JP2006266689A - 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】 熟練技術や時間を必要とすることなく、低コスト且つ容易に多層状の材料層からなるサンプルの深さ方向への分析を行うことができる蛍光X線分析装置等を得る。
【解決手段】 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析を行うに際して、サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行い、該分析結果に基づいて、サンプルの加工量を推定し、該加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行うようにした。
【選択図】 図2
【解決手段】 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析を行うに際して、サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行い、該分析結果に基づいて、サンプルの加工量を推定し、該加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行うようにした。
【選択図】 図2
Description
本発明は、蛍光X線を用いて、多層状に異なる材料を含むサンプルにおける材料の分析を行う蛍光X線分析装置、蛍光X線分析方法、蛍光X線分析プログラムに関するものである。
材料の元素分析分野においては、分析対象と要求する精度によって様々な分析装置が提案されている。これら分析装置の中で、簡易で短時間に材料表面の分析が行える分析装置としては、汎用型の蛍光X線分析装置が知られている(例えば特許文献1参照)。
汎用型の蛍光X線分析装置は以下のような特徴を有している。
1)分析対象材料にX線照射し、材料から発生する蛍光X線の強度から材料元素の定性及び定量を行う。
2)1回の分析における測定可能は領域直径1mm〜10mm程度であり、表面に限定される。
3)複数材料で積層された部品などの表面を分析する場合、下地材料の影響が出てしまう。
4)大気中で測定が可能で、操作性が良好、比較的安価である。
1)分析対象材料にX線照射し、材料から発生する蛍光X線の強度から材料元素の定性及び定量を行う。
2)1回の分析における測定可能は領域直径1mm〜10mm程度であり、表面に限定される。
3)複数材料で積層された部品などの表面を分析する場合、下地材料の影響が出てしまう。
4)大気中で測定が可能で、操作性が良好、比較的安価である。
一方、この汎用型の蛍光X線分析装置が表面の分析に限定されるのに対し、イオンスパッタリングを利用して深さ方向にサンプルを加工しながら分析を可能にする分析装置としては、オージェ電子(AES)、光電子分光法(ESCA)、FIB(集束イオンビーム加工観察装置)が知られている(例えば特許文献2参照)。
近年、環境対応として製品に含有する鉛、カドミウムなどの有害元素を排除する取り組みが活発化しており、材料や部品に対するこれら有害元素の分析が不可欠となっている。特に部品メーカでの出荷検査として、また最終製品製造メーカにおける受入れ検査用途として、簡易で有効性のある分析装置が望まれている。
しかしながら、従来の蛍光X線分析装置では、複数の材料で構成される部品(特に電子部品)に関しては表面材料の分析は行えるが、内部に構成される材料の分析が困難である。
このため、図11(a)に示すように、あらかじめ切削などの加工を行い部品の各部位を露出させたサンプルを用意し、しかる後に蛍光X線分析装置により、個々に分析する方法が考えられるが、複数のサンプルを用意する必要があるため時間と熟練した加工技術が必要となってくる。
一方、内部の材料を分析するために、図11(b)に示すように、上述のイオンスパッタリングを用いた深さ方向の分析が可能な装置を利用する方法が考えられるが、イオンスパッタリングを用いる装置は、非常に高価で、操作に高度な技術が必要であること、またイオンスパッタリングによる加工は、処理に多くの時間を要する、材料によってエッチングレートが異なるため均一に加工ができないという欠点がある。
本発明は、熟練技術や時間を必要とすることなく、低コスト且つ容易に多層状の材料層からなるサンプルの深さ方向への分析を行うことができる蛍光X線分析装置、蛍光X線分析方法、蛍光X線分析プログラムを提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明は、多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析装置であって、前記サンプルの加工を行う加工部と、前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析部と、前記分析部の分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定し、該推定された加工量に基づいて前記加工部により加工を行わせる制御部とを備えてなる。
また、本発明の蛍光X線分析装置において、前記制御部は、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線を検出し、これら検出された蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする。
なお、本発明の蛍光X線分析装置において、前記サンプルを撮像する撮像部を備え、前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記制御部は、前記加工部により加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
さらに、前記制御部は、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像部により撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記加工部は前記サンプルを移動可能に支持する支持部を備え、前記制御部は前記加工部による加工に際して前記支持部により前記サンプルを移動させることを特徴とすることができる。
また、前記制御部は、前記加工部により加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
さらに、前記制御部は、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像部により撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記加工部は前記サンプルを移動可能に支持する支持部を備え、前記制御部は前記加工部による加工に際して前記支持部により前記サンプルを移動させることを特徴とすることができる。
また、本発明は、多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法であって、前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップとを備えてなる。
この蛍光X線分析方法において、前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とすることができる。
また、さらに、前記サンプルを撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップとを備えたことを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
更に、前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、さらに、前記サンプルを撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップとを備えたことを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
更に、前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、本発明は、多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラムであって、前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップとをコンピュータに実行させる。
また、本発明において、前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする。
また、前記サンプルを撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップとを更にコンピュータに実行させることを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
また、前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とすることができる。
以上に説明したように、本発明によれば、蛍光X線分析結果に基づいて、自動加工を行いながら材料の分析を行うことを可能にし、もって、熟練技術や時間を必要とすることなく、低コスト且つ容易に多層状の材料層からなるサンプルの深さ方向への分析を行うことができるという効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図1は、本発明の蛍光X線分析装置の全体構成を示すブロック図である。
この蛍光X線分析装置は、サンプル1である部品を支持し、x、y、z方向の三軸方向に移動可能とするサンプル搬送支持部2と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル(部品)にX線を照射し、蛍光X線を検出する蛍光X線検出部3と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル表面を撮像する撮像部4と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル1を洗浄する洗浄部5と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル1を加工するための加工部6と、各部2〜6と接続され、各部2〜6を制御すると共にデータ分析を行う制御部7とを備える。
この蛍光X線分析装置は、サンプル1である部品を支持し、x、y、z方向の三軸方向に移動可能とするサンプル搬送支持部2と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル(部品)にX線を照射し、蛍光X線を検出する蛍光X線検出部3と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル表面を撮像する撮像部4と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル1を洗浄する洗浄部5と、サンプル搬送支持部2に支持されたサンプル1を加工するための加工部6と、各部2〜6と接続され、各部2〜6を制御すると共にデータ分析を行う制御部7とを備える。
制御部7は、所定のプログラム(蛍光X線分析プログラム)に従って動作するPC7aにより構成され、蛍光X線のデータ分析を行うことで、蛍光X線検出部3と協働して蛍光X線分析部を構成する。また撮像部4と協働して画像認識部を構成する。なお、これらの構成は一例であり、それぞれ独立したPCにより構成するようにしても良い。また、制御部7はCADデータを取得することができ、かかるCADデータ、蛍光X線分析部による分析結果、及び画像認識部による画像認識結果に基づいて加工部及びサンプル搬送支持部2を駆動制御する。
加工部6は、サンプル表面を加工してサンプルの表面より深さ方向にある材料を露出させていくものであり、例えばレーザ加工部6a、切削加工部6b、切断加工部6cを備えている。
以下、本実施の形態の動作である制御部の動作について説明する。
図2は全体動作について示すフローチャートである。まず、分析開始において初期設定が行われ(ステップS1)、サンプルセット、分析エリア設定、加工メニュー設定、分析メニュー設定が行われる。
図2は全体動作について示すフローチャートである。まず、分析開始において初期設定が行われ(ステップS1)、サンプルセット、分析エリア設定、加工メニュー設定、分析メニュー設定が行われる。
初期設定が終了すると、次に分析を行うか加工を行うかについて判断が成される(ステップS2)。この判断は初期設定において設定されたメニューに基づいて行われ、例えば、サンプル表面から分析を開始する場合は、直ちに分析が行われる(ステップS3)。分析が終了すると次に、次の材料層について分析を行うために加工量または加工位置についての判断が行われる(ステップS4)。この判断についての詳細は図3を用いて後述する。そして、加工量または加工位置についての判断が終了すると、分析処理を終了するか否かの判断が行われ(ステップS5)、終了しない場合はその判断結果に基づいて加工又は位置合せが行われる(ステップS6)。
次に、図3〜図8を用いて加工量又は加工位置の判断動作(ステップS4)について説明する。図3は加工量又は加工位置の判断動作を示すフローチャート、図4は3層状に異なる材料からなるサンプルについて動作概念を示す図であり、(A)〜(C)は各層におけるCADデータから得られる既得の平面パターン、(D)は既得の断面構造を示す断面パターンを示すCADデータ、(a)〜(c)は各層における撮像パターン、(d)〜(f)は加工に伴うサンプル断面図、(g)〜(i)は分析結果の一例を示すスペクトルを示す図である。図5は多層L0〜LNからなるサンプル断面を示す図である。
加工量又は加工位置の判断動作においては、まず画像による判断を行うか分析結果による判断を行うかについて判断される。この判断は初期設定において設定されたメニューに基づいて行われる。
(画像による判断)
例えば、加工位置の判断については、制御部7はCADデータに基づく既知パターン(図4(A)〜(D))を取得し、該パターンと撮像パターンを合わせるようにすることで、サンプルの位置制御又はX線照射位置制御を行うことができ、分析位置を調整することができる。例えば、撮像パターン(a)〜(c)においてP点、Q点の位置を分析するときは、既知パターン(A)〜(C)とマッチングさせて基準点(例えばO点)を合わせ、その位置を基準にP点を判断することができる。また、P点やQ点の分析を行う場合は、夫々の加工エリア及び加工量を既知パターン(図4(A)〜(D))により大まかに判断することもできる。
例えば、加工位置の判断については、制御部7はCADデータに基づく既知パターン(図4(A)〜(D))を取得し、該パターンと撮像パターンを合わせるようにすることで、サンプルの位置制御又はX線照射位置制御を行うことができ、分析位置を調整することができる。例えば、撮像パターン(a)〜(c)においてP点、Q点の位置を分析するときは、既知パターン(A)〜(C)とマッチングさせて基準点(例えばO点)を合わせ、その位置を基準にP点を判断することができる。また、P点やQ点の分析を行う場合は、夫々の加工エリア及び加工量を既知パターン(図4(A)〜(D))により大まかに判断することもできる。
さらに、加工量の判断については、図5のように多層状のサンプルにおいて、例えばL1のパターンを取得した後加工を行った場合にL3のパターンが取得できた場合、既知のパターンと比較することにより、Δ1の加工量であったことを知ることができ、例えばLN−1の層の材料分析を行う場合は、後Δ2だけ深さ方向に加工を行えば良いことが分かり、加工の効率を高めることができる。
従って、サンプル構造とその分析位置を分析メニューにおいて設定しておくことによって、制御部7は分析メニューに従いながら、判断を繰り返し分析及び加工を自動的に繰り返す。
(分析結果による判断)
蛍光X線は所定の透過率を有し、深さ方向に存在する材料物質についてもその分析を行うことができることを利用して、これを深さ方向への加工量の推定することができる。
蛍光X線は所定の透過率を有し、深さ方向に存在する材料物質についてもその分析を行うことができることを利用して、これを深さ方向への加工量の推定することができる。
この動作の一例について図6〜図8を用いて説明する。これらの図におけるサンプルは表面が材料X,下層が材料Yで構成されているものとし、材料Xの分析後、材料Yの分析を行う場合を想定する。図6(a)に示すように、表面材料Xが厚いときは、図6(b)のように分析結果としての蛍光X線スペクトルが得られる。ここで、e、g、h、iを所定の規定値とし、材料Yを分析するための次の加工量を推定すると、図6(c)の論理が満たされた場合には、次の加工量をoとして推定するようにする。即ち、材料Xの成分の分析強度ピークPx0が規定値gよりも大きく、且つ材料Yの成分の分析強度ピークPy0が規定値hより小さいと材料Xの膜厚がまだ大と判断し加工量oが決定される。
次に、図7(a)に示すように表面材料が加工により薄くなった場合は図7(b)のような分析傾向が得られるので、このような場合は例えば図7(c)の論理が満たされることにより次の加工量をqとして推定する。即ち、材料Xの成分の分析強度ピークPx1が規定値gよりも小さく、且つ材料Yの成分の分析強度ピークPy1が規定値hより大きいと材料Xの膜厚が少なくなったと判断し加工量qが決定される。
そして、図8(a)となった場合には、図8(b)の蛍光X線スペクトルが得られるため、図8(c)のような論理が満たされる。そして、この分析結果図8(b)と図8(c)の論理が満たされることにより、加工量rを推定する。この加工量rの値によっては、材料Yを分析するための加工を終了し、また分析を終了するとして判断することもできる。即ち、材料Xの成分の分析強度ピークPxnが規定値iよりも小さく、且つ材料Yの成分の分析強度ピークPynが規定値hより大きいと材料Xの膜厚がほぼ無くなったと判断し、材料Yの加工量をrとする加工ステップへの移行、または加工終了が決定される。
なお、上述の規定値g、h、iは測定する成分元素、これに対する理論蛍光X線強度(X線透過率を考慮した理論値)を考慮してあらかじめ設定されている。
よって各論理において、g>iとなり、gとhの設定値は独立した値となっており。なお、g>hとなることもある。
よって各論理において、g>iとなり、gとhの設定値は独立した値となっており。なお、g>hとなることもある。
このように、多層(例では2層)の場合に夫々の層の材料から得られる蛍光X線スペクトルの強度に対して、それらの比率及びそれぞれの基準値との比較を行うことにより、予め定めた所定の加工量を判断することができ、次の加工量を推定することができる。なお、本例では、2層について説明しているが3層以上でも論理を構成して適用することによりより細やかな加工量の推定を行うこともできる。また、加工量を推定する他の方法として、加工前後の分析結果を比較し、その比較した結果を所定の判断基準と照らし合わせることで、次の加工量を推定するようにすることもできる。
なお、以上のような判断動作も画像による判断の場合と同様、分析サンプルに応じて分析メニューに設定され、制御部7はその分析メニューに従いながら、判断を繰り返し分析及び加工を自動的に繰り返す。
(組み合わせ)
上述した画像による加工量の推定と分析結果による加工量の推定は組み合わせることも可能である。例えば、図5のLN層の分析を行う場合は、画像によるパターンマッチによりLN−1層までの加工を行い、しかる後に図6で説明した分析結果による更なる細やかな加工量の推定を行うことができる。
上述した画像による加工量の推定と分析結果による加工量の推定は組み合わせることも可能である。例えば、図5のLN層の分析を行う場合は、画像によるパターンマッチによりLN−1層までの加工を行い、しかる後に図6で説明した分析結果による更なる細やかな加工量の推定を行うことができる。
以上のようにして、制御部は画像により加工量を推定するか(ステップS11、Y)、分析結果により加工量を推定するか((ステップS11、N),(ステップS15、Y))を判断する。そして、画像による判断(推定)を行う場合は、撮像部によるパターン撮像を行い(ステップS12)、既得パターン(CADデータ又は既得撮像パターン)とマッチングを行って(ステップS13)、上述したように加工量又は加工位置を推定する(ステップS14)。
一方、分析結果による判断を行う場合(ステップS15、Y)は、上述したように所定の論理を満たすことを判断して次の加工量を推定する(ステップS16)。
ステップS14又はステップS16により加工を終了し、又は分析を終了する場合は、その判断をもってステップS17に進み、ステップS5に対して終了指示を出す(ステップS17)。
以上のように加工量の推定を行うことにより、本実施の形態による効果を図9及び図10において説明する。
図9は従来の技術を示すものであり、推定を行えないため、未知の構造部品を分析する場合或いは加工量をフィードバックしつつ加工を行う場合は、ある程度細やかな加工量を数多く設定する必要がある。このため加工回数は大きく、これが分析時間を長引かせると共に労力増大を招いていた。
これに対して、本実施の形態によれば、図10に示すように、加工量を推定することができるため、始めは大まかに加工を行うことが可能となり、加工回数を削減することができ、迅速、且つ効率的な分析が可能となる。
なお、図10において示すg、h、iはそれぞれ図6〜図8に示した符号と対応している。
なお、図10において示すg、h、iはそれぞれ図6〜図8に示した符号と対応している。
以上、本発明の実施の形態によれば、サンプル搬送、加工、分析を連続的に行えるため、従来個々に加工、分析を行っていた場合に比較して大幅な時間短縮が可能となった。また、既知の部品構造情報、画像認識装置から得られる実際の画像パターン、分析装置から得られる定量分析結果、分析装置から得られる定性分析結果のいずれかをあらかじめ決められた判定基準に従って判断し、分析対象を自動又は任意に指定、加工、分析を可能とする制御プログラムにより処理、実行することで高度な加工技術を要することなくさらに大幅な時間短縮が可能となった。
特に、照射X線強度と照射範囲、試料材料の組成、試料膜厚から推定されるX線透過率と実際に測定されたX線強度に基づいて次回の加工量を推定することが可能となり、分析の効率化を実現できる。
また、図2、図3に示した各ステップをコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラムとして、コンピュータにより読取り可能な記録媒体に記憶させることによって、蛍光X線分析装置による自動分析が可能となる。なお、本実施の形態において、上記コンピュータにより読取り可能な記録媒体は、CD−ROMやフレキシブルディスク、DVDディスク、光磁気ディスク、ICカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータ並びにそのデータベースや、更に回線上の伝送媒体をも含むものである。
(付記1) 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析装置であって、
前記サンプルの加工を行う加工部と、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析部と、
前記分析部の分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定し、該推定された加工量に基づいて前記加工部により加工を行わせる制御部と
を備えてなる蛍光X線分析装置。
(付記2) 付記1に記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線を検出し、これら検出された蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記3) 付記1又は付記2に記載の蛍光X線分析装置において、
前記サンプルを撮像する撮像部を備え、
前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記4) 付記1乃至付記3のいずれかに記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記加工部により加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記5) 付記3又は付記4に記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像部により撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記6) 付記1乃至付記5のいずれかに記載の蛍光X線分析装置において、
前記加工部は前記サンプルを移動可能に支持する支持部を備え、前記制御部は前記加工部による加工に際して前記支持部により前記サンプルを移動させることを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記7) 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法であって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
を備えてなる蛍光X線分析方法。
(付記8) 付記7に記載の蛍光X線分析方法において、
前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記9) 付記7又は付記8に記載の蛍光X線分析方法において、
前記サンプルを撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップと
を備えたことを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記10) 付記9に記載の蛍光X線分析方法において、
前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記11) 付記9に記載の蛍光X線分析方法において、
前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記12) 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラムであって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラム。
(付記13) 付記12に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記14) 付記12又は付記13に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記サンプルを撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップと
を更にコンピュータに実行させることを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記15) 付記14に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記16) 付記14に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
前記サンプルの加工を行う加工部と、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析部と、
前記分析部の分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定し、該推定された加工量に基づいて前記加工部により加工を行わせる制御部と
を備えてなる蛍光X線分析装置。
(付記2) 付記1に記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線を検出し、これら検出された蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記3) 付記1又は付記2に記載の蛍光X線分析装置において、
前記サンプルを撮像する撮像部を備え、
前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記4) 付記1乃至付記3のいずれかに記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記加工部により加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記5) 付記3又は付記4に記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像部により撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記6) 付記1乃至付記5のいずれかに記載の蛍光X線分析装置において、
前記加工部は前記サンプルを移動可能に支持する支持部を備え、前記制御部は前記加工部による加工に際して前記支持部により前記サンプルを移動させることを特徴とする蛍光X線分析装置。
(付記7) 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法であって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
を備えてなる蛍光X線分析方法。
(付記8) 付記7に記載の蛍光X線分析方法において、
前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記9) 付記7又は付記8に記載の蛍光X線分析方法において、
前記サンプルを撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップと
を備えたことを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記10) 付記9に記載の蛍光X線分析方法において、
前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記11) 付記9に記載の蛍光X線分析方法において、
前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析方法。
(付記12) 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラムであって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラム。
(付記13) 付記12に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記14) 付記12又は付記13に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記サンプルを撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップにより撮像された画像に基づいて前記サンプルの加工量又は加工位置を判断する判断ステップと
を更にコンピュータに実行させることを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記15) 付記14に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記加工ステップにより加工される前記サンプルの加工前後の画像を比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
(付記16) 付記14に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記サンプルの構造情報を取得し、該構造情報と前記撮像ステップにより撮像された画像とを比較し、該比較結果に基づいて前記加工量又は加工位置を判断することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
1 サンプル、2 サンプル搬送支持部、3 蛍光X線検出部、4 撮像部、5 洗浄部、6 加工部、7 制御部、7a PC。
Claims (5)
- 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析装置であって、
前記サンプルの加工を行う加工部と、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析部と、
前記分析部の分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定し、該推定された加工量に基づいて前記加工部により加工を行わせる制御部と
を備えてなる蛍光X線分析装置。 - 請求項1に記載の蛍光X線分析装置において、
前記制御部は、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線を検出し、これら検出された蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析装置。 - 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法であって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
を備えてなる蛍光X線分析方法。 - 多層状に異なる材料を含むサンプルにおいて材料の分析を行う蛍光X線分析方法をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラムであって、
前記サンプルに対してX線を照射し、蛍光X線を検出して材料の分析を行う分析ステップと、
前記分析ステップによる分析結果に基づいて、前記サンプルの加工量を推定する加工量推定ステップと、
前記加工量推定ステップにより推定された加工量に基づいて前記サンプルの加工を行う加工ステップと
をコンピュータに実行させる蛍光X線分析プログラム。 - 請求項4に記載の蛍光X線分析プログラムにおいて、
前記推定ステップでは、前記サンプルの深さ方向にある少なくとも2つの層のそれぞれから得られる蛍光X線の強度に基づいて前記加工量を推定することを特徴とする蛍光X線分析プログラム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080991A JP2006266689A (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム |
US11/192,140 US20060215810A1 (en) | 2005-03-22 | 2005-07-29 | Fluorescent X-ray analyzer, fluorescent X-ray analysis method, and fluorescent X-ray analysis program |
DE102005037354A DE102005037354A1 (de) | 2005-03-22 | 2005-08-08 | Röntgenstrahlfluoreszenzanalysator, Röntgenstrahlfluoreszenzanalyseverfahren, und Röntgenstrahlfluoreszenzanalyseprogramm |
CNA2005100897569A CN1837796A (zh) | 2005-03-22 | 2005-08-08 | 荧光x射线分析仪、荧光x射线分析方法及分析程序 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080991A JP2006266689A (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006266689A true JP2006266689A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=36999046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005080991A Withdrawn JP2006266689A (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060215810A1 (ja) |
JP (1) | JP2006266689A (ja) |
CN (1) | CN1837796A (ja) |
DE (1) | DE102005037354A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021051878A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7302034B2 (en) * | 2005-10-04 | 2007-11-27 | Thermoniton Analyzers Llc | Analysis of elemental composition and thickness in multilayered materials |
KR20130105453A (ko) * | 2012-03-12 | 2013-09-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 형광 x선 분석 장치 및 형광 x선 분석 방법 |
CN105259150B (zh) * | 2015-11-02 | 2019-01-18 | 深圳市锦瑞生物科技有限公司 | 一种荧光分析仪定标系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3583436D1 (de) * | 1984-10-05 | 1991-08-14 | Kawasaki Steel Co | Verfahren zur bestimmung der dicke und der zusammensetzung eines legierungsfilms. |
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US5483568A (en) * | 1994-11-03 | 1996-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pad condition and polishing rate monitor using fluorescence |
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-
2005
- 2005-03-22 JP JP2005080991A patent/JP2006266689A/ja not_active Withdrawn
- 2005-07-29 US US11/192,140 patent/US20060215810A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-08 DE DE102005037354A patent/DE102005037354A1/de not_active Ceased
- 2005-08-08 CN CNA2005100897569A patent/CN1837796A/zh active Pending
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---|---|---|---|---|
JP2021051878A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
JP7360871B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-10-13 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060215810A1 (en) | 2006-09-28 |
DE102005037354A1 (de) | 2006-10-05 |
CN1837796A (zh) | 2006-09-27 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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