は、研磨前のワークと重量測定装置で測定
された研磨後のワークとの重量差を演算し、この重量差
が所定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨にお
けるワークの重量差が重量許容範囲内になるように、研
磨装置の研磨時間を長くし、逆に、重量差が重量許容範
囲よりも大きいときに、次研磨における重量差が重量許
容範囲内になるように、研磨装置の研磨時間を短くする
ものである構成とした。かかる構成により、両面研磨装
置によってワークの両面が研磨された後、重量測定装置
によってその重量が測定され、制御装置により、演算さ
れた重量差に応じて研磨装置の研磨時間が制御される。
すなわち、重量差が重量許容範囲よりも小さい場合や大
きい場合には、次研磨におけるワークの重量差が重量許
容範囲内になるように、研磨装置の研磨時間が伸縮され
る。
【０００７】ところで、上記発明は、物の発明としての
研磨量制御システムであるが、システムを達成し得る方
法をも発明として捉えることができる。そこで、請求項
６の発明は、両面研磨装置によりワークの下面被膜層と
上面被膜層とを同時に研磨する両面研磨工程と、両面研
磨工程後のワークの上面被膜層及び下面被膜層の各厚さ
を測定する膜厚測定工程と、膜厚測定工程で測定された
上面被膜層及び下面被膜層の各厚さに応じて、両面研磨
装置の上定盤と下定盤との回転速度を制御する制御工程
とを具備する研磨量制御方法であって、制御工程は、ワ
ークの研磨前の上面被膜層の厚さと膜厚測定工程で測定
された研磨後の上面被膜層の厚さとの差である上膜研磨
量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量許容範囲内
であるときに、上面被膜層値を出力し、また、上膜研磨
量が研磨量許容範囲よりも小さいときに、次研磨におけ
るワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になるよう
に、ワークに対する上定盤の回転速度を上げ、逆に、上
膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きいときに、次研磨
におけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になる
ように、ワークに対する上定盤の回転速度を下げる上定
盤回転速度制御過程と、研磨前の下面被膜層の厚さと膜
厚測定工程で測定された研磨後の下面被膜層の厚さとの
差である下膜研磨量を演算し、この下膜研磨量が研磨量
許容範囲内であるときに、下面被膜層値を出力し、ま
た、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さいときに、
次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量許容範囲内
になるように、ワークに対する下定盤の回転速度を上
げ、逆に、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きいと
きに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量許容
範囲内になるように、ワークに対する下定盤の回転速度
を下げる下定盤回転速度制御過程と、上定盤回転速度制
御過程で出力された上面被膜層値と下定盤回転速度制御
過程で出力された下面被膜層値との差である両面膜厚差
が所定の膜厚差許容範囲外であるときに、次研磨におけ
るワークの両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になるよう
に、上定盤及び下定盤の少なく共一方の回転速度を制御
する両面膜厚差調整過程とを具備する構成とした。 ま
た、請求項７の発明は、請求項６に記載の研磨量制御方
法において、膜厚測定工程では、Ｘ線膜厚計により、上
面被膜層及び下面被膜層の各厚さを測定する構成とし
た。また、請求項８の発明は、請求項６または請求項７
に記載の研磨量制御方法において、両面研磨工程では、
被膜層としてのニッケル−リンのメッキ層を磁気ディス
ク基板の上下面に各々有した磁気ディスクを研磨する構
成とした。さらに、請求項９の発明は、請求項８に記載
の研磨量制御方法において、上定盤回転速度制御過程及
び下定盤回転速度制御過程では、１μｍ〜５μｍの研磨
量許容範囲を定め、両面膜厚差調整過程では、−０．１
５μｍ〜＋０．１５μｍの膜厚差許容範囲を定める構成
とした。また、請求項１０の発明は、両面研磨装置でワ
ークの両面を研磨する両面研磨工程と、両面研磨工程後
のワークの重量を測定する重量測定工程と、重量測定工
程で測定された重量に応じて、研磨装置の研磨時間を制
御する制御工程とを具備する研磨量制御方法であって、
制御工程は、研磨前のワークと重量測定工程で測定され
た研磨後のワークとの重量差を演算し、この重量差が所
定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨における
ワークの重量差が重量許容範囲内になるように、研磨装
置の研磨時間を長くし、逆に、重量差が重量許容範囲よ
りも大きいときに、次研磨における重量差が重量許容範
囲内になるように、研磨装置の研磨時間を短くする構成
とした。
研磨量制御システムであるが、システムを達成し得る方
法をも発明として捉えることができる。そこで、請求項
６の発明は、両面研磨装置によりワークの下面被膜層と
上面被膜層とを同時に研磨する両面研磨工程と、両面研
磨工程後のワークの上面被膜層及び下面被膜層の各厚さ
を測定する膜厚測定工程と、膜厚測定工程で測定された
上面被膜層及び下面被膜層の各厚さに応じて、両面研磨
装置の上定盤と下定盤との回転速度を制御する制御工程
とを具備する研磨量制御方法であって、制御工程は、ワ
ークの研磨前の上面被膜層の厚さと膜厚測定工程で測定
された研磨後の上面被膜層の厚さとの差である上膜研磨
量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量許容範囲内
であるときに、上面被膜層値を出力し、また、上膜研磨
量が研磨量許容範囲よりも小さいときに、次研磨におけ
るワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になるよう
に、ワークに対する上定盤の回転速度を上げ、逆に、上
膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きいときに、次研磨
におけるワークの上膜研磨量が研磨量許容範囲内になる
ように、ワークに対する上定盤の回転速度を下げる上定
盤回転速度制御過程と、研磨前の下面被膜層の厚さと膜
厚測定工程で測定された研磨後の下面被膜層の厚さとの
差である下膜研磨量を演算し、この下膜研磨量が研磨量
許容範囲内であるときに、下面被膜層値を出力し、ま
た、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも小さいときに、
次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量許容範囲内
になるように、ワークに対する下定盤の回転速度を上
げ、逆に、下膜研磨量が研磨量許容範囲よりも大きいと
きに、次研磨におけるワークの下膜研磨量が研磨量許容
範囲内になるように、ワークに対する下定盤の回転速度
を下げる下定盤回転速度制御過程と、上定盤回転速度制
御過程で出力された上面被膜層値と下定盤回転速度制御
過程で出力された下面被膜層値との差である両面膜厚差
が所定の膜厚差許容範囲外であるときに、次研磨におけ
るワークの両面膜厚差が膜厚差許容範囲内になるよう
に、上定盤及び下定盤の少なく共一方の回転速度を制御
する両面膜厚差調整過程とを具備する構成とした。 ま
た、請求項７の発明は、請求項６に記載の研磨量制御方
法において、膜厚測定工程では、Ｘ線膜厚計により、上
面被膜層及び下面被膜層の各厚さを測定する構成とし
た。また、請求項８の発明は、請求項６または請求項７
に記載の研磨量制御方法において、両面研磨工程では、
被膜層としてのニッケル−リンのメッキ層を磁気ディス
ク基板の上下面に各々有した磁気ディスクを研磨する構
成とした。さらに、請求項９の発明は、請求項８に記載
の研磨量制御方法において、上定盤回転速度制御過程及
び下定盤回転速度制御過程では、１μｍ〜５μｍの研磨
量許容範囲を定め、両面膜厚差調整過程では、−０．１
５μｍ〜＋０．１５μｍの膜厚差許容範囲を定める構成
とした。また、請求項１０の発明は、両面研磨装置でワ
ークの両面を研磨する両面研磨工程と、両面研磨工程後
のワークの重量を測定する重量測定工程と、重量測定工
程で測定された重量に応じて、研磨装置の研磨時間を制
御する制御工程とを具備する研磨量制御方法であって、
制御工程は、研磨前のワークと重量測定工程で測定され
た研磨後のワークとの重量差を演算し、この重量差が所
定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨における
ワークの重量差が重量許容範囲内になるように、研磨装
置の研磨時間を長くし、逆に、重量差が重量許容範囲よ
りも大きいときに、次研磨における重量差が重量許容範
囲内になるように、研磨装置の研磨時間を短くする構成
とした。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る研磨量制御システムを示す概略図であり、図２は
図１のシステムの概略を示す平面図である。図１及び図
２に示すように、この研磨量制御システムは、両面研磨
装置１と膜厚測定装置としてのＸ線膜厚計２と制御装置
３とを具備している。
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る研磨量制御システムを示す概略図であり、図２は
図１のシステムの概略を示す平面図である。図１及び図
２に示すように、この研磨量制御システムは、両面研磨
装置１と膜厚測定装置としてのＸ線膜厚計２と制御装置
３とを具備している。
【０００９】両面研磨装置１は、ワークとしての磁気デ
ィスクＷの両面を同時に研磨する装置である。図３は、
この両面研磨装置１で研磨する磁気ディスクＷの概略断
面図である。図３示すように、磁気ディスクＷは、被膜
層としての無電解Ｎi−Ｐのメッキ層Ｍ１，Ｍ２（上面
被膜層，下面被膜層）を磁気ディスク基板Ｗ１の上下面
に有しており、両面研磨装置１は、このメッキ層Ｍ１，
Ｍ２を所望厚さまで研磨する。図４は、両面研磨装置１
の構造を示す断面図である。両面研磨装置１は、周知の
ポリッシング装置であり、同心状に組み付けられたサン
ギア１０と下定盤１１とインターナルギア１２とを有
し、これらの組付体の上に上定盤１３を有した構造とな
っている。具体的には、中心のサンギア１０の外周に、
研磨パッド１１ａを有した下定盤１１が配され、この下
定盤１１の外周にさらにインターナルギア１２が配され
ており、これらサンギア１０，下定盤１１，インターナ
ルギア１２の下端部に設けられた歯部１０ｂ〜１２ｂに
は、モータ１４〜１６の回転をサンギア１０，下定盤１
１，インターナルギア１２に伝達させるギア１４ａ〜１
６ａが噛合されている。また、サンギア１０の上には、
サンギア１０の中心孔内に挿入された軸１７ｄの上端に
固着され且つその表面に溝１７ｃを有したドライバ１７
が配されており、上定盤１３の下降時に、この溝１７ｃ
が上定盤１３側のフック１３ｃと係合するようになって
いる。そして、このドライバ１７の軸１７ｄの下端部に
設けられた歯部１７ｂには、モータ１８の回転をドライ
バ１７に伝達させるギア１８ａが噛合されている。これ
により、下定盤１１の研磨パッド１１ａ上に載置され且
つサンギア１０及びインターナルギア１２に噛合された
キャリア１９のワーク保持孔１９ａ内に磁気ディスクＷ
をセットし、モータ１４〜１６，１８を駆動させること
で、キャリア１９が自転しながらサンギア１０の周りを
公転するので、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１が回転す
る上定盤１３の研磨パッド１３ａで研磨され、メッキ層
Ｍ２が回転する下定盤１１の研磨パッド１１ａで研磨さ
れる。
ィスクＷの両面を同時に研磨する装置である。図３は、
この両面研磨装置１で研磨する磁気ディスクＷの概略断
面図である。図３示すように、磁気ディスクＷは、被膜
層としての無電解Ｎi−Ｐのメッキ層Ｍ１，Ｍ２（上面
被膜層，下面被膜層）を磁気ディスク基板Ｗ１の上下面
に有しており、両面研磨装置１は、このメッキ層Ｍ１，
Ｍ２を所望厚さまで研磨する。図４は、両面研磨装置１
の構造を示す断面図である。両面研磨装置１は、周知の
ポリッシング装置であり、同心状に組み付けられたサン
ギア１０と下定盤１１とインターナルギア１２とを有
し、これらの組付体の上に上定盤１３を有した構造とな
っている。具体的には、中心のサンギア１０の外周に、
研磨パッド１１ａを有した下定盤１１が配され、この下
定盤１１の外周にさらにインターナルギア１２が配され
ており、これらサンギア１０，下定盤１１，インターナ
ルギア１２の下端部に設けられた歯部１０ｂ〜１２ｂに
は、モータ１４〜１６の回転をサンギア１０，下定盤１
１，インターナルギア１２に伝達させるギア１４ａ〜１
６ａが噛合されている。また、サンギア１０の上には、
サンギア１０の中心孔内に挿入された軸１７ｄの上端に
固着され且つその表面に溝１７ｃを有したドライバ１７
が配されており、上定盤１３の下降時に、この溝１７ｃ
が上定盤１３側のフック１３ｃと係合するようになって
いる。そして、このドライバ１７の軸１７ｄの下端部に
設けられた歯部１７ｂには、モータ１８の回転をドライ
バ１７に伝達させるギア１８ａが噛合されている。これ
により、下定盤１１の研磨パッド１１ａ上に載置され且
つサンギア１０及びインターナルギア１２に噛合された
キャリア１９のワーク保持孔１９ａ内に磁気ディスクＷ
をセットし、モータ１４〜１６，１８を駆動させること
で、キャリア１９が自転しながらサンギア１０の周りを
公転するので、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１が回転す
る上定盤１３の研磨パッド１３ａで研磨され、メッキ層
Ｍ２が回転する下定盤１１の研磨パッド１１ａで研磨さ
れる。
【００１０】この実施形態では、図１に示すように、未
研磨の磁気ディスクＷをローダ４−１により両面研磨装
置１のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ（図２及び図
４参照）内にセットする。すなわち、未研磨の１バッチ
（例えば５０枚）の磁気ディスクＷが納められたカセッ
ト５−１がコンベア６−１ａで搬送され、図示しない移
載装置によってコンベア６−１ｂに移されると、ロボッ
トアーム７−１が１バッチの磁気ディスクＷをカセット
５−１から抜き取って搬入テーブル８−１上に配置す
る。すると、ローダ４−１の５０本のチャック４０が搬
入テーブル８−１上の磁気ディスクＷを保持した後、ロ
ーダ４−１がレール４１に沿って、両面研磨装置１の下
定盤１１の真上に至り、保持している磁気ディスクＷを
それぞれ５つのワーク保持孔１９ａを有した１０枚のキ
ャリア１９に近付けて、各ワーク保持孔１９ａ内に磁気
ディスクＷをセットするようになっている。
研磨の磁気ディスクＷをローダ４−１により両面研磨装
置１のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ（図２及び図
４参照）内にセットする。すなわち、未研磨の１バッチ
（例えば５０枚）の磁気ディスクＷが納められたカセッ
ト５−１がコンベア６−１ａで搬送され、図示しない移
載装置によってコンベア６−１ｂに移されると、ロボッ
トアーム７−１が１バッチの磁気ディスクＷをカセット
５−１から抜き取って搬入テーブル８−１上に配置す
る。すると、ローダ４−１の５０本のチャック４０が搬
入テーブル８−１上の磁気ディスクＷを保持した後、ロ
ーダ４−１がレール４１に沿って、両面研磨装置１の下
定盤１１の真上に至り、保持している磁気ディスクＷを
それぞれ５つのワーク保持孔１９ａを有した１０枚のキ
ャリア１９に近付けて、各ワーク保持孔１９ａ内に磁気
ディスクＷをセットするようになっている。
【００１１】また、アンローダ４−２により、磁気ディ
スクＷをキャリア１９のワーク保持孔１９ａから取り出
す。すなわち、アンローダ４−２の５０本のチャック４
０により、ワーク保持孔１９ａ内の既研磨の磁気ディス
クＷを保持して搬出テーブル８−２まで運び、その上に
配置する。すると、ロボットアーム７−２が搬出テーブ
ル８−２上の磁気ディスクＷを洗浄装置９に順次渡し、
洗浄装置９が５０枚の磁気ディスクＷを順次洗浄した
後、磁気ディスクＷをコンベア６−２ａの上のカセット
５−２内に収納する。そして、５０枚のが磁気ディスク
Ｗを収納したカセット５−２が、図示しない移載装置に
よってコンベア６−２ｂに移された後、このコンベア６
−２ｂによって所定場所迄搬出されるようになってい
る。
スクＷをキャリア１９のワーク保持孔１９ａから取り出
す。すなわち、アンローダ４−２の５０本のチャック４
０により、ワーク保持孔１９ａ内の既研磨の磁気ディス
クＷを保持して搬出テーブル８−２まで運び、その上に
配置する。すると、ロボットアーム７−２が搬出テーブ
ル８−２上の磁気ディスクＷを洗浄装置９に順次渡し、
洗浄装置９が５０枚の磁気ディスクＷを順次洗浄した
後、磁気ディスクＷをコンベア６−２ａの上のカセット
５−２内に収納する。そして、５０枚のが磁気ディスク
Ｗを収納したカセット５−２が、図示しない移載装置に
よってコンベア６−２ｂに移された後、このコンベア６
−２ｂによって所定場所迄搬出されるようになってい
る。
【００１２】Ｘ線膜厚計２は、磁気ディスクＷのメッキ
層Ｍ１，Ｍ２の厚さを測定するためのものである。この
Ｘ線膜厚計２は、図５に示すように、コンベア６−２ｂ
の上方に配設されており、コンベア６−２ｂの下側に設
けられた突き上げユニット６０のレバー６１で持ち上げ
られた磁気ディスクＷを測定する。具体的には、コンベ
ア６−２ｂで搬送されてきたカセット５−２が突き上げ
ユニット６０の真上に至ったときに、コンベア６−２ｂ
を停止させ、コンベア６−２ｂを構成する一つにの搬送
ベルト（図示省略）の間隙からレバー６１を延出する。
そして、５０枚目の磁気ディスクＷをレバー６１で保持
して上昇させ、図５の二点鎖線で示すように、Ｘ線膜厚
計２内に入れる。Ｘ線膜厚計２は図５の左右にスライド
し且つ軸２０ａを中心に回転可能なチャック２０を有し
ている。このチャック２０は、磁気ディスクＷを吸着し
た後、磁気ディスクＷをＸ線膜厚計本体２ａに対して所
定位置に位置決めするようになっている。図６は、Ｘ線
膜厚計本体２ａのブロック図である。Ｘ線膜厚計本体２
ａは、図６に示すように、Ｘ線管２１と検出器２２とア
ンプ２３とを有している。これにより、Ｘ線Ｘ１を例え
ばＸ線管２１からメッキ層Ｍ１に照射すると、その厚さ
に応じた量のケイ光Ｘ線Ｘ２がメッキ層Ｍ１の表面から
放射され、検出器２２で検知される。すると、ケイ光Ｘ
線Ｘ２の量即ちメッキ層Ｍ１の厚さに対応した電圧Ｖ１
が検出器２２で生成され、アンプ２３で増幅されて出力
される。そして、チャック２０がＸ線膜厚計本体２ａか
ら離れる方向にスライドすると共に回転して、メッキ層
Ｍ２をＸ線膜厚計本体２ａ側に向けた状態で、磁気ディ
スクＷを上記所定位置に位置決めする。この結果、メッ
キ層Ｍ２の厚さも、Ｘ線管２１，検出器２２により検出
され、アンプ２３から電圧Ｖ２として出力される。な
お、アンプ２３の出力側には、セレクタ２４が設けられ
ており、このセレクタ２４の切り替えによって電圧Ｖ
１，Ｖ２が順次制御装置３に出力されるようになってい
る。かかる膜厚測定が終了すると、磁気ディスクＷの吸
着が解かれ、磁気ディスクＷを保持した図５に示すレバ
ー６１が縮んで突き上げユニット６０側に引っ込む。こ
れにより、磁気ディスクＷがカセット５−２内に戻さ
れ、同時にコンベア６−２ｂが動き出して、既研磨の磁
気ディスクＷを収納したカセット５−２が搬出されるよ
うになっている。
層Ｍ１，Ｍ２の厚さを測定するためのものである。この
Ｘ線膜厚計２は、図５に示すように、コンベア６−２ｂ
の上方に配設されており、コンベア６−２ｂの下側に設
けられた突き上げユニット６０のレバー６１で持ち上げ
られた磁気ディスクＷを測定する。具体的には、コンベ
ア６−２ｂで搬送されてきたカセット５−２が突き上げ
ユニット６０の真上に至ったときに、コンベア６−２ｂ
を停止させ、コンベア６−２ｂを構成する一つにの搬送
ベルト（図示省略）の間隙からレバー６１を延出する。
そして、５０枚目の磁気ディスクＷをレバー６１で保持
して上昇させ、図５の二点鎖線で示すように、Ｘ線膜厚
計２内に入れる。Ｘ線膜厚計２は図５の左右にスライド
し且つ軸２０ａを中心に回転可能なチャック２０を有し
ている。このチャック２０は、磁気ディスクＷを吸着し
た後、磁気ディスクＷをＸ線膜厚計本体２ａに対して所
定位置に位置決めするようになっている。図６は、Ｘ線
膜厚計本体２ａのブロック図である。Ｘ線膜厚計本体２
ａは、図６に示すように、Ｘ線管２１と検出器２２とア
ンプ２３とを有している。これにより、Ｘ線Ｘ１を例え
ばＸ線管２１からメッキ層Ｍ１に照射すると、その厚さ
に応じた量のケイ光Ｘ線Ｘ２がメッキ層Ｍ１の表面から
放射され、検出器２２で検知される。すると、ケイ光Ｘ
線Ｘ２の量即ちメッキ層Ｍ１の厚さに対応した電圧Ｖ１
が検出器２２で生成され、アンプ２３で増幅されて出力
される。そして、チャック２０がＸ線膜厚計本体２ａか
ら離れる方向にスライドすると共に回転して、メッキ層
Ｍ２をＸ線膜厚計本体２ａ側に向けた状態で、磁気ディ
スクＷを上記所定位置に位置決めする。この結果、メッ
キ層Ｍ２の厚さも、Ｘ線管２１，検出器２２により検出
され、アンプ２３から電圧Ｖ２として出力される。な
お、アンプ２３の出力側には、セレクタ２４が設けられ
ており、このセレクタ２４の切り替えによって電圧Ｖ
１，Ｖ２が順次制御装置３に出力されるようになってい
る。かかる膜厚測定が終了すると、磁気ディスクＷの吸
着が解かれ、磁気ディスクＷを保持した図５に示すレバ
ー６１が縮んで突き上げユニット６０側に引っ込む。こ
れにより、磁気ディスクＷがカセット５−２内に戻さ
れ、同時にコンベア６−２ｂが動き出して、既研磨の磁
気ディスクＷを収納したカセット５−２が搬出されるよ
うになっている。
【００１３】制御装置３は、Ｘ線膜厚計２からの電圧Ｖ
１，Ｖ２が示すメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さに応じて、両
面研磨装置１の上定盤１３と下定盤１１との回転速度を
制御するための装置である。図７は制御装置３のブロッ
ク図であり、図８はこの制御装置３の機能を示すフロー
チャート図であり、図９は磁気ディスクＷ研磨後の状態
を示す断面図である。制御装置３は、図７に示すよう
に、上定盤回転速度制御部３１と、下定盤回転速度制御
部３２と、メモリ３３と、両面膜厚差調整部３４と、モ
ータ１８，１５，１６，１４をそれぞれ駆動させるモー
タ駆動部３５，３６，３７，３８と、これらモータ駆動
部３５〜３８の作動時間を制御するタイマ３９とを機能
ブロックとして有している。
１，Ｖ２が示すメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さに応じて、両
面研磨装置１の上定盤１３と下定盤１１との回転速度を
制御するための装置である。図７は制御装置３のブロッ
ク図であり、図８はこの制御装置３の機能を示すフロー
チャート図であり、図９は磁気ディスクＷ研磨後の状態
を示す断面図である。制御装置３は、図７に示すよう
に、上定盤回転速度制御部３１と、下定盤回転速度制御
部３２と、メモリ３３と、両面膜厚差調整部３４と、モ
ータ１８，１５，１６，１４をそれぞれ駆動させるモー
タ駆動部３５，３６，３７，３８と、これらモータ駆動
部３５〜３８の作動時間を制御するタイマ３９とを機能
ブロックとして有している。
【００１４】上定盤回転速度制御部３１は、メッキ層Ｍ
１の研磨前の厚さとＸ線膜厚計２から入力された電圧Ｖ
１が示す研磨後の厚さとの差である上膜研磨量を演算す
る機能を有している。図９の破線で示す研磨前のメッキ
層Ｍ１，Ｍ２の厚さＴは、全ての磁気ディスクＷにおい
て略一定であると仮定して、厚さＴの値がメモリ３３に
予め格納されている。上定盤回転速度制御部３１は、Ｘ
線膜厚計２からの電圧Ｖ１を入力すると（図８のステッ
プＳ１のＹＥＳ）、この電圧Ｖ１が示すメッキ層Ｍ１の
厚さＴ１とメモリ３３から読み出した研磨前のメッキ層
Ｍ１の厚さＴとの差である研磨量ΔＴ１（上膜研磨量）
を演算する（図８のステップＳ２）。そして、この研磨
量ΔＴ１が予め設定された研磨量許容範囲である１．８
μｍ〜２．２μｍ内の値であるか否かを判断する（図８
のステップＳ３）。研磨量ΔＴ１が上記研磨量許容範囲
から外れている場合には（図８のステップ３のＮＯ）、
上定盤１３の回転速度を変える制御信号Ｃ１（またはＣ
１′）をモータ駆動部３５に出力する。ここで、研磨量
許容範囲を１．８μｍ〜２．２μｍに設定したのは、研
磨量ΔＴ１の目的値を２μｍとし、その誤差をプラスマ
イナス１０％としたことに基づく。なお、この実施形態
では、タイマ３９を３分間に設定し、３分間隔でモータ
駆動部３５〜３８を作動させるようにしている。以下、
かかる制御を図１０に基づいて詳しく述べる。初期状態
で３分間だけ両面研磨装置１の研磨作業を行った場合の
上定盤１３及び下定盤１１の回転速度（ｒｐｍ）とメッ
キ層の研磨量（μｍ）との相関関係は予め知ることがで
きるので、この関係を図１０の実線Ａ，Ｂに示すように
テーブル化してメモリ３３に格納しておく。なお、実線
Ａが上定盤１３の回転速度とメッキ層Ｍ１の研磨量との
関係を示し、実線Ｂが下定盤１１の回転速度とメッキ層
Ｍ２の研磨量との関係を示す。また、初期状態では、３
分間の研磨作業でメッキ層Ｍ１，Ｍ２の研磨量が目的値
２μｍになるように上定盤１３，下定盤１１の回転速度
ａ，ｂを設定しておく。この状態で、図１０の点Ｐ１に
示すように、研磨量ΔＴ１が１．８μｍより小さいとき
には、上定盤回転速度制御部３１は研磨量ΔＴ１が２μ
ｍになるような回転速度ａ１を求め、上定盤１３をこの
回転速度ａ１迄上げるための制御信号Ｃ１をモータ駆動
部３５に出力する（図８のステップＳ４のＹＥＳ，Ｓ
５）。具体的には、図１０の二点鎖線で示すように、原
点と点Ｐ１とを通る直線を求め、この直線上の研磨量２
μｍに対応する点の回転速度ａ１を求める。また、図１
０の点Ｐ２に示すように、研磨量ΔＴ１が２．２μｍよ
り大きいときには、一点鎖線で示すように、原点と点Ｐ
２とを通る直線を求め、この直線上の２μｍに対応する
点の回転速度ａ２を求める。そして、上定盤１３をこの
回転速度ａ２迄下げるための制御信号Ｃ１′をモータ駆
動部３５に出力する（図８のステップＳ４のＮＯ，Ｓ
６）。
１の研磨前の厚さとＸ線膜厚計２から入力された電圧Ｖ
１が示す研磨後の厚さとの差である上膜研磨量を演算す
る機能を有している。図９の破線で示す研磨前のメッキ
層Ｍ１，Ｍ２の厚さＴは、全ての磁気ディスクＷにおい
て略一定であると仮定して、厚さＴの値がメモリ３３に
予め格納されている。上定盤回転速度制御部３１は、Ｘ
線膜厚計２からの電圧Ｖ１を入力すると（図８のステッ
プＳ１のＹＥＳ）、この電圧Ｖ１が示すメッキ層Ｍ１の
厚さＴ１とメモリ３３から読み出した研磨前のメッキ層
Ｍ１の厚さＴとの差である研磨量ΔＴ１（上膜研磨量）
を演算する（図８のステップＳ２）。そして、この研磨
量ΔＴ１が予め設定された研磨量許容範囲である１．８
μｍ〜２．２μｍ内の値であるか否かを判断する（図８
のステップＳ３）。研磨量ΔＴ１が上記研磨量許容範囲
から外れている場合には（図８のステップ３のＮＯ）、
上定盤１３の回転速度を変える制御信号Ｃ１（またはＣ
１′）をモータ駆動部３５に出力する。ここで、研磨量
許容範囲を１．８μｍ〜２．２μｍに設定したのは、研
磨量ΔＴ１の目的値を２μｍとし、その誤差をプラスマ
イナス１０％としたことに基づく。なお、この実施形態
では、タイマ３９を３分間に設定し、３分間隔でモータ
駆動部３５〜３８を作動させるようにしている。以下、
かかる制御を図１０に基づいて詳しく述べる。初期状態
で３分間だけ両面研磨装置１の研磨作業を行った場合の
上定盤１３及び下定盤１１の回転速度（ｒｐｍ）とメッ
キ層の研磨量（μｍ）との相関関係は予め知ることがで
きるので、この関係を図１０の実線Ａ，Ｂに示すように
テーブル化してメモリ３３に格納しておく。なお、実線
Ａが上定盤１３の回転速度とメッキ層Ｍ１の研磨量との
関係を示し、実線Ｂが下定盤１１の回転速度とメッキ層
Ｍ２の研磨量との関係を示す。また、初期状態では、３
分間の研磨作業でメッキ層Ｍ１，Ｍ２の研磨量が目的値
２μｍになるように上定盤１３，下定盤１１の回転速度
ａ，ｂを設定しておく。この状態で、図１０の点Ｐ１に
示すように、研磨量ΔＴ１が１．８μｍより小さいとき
には、上定盤回転速度制御部３１は研磨量ΔＴ１が２μ
ｍになるような回転速度ａ１を求め、上定盤１３をこの
回転速度ａ１迄上げるための制御信号Ｃ１をモータ駆動
部３５に出力する（図８のステップＳ４のＹＥＳ，Ｓ
５）。具体的には、図１０の二点鎖線で示すように、原
点と点Ｐ１とを通る直線を求め、この直線上の研磨量２
μｍに対応する点の回転速度ａ１を求める。また、図１
０の点Ｐ２に示すように、研磨量ΔＴ１が２．２μｍよ
り大きいときには、一点鎖線で示すように、原点と点Ｐ
２とを通る直線を求め、この直線上の２μｍに対応する
点の回転速度ａ２を求める。そして、上定盤１３をこの
回転速度ａ２迄下げるための制御信号Ｃ１′をモータ駆
動部３５に出力する（図８のステップＳ４のＮＯ，Ｓ
６）。
【００１５】一方、下定盤回転速度制御部３２も下定盤
１１に対して上定盤回転速度制御部３１と同様の制御を
行う。すなわち、Ｘ線膜厚計２からの電圧Ｖ２を入力す
ると（図８のステップＳ７のＹＥＳ）、メッキ層Ｍ２の
厚さＴ２と研磨前の厚さＴとの差である研磨量ΔＴ２
（下膜研磨量）を演算し（図８のステップＳ８）、研磨
量ΔＴ２が１．８μｍ〜２．２μｍ内か否かを判断する
（図８のステップＳ９）。そして、図１１の点Ｑ１に示
すように、研磨量ΔＴ２が１．８μｍより小さいときに
は、二点鎖線で示すように、原点と点Ｑ１とを通る直線
を求め、この直線上の研磨量２μｍに対応する点の回転
速度ｂ１を求める。そして、下定盤１１を回転速度ｂ１
迄上げるための制御信号Ｃ２をモータ駆動部３６に出力
する（図８のステップＳ９のＮＯ，Ｓ１０のＹＥＳ，Ｓ
１１）。また、図１１の点Ｑ２に示すように、研磨量Δ
Ｔ２が２．２μｍより大きいときには、図１１の一点鎖
線で示すように、原点と点Ｑ２とを通る直線を求め、こ
の直線上の２μｍに対応する点の回転速度ｂ２迄下げる
ための制御信号Ｃ２′をモータ駆動部３６に出力する
（図８のステップＳ１０のＮＯ，Ｓ１２）。
１１に対して上定盤回転速度制御部３１と同様の制御を
行う。すなわち、Ｘ線膜厚計２からの電圧Ｖ２を入力す
ると（図８のステップＳ７のＹＥＳ）、メッキ層Ｍ２の
厚さＴ２と研磨前の厚さＴとの差である研磨量ΔＴ２
（下膜研磨量）を演算し（図８のステップＳ８）、研磨
量ΔＴ２が１．８μｍ〜２．２μｍ内か否かを判断する
（図８のステップＳ９）。そして、図１１の点Ｑ１に示
すように、研磨量ΔＴ２が１．８μｍより小さいときに
は、二点鎖線で示すように、原点と点Ｑ１とを通る直線
を求め、この直線上の研磨量２μｍに対応する点の回転
速度ｂ１を求める。そして、下定盤１１を回転速度ｂ１
迄上げるための制御信号Ｃ２をモータ駆動部３６に出力
する（図８のステップＳ９のＮＯ，Ｓ１０のＹＥＳ，Ｓ
１１）。また、図１１の点Ｑ２に示すように、研磨量Δ
Ｔ２が２．２μｍより大きいときには、図１１の一点鎖
線で示すように、原点と点Ｑ２とを通る直線を求め、こ
の直線上の２μｍに対応する点の回転速度ｂ２迄下げる
ための制御信号Ｃ２′をモータ駆動部３６に出力する
（図８のステップＳ１０のＮＯ，Ｓ１２）。
【００１６】また、メッキ層Ｍ１，Ｍ２の研磨量ΔＴ
１，ΔＴ２が共に１．８μｍ〜２．２μｍ内である場合
には（図８のステップＳ３のＹＥＳ，Ｓ９のＹＥＳ）、
メッキ層Ｍ１の厚さＴ１及び研磨量ΔＴ１とメッキ層Ｍ
２の厚さＴ２及び研磨量ΔＴ２とが上定盤回転速度制御
部３１，下定盤回転速度制御部３２から両面膜厚差調整
部３４に入力される。すると、両面膜厚差調整部３４
は、メッキ層Ｍ１の厚さＴ１とメッキ層Ｍ２の厚さＴ２
との差である厚差ΔＴ（両面膜厚差）を演算し、この厚
差ΔＴが予め設定された−０．１５μｍ〜＋０．１５μ
ｍの膜厚差許容範囲内であるか否かを判断する（図８の
ステップＳ１３，Ｓ１４）。そして、厚差ΔＴが−０．
１５μｍ〜＋０．１５μｍ内である場合には、制御信号
を出さない（図８のステップＳ１４のＹＥＳ，Ｓ１
５）。これに対して、厚差ΔＴが−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍから外れている場合には、研磨量２μｍに
遠い方の定盤の回転速度を制御する（図８のステップＳ
１４のＮＯ，Ｓ１６）。例えば、図１２の点Ｒ１で示す
ように、厚さＴ１になったメッキ層Ｍ１の研磨量ΔＴ１
の方が点Ｒ２で示す厚さＴ２になったメッキ層Ｍ２の研
磨量ΔＴ２よりも研磨量２μｍから遠く、しかも、上記
厚差ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ２）が−０．１５μｍ〜＋０．１
５μｍから外れている場合には、一点鎖線で示すよう
に、原点と点Ｒ１とを通る直線を求め、この直線上であ
って且つ点Ｒ２の研磨量に対応する点の回転速度ａ３を
求める。そして、上定盤１３を回転速度ａ３迄下げるた
めの制御信号Ｃ１１をモータ駆動部３５に出力して上定
盤１３を制御する（図８のステップＳ１７）。逆に、研
磨量ΔＴ２の方が研磨量ΔＴ１よりも研磨量２μｍから
遠い場合には、二点鎖線で示すように、原点と点Ｒ２と
を通る直線を求め、この直線上であって且つ点Ｒ１の研
磨量に対応する点の回転速度ｂ３を求める。そして、下
定盤１１をこの回転速度ｂ３迄下げるための制御信号Ｃ
２２をモータ駆動部３６に出力する（図８のステップＳ
１７）。
１，ΔＴ２が共に１．８μｍ〜２．２μｍ内である場合
には（図８のステップＳ３のＹＥＳ，Ｓ９のＹＥＳ）、
メッキ層Ｍ１の厚さＴ１及び研磨量ΔＴ１とメッキ層Ｍ
２の厚さＴ２及び研磨量ΔＴ２とが上定盤回転速度制御
部３１，下定盤回転速度制御部３２から両面膜厚差調整
部３４に入力される。すると、両面膜厚差調整部３４
は、メッキ層Ｍ１の厚さＴ１とメッキ層Ｍ２の厚さＴ２
との差である厚差ΔＴ（両面膜厚差）を演算し、この厚
差ΔＴが予め設定された−０．１５μｍ〜＋０．１５μ
ｍの膜厚差許容範囲内であるか否かを判断する（図８の
ステップＳ１３，Ｓ１４）。そして、厚差ΔＴが−０．
１５μｍ〜＋０．１５μｍ内である場合には、制御信号
を出さない（図８のステップＳ１４のＹＥＳ，Ｓ１
５）。これに対して、厚差ΔＴが−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍから外れている場合には、研磨量２μｍに
遠い方の定盤の回転速度を制御する（図８のステップＳ
１４のＮＯ，Ｓ１６）。例えば、図１２の点Ｒ１で示す
ように、厚さＴ１になったメッキ層Ｍ１の研磨量ΔＴ１
の方が点Ｒ２で示す厚さＴ２になったメッキ層Ｍ２の研
磨量ΔＴ２よりも研磨量２μｍから遠く、しかも、上記
厚差ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ２）が−０．１５μｍ〜＋０．１
５μｍから外れている場合には、一点鎖線で示すよう
に、原点と点Ｒ１とを通る直線を求め、この直線上であ
って且つ点Ｒ２の研磨量に対応する点の回転速度ａ３を
求める。そして、上定盤１３を回転速度ａ３迄下げるた
めの制御信号Ｃ１１をモータ駆動部３５に出力して上定
盤１３を制御する（図８のステップＳ１７）。逆に、研
磨量ΔＴ２の方が研磨量ΔＴ１よりも研磨量２μｍから
遠い場合には、二点鎖線で示すように、原点と点Ｒ２と
を通る直線を求め、この直線上であって且つ点Ｒ１の研
磨量に対応する点の回転速度ｂ３を求める。そして、下
定盤１１をこの回転速度ｂ３迄下げるための制御信号Ｃ
２２をモータ駆動部３６に出力する（図８のステップＳ
１７）。
【００１７】モータ駆動部３５は、上定盤回転速度制御
部３１及び両面膜厚差調整部３４からの制御信号Ｃ１
（又はＣ１′），Ｃ１１に基づいてモータ１８を駆動さ
せる部分であり、上定盤１３はこれらの制御信号が示す
回転速度で回転することとなる。モータ駆動部３６は、
下定盤回転速度制御部３２及び両面膜厚差調整部３４か
らの制御信号Ｃ２（又はＣ２′），Ｃ２２に基づいてモ
ータ１５を駆動させる部分であり、下定盤１１はこれら
の制御信号が示す回転速度で回転することとなる。モー
タ駆動部３７は、インターナルギア１２用のモータ１６
を駆動させる部分であり、モータ駆動部３８は、サンギ
ア１０用のモータ１４を駆動させる部分である。
部３１及び両面膜厚差調整部３４からの制御信号Ｃ１
（又はＣ１′），Ｃ１１に基づいてモータ１８を駆動さ
せる部分であり、上定盤１３はこれらの制御信号が示す
回転速度で回転することとなる。モータ駆動部３６は、
下定盤回転速度制御部３２及び両面膜厚差調整部３４か
らの制御信号Ｃ２（又はＣ２′），Ｃ２２に基づいてモ
ータ１５を駆動させる部分であり、下定盤１１はこれら
の制御信号が示す回転速度で回転することとなる。モー
タ駆動部３７は、インターナルギア１２用のモータ１６
を駆動させる部分であり、モータ駆動部３８は、サンギ
ア１０用のモータ１４を駆動させる部分である。
【００１８】タイマ３９は、設定された時間（この実施
形態では３分間）だけ、モータ駆動部３５〜３８を作動
させるためのものであり、図示しないシステムコントロ
ーラによって制御される。具体的には、図１において、
５０枚の磁気ディスクＷが両面研磨装置１のキャリア１
９にセットされ、上定盤１３がこれらの磁気ディスクＷ
を押圧した状態になったときに、システムコントローラ
がタイマ３９をオン状態にする。これにより、モータ駆
動部３５〜３８が３分間だけ作動する。また、システム
コントローラは、コンベア６−１，６−２とロボットア
ーム７−１，７−２とローダ及びアンローダ４−１，４
−２と洗浄装置９との各動作や上定盤１３の昇降動作、
及びタイマ３９のオン動作等、Ｘ線膜厚計２と制御装置
３とを除くシステム全体の動作を制御する周知のコント
ローラである。
形態では３分間）だけ、モータ駆動部３５〜３８を作動
させるためのものであり、図示しないシステムコントロ
ーラによって制御される。具体的には、図１において、
５０枚の磁気ディスクＷが両面研磨装置１のキャリア１
９にセットされ、上定盤１３がこれらの磁気ディスクＷ
を押圧した状態になったときに、システムコントローラ
がタイマ３９をオン状態にする。これにより、モータ駆
動部３５〜３８が３分間だけ作動する。また、システム
コントローラは、コンベア６−１，６−２とロボットア
ーム７−１，７−２とローダ及びアンローダ４−１，４
−２と洗浄装置９との各動作や上定盤１３の昇降動作、
及びタイマ３９のオン動作等、Ｘ線膜厚計２と制御装置
３とを除くシステム全体の動作を制御する周知のコント
ローラである。
【００１９】次に、この実施形態の研磨量制御システム
が示す動作について説明する。なお、研磨量制御システ
ムの動作は請求項６〜請求項９の研磨量制御方法を具体
的に達成するものである。図１において、１バッチの磁
気ディスクＷが納められたカセット５−１がコンベア６
−１ｂで搬送されてくると、磁気ディスクＷがロボット
アーム７−１により抜き出され、搬入テーブル８−１上
に配置される。すると、ローダ４−１が下降し、チャッ
ク４０によって磁気ディスクＷを保持した後上昇し、両
面研磨装置１の真上に至る。そして、ローダ４−１が下
定盤１１に向かって下降し、保持している磁気ディスク
Ｗを下定盤１１上のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ
内に入れた後、再び上昇して搬入テーブル８−１上に至
る。すると、上定盤１３が下定盤１１に向かって下降
し、磁気ディスクＷを所定の力で押圧すると同時に制御
装置３のタイマ３９がオン状態になり、モータ１４〜１
６，１８が作動して、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１，
Ｍ２が上定盤１３及び下定盤１１の研磨パッド１３ａ，
１１ａによって研磨され、両面研磨工程が実行される。
そして、３分間経過後、モータ１４〜１６，１８が停止
され、１バッチ分の両面研磨工程が終了すると、上定盤
１３が上昇し、アンローダ４−２が下定盤１１の真上に
至り、下降して既研磨の磁気ディスクＷをそのチャック
４０で保持した後、搬出テーブル８−２側に向かう。こ
れと並行して、ロボットアーム７−１による磁気ディス
クＷの搬入テーブル８−１上への配置とローダ４−１に
よる磁気ディスクＷの保持搬送とが行われ、両面研磨装
置１のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ内に磁気ディ
スクＷがセットされる。一方、アンローダ４−２は、搬
出テーブル８−２の真上に至ると下降し、保持している
磁気ディスクＷを搬出テーブル８−２上に配置する。す
ると、ロボットアーム７−２によって搬出テーブル８−
２上の磁気ディスクＷが順次洗浄装置９に送られ、洗浄
装置９で洗浄された磁気ディスクＷがコンベア６−２ａ
上の空のカセット５−２に収納される。このカセット５
−２がコンベア６−２ａからコンベア６−２ｂに移載さ
れ、Ｘ線膜厚計２の真下に至ると、コンベア６−２ｂが
停止して、カセット５−２内の５０枚目の磁気ディスク
Ｗが突き上げユニット６０のレバー６１によって吸着さ
れる。
が示す動作について説明する。なお、研磨量制御システ
ムの動作は請求項６〜請求項９の研磨量制御方法を具体
的に達成するものである。図１において、１バッチの磁
気ディスクＷが納められたカセット５−１がコンベア６
−１ｂで搬送されてくると、磁気ディスクＷがロボット
アーム７−１により抜き出され、搬入テーブル８−１上
に配置される。すると、ローダ４−１が下降し、チャッ
ク４０によって磁気ディスクＷを保持した後上昇し、両
面研磨装置１の真上に至る。そして、ローダ４−１が下
定盤１１に向かって下降し、保持している磁気ディスク
Ｗを下定盤１１上のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ
内に入れた後、再び上昇して搬入テーブル８−１上に至
る。すると、上定盤１３が下定盤１１に向かって下降
し、磁気ディスクＷを所定の力で押圧すると同時に制御
装置３のタイマ３９がオン状態になり、モータ１４〜１
６，１８が作動して、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１，
Ｍ２が上定盤１３及び下定盤１１の研磨パッド１３ａ，
１１ａによって研磨され、両面研磨工程が実行される。
そして、３分間経過後、モータ１４〜１６，１８が停止
され、１バッチ分の両面研磨工程が終了すると、上定盤
１３が上昇し、アンローダ４−２が下定盤１１の真上に
至り、下降して既研磨の磁気ディスクＷをそのチャック
４０で保持した後、搬出テーブル８−２側に向かう。こ
れと並行して、ロボットアーム７−１による磁気ディス
クＷの搬入テーブル８−１上への配置とローダ４−１に
よる磁気ディスクＷの保持搬送とが行われ、両面研磨装
置１のキャリア１９のワーク保持孔１９ａ内に磁気ディ
スクＷがセットされる。一方、アンローダ４−２は、搬
出テーブル８−２の真上に至ると下降し、保持している
磁気ディスクＷを搬出テーブル８−２上に配置する。す
ると、ロボットアーム７−２によって搬出テーブル８−
２上の磁気ディスクＷが順次洗浄装置９に送られ、洗浄
装置９で洗浄された磁気ディスクＷがコンベア６−２ａ
上の空のカセット５−２に収納される。このカセット５
−２がコンベア６−２ａからコンベア６−２ｂに移載さ
れ、Ｘ線膜厚計２の真下に至ると、コンベア６−２ｂが
停止して、カセット５−２内の５０枚目の磁気ディスク
Ｗが突き上げユニット６０のレバー６１によって吸着さ
れる。
【００２０】磁気ディスクＷがＸ線膜厚計２のチャック
２０に吸着されると、膜厚測定工程が実行される。すな
わち、Ｘ線膜厚計２のＸ線膜厚計本体２ａが作動して、
磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さ測定が行わ
れ、メッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さＴ１，Ｔ２を示す電圧Ｖ
１，Ｖ２が制御装置３に出力される。すると、制御工程
に移行し、各過程が実行される。すなわち、上定盤回転
速度制御部３１，下定盤回転速度制御部３２において研
磨量ΔＴ１，ΔＴ２が求められ、これらが１．８μｍ〜
２．２μｍの研磨量許容範囲内であるか否かが判断され
る。当初は、研磨パッド１３ａ，１１ａ等の条件が変化
していないので、研磨量ΔＴ１，ΔＴ２が１．８μｍ〜
２．２μｍ内にあり、研磨量ΔＴ１，ΔＴ２が両面膜厚
差調整部３４に出力される。そして、両面膜厚差調整部
３４において、厚差ΔＴが求められ、厚差ΔＴが−０．
１５μｍ〜＋０．１５μｍの膜厚差許容範囲内であるか
否かが判断されるが、厚差ΔＴは−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍ内であり、両面膜厚差調整部３４からは制
御信号は出力されない。しかし、両面研磨装置１の研磨
作業を繰り返すうちに、研磨パッド１３ａ，１１ａが荒
れる等して両面研磨装置１の研磨条件が変化してくる
と、研磨量ΔＴ１，研磨量ΔＴ２が１．８μｍ〜２．２
μｍ内であっても、厚差ΔＴが−０．１５μｍ〜＋０．
１５μｍから外れてくる。かかる場合には、上記したよ
うに、制御信号Ｃ１１又は制御信号Ｃ２２が両面膜厚差
調整部３４からモータ駆動部３５又はモータ駆動部３６
に出力される。この結果、両面研磨装置１の次研磨作業
時に上定盤１３又は下定盤１１の回転速度が変化し、磁
気ディスクＷのメッキ層Ｍ１の厚さＴ１とメッキ層Ｍ２
の厚さＴ２との厚差ΔＴが略零になる（両面厚膜差調整
過程）。
２０に吸着されると、膜厚測定工程が実行される。すな
わち、Ｘ線膜厚計２のＸ線膜厚計本体２ａが作動して、
磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さ測定が行わ
れ、メッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さＴ１，Ｔ２を示す電圧Ｖ
１，Ｖ２が制御装置３に出力される。すると、制御工程
に移行し、各過程が実行される。すなわち、上定盤回転
速度制御部３１，下定盤回転速度制御部３２において研
磨量ΔＴ１，ΔＴ２が求められ、これらが１．８μｍ〜
２．２μｍの研磨量許容範囲内であるか否かが判断され
る。当初は、研磨パッド１３ａ，１１ａ等の条件が変化
していないので、研磨量ΔＴ１，ΔＴ２が１．８μｍ〜
２．２μｍ内にあり、研磨量ΔＴ１，ΔＴ２が両面膜厚
差調整部３４に出力される。そして、両面膜厚差調整部
３４において、厚差ΔＴが求められ、厚差ΔＴが−０．
１５μｍ〜＋０．１５μｍの膜厚差許容範囲内であるか
否かが判断されるが、厚差ΔＴは−０．１５μｍ〜＋
０．１５μｍ内であり、両面膜厚差調整部３４からは制
御信号は出力されない。しかし、両面研磨装置１の研磨
作業を繰り返すうちに、研磨パッド１３ａ，１１ａが荒
れる等して両面研磨装置１の研磨条件が変化してくる
と、研磨量ΔＴ１，研磨量ΔＴ２が１．８μｍ〜２．２
μｍ内であっても、厚差ΔＴが−０．１５μｍ〜＋０．
１５μｍから外れてくる。かかる場合には、上記したよ
うに、制御信号Ｃ１１又は制御信号Ｃ２２が両面膜厚差
調整部３４からモータ駆動部３５又はモータ駆動部３６
に出力される。この結果、両面研磨装置１の次研磨作業
時に上定盤１３又は下定盤１１の回転速度が変化し、磁
気ディスクＷのメッキ層Ｍ１の厚さＴ１とメッキ層Ｍ２
の厚さＴ２との厚差ΔＴが略零になる（両面厚膜差調整
過程）。
【００２１】そして、研磨条件が著しく悪化し、メッキ
層Ｍ１の研磨量ΔＴ１やメッキ層Ｍ２の研磨量ΔＴ２が
１．８μｍ〜２．２μｍから外れると、上記したよう
に、制御信号Ｃ１（又はＣ１′）が上定盤回転速度制御
部３１からモータ駆動部３５に出力され、制御信号Ｃ２
（又はＣ２′）が下定盤回転速度制御部３２からモータ
駆動部３６に出力される。この結果、上定盤１３や下定
盤１１が次研磨の磁気ディスクＷに対して、これらの制
御信号が示す回転速度で回転し、次研磨の磁気ディスク
Ｗのメッキ層Ｍ１，Ｍ２における研磨量ΔＴ１，ΔＴ２
が１．８μｍ〜２．２μｍ内に収まるようになる（上及
び下定盤回転速度制御過程）。
層Ｍ１の研磨量ΔＴ１やメッキ層Ｍ２の研磨量ΔＴ２が
１．８μｍ〜２．２μｍから外れると、上記したよう
に、制御信号Ｃ１（又はＣ１′）が上定盤回転速度制御
部３１からモータ駆動部３５に出力され、制御信号Ｃ２
（又はＣ２′）が下定盤回転速度制御部３２からモータ
駆動部３６に出力される。この結果、上定盤１３や下定
盤１１が次研磨の磁気ディスクＷに対して、これらの制
御信号が示す回転速度で回転し、次研磨の磁気ディスク
Ｗのメッキ層Ｍ１，Ｍ２における研磨量ΔＴ１，ΔＴ２
が１．８μｍ〜２．２μｍ内に収まるようになる（上及
び下定盤回転速度制御過程）。
【００２２】このように、この実施形態の研磨量制御シ
ステムによれば、Ｘ線膜厚計２の測定結果が直ちに両面
研磨装置１のモータ１５，１８にフイードバックされる
ので、次研磨の磁気ディスクＷの待機時間が短くて済
み、この結果、磁気ディスクＷの生産性の向上を図るこ
とができる。また、研磨量許容範囲を１．８μｍ〜２．
２μｍに設定したので、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ
１，Ｍ２を確実に平坦に研磨することができる。さら
に、膜厚差許容範囲を−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍ
に設定したので、メッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さが略等しく
なり、高特性の磁気ディスクＷを生産することができ
る。
ステムによれば、Ｘ線膜厚計２の測定結果が直ちに両面
研磨装置１のモータ１５，１８にフイードバックされる
ので、次研磨の磁気ディスクＷの待機時間が短くて済
み、この結果、磁気ディスクＷの生産性の向上を図るこ
とができる。また、研磨量許容範囲を１．８μｍ〜２．
２μｍに設定したので、磁気ディスクＷのメッキ層Ｍ
１，Ｍ２を確実に平坦に研磨することができる。さら
に、膜厚差許容範囲を−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍ
に設定したので、メッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さが略等しく
なり、高特性の磁気ディスクＷを生産することができ
る。
【００２３】（第２の実施形態）図１３は、この発明の
第２の実施形態に係る研磨量制御システムの要部を示す
ブロック図である。この実施形態の研磨量制御システム
は、研磨前の磁気ディスクＷの重量と研磨後の磁気ディ
スクＷの重量との差に応じて、両面研磨装置１の研磨時
間を制御する点が上記第１の実施形態と異なる。
第２の実施形態に係る研磨量制御システムの要部を示す
ブロック図である。この実施形態の研磨量制御システム
は、研磨前の磁気ディスクＷの重量と研磨後の磁気ディ
スクＷの重量との差に応じて、両面研磨装置１の研磨時
間を制御する点が上記第１の実施形態と異なる。
【００２４】図１３において、重量計２′−１は、両面
研磨装置１で研磨する前の１バッチ分の磁気ディスクＷ
の総重量を測定する計器であり、その測定重量ω１を制
御装置３′の判断部３０に入力する。一方、重量計２′
−２は、両面研磨装置１で研磨され且つ洗浄装置９で洗
浄された後の１バッチ分の磁気ディスクＷの総重量を測
定する計器であり、その測定重量ω２を判断部３０に入
力する。重量計２′−１，２′−２は、図１の破線で示
すように、コンベア６−１ｂの始端近傍、コンベア６−
２ａの終端近傍にそれぞれ配設されており、図示しない
移載装置によって移されてきたカセット５−１，５−２
内の磁気ディスクＷの重量を測定する。
研磨装置１で研磨する前の１バッチ分の磁気ディスクＷ
の総重量を測定する計器であり、その測定重量ω１を制
御装置３′の判断部３０に入力する。一方、重量計２′
−２は、両面研磨装置１で研磨され且つ洗浄装置９で洗
浄された後の１バッチ分の磁気ディスクＷの総重量を測
定する計器であり、その測定重量ω２を判断部３０に入
力する。重量計２′−１，２′−２は、図１の破線で示
すように、コンベア６−１ｂの始端近傍、コンベア６−
２ａの終端近傍にそれぞれ配設されており、図示しない
移載装置によって移されてきたカセット５−１，５−２
内の磁気ディスクＷの重量を測定する。
【００２５】制御装置３′の判断部３０は、重量計２′
−１からの測定重量ω１と重量計２′−２からの測定重
量ω２との重量差Δωに応じて、両面研磨装置１の研磨
時間を判断する部分である。以下、判断部３０による研
磨時間判断方法を図１４及び図１５に基づいて説明す
る。例えば、上定盤１３及び下定盤１１の研磨パッド１
３ａ，１１ａが正常な初期状態において、タイマ３９を
３分に設定した場合に、磁気ディスクＷが所望量だけ研
磨され、その重量差Δωが１０ｇであったとする。かか
る条件下では、研磨時間と重量差Δωとの相関関係が図
１４に示す実線Ｃになるので、この関係をテーブル化し
て、メモリ３３′に格納しておく。具体的には、磁気デ
ィスクＷ５０枚を３分間研磨した場合における重量差Δ
ωの目的値を例えば１０ｇとし、誤差プラスマイナス１
０％を考慮して、重量許容範囲Ｄを９ｇ〜１１ｇに設定
する。そして、この状態で、重量差Δωを９ｇにする研
磨時間が２．５分で重量差Δωを１１ｇにする研磨時間
が３．５分であった場合には、斜線で示すように、研磨
時間２．５分の重量差９ｇと研磨時間３．５分の重量差
１１ｇとの間の値を重量許容範囲Ｄとしてメモリ３３′
に格納しておく。すると、判断部３０は重量計２′−
１，２′−２からの測定重量ω１，ω２の重量差Δωを
演算する（図１５のステップＳ１，Ｓ２）。そして、こ
の重量差Δωが、点Ｄ１で示すように、重量許容範囲Ｄ
よりも小さいときには、二点鎖線で示すように、原点と
点Ｄ１とを通る直線を求め、重量差Δωがこの直線上で
１０ｇになるような時間ｅ１（＞３．５分）を求める。
そして、タイマ３９をこの時間ｅ１に変更する（図１５
のステップＳ３，Ｓ４）。また、重量差Δωが、点Ｄ２
に示すように、重量許容範囲Ｄよりも大きいときには、
一点鎖線で示すように、原点と点Ｄ２とを通る直線を求
め、重量差Δωがこの直線上で１０ｇになるような時間
ｅ２（＜２．５分）を求める。そして、タイマ３９をこ
の時間ｅ２に変更する（図１５のステップＳ３，Ｓ
５）。なお、当然であるが、重量差Δωが重量許容範囲
Ｄ内に含まれている場合には、タイマ３９を変更しない
（図１５のステップＳ３，Ｓ６）。
−１からの測定重量ω１と重量計２′−２からの測定重
量ω２との重量差Δωに応じて、両面研磨装置１の研磨
時間を判断する部分である。以下、判断部３０による研
磨時間判断方法を図１４及び図１５に基づいて説明す
る。例えば、上定盤１３及び下定盤１１の研磨パッド１
３ａ，１１ａが正常な初期状態において、タイマ３９を
３分に設定した場合に、磁気ディスクＷが所望量だけ研
磨され、その重量差Δωが１０ｇであったとする。かか
る条件下では、研磨時間と重量差Δωとの相関関係が図
１４に示す実線Ｃになるので、この関係をテーブル化し
て、メモリ３３′に格納しておく。具体的には、磁気デ
ィスクＷ５０枚を３分間研磨した場合における重量差Δ
ωの目的値を例えば１０ｇとし、誤差プラスマイナス１
０％を考慮して、重量許容範囲Ｄを９ｇ〜１１ｇに設定
する。そして、この状態で、重量差Δωを９ｇにする研
磨時間が２．５分で重量差Δωを１１ｇにする研磨時間
が３．５分であった場合には、斜線で示すように、研磨
時間２．５分の重量差９ｇと研磨時間３．５分の重量差
１１ｇとの間の値を重量許容範囲Ｄとしてメモリ３３′
に格納しておく。すると、判断部３０は重量計２′−
１，２′−２からの測定重量ω１，ω２の重量差Δωを
演算する（図１５のステップＳ１，Ｓ２）。そして、こ
の重量差Δωが、点Ｄ１で示すように、重量許容範囲Ｄ
よりも小さいときには、二点鎖線で示すように、原点と
点Ｄ１とを通る直線を求め、重量差Δωがこの直線上で
１０ｇになるような時間ｅ１（＞３．５分）を求める。
そして、タイマ３９をこの時間ｅ１に変更する（図１５
のステップＳ３，Ｓ４）。また、重量差Δωが、点Ｄ２
に示すように、重量許容範囲Ｄよりも大きいときには、
一点鎖線で示すように、原点と点Ｄ２とを通る直線を求
め、重量差Δωがこの直線上で１０ｇになるような時間
ｅ２（＜２．５分）を求める。そして、タイマ３９をこ
の時間ｅ２に変更する（図１５のステップＳ３，Ｓ
５）。なお、当然であるが、重量差Δωが重量許容範囲
Ｄ内に含まれている場合には、タイマ３９を変更しない
（図１５のステップＳ３，Ｓ６）。
【００２６】かかる構成により、上定盤１３及び下定盤
１１の研磨パッド１３ａ，１１ａの荒れなどによって両
面研磨装置１の研磨条件が変化し、重量計２′−１，
２′−２からの測定重量ω１，ω２の重量差Δωが上記
重量許容範囲Ｄから外れると、判断部３０によってタイ
マ３９の設定が変更される。この結果、モータ駆動部３
５〜３８の作動時間が変わり、両面研磨装置１の研磨作
業時間が変化して、次研磨の磁気ディスクＷが所望研磨
量だけ研磨されることとなる。その他の構成，作用効果
は上記第１の実施形態と同様であるので、その記載は省
略する。
１１の研磨パッド１３ａ，１１ａの荒れなどによって両
面研磨装置１の研磨条件が変化し、重量計２′−１，
２′−２からの測定重量ω１，ω２の重量差Δωが上記
重量許容範囲Ｄから外れると、判断部３０によってタイ
マ３９の設定が変更される。この結果、モータ駆動部３
５〜３８の作動時間が変わり、両面研磨装置１の研磨作
業時間が変化して、次研磨の磁気ディスクＷが所望研磨
量だけ研磨されることとなる。その他の構成，作用効果
は上記第１の実施形態と同様であるので、その記載は省
略する。
【００２７】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
ポリッシング装置としての両面研磨装置１を用いたが、
ラッピング装置としての両面研磨装置を用いても同様の
効果を得ることができることは勿論である。上記第１の
実施形態では、Ｘ線膜厚計２の測定対象を５０枚目の磁
気ディスクＷとしたが、１枚〜４９枚目のいずれかの磁
気ディスクＷを測定対象にすることもできる。さらに、
測定対象を複数枚の磁気ディスクＷとし、測定した複数
の磁気ディスクＷの厚さの平均値を電圧Ｖ１，Ｖ２とし
て制御装置３の上定盤回転速度制御部３１，下定盤回転
速度制御部３２に入力するようにしてもよい。また、上
記実施形態では、研磨前のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さが
一定値Ｔであると仮定したが、図２の二点鎖線で示すよ
うに、さらにもう一台のＸ線膜厚計２をコンベア６−１
ｂの上方に配して、研磨前の磁気ディスクＷの厚さをも
測定し、研磨前のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さの測定結果
と研磨後のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さの測定結果とを制
御装置３の上定盤回転速度制御部３１，下定盤回転速度
制御部３２に入力し、これらの測定結果の差を演算する
ことで、高精度の研磨量ΔＴ１，ΔＴ２を得るようにす
ることもできる。上記第１の実施形態では、研磨量許容
範囲を１．８μｍ〜２．２μｍに設定し、膜厚差許容範
囲を−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍに設定したが、こ
れは、メッキ層の平坦性を確保すると共に両メッキ層の
厚差を小さくするためである。したがって、メッキ層の
平坦性を確保し得るならば、研磨量許容範囲を１μｍ〜
５μｍの範囲内で自由に設定することができる。例え
ば、研磨量の目的値を３μｍなどに設定し、誤差プラス
マイナス１０％を考慮して、研磨量許容範囲を２．７μ
ｍ〜３．３μｍに設定してもよい。また、研磨量許容範
囲を略２μｍ、膜厚差許容範囲を略０μｍなど、一定値
に設定してもよい。さらに、他の種類のワークの場合に
は、上記実施形態の研磨量許容範囲や膜厚差許容範囲の
値に拘束されることなく、ワーク表面の平坦性と両面の
厚差を考慮して適宜設定する。上記第１の実施形態で
は、上定盤１３，下定盤１１のみの回転速度を制御する
構成としたが、要は磁気ディスクＷに対する上定盤１３
や下定盤１１の相対回転速度を制御すればよい。したが
って、サンギア１０，インターナルギア１２，上定盤１
３，下定盤１１の回転速度を制御して所望の相対回転速
度を得るようにしてもよい。また、上記第２の実施形態
では、重量許容範囲Ｄを９ｇ〜１１ｇに設定したが、こ
れに限定されるものではない。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
ポリッシング装置としての両面研磨装置１を用いたが、
ラッピング装置としての両面研磨装置を用いても同様の
効果を得ることができることは勿論である。上記第１の
実施形態では、Ｘ線膜厚計２の測定対象を５０枚目の磁
気ディスクＷとしたが、１枚〜４９枚目のいずれかの磁
気ディスクＷを測定対象にすることもできる。さらに、
測定対象を複数枚の磁気ディスクＷとし、測定した複数
の磁気ディスクＷの厚さの平均値を電圧Ｖ１，Ｖ２とし
て制御装置３の上定盤回転速度制御部３１，下定盤回転
速度制御部３２に入力するようにしてもよい。また、上
記実施形態では、研磨前のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さが
一定値Ｔであると仮定したが、図２の二点鎖線で示すよ
うに、さらにもう一台のＸ線膜厚計２をコンベア６−１
ｂの上方に配して、研磨前の磁気ディスクＷの厚さをも
測定し、研磨前のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さの測定結果
と研磨後のメッキ層Ｍ１，Ｍ２の厚さの測定結果とを制
御装置３の上定盤回転速度制御部３１，下定盤回転速度
制御部３２に入力し、これらの測定結果の差を演算する
ことで、高精度の研磨量ΔＴ１，ΔＴ２を得るようにす
ることもできる。上記第１の実施形態では、研磨量許容
範囲を１．８μｍ〜２．２μｍに設定し、膜厚差許容範
囲を−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍに設定したが、こ
れは、メッキ層の平坦性を確保すると共に両メッキ層の
厚差を小さくするためである。したがって、メッキ層の
平坦性を確保し得るならば、研磨量許容範囲を１μｍ〜
５μｍの範囲内で自由に設定することができる。例え
ば、研磨量の目的値を３μｍなどに設定し、誤差プラス
マイナス１０％を考慮して、研磨量許容範囲を２．７μ
ｍ〜３．３μｍに設定してもよい。また、研磨量許容範
囲を略２μｍ、膜厚差許容範囲を略０μｍなど、一定値
に設定してもよい。さらに、他の種類のワークの場合に
は、上記実施形態の研磨量許容範囲や膜厚差許容範囲の
値に拘束されることなく、ワーク表面の平坦性と両面の
厚差を考慮して適宜設定する。上記第１の実施形態で
は、上定盤１３，下定盤１１のみの回転速度を制御する
構成としたが、要は磁気ディスクＷに対する上定盤１３
や下定盤１１の相対回転速度を制御すればよい。したが
って、サンギア１０，インターナルギア１２，上定盤１
３，下定盤１１の回転速度を制御して所望の相対回転速
度を得るようにしてもよい。また、上記第２の実施形態
では、重量許容範囲Ｄを９ｇ〜１１ｇに設定したが、こ
れに限定されるものではない。
【００２８】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項１及
び請求項６の発明によれば、膜厚測定の結果が直ちに次
のワーク研磨作業にフィードバックされるので、ワーク
生産性の向上を図ることができる。また、請求項２及び
請求項７の発明によれば、ワーク被膜層の膜厚を高精度
で測定することができる。さらに、請求項３，請求項
４，請求項８及び請求項９の発明によれば、次研磨のワ
ークの研磨量が１μｍ〜５μｍの研磨量許容範囲内にな
るように、Ｎｉ−Ｐのメッキ層の研磨量を制御するの
で、メッキ層の平坦性を確保することができると共に、
両メッキ層の膜厚差が−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍ
の膜厚差許容範囲内になるように制御するので、両メッ
キ層間に差がほとんど生じない高精度な研磨が可能とな
る。また、請求項５及び請求項１０の発明によれば、重
量測定の結果が直ちに次のワーク研磨作業にフィードバ
ックされるので、ワーク生産性の向上を図ることができ
る。
び請求項６の発明によれば、膜厚測定の結果が直ちに次
のワーク研磨作業にフィードバックされるので、ワーク
生産性の向上を図ることができる。また、請求項２及び
請求項７の発明によれば、ワーク被膜層の膜厚を高精度
で測定することができる。さらに、請求項３，請求項
４，請求項８及び請求項９の発明によれば、次研磨のワ
ークの研磨量が１μｍ〜５μｍの研磨量許容範囲内にな
るように、Ｎｉ−Ｐのメッキ層の研磨量を制御するの
で、メッキ層の平坦性を確保することができると共に、
両メッキ層の膜厚差が−０．１５μｍ〜＋０．１５μｍ
の膜厚差許容範囲内になるように制御するので、両メッ
キ層間に差がほとんど生じない高精度な研磨が可能とな
る。また、請求項５及び請求項１０の発明によれば、重
量測定の結果が直ちに次のワーク研磨作業にフィードバ
ックされるので、ワーク生産性の向上を図ることができ
る。
【図１】この発明の第１の実施形態に係る研磨量制御シ
ステムを示す概略図である。
ステムを示す概略図である。
【図２】図１のシステムの概略を示す平面図である。
【図３】両面研磨装置で研磨する磁気ディスクの概略断
面図である。
面図である。
【図４】両面研磨装置の構造を示す断面図である。
【図５】Ｘ線膜厚計の配設状態を示す断面図である。
【図６】Ｘ線膜厚計本体のブロック図である。
【図７】制御装置のブロック図である。
【図８】制御装置の機能を示すフローチャート図であ
る。
る。
【図９】磁気ディスクの研磨後の状態を示す概略断面図
である。
である。
【図１０】上定盤の回転速度制御方法を説明するための
線図である。
線図である。
【図１１】下定盤の回転速度制御方法を説明するための
線図である。
線図である。
【図１２】両面メッキ層の厚差調整方法を説明するため
の線図である。
の線図である。
【図１３】この発明の第２の実施形態に係る研磨量制御
システムの要部を示すブロック図である。
システムの要部を示すブロック図である。
【図１４】判断部による研磨時間判断方法を説明する線
図である。
図である。
【図１５】判断部による研磨時間判断方法を説明するフ
ローチャート図である。
ローチャート図である。
１…両面研磨装置、 ２…Ｘ線膜厚計、 ３…制御装
置、 １１…下定盤、１３…上定盤、 １５，１８…モ
ータ、 ３１…上定盤回転速度制御部、 ３２…下定盤
回転速度制御部、 ３３…メモリ、 ３４…両面膜厚差
調整部、 Ｗ…磁気ディスク、 Ｍ１，Ｍ２…メッキ
層。
置、 １１…下定盤、１３…上定盤、 １５，１８…モ
ータ、 ３１…上定盤回転速度制御部、 ３２…下定盤
回転速度制御部、 ３３…メモリ、 ３４…両面膜厚差
調整部、 Ｗ…磁気ディスク、 Ｍ１，Ｍ２…メッキ
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 霜出 貴光 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファム 株式会社内 (72)発明者 山谷 昭彦 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファム 株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 サンギア及びインターナルギアの少なく
共一方を回転させることで、被膜層を基板の上下面に各
々有するワークを保持したキャリアをサンギア周りで自
公転させ、回転する下定盤と上記ワークを押圧しながら
回転する上定盤とにより上記ワークの下面被膜層と上面
被膜層とを研磨する両面研磨装置と、 上記両面研磨装置による研磨後のワークの上面被膜層及
び下面被膜層の各厚さを測定する膜厚測定装置と、 上記膜厚測定装置で測定された上面被膜層及び下面被膜
層の各厚さに応じて、上記両面研磨装置の上定盤と下定
盤との回転速度を制御する制御装置とを具備する研磨量
制御システムであって、 上記制御装置は、 上記ワークの研磨前の上面被膜層の厚さと上記膜厚測定
装置で測定された研磨後の上面被膜層の厚さとの差であ
る上膜研磨量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量
許容範囲内であるときに、研磨後の上記上面被膜層値を
出力し、また、上膜研磨量が上記研磨量許容範囲よりも
小さいときに、次研磨におけるワークの上膜研磨量が上
記研磨量許容範囲内になるように、上記ワークに対する
上定盤の回転速度を上げ、逆に、上膜研磨量が上記研磨
量許容範囲よりも大きいときに、次研磨におけるワーク
の上膜研磨量が上記研磨量許容範囲内になるように、ワ
ークに対する上定盤の回転速度を下げる上定盤回転速度
制御部と、 上記研磨前の下面被膜層の厚さと上記膜厚測定装置で測
定された研磨後の下面被膜層の厚さとの差である下膜研
磨量を演算し、この下膜研磨量が上記研磨量許容範囲内
であるときに、研磨後の上記下面被膜層値を出力し、ま
た、下膜研磨量が上記研磨量許容範囲よりも小さいとき
に、次研磨におけるワークの下膜研磨量が上記研磨量許
容範囲内になるように、上記ワークに対する下定盤の回
転速度を上げ、逆に、下膜研磨量が上記研磨量許容範囲
よりも大きいときに、次研磨におけるワークの下膜研磨
量が上記研磨量許容範囲内になるように、ワークに対す
る下定盤の回転速度を下げる下定盤回転速度制御部と、 上記上定盤回転速度制御部からの上面被膜層値と下定盤
回転速度制御部からの下面被膜層値との差である両面膜
厚差が所定の膜厚差許容範囲外であるときに、次研磨に
おけるワークの上記両面膜厚差が上記膜厚差許容範囲内
になるように、上定盤及び下定盤の少なく共一方の回転
速度を制御する両面膜厚差調整部とを具備することを特
徴とする研磨量制御システム。 - 【請求項２】 請求項１に記載の研磨量制御システムに
おいて、 上記膜厚測定装置は、Ｘ線膜厚計である、 ことを特徴とする研磨量制御システム。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の研磨量
制御システムにおいて、 上記ワークは、被膜層としてのニッケル−リンのメッキ
層を磁気ディスク基板の上下面に各々有した磁気ディス
クである、 ことを特徴とする研磨量制御システム。 - 【請求項４】 請求項３に記載の研磨量制御システムに
おいて、 上記研磨量許容範囲は、１μｍ〜５μｍであり、 上記膜厚差許容範囲は、−０．１５μｍ〜＋０．１５μ
ｍである、 ことを特徴とする研磨量制御システム。 - 【請求項５】 ワークの両面を研磨する両面研磨装置
と、 上記研磨装置によるワークの研磨後の重量を測定する重
量測定装置と、 上記重量測定装置で測定された重量に応じて、上記研磨
装置の研磨時間を制御する制御装置とを具備する研磨量
制御システムであって、 上記制御装置は、研磨前のワークと上記重量測定装置で
測定された研磨後のワークとの重量差を演算し、この重
量差が所定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨
におけるワークの重量差が上記重量許容範囲内になるよ
うに、上記研磨装置の研磨時間を長くし、逆に、上記重
量差が上記重量許容範囲よりも大きいときに、次研磨に
おける重量差が上記重量許容範囲内になるように、上記
研磨装置の研磨時間を短くするものである、 ことを特徴とする研磨量制御システム。 - 【請求項６】 両面研磨装置によりワークの下面被膜層
と上面被膜層とを同時に研磨する両面研磨工程と、 上記両面研磨工程後のワークの上面被膜層及び下面被膜
層の各厚さを測定する膜厚測定工程と、 上記膜厚測定工程で測定された上面被膜層及び下面被膜
層の各厚さに応じて、上記両面研磨装置の上定盤と下定
盤との回転速度を制御する制御工程とを具備する研磨量
制御方法であって、 上記制御工程は、 上記ワークの研磨前の上面被膜層の厚さと上記膜厚測定
工程で測定された研磨後の上面被膜層の厚さとの差であ
る上膜研磨量を演算し、この上膜研磨量が所定の研磨量
許容範囲内であるときに、研磨後の上記上面被膜層値を
出力し、また、上膜研磨量が上記研磨量許容範囲よりも
小さいときに、次研磨におけるワークの上膜研磨量が上
記研磨量許容範囲内になるように、上記ワークに対する
上定盤の回転速度を上げ、逆に、上膜研磨量が上記研磨
量許容範囲よりも大きいときに、次研磨におけるワーク
の上膜研磨量が上記研磨量許容範囲内になるように、ワ
ークに対する上定盤の回転速度を下げる上定盤回転速度
制御過程と、 上記研磨前の下面被膜層の厚さと上記膜厚測定工程で測
定された研磨後の下面被膜層の厚さとの差である下膜研
磨量を演算し、この下膜研磨量が上記研磨量許容範囲内
であるときに、研磨後の上記下面被膜層値を出力し、ま
た、下膜研磨量が上記研磨量許容範囲よりも小さいとき
に、次研磨におけるワークの下膜研磨量が上記研磨量許
容範囲内になるように、上記ワークに対する下定盤の回
転速度を上げ、逆に、下膜研磨量が上記研磨量許容範囲
よりも大きいときに、次研磨におけるワークの下膜研磨
量が上記研磨量許容範囲内になるように、ワークに対す
る下定盤の回転速度を下げる下定盤回転速度制御過程
と、 上記上定盤回転速度制御過程で出力された上面被膜層値
と下定盤回転速度制御過程で出力された下面被膜層値と
の差である両面膜厚差が所定の膜厚差許容範囲外である
ときに、次研磨におけるワークの上記両面膜厚差が上記
膜厚差許容範囲内になるように、上定盤及び下定盤の少
なく共一方の回転速度を制御する両面膜厚差調整過程と
を具備することを特徴とする研磨量制御方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の研磨量制御方法におい
て、 上記膜厚測定工程では、Ｘ線膜厚計により、上記上面被
膜層及び下面被膜層の各厚さを測定する、 ことを特徴とする研磨量制御方法。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７に記載の研磨量
制御方法において、 上記両面研磨工程では、被膜層としてのニッケル−リン
のメッキ層を磁気ディスク基板の上下面に各々有した磁
気ディスクを研磨する、 ことを特徴とする研磨量制御方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の研磨量制御方法におい
て、 上定盤回転速度制御過程及び下定盤回転速度制御過程で
は、１μｍ〜５μｍの上記研磨量許容範囲を定め、 上記両面膜厚差調整過程では、−０．１５μｍ〜＋０．
１５μｍの上記膜厚差許容範囲を定める、 ことを特徴とする研磨量制御方法。 - 【請求項１０】 両面研磨装置でワークの両面を研磨す
る両面研磨工程と、 上記両面研磨工程後のワークの重量を測定する重量測定
工程と、 上記重量測定工程で測定された重量に応じて、上記研磨
装置の研磨時間を制御する制御工程とを具備する研磨量
制御方法であって、 上記制御工程は、研磨前のワークと上記重量測定工程で
測定された研磨後のワークとの重量差を演算し、この重
量差が所定の重量許容範囲よりも小さいときに、次研磨
におけるワークの重量差が上記重量許容範囲内になるよ
うに、上記研磨装置の研磨時間を長くし、逆に、上記重
量差が上記重量許容範囲よりも大きいときに、次研磨に
おける重量差が上記重量許容範囲内になるように、上記
研磨装置の研磨時間を短くする、 ことを特徴とする研磨量制御方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2928498A JPH11207610A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 研磨量制御システム及びその方法 |
| SG1998004747A SG74675A1 (en) | 1998-01-26 | 1998-11-18 | Polishing amount control system and method for same |
| TW087119148A TW379162B (en) | 1998-01-26 | 1998-11-19 | Polishing amount control system and method for same |
| US09/201,472 US6062949A (en) | 1998-01-26 | 1998-11-30 | Polishing amount control system and method for same |
| KR1019980054313A KR19990066840A (ko) | 1998-01-26 | 1998-12-11 | 연마량 제어 시스템 및 그방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2928498A JPH11207610A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 研磨量制御システム及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11207610A true JPH11207610A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=12271965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2928498A Withdrawn JPH11207610A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 研磨量制御システム及びその方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6062949A (ja) |
| JP (1) | JPH11207610A (ja) |
| KR (1) | KR19990066840A (ja) |
| SG (1) | SG74675A1 (ja) |
| TW (1) | TW379162B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506537A (ja) * | 2004-07-02 | 2008-03-06 | ストラスボー | ウエハ処理方法およびシステム |
| JP2009274139A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム |
| JP2017189831A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2020055063A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | 株式会社ディスコ | 研削方法及び研削装置 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6062949A (en) | 2000-05-16 |
| TW379162B (en) | 2000-01-11 |
| KR19990066840A (ko) | 1999-08-16 |
| SG74675A1 (en) | 2000-08-22 |
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