JPH07153692A - 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置 - Google Patents
半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置Info
- Publication number
- JPH07153692A JPH07153692A JP5299551A JP29955193A JPH07153692A JP H07153692 A JPH07153692 A JP H07153692A JP 5299551 A JP5299551 A JP 5299551A JP 29955193 A JP29955193 A JP 29955193A JP H07153692 A JPH07153692 A JP H07153692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- growth
- film
- rays
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １μｍ以下の極めて薄いヘテロエピタキシャ
ル成長において、成長条件を制御することにより高精度
で薄膜を成長させる。 【構成】 半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させ
る膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にＸ線を入
射させるＸ線入射工程と、前記Ｘ線の入射に伴って前記
成長中の薄膜から放出される螢光Ｘ線を計測する計測工
程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜
の成長条件を制御する制御工程とを備えることを特徴と
する、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。
ル成長において、成長条件を制御することにより高精度
で薄膜を成長させる。 【構成】 半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させ
る膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にＸ線を入
射させるＸ線入射工程と、前記Ｘ線の入射に伴って前記
成長中の薄膜から放出される螢光Ｘ線を計測する計測工
程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜
の成長条件を制御する制御工程とを備えることを特徴と
する、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上に薄膜を成
長させる方法および装置に関する。
長させる方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高機能化や高速
化に伴いエピタキシャル成長技術の高度化が求められて
いる。特に、半導体ではこの傾向が顕著で、ヘテロエピ
タキシャル成長技術を駆使したＭＱＷやＨＥＭＴ構造エ
ピタキシャルウェーハの製造が広く行なわれるようにな
ってきている。これらのエピタキシャル成長膜の特徴
は、多成分元素化と薄膜化にあり、更には残留不純物の
低減化にある。
化に伴いエピタキシャル成長技術の高度化が求められて
いる。特に、半導体ではこの傾向が顕著で、ヘテロエピ
タキシャル成長技術を駆使したＭＱＷやＨＥＭＴ構造エ
ピタキシャルウェーハの製造が広く行なわれるようにな
ってきている。これらのエピタキシャル成長膜の特徴
は、多成分元素化と薄膜化にあり、更には残留不純物の
低減化にある。
【０００３】このため、薄膜の成長条件の評価や成長後
のウェーハの膜厚の評価などの特性評価は困難を極めて
いる。この中で、成長薄膜の膜厚制御や高純度化は非常
に重要な要素である。
のウェーハの膜厚の評価などの特性評価は困難を極めて
いる。この中で、成長薄膜の膜厚制御や高純度化は非常
に重要な要素である。
【０００４】エピタキシャル成長膜としては、通常、気
相成長が採用されており、大別すると、分子線エピタキ
シャル成長法（ＭＢＥ）と有機金属化学蒸着法（ＭＯＣ
ＶＤ）とに分けられる。両者の大きな違いは、真空中
（１０-6ｔｏｒｒ）で成長を行なうか、大気圧に近い圧
力で成長を行なうかにある。
相成長が採用されており、大別すると、分子線エピタキ
シャル成長法（ＭＢＥ）と有機金属化学蒸着法（ＭＯＣ
ＶＤ）とに分けられる。両者の大きな違いは、真空中
（１０-6ｔｏｒｒ）で成長を行なうか、大気圧に近い圧
力で成長を行なうかにある。
【０００５】さて、ＭＢＥ法は研究開発の分野で主とし
て用いられており、有効な成長膜膜厚制御方法である。
この方法は、成膜と同時に、高速の電子線を成長層表面
に入射させ、表面反射回折強度の変化をモニタすること
によって、一原子層毎の成長を感知する方法であり、反
射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法と呼ばれている。
て用いられており、有効な成長膜膜厚制御方法である。
この方法は、成膜と同時に、高速の電子線を成長層表面
に入射させ、表面反射回折強度の変化をモニタすること
によって、一原子層毎の成長を感知する方法であり、反
射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法と呼ばれている。
【０００６】図４は、このＲＨＥＥＤ法による膜厚の測
定例を示す波形図である。この図は、時間と共に変化す
る反射電子線強度を示している。この図において、反射
強度の振動の一周期がちょうど一原子層の成長に相当す
る。したがって、この強度振動の回数を計数することに
よって、成長層の膜厚を知ることが可能である。これに
基づいて成長膜の膜厚制御を行なうことができる。
定例を示す波形図である。この図は、時間と共に変化す
る反射電子線強度を示している。この図において、反射
強度の振動の一周期がちょうど一原子層の成長に相当す
る。したがって、この強度振動の回数を計数することに
よって、成長層の膜厚を知ることが可能である。これに
基づいて成長膜の膜厚制御を行なうことができる。
【０００７】一方、ＭＯＣＶＤ法においては、通常、大
気圧に近い圧力で成膜が行なわれる。このため、ＭＢＥ
法のような電子線を用いた成長層の評価および制御は難
しい。そこで次の方法が広く用いられている。即ち、成
長後の膜厚を破壊法、例えば透過電子顕微鏡で断面観察
を行なって膜厚を決定する。その時のエピタキシャル条
件を逆算して成長速度を求め、成長パラメータである時
間や反応ガス流量によって、膜厚を制御する方法であ
る。この他に、ＳＩＭＳなども破壊法として同様の目的
で用いられている。
気圧に近い圧力で成膜が行なわれる。このため、ＭＢＥ
法のような電子線を用いた成長層の評価および制御は難
しい。そこで次の方法が広く用いられている。即ち、成
長後の膜厚を破壊法、例えば透過電子顕微鏡で断面観察
を行なって膜厚を決定する。その時のエピタキシャル条
件を逆算して成長速度を求め、成長パラメータである時
間や反応ガス流量によって、膜厚を制御する方法であ
る。この他に、ＳＩＭＳなども破壊法として同様の目的
で用いられている。
【０００８】以上のように、気相成長における膜厚制御
としては、成長する毎に膜厚を知得し、所望の膜厚にな
ったら成長を止める直接制御方法と、成長条件を制御し
て所望の膜厚を得る間接制御方法が知られている。
としては、成長する毎に膜厚を知得し、所望の膜厚にな
ったら成長を止める直接制御方法と、成長条件を制御し
て所望の膜厚を得る間接制御方法が知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜の成長方法
には、それぞれ次のような問題を含んでいる。
には、それぞれ次のような問題を含んでいる。
【００１０】例えば、直接制御方法の場合は、高精度膜
厚制御法とも言われるように、原子層毎の成長をモニタ
することに特長を持った有力な評価法とも言えるが、こ
れにも種々の制約がある。
厚制御法とも言われるように、原子層毎の成長をモニタ
することに特長を持った有力な評価法とも言えるが、こ
れにも種々の制約がある。
【００１１】第１に、電子線を用いるため、１０-6ｔｏ
ｒｒ以上の高真空が必要であり、大気圧に近い圧力条件
で行われる成長の観察は不可能である。
ｒｒ以上の高真空が必要であり、大気圧に近い圧力条件
で行われる成長の観察は不可能である。
【００１２】第２に、表面原子の格子に基づいた回折を
用いているため、歪格子回折像の位置がシフトし、正確
な反射強度を得ることが難しい。
用いているため、歪格子回折像の位置がシフトし、正確
な反射強度を得ることが難しい。
【００１３】第３に、反射強度の振動原因が原子オーダ
ーの凹凸にあり、これに起因して次のような種々の問題
がある。即ち、成長膜厚が厚くなるに従い、成長面の平
坦度が低下し、振動強度が減衰する。さらに、基板の方
位のずれによって〔例えば（１００）からのオフ角度に
よって〕基板毎に振動強度が減少する。
ーの凹凸にあり、これに起因して次のような種々の問題
がある。即ち、成長膜厚が厚くなるに従い、成長面の平
坦度が低下し、振動強度が減衰する。さらに、基板の方
位のずれによって〔例えば（１００）からのオフ角度に
よって〕基板毎に振動強度が減少する。
【００１４】第４に、ヘテロ成長の場合、結晶形により
反射回折位置がシフトし、表面再配列のため２次回折像
が現われ、解析像が複雑になる。このため、振動周期の
同定が困難となる。
反射回折位置がシフトし、表面再配列のため２次回折像
が現われ、解析像が複雑になる。このため、振動周期の
同定が困難となる。
【００１５】このように、直接制御による膜厚制御方法
は適用分野が限られており、工業的な活用は十分にはな
されておらず、研究開発等の限られた分野で活用されて
いるに過ぎない。
は適用分野が限られており、工業的な活用は十分にはな
されておらず、研究開発等の限られた分野で活用されて
いるに過ぎない。
【００１６】以上のような理由から、工業的な大量生産
を前提とした大容量成長装置では、時間やソース温度等
を制御する間接制御法に基づく膜厚制御法を採用せざる
を得なかった。
を前提とした大容量成長装置では、時間やソース温度等
を制御する間接制御法に基づく膜厚制御法を採用せざる
を得なかった。
【００１７】この間接制御方法は、主に０．５μｍ以上
の膜厚成長で広く用いられる方法である。この方法は、
基板、反応ガス流量、温度等のパラメータに、成長速度
がどのように依存するかを調べる。そして、ある特定の
成長条件を一定にし、しかる後、通常は主に時間を主パ
ラメータとして必要な膜厚の成長を行なっている。とこ
ろが、この方法には、成長速度を求める成長バッチとウ
ェーハ製作のバッチが異なっており、条件出しが難しい
という問題がある。これに着目し、成長速度を求めるた
めに、薄膜成長後の膜厚を断面ＴＥＭ・ＳＥＭ等で測定
し、これを成長時間で割った平均成長速度を成長速度と
して用いている。しかし、バッチ毎に種々の要因により
基板表面温度のふらつきや反応ガスの供給のゆらぎが生
じるため、成長速度がふらつき、必ずしも再現性のある
成長が行なわれるとは言い難かった。
の膜厚成長で広く用いられる方法である。この方法は、
基板、反応ガス流量、温度等のパラメータに、成長速度
がどのように依存するかを調べる。そして、ある特定の
成長条件を一定にし、しかる後、通常は主に時間を主パ
ラメータとして必要な膜厚の成長を行なっている。とこ
ろが、この方法には、成長速度を求める成長バッチとウ
ェーハ製作のバッチが異なっており、条件出しが難しい
という問題がある。これに着目し、成長速度を求めるた
めに、薄膜成長後の膜厚を断面ＴＥＭ・ＳＥＭ等で測定
し、これを成長時間で割った平均成長速度を成長速度と
して用いている。しかし、バッチ毎に種々の要因により
基板表面温度のふらつきや反応ガスの供給のゆらぎが生
じるため、成長速度がふらつき、必ずしも再現性のある
成長が行なわれるとは言い難かった。
【００１８】したがって、間接制御方法では、工業的に
は、膜成長後に赤外線干渉法などを用いて膜厚を再評価
し、規格を満足するウェーハの供給を行なっているのが
現状である。しかし、この技術においても特に、０．１
μｍ以下の薄膜成長の場合やエピタキシャル成長膜の構
造によっては、適している場合と適さない場合があっ
て、一部の限られた分野で用いられているに過ぎない。
は、膜成長後に赤外線干渉法などを用いて膜厚を再評価
し、規格を満足するウェーハの供給を行なっているのが
現状である。しかし、この技術においても特に、０．１
μｍ以下の薄膜成長の場合やエピタキシャル成長膜の構
造によっては、適している場合と適さない場合があっ
て、一部の限られた分野で用いられているに過ぎない。
【００１９】これに対して、間接制御方法で多く用いら
れている技術は破壊評価法であるため、次の成長へのフ
ィードバックが遅くなったり、生産性が落ちたりする要
因ともなっていた。また、この方法では成膜毎のロット
間ばらつきが避けられないため、膜厚の高精度制御とい
う観点からも十分ではなかった。
れている技術は破壊評価法であるため、次の成長へのフ
ィードバックが遅くなったり、生産性が落ちたりする要
因ともなっていた。また、この方法では成膜毎のロット
間ばらつきが避けられないため、膜厚の高精度制御とい
う観点からも十分ではなかった。
【００２０】上に述べた方法の他、種々の非破壊による
間接膜厚制御方法、例えばレーザ光や水晶振動子を利用
したものなどが知られているが、それぞれに欠点を伴
い、完成された技術とはなっておらず、工業的に実用化
されているものは少ない。
間接膜厚制御方法、例えばレーザ光や水晶振動子を利用
したものなどが知られているが、それぞれに欠点を伴
い、完成された技術とはなっておらず、工業的に実用化
されているものは少ない。
【００２１】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、高精度に薄膜を成長することのできる方法
および製造装置を得ることにある。
その目的は、高精度に薄膜を成長することのできる方法
および製造装置を得ることにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板上に
薄膜を成長させる方法は、半導体基板の表面に半導体の
薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある
薄膜にＸ線を入射させるＸ線入射工程と、前記Ｘ線の入
射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光Ｘ線を
計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基
づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程と、を備
えるものとして構成される。
薄膜を成長させる方法は、半導体基板の表面に半導体の
薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある
薄膜にＸ線を入射させるＸ線入射工程と、前記Ｘ線の入
射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光Ｘ線を
計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基
づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程と、を備
えるものとして構成される。
【００２３】本発明の半導体基板上に薄膜を成長させる
装置は、薄膜成長対象としての半導体基板を収納するチ
ャンバーを有し、そのチャンバー内に収納した前記半導
体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる、膜成長手段
と、前記半導体基板上に成長しつつある前記半導体の薄
膜にＸ線を入射させる、Ｘ線射出手段と、前記Ｘ線の入
射に伴って前記成長中の薄膜から射出される螢光Ｘ線を
検出し、その螢光Ｘ線の強度を時間との関係で計測す
る、螢光Ｘ線検出計測手段と前記計測手段からの計測値
に基づいて前記膜成長手段を調節する、制御手段とを備
えるものとして構成される。
装置は、薄膜成長対象としての半導体基板を収納するチ
ャンバーを有し、そのチャンバー内に収納した前記半導
体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる、膜成長手段
と、前記半導体基板上に成長しつつある前記半導体の薄
膜にＸ線を入射させる、Ｘ線射出手段と、前記Ｘ線の入
射に伴って前記成長中の薄膜から射出される螢光Ｘ線を
検出し、その螢光Ｘ線の強度を時間との関係で計測す
る、螢光Ｘ線検出計測手段と前記計測手段からの計測値
に基づいて前記膜成長手段を調節する、制御手段とを備
えるものとして構成される。
【００２４】
【作用】薄膜成長過程にある薄膜の表面に例えば全反射
条件でＸ線を入射させ、その結果として薄膜表面から放
出される蛍光Ｘ線の強度を計測し、この計測結果に基づ
いて薄膜の成長条件を制御し、薄膜の膜厚を制御する。
条件でＸ線を入射させ、その結果として薄膜表面から放
出される蛍光Ｘ線の強度を計測し、この計測結果に基づ
いて薄膜の成長条件を制御し、薄膜の膜厚を制御する。
【００２５】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００２６】図１は本発明の一実施例に係る製造装置の
概略構成図であり、特にＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造エピタ
キシャル成長を行わせる場合を例示するものである。図
において示すように、真空チャンバー１はコントローラ
１７により制御される排気系２により１０-11 ｔｏｒｒ
台のレベルまで真空引きが可能とされる。真空チャンバ
ー１内にはクヌードセンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが
配設され、Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ、Ｓｉの供給を可能として
いる。ウェーハ支持部４は加熱ヒータ５を内蔵しウェー
ハ６を加熱しながらこれを支持する。ちなみに、ウェー
ハ支持部４には、それを真空チャンバー１に対してプラ
スマイナス１°程度の傾角をつけられるように、図示し
ない回転機構が付加されている。この支持部４は、コン
トローラ１４により角度制御される。コントローラ１６
により制御されるＸ線源７は、タングステンターゲット
の回転陰極タイプのもので、３０ｋｅＶＸ３００ｍＡの
能力を有する。Ｘ線源７からのＸ線はコリメータ８、モ
ノクロメータ９からＢｅ製の窓部１０を介してウェーハ
６の表面に導入される。ちなみに、Ｘ線源７、コリメー
タ８、モノクロメータ９を内蔵するＸ線発生室３０は、
１０-6ｔｏｒｒ以下の減圧状態に真空引きされている。
ディテクタ１１は、ウェーハ６の表面で反射するＸ線の
全反射条件を設定するために使用される。ＳＳＤ１２
は、Ｘ線の入射に伴いウェーハ６の表面から放射される
蛍光Ｘ線を計測するための固体撮像素子等の半導体検出
器であり、ディテクタ１１と共に、コントローラ１３に
接続される。ちなみに、コントローラ１４はコントロー
ラ１３と接続され、ウェーハ支持部４の角度の制御によ
る全反射条件設定のために用いられる。コントローラ１
５は、クタードタンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに接続
されており、ＳＳＤ１２で受けた蛍光Ｘ線の強度に基づ
いて分子線の供給、停止を行なう。メインコントローラ
１８は、コントローラ１３、１４、１５、１６、１７を
制御し、ウェーハ６上の薄膜の成長を自動制御する。
概略構成図であり、特にＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造エピタ
キシャル成長を行わせる場合を例示するものである。図
において示すように、真空チャンバー１はコントローラ
１７により制御される排気系２により１０-11 ｔｏｒｒ
台のレベルまで真空引きが可能とされる。真空チャンバ
ー１内にはクヌードセンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが
配設され、Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ、Ｓｉの供給を可能として
いる。ウェーハ支持部４は加熱ヒータ５を内蔵しウェー
ハ６を加熱しながらこれを支持する。ちなみに、ウェー
ハ支持部４には、それを真空チャンバー１に対してプラ
スマイナス１°程度の傾角をつけられるように、図示し
ない回転機構が付加されている。この支持部４は、コン
トローラ１４により角度制御される。コントローラ１６
により制御されるＸ線源７は、タングステンターゲット
の回転陰極タイプのもので、３０ｋｅＶＸ３００ｍＡの
能力を有する。Ｘ線源７からのＸ線はコリメータ８、モ
ノクロメータ９からＢｅ製の窓部１０を介してウェーハ
６の表面に導入される。ちなみに、Ｘ線源７、コリメー
タ８、モノクロメータ９を内蔵するＸ線発生室３０は、
１０-6ｔｏｒｒ以下の減圧状態に真空引きされている。
ディテクタ１１は、ウェーハ６の表面で反射するＸ線の
全反射条件を設定するために使用される。ＳＳＤ１２
は、Ｘ線の入射に伴いウェーハ６の表面から放射される
蛍光Ｘ線を計測するための固体撮像素子等の半導体検出
器であり、ディテクタ１１と共に、コントローラ１３に
接続される。ちなみに、コントローラ１４はコントロー
ラ１３と接続され、ウェーハ支持部４の角度の制御によ
る全反射条件設定のために用いられる。コントローラ１
５は、クタードタンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに接続
されており、ＳＳＤ１２で受けた蛍光Ｘ線の強度に基づ
いて分子線の供給、停止を行なう。メインコントローラ
１８は、コントローラ１３、１４、１５、１６、１７を
制御し、ウェーハ６上の薄膜の成長を自動制御する。
【００２７】次に、図２のＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造模式
図に従って、図１の装置を用いたエピタキシャル成長に
よる薄膜の成長方法について説明する。
図に従って、図１の装置を用いたエピタキシャル成長に
よる薄膜の成長方法について説明する。
【００２８】先ず、ウェーハ支持部４によって半絶縁性
ＧａＡｓウェーハ（ＳＩ−ＧａＡｓ）６を支持する。次
に、コントローラ１７により排気系２を動作させ、真空
チャンバー１内部を１０-11 ｔｏｒｒ台まで真空引きす
る。この後、加熱ヒータ５によりウェーハ６を加熱し、
自然酸化膜を蒸発させる。これと同時に、コントローラ
１６を制御してＸ線源７からＸ線を放射させる。このＸ
線を、コリメータ８、モノクロメータ９、窓部１０を介
してウェーハ６の中央部に導く。ウェーハ６の表面で反
射したＸ線を、窓部１０を介して、ディテクタ１１でＸ
線の反射強度を測定する。ディテクタ１１の測定結果は
コントローラ１３に与えられる。コントローラ１３は、
コントローラ１４によるウェーハ支持部の回転に基づい
てＸ線の全反射条件を見付ける。
ＧａＡｓウェーハ（ＳＩ−ＧａＡｓ）６を支持する。次
に、コントローラ１７により排気系２を動作させ、真空
チャンバー１内部を１０-11 ｔｏｒｒ台まで真空引きす
る。この後、加熱ヒータ５によりウェーハ６を加熱し、
自然酸化膜を蒸発させる。これと同時に、コントローラ
１６を制御してＸ線源７からＸ線を放射させる。このＸ
線を、コリメータ８、モノクロメータ９、窓部１０を介
してウェーハ６の中央部に導く。ウェーハ６の表面で反
射したＸ線を、窓部１０を介して、ディテクタ１１でＸ
線の反射強度を測定する。ディテクタ１１の測定結果は
コントローラ１３に与えられる。コントローラ１３は、
コントローラ１４によるウェーハ支持部の回転に基づい
てＸ線の全反射条件を見付ける。
【００２９】ＧａＡｓに対するＸ線の全反射角度は０．
１８°程度である。このため、ウェーハ支持部４の支持
体の傾斜は微小でよい。
１８°程度である。このため、ウェーハ支持部４の支持
体の傾斜は微小でよい。
【００３０】さて、図中のθを決定するために、Ｘ線と
の平行条件および全反射条件を測定し、ウェーハ支持部
４の初期設定を行なう。この後、０．０５°程度にθを
設定し、蛍光Ｘ線計測用のＳＳＤ１２でウェーハ６の表
面から放出される蛍光Ｘ線をカウントする。この検討に
おいては、Ｏ2 等の軽元素の測定を可能にするために、
ＳＳＤ１２に取り付けるべきＢｅ製の窓を外して、長波
長側での吸収を極力抑制している。また、装置全体が超
高真空中であるため蛍光Ｘ線の散乱が少なく感度は向上
している。
の平行条件および全反射条件を測定し、ウェーハ支持部
４の初期設定を行なう。この後、０．０５°程度にθを
設定し、蛍光Ｘ線計測用のＳＳＤ１２でウェーハ６の表
面から放出される蛍光Ｘ線をカウントする。この検討に
おいては、Ｏ2 等の軽元素の測定を可能にするために、
ＳＳＤ１２に取り付けるべきＢｅ製の窓を外して、長波
長側での吸収を極力抑制している。また、装置全体が超
高真空中であるため蛍光Ｘ線の散乱が少なく感度は向上
している。
【００３１】次に、蛍光Ｘ線分析から酸素のＫα線
（０．５３ｅＶ）の減少を確認した後、つまり自然酸化
膜除去が終了した後、気相成長を開始する。また、これ
と同時に洗浄工程等の前処理で、ウェーハ６上に付着し
たＺｎやＣｕ等の重金属を取り除き、それらの重金属が
検出されないことを確認しておく、必要があるのは言う
までもない。
（０．５３ｅＶ）の減少を確認した後、つまり自然酸化
膜除去が終了した後、気相成長を開始する。また、これ
と同時に洗浄工程等の前処理で、ウェーハ６上に付着し
たＺｎやＣｕ等の重金属を取り除き、それらの重金属が
検出されないことを確認しておく、必要があるのは言う
までもない。
【００３２】次に、アンドープＧａＡｓの薄膜２０を５
０００オングストローム程度形成する。この成長はホモ
エピタキシャル成長であるこのため、膜厚制御はできな
いものの、成長中の表面を絶えず分析していることか
ら、クヌードセンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ等より不
純物の混入等があった場合にこれを感知できる。このた
め、重金属汚染された不良エピタキシャルウェーハの発
生を未然に防止できるという効果がある。
０００オングストローム程度形成する。この成長はホモ
エピタキシャル成長であるこのため、膜厚制御はできな
いものの、成長中の表面を絶えず分析していることか
ら、クヌードセンセル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ等より不
純物の混入等があった場合にこれを感知できる。このた
め、重金属汚染された不良エピタキシャルウェーハの発
生を未然に防止できるという効果がある。
【００３３】そして、実際の膜厚制御は成長膜間により
行なうことになる。
行なうことになる。
【００３４】そして、アンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ
の薄膜２１を３０オングストローム程度成長させる。こ
の成長と共にＡｌＫαのスペクトル（１．４９ｅＶ）が
見えてくる。このスペクトル強度が例えば５ＣＰＳ（ｃ
ｏｕｎｔｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）になるまで成長を
行なう。ただし、このカウント数は一例であり、装置内
や各ユニットの幾何学的配置およびＳＳＤ１２の感度等
により若干異なる。また、この強度と膜厚の関係は従来
の方法と同様に破壊法を用いて較正するのが望ましい。
ちなみに、図３は、ＡｌＧａＡｓ膜厚と蛍光Ｘ線（Ａｌ
Ｋα線）の相関関係を示す断面ＴＥＭによる膜厚特性図
である。図３からも明らかなように、両者の相関係数
は、０．９９８と非常によい一致を見ることがわかっ
た。
の薄膜２１を３０オングストローム程度成長させる。こ
の成長と共にＡｌＫαのスペクトル（１．４９ｅＶ）が
見えてくる。このスペクトル強度が例えば５ＣＰＳ（ｃ
ｏｕｎｔｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）になるまで成長を
行なう。ただし、このカウント数は一例であり、装置内
や各ユニットの幾何学的配置およびＳＳＤ１２の感度等
により若干異なる。また、この強度と膜厚の関係は従来
の方法と同様に破壊法を用いて較正するのが望ましい。
ちなみに、図３は、ＡｌＧａＡｓ膜厚と蛍光Ｘ線（Ａｌ
Ｋα線）の相関関係を示す断面ＴＥＭによる膜厚特性図
である。図３からも明らかなように、両者の相関係数
は、０．９９８と非常によい一致を見ることがわかっ
た。
【００３５】次に、第３層のＳｉドープ５×１０18ａｔ
／ｃｍ3 −Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓの薄膜２２の成長を行
なう。この時のモニタ蛍光Ｘ線はＳｉを主、Ａｌを従と
した。その結果、先と同様に、ＳｉＫα（１．７ｅＶ）
の強度は成長と同時に増し、約１０ＣＰＳの強度で４０
０オングストロームの膜厚相当となった。また、同時に
計測したＡｌのＫαはＡｌＧａＡｓ中のＳｉのドーピン
グ効率を補正するために採用された蛍光ラインである。
この構造および濃度の場合は、ＳｉとＡｌの比は、５×
１０-4となる。この値から両者の実測値がずれた場合は
Ｓｉドーピング量の過不足を表わし、この成長バッチを
中止する等の対応をとる。
／ｃｍ3 −Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓの薄膜２２の成長を行
なう。この時のモニタ蛍光Ｘ線はＳｉを主、Ａｌを従と
した。その結果、先と同様に、ＳｉＫα（１．７ｅＶ）
の強度は成長と同時に増し、約１０ＣＰＳの強度で４０
０オングストロームの膜厚相当となった。また、同時に
計測したＡｌのＫαはＡｌＧａＡｓ中のＳｉのドーピン
グ効率を補正するために採用された蛍光ラインである。
この構造および濃度の場合は、ＳｉとＡｌの比は、５×
１０-4となる。この値から両者の実測値がずれた場合は
Ｓｉドーピング量の過不足を表わし、この成長バッチを
中止する等の対応をとる。
【００３６】さらに、第４層のＳｉドープ５×１０18ａ
ｔ／ｃｍ3 、ｎ＋−ＧａＡｓ層に対応する薄膜２３を２
００オングストローム程度まで成長させる。本成長では
ＡｌＫαを主、ＳｉＫαを従とし、各々の強度および相
対比を測定する。今度は、ＧａＡｓ層の成長に伴い、Ａ
ｌＫαの強度が減少する。この減少で強度が１ＣＰＳ程
度になったら成長を止める。これは、以下のことを反映
するものである。即ち、全反射条件でＸ線を入射させて
も一部のＸ線はＧａＡｓ層下のＡｌＧａＡｓ層まで到達
し、Ａｌの蛍光Ｘ線を発生させる。このため、ＧａＡｓ
層が厚くなるに従い、到達量が減少し、カウント数は少
なくなる。また、先程と同様ＳｉＫαとＡｌＫαの比に
対しても、同じことがいえることはもちろんである。
ｔ／ｃｍ3 、ｎ＋−ＧａＡｓ層に対応する薄膜２３を２
００オングストローム程度まで成長させる。本成長では
ＡｌＫαを主、ＳｉＫαを従とし、各々の強度および相
対比を測定する。今度は、ＧａＡｓ層の成長に伴い、Ａ
ｌＫαの強度が減少する。この減少で強度が１ＣＰＳ程
度になったら成長を止める。これは、以下のことを反映
するものである。即ち、全反射条件でＸ線を入射させて
も一部のＸ線はＧａＡｓ層下のＡｌＧａＡｓ層まで到達
し、Ａｌの蛍光Ｘ線を発生させる。このため、ＧａＡｓ
層が厚くなるに従い、到達量が減少し、カウント数は少
なくなる。また、先程と同様ＳｉＫαとＡｌＫαの比に
対しても、同じことがいえることはもちろんである。
【００３７】以上述べたように、各層の成長毎に主要構
成元素の蛍光Ｘ線をモニタすることによって、成長膜厚
に比例した強度および強度変化が得られる。したがっ
て、この量を目安に成長の停止制御を行なえば、高精度
な膜厚制御が可能になる。また、１つのポイントとして
全反射条件の近傍で測定を行なうことから、この条件で
のＸ線の侵入深さに対応した深さ、つまり膜厚の評価が
できる。ＳｉおよびＧａＡｓ等では、その深さは数１０
オングストロームから数１０００オングストロームであ
る。このため、これにた膜厚の制御ができる。また、数
１００オングストロームの膜厚測定においてはＷＬβＸ
線の非弾性錯乱による感度低下が生じない。このため、
特に高精度測定が可能である。
成元素の蛍光Ｘ線をモニタすることによって、成長膜厚
に比例した強度および強度変化が得られる。したがっ
て、この量を目安に成長の停止制御を行なえば、高精度
な膜厚制御が可能になる。また、１つのポイントとして
全反射条件の近傍で測定を行なうことから、この条件で
のＸ線の侵入深さに対応した深さ、つまり膜厚の評価が
できる。ＳｉおよびＧａＡｓ等では、その深さは数１０
オングストロームから数１０００オングストロームであ
る。このため、これにた膜厚の制御ができる。また、数
１００オングストロームの膜厚測定においてはＷＬβＸ
線の非弾性錯乱による感度低下が生じない。このため、
特に高精度測定が可能である。
【００３８】なお、この方法は他の装置、例えばＭＯＣ
ＶＤ装置等に組み込んでも応用することが可能である。
つまり、本発明の方法はＸ線を用いるために大気圧下で
もＭＢＥ装置と同様の結果を得ることができる。
ＶＤ装置等に組み込んでも応用することが可能である。
つまり、本発明の方法はＸ線を用いるために大気圧下で
もＭＢＥ装置と同様の結果を得ることができる。
【００３９】また、上記実施例ではＨＥＭＴ構造エピタ
キシャル成長に適用した場合を例示したが、本発明は極
めて薄いヘテロ成長膜全般に適用することが可能であ
り、更に他の分野への応用も可能であることは言うまで
もない。
キシャル成長に適用した場合を例示したが、本発明は極
めて薄いヘテロ成長膜全般に適用することが可能であ
り、更に他の分野への応用も可能であることは言うまで
もない。
【００４０】以上のように、本発明の実施例には以下に
列挙するような優れた特長を有する。
列挙するような優れた特長を有する。
【００４１】第１に、電子線を用いていないため、大気
圧下での膜厚測定が可能である。
圧下での膜厚測定が可能である。
【００４２】第２に、レーザ光等の光の干渉、回折を利
用していないため、数１０オングストロームから数１０
００オングストロームの膜厚制御が可能である。
用していないため、数１０オングストロームから数１０
００オングストロームの膜厚制御が可能である。
【００４３】第３に、非破壊でその場観察できる直接測
定法であるため、成長条件による膜厚ばらつきが極めて
少ない。
定法であるため、成長条件による膜厚ばらつきが極めて
少ない。
【００４４】第４に、電気的に測定しているのではない
ため、キャリア濃度、キャリアタイプにとらわれずに測
定が可能である。
ため、キャリア濃度、キャリアタイプにとらわれずに測
定が可能である。
【００４５】第５に、蛍光Ｘ線を用いることから、基板
以外の元素をエピタキシャル成長に取り込まれる不純物
として同定、定常化が可能となり、高品質化が可能とな
る。
以外の元素をエピタキシャル成長に取り込まれる不純物
として同定、定常化が可能となり、高品質化が可能とな
る。
【００４６】このように、本発明の実施例によれば、従
来破壊法によってしか評価できなかったヘテロ構造エピ
タキシャル成長や多層エピタキシャル等での膜厚の評価
が可能となると共にこれに基づく成膜方法を得ることが
できる。また、ＨＥＭＴ、ＢＨＴ、ＨＢＴ等の新生デバ
イスからＭＱＷを利用したレーザ等まで幅広く適用可能
であり、そのエピタキシャル成長の高品質化に寄与する
ことで、産業上のメリットが非常に大きい。
来破壊法によってしか評価できなかったヘテロ構造エピ
タキシャル成長や多層エピタキシャル等での膜厚の評価
が可能となると共にこれに基づく成膜方法を得ることが
できる。また、ＨＥＭＴ、ＢＨＴ、ＨＢＴ等の新生デバ
イスからＭＱＷを利用したレーザ等まで幅広く適用可能
であり、そのエピタキシャル成長の高品質化に寄与する
ことで、産業上のメリットが非常に大きい。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
膜の成長を制御して、ヘテロ成長薄膜を工業的に高精度
なものとして、高品質で得ることができる。
膜の成長を制御して、ヘテロ成長薄膜を工業的に高精度
なものとして、高品質で得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る製造装置の概略構成図
である。
である。
【図２】図１の構成により成長させる薄膜によるＧａＡ
ｓ系ＨＥＭＴ構造の模式図である。
ｓ系ＨＥＭＴ構造の模式図である。
【図３】図１の構成により得られるＡｌＧａＡｓ膜厚と
蛍光Ｘ線（ＡｌＫα線）の相関関係を示す断面ＴＥＭに
よる膜厚特性図である。
蛍光Ｘ線（ＡｌＫα線）の相関関係を示す断面ＴＥＭに
よる膜厚特性図である。
【図４】ＲＨＥＥＤ法による膜厚の測定例を示す波形図
である。
である。
１ 真空チャンバー ２ 排気系 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ クヌードセンセル ４ ウェーハ支持部 ５ 加熱ヒータ ６ ウェーハ ７ Ｘ線源 ８ コリメータ ９ モノクロメータ １０ 窓部 １１ ディテクタ １２ ＳＳＤ １３、１４、１５、１６、１７ コントローラ １８ メインコントローラ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長さ
せる膜成長工程と、 前記成長させつつある薄膜にＸ線を入射させるＸ線入射
工程と、 前記Ｘ線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出され
る螢光Ｘ線を計測する計測工程と、 前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長
条件を制御する制御工程と、を備えることを特徴とす
る、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。 - 【請求項２】前記Ｘ線入射工程における前記Ｘ線の入射
条件は、全反射条件に設定されている、請求項１に記載
の方法。 - 【請求項３】薄膜成長対象としての半導体基板を収納す
るチャンバーを有し、そのチャンバー内に収納した前記
半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる、膜成長
手段と、 前記半導体基板上に成長しつつある前記半導体の薄膜に
Ｘ線を入射させる、Ｘ線射出手段と、 前記Ｘ線の入射に伴って前記成長中の薄膜から射出され
る螢光Ｘ線を検出し、その螢光Ｘ線の強度を時間との関
係で計測する、螢光Ｘ線検出計測手段と前記計測手段か
らの計測値に基づいて前記膜成長手段を調節する、制御
手段と、を備えることを特徴とする、半導体基板上に薄
膜を成長させる装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299551A JPH07153692A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置 |
| US08/650,021 US5755877A (en) | 1993-11-30 | 1996-05-17 | Method of growing thin film on semiconductor substrate and its manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299551A JPH07153692A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153692A true JPH07153692A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17874087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5299551A Pending JPH07153692A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5755877A (ja) |
| JP (1) | JPH07153692A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000137010A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Rigaku Industrial Co | 蛍光ｘ線分析装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2001238055A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-20 | Microcoating Technologies, Inc. | Processing line having means to monitor crystallographic orientation |
| US6453006B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-09-17 | Therma-Wave, Inc. | Calibration and alignment of X-ray reflectometric systems |
| US6569249B1 (en) | 2000-04-18 | 2003-05-27 | Clemson University | Process for forming layers on substrates |
| US6970532B2 (en) * | 2000-05-10 | 2005-11-29 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for measuring thin film, and thin film deposition system |
| US6611576B1 (en) * | 2001-02-12 | 2003-08-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated control of metal thickness during film deposition |
| DE102004034448B4 (de) * | 2004-07-16 | 2008-08-14 | Qimonda Ag | Verfahren zum Messen einer Schichtdicke einer Schicht auf einem Siliziumsubstrat und Satz von mindestens zwei Halbleiterprodukten |
| JP2006266689A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 蛍光ｘ線分析装置、蛍光ｘ線分析方法、蛍光ｘ線分析プログラム |
| DE102006009247B4 (de) * | 2006-02-28 | 2007-12-27 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Abschätzen der kristallinen Textur gestapelter Metallleitungen in Mikrostrukturbauelementen |
| US8334511B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-12-18 | Fei Company | Electron microscope with integrated detector(s) |
| US9972474B2 (en) | 2016-07-31 | 2018-05-15 | Fei Company | Electron microscope with multiple types of integrated x-ray detectors arranged in an array |
| US10600664B2 (en) * | 2017-05-03 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Fluorescence based thermometry for packaging applications |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5249216B1 (en) * | 1989-10-19 | 1996-11-05 | Sumitomo Electric Industries | Total reflection x-ray fluorescence apparatus |
| JP2535675B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1996-09-18 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| US5432124A (en) * | 1993-07-06 | 1995-07-11 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing compound semiconductor |
| US5461559A (en) * | 1993-10-04 | 1995-10-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hierarchical control system for molecular beam epitaxy |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5299551A patent/JPH07153692A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-17 US US08/650,021 patent/US5755877A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000137010A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Rigaku Industrial Co | 蛍光ｘ線分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5755877A (en) | 1998-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3629292B2 (ja) | 分子線ビームエピタキシ層成長方法 | |
| US4159919A (en) | Molecular beam epitaxy using premixing | |
| EP0545238A2 (en) | Method of epitaxially growing a semiconductor crystal | |
| JPH07153692A (ja) | 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置 | |
| Rodway | AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111) B GaAs epitaxial layers | |
| US6342265B1 (en) | Apparatus and method for in-situ thickness and stoichiometry measurement of thin films | |
| US5463977A (en) | Method of and apparatus for epitaxially growing chemical compound crystal | |
| Ploog et al. | In situ characterization of MBE grown GaAs and Al x Ga 1− x As films using RHEED, SIMS, and AES techniques | |
| EP0768707A2 (en) | Molecular beam epitaxy process with growing layer thickness control | |
| König et al. | Molecular beam epitaxy of silicon: effects of heavy Sb doping | |
| EP4123061A1 (en) | Method for producing a gallium oxide layer on a substrate | |
| Schiller et al. | Investigation of crystal defects by cathodoluminescence | |
| Van Hove et al. | Molecular beam epitaxy grown InGaN multiple quantum well structures optimized using in situ cathodoluminescence | |
| Nikzad et al. | Quantitative analysis of semiconductor alloy composition during growth by reflection‐electron energy loss spectroscopy | |
| Foxon et al. | A comparison of AlAs/GaAs multiple quantum wells grown by molecular beam and migration-enhanced epitaxy | |
| Kubiak et al. | The technology and design of molecular beam epitaxy systems | |
| Taferner et al. | Investigation of GaN deposition on Si, Al2O3, and GaAs using in situ mass spectroscopy of recoiled ions and reflection high‐energy electron diffraction | |
| Yan et al. | Measurement of absolute Al concentration in AlxGa1− xAs | |
| Beaudoin et al. | Film thickness and composition monitoring during growth by molecular beam epitaxy using alpha particle energy loss | |
| JPH05160040A (ja) | 半導体結晶成長装置および該装置を用いた結晶成長方法 | |
| JP2833479B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法ＧａＰ単結晶層中のＳｉ濃度制御方法 | |
| Beaudoin et al. | In situ real time monitoring of thickness and composition in MBE using alpha particle energy loss | |
| Meyer et al. | Determination of polarity in noncentrosymmetric layer/substrate systems | |
| Hilska | Effect of growth parameters on the properties of GaAsBi | |
| Kazmerski | Auger Electron Spectroscopy |