JP2021051878A - 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 183
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 59
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 39
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 37
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 1
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
- G01N23/2258—Measuring secondary ion emission, e.g. secondary ion mass spectrometry [SIMS]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
- G01N23/2208—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement all measurements being of a secondary emission, e.g. combination of SE measurement and characteristic X-ray measurement
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
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- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- H01J37/261—Details
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/072—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission combination of measurements, 2 kinds of secondary emission
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- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/081—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission incident ion beam, e.g. proton
- G01N2223/0816—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission incident ion beam, e.g. proton incident ion beam and measuring secondary ion beam [SIMS]
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N2223/40—Imaging
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- G01N2223/41—Imaging imaging specifically internal structure
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- G01N2223/50—Detectors
- G01N2223/507—Detectors secondary-emission detector
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- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
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- H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の荷電粒子ビーム照射装置100の構成の一例を示す図である。荷電粒子ビーム照射装置100は、電子ビーム鏡筒1と、集束イオンビーム鏡筒2と、試料室3とを備えている。
具体的には、二次電子検出器4は、電子ビーム8又は集束イオンビーム9の照射により多層試料7から発生した二次電子を検出する。透過電子検出器5は、電子ビーム鏡筒1と対向する位置に備えられている。透過電子検出器5は、電子ビーム8を多層試料7に照射した結果、多層試料7を透過した透過電子と多層試料7に入射されなかった電子ビーム8とを検出する。
電子ビーム制御部12は、制御部11の制御に基づき電子ビーム鏡筒1に照射信号を出力し、電子ビーム鏡筒1から電子ビーム8を照射させる。
集束イオンビーム制御部13は、制御部11の制御に基づき集束イオンビーム鏡筒2に照射信号を出力し、集束イオンビーム鏡筒2から集束イオンビーム9を照射させる。
制御部11は、電子ビーム制御部12、集束イオンビーム制御部13、像形成部14、試料台制御部16、表示部17のそれぞれに制御信号を出力し、荷電粒子ビーム照射装置100の動作を制御する。
記憶部20は、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ等を備えており、各種の情報を記憶する。
以下、図2及び図3を参照し、荷電粒子ビーム照射装置100が多層試料7の断面を露出させる制御と多層試料7の断面の観察像を形成する制御について説明する。図2は、多層試料7をx軸の正方向に向かって見た場合の図である。図3は、図2に示した多層試料7をz軸の負方向に向かって見た場合の図である。
以下、図4を参照し、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理について説明する。図4は、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の流れの一例を示す図である。
以下、図5を参照し、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例1について説明する。図5は、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例1の流れの一例を示す図である。
以下、図6を参照し、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例2について説明する。図6は、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例2の流れの一例を示す図である。
以下、図8を参照し、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例3について説明する。多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例3では、荷電粒子ビーム照射装置100は、多層試料7の設計データを用いずに、当該処理を行う。図8は、多層試料7の断面における観察対象層の露出を検出する毎に多層試料7の断面の観察像を荷電粒子ビーム照射装置100が形成する処理の変形例3の流れの一例を示す図である。
以下、図9及び図10を参照し、多層試料7の構成の具体例について説明する。図9は、多層試料7の構成の一例を示す斜視図である。図10は、図9に示した多層試料7を図9と異なる方向から見た斜視図である。なお、図9及び図10では、図が煩雑になるのを防ぐため、非観察対象層を省略している。また、図9では、図が煩雑になるのを防ぐため、3つの観察対象層のみを示している。また、図10では、図が煩雑になるのを防ぐため、4つの観察対象層のみを示している。図9及び図10に示した観察対象層L11〜観察対象層L13のそれぞれは、多層試料7に含まれる観察対象層の一例である。また、図10に示した観察対象層L14も、多層試料7に含まれる観察対象層の一例である。
さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であってもよい。
Claims (16)
- 観察する対象となる観察対象層として物質又は構造が互いに異なる複数の層が所定の積層方向に向かって積層された多層試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記多層試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記多層試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器と、
前記電子検出器から出力される信号に基づく観察像を形成する像形成部と、
前記集束イオンビーム鏡筒を制御し、前記集束イオンビームにより前記積層方向に向かって前記多層試料の断面を露出させる露出制御を繰り返し行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記露出制御を繰り返し行う過程において、前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出する毎に、前記電子ビーム鏡筒を制御して前記電子ビームを照射させて前記多層試料の断面の観察像を前記像形成部に形成させる観察制御を行う、
荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記多層試料の設計データが記憶された記憶部を備え、
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記設計データに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項1に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記設計データと、受け付けた誤差範囲とに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記露出制御と前記観察制御とを順に行うことを所定回数繰り返す、
請求項2に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記所定回数繰り返される前記露出制御における第1加工ピッチを、前記所定回数繰り返される前記露出制御と異なる前記露出制御における第2加工ピッチよりも小さくする、
請求項3に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記過程において前記露出制御を行う毎に前記集束イオンビーム鏡筒を制御して前記集束イオンビームの照射を行い、前記多層試料の前記集束イオンビームによる加工の進捗状況を示す進捗状況観察像を前記像形成部に形成させ、前記露出制御を行う毎に形成させた前記進捗状況観察像と、前記記憶部に記憶された前記設計データとに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項2に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記集束イオンビーム鏡筒と前記電子ビーム鏡筒とを制御し、前記露出制御と前記観察制御とを並列に行い、前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像に基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項1に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像と、前記観察対象層それぞれの画像が事前に学習された機械学習のモデルとに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項6に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像と、前記観察対象層それぞれの画像とのパターンマッチングに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項6に記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 観察する対象となる観察対象層として物質又は構造が互いに異なる複数の層が所定の積層方向に向かって積層された多層試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記多層試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記多層試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器と、前記電子検出器から出力される信号に基づく観察像を形成する像形成部とを備える荷電粒子ビーム照射装置の制御方法であって、
前記集束イオンビーム鏡筒を制御し、前記集束イオンビームにより前記積層方向に向かって前記多層試料の断面を露出させる露出制御を繰り返し行い、
前記露出制御を繰り返し行う過程において、前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出する毎に、前記電子ビーム鏡筒を制御して前記電子ビームを照射させて前記多層試料の断面の観察像を前記像形成部に形成させる観察制御を行う、
制御方法。 - 前記荷電粒子ビーム照射装置は、前記多層試料の設計データが記憶された記憶部を備え、
前記記憶部に記憶された前記設計データに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項9に記載の制御方法。 - 前記記憶部に記憶された前記設計データと、受け付けた誤差範囲とに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記露出制御と前記観察制御とを順に行うことを所定回数繰り返す、
請求項10に記載の制御方法。 - 前記所定回数繰り返される前記露出制御における第1加工ピッチを、前記所定回数繰り返される前記露出制御と異なる前記露出制御における第2加工ピッチよりも小さくする、
請求項11に記載の制御方法。 - 前記過程において前記露出制御を行う毎に前記集束イオンビーム鏡筒を制御して前記集束イオンビームの照射を行い、前記多層試料の前記集束イオンビームによる加工の進捗状況を示す進捗状況観察像を前記像形成部に形成させ、前記露出制御を行う毎に形成させた前記進捗状況観察像と、前記記憶部に記憶された前記設計データとに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項10に記載の制御方法。 - 前記集束イオンビーム鏡筒と前記電子ビーム鏡筒とを制御し、前記露出制御と前記観察制御とを並列に行い、前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像に基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項9に記載の制御方法。 - 前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像と、前記観察対象層それぞれの画像が事前に学習された機械学習のモデルとに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項14に記載の制御方法。 - 前記露出制御と並列に前記観察制御を行う毎に形成された前記多層試料の断面の観察像と、前記観察対象層それぞれの画像とのパターンマッチングに基づいて、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したか否かを判定し、前記過程において前記多層試料の断面における前記観察対象層の露出を検出したと判定した場合、前記観察制御を行う、
請求項14に記載の制御方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019173369A JP7360871B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
TW109130204A TW202125565A (zh) | 2019-09-24 | 2020-09-03 | 帶電粒子束照射裝置和控制方法 |
DE102020211737.3A DE102020211737A1 (de) | 2019-09-24 | 2020-09-18 | Bestrahlungsgerät mit ladungsteilchenstrahl und steuerverfahren |
CN202010985029.5A CN112635277A (zh) | 2019-09-24 | 2020-09-18 | 带电粒子束照射装置和控制方法 |
US17/027,312 US11424100B2 (en) | 2019-09-24 | 2020-09-21 | Charged particle beam irradiation apparatus and control method |
KR1020200122246A KR20210035754A (ko) | 2019-09-24 | 2020-09-22 | 하전 입자 빔 조사 장치, 및 제어 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019173369A JP7360871B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021051878A true JP2021051878A (ja) | 2021-04-01 |
JP7360871B2 JP7360871B2 (ja) | 2023-10-13 |
Family
ID=74846027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019173369A Active JP7360871B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11424100B2 (ja) |
JP (1) | JP7360871B2 (ja) |
KR (1) | KR20210035754A (ja) |
CN (1) | CN112635277A (ja) |
DE (1) | DE102020211737A1 (ja) |
TW (1) | TW202125565A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142316A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 株式会社日立ハイテク | 集束イオンビーム装置 |
WO2024161487A1 (ja) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 株式会社日立ハイテク | 加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020211900A1 (de) * | 2019-09-25 | 2021-03-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006266689A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム |
JP2011185845A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 |
JP2011196802A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sii Nanotechnology Inc | 試料加工観察方法 |
JP2018006063A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工装置およびイオンビーム加工方法 |
JP2018128307A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 日本電子株式会社 | 観察方法および試料作製方法 |
KR20180109734A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 하전 입자 빔 장치, 시료 가공 방법 |
JP2019102138A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法、荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5378830B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置、及びそれを用いた試料の加工方法 |
JP5739119B2 (ja) | 2009-09-15 | 2015-06-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察装置 |
US9045335B2 (en) * | 2010-08-18 | 2015-06-02 | The Governors Of The University Of Alberta | Kinetic stabilization of magnesium hydride |
WO2012109572A1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-16 | Brookhaven Science Associates, Llc | Technique for etching monolayer and multilayer materials |
JP6049991B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2016-12-21 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合荷電粒子ビーム装置 |
JP6355318B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2018-07-11 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法及び装置 |
JP6014688B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2016-10-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
JP6250294B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-12-20 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム |
JP6490917B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
JP6290559B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-03-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法、断面加工観察装置 |
JP6490938B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法、断面加工装置 |
JP6529264B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2019-06-12 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置および試料観察方法 |
JP6239401B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-11-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
US9620333B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-04-11 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Charged particle beam apparatus |
JP2016072089A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合荷電粒子ビーム装置 |
US9679743B2 (en) * | 2015-02-23 | 2017-06-13 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Sample processing evaluation apparatus |
US10242842B2 (en) * | 2016-03-25 | 2019-03-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Method for cross-section processing and observation and apparatus therefor |
JP6872785B2 (ja) | 2017-03-27 | 2021-05-19 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面観察装置、及び制御方法 |
JP7391735B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2023-12-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
DE102020211900A1 (de) * | 2019-09-25 | 2021-03-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
-
2019
- 2019-09-24 JP JP2019173369A patent/JP7360871B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-03 TW TW109130204A patent/TW202125565A/zh unknown
- 2020-09-18 CN CN202010985029.5A patent/CN112635277A/zh active Pending
- 2020-09-18 DE DE102020211737.3A patent/DE102020211737A1/de active Pending
- 2020-09-21 US US17/027,312 patent/US11424100B2/en active Active
- 2020-09-22 KR KR1020200122246A patent/KR20210035754A/ko active Search and Examination
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006266689A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 蛍光x線分析装置、蛍光x線分析方法、蛍光x線分析プログラム |
JP2011185845A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置及び断面加工観察方法 |
JP2011196802A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sii Nanotechnology Inc | 試料加工観察方法 |
JP2018006063A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工装置およびイオンビーム加工方法 |
JP2018128307A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 日本電子株式会社 | 観察方法および試料作製方法 |
KR20180109734A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 하전 입자 빔 장치, 시료 가공 방법 |
CN108666196A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 带电粒子束装置以及试样加工方法 |
JP2018163826A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、試料加工方法 |
JP2019102138A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法、荷電粒子ビーム装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142316A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 株式会社日立ハイテク | 集束イオンビーム装置 |
WO2024161487A1 (ja) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 株式会社日立ハイテク | 加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210090855A1 (en) | 2021-03-25 |
CN112635277A (zh) | 2021-04-09 |
DE102020211737A1 (de) | 2021-03-25 |
JP7360871B2 (ja) | 2023-10-13 |
KR20210035754A (ko) | 2021-04-01 |
TW202125565A (zh) | 2021-07-01 |
US11424100B2 (en) | 2022-08-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
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