JP2008244337A - Cmp方法 - Google Patents
Cmp方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008244337A JP2008244337A JP2007085794A JP2007085794A JP2008244337A JP 2008244337 A JP2008244337 A JP 2008244337A JP 2007085794 A JP2007085794 A JP 2007085794A JP 2007085794 A JP2007085794 A JP 2007085794A JP 2008244337 A JP2008244337 A JP 2008244337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- film
- cmp
- polishing pad
- cmp method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
【課題】従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なLow−k膜を有する基板に対してCMPが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いCMP技術を提供することである。
【解決手段】 基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってCMPするCMP方法であって、表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、前記研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程とを具備する。
【解決手段】 基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってCMPするCMP方法であって、表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、前記研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程とを具備する。
Description
本発明はCMP方法に関する。特に、半導体素子製造工程におけるCMP方法に関する。中でも、所謂、Low−k膜と言った機械的強度が比較的脆弱な多孔質性材料の膜(層間絶縁膜や配線間絶縁膜)が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法に関する。
現在の超々大規模集積回路は実装密度が益々高くなる一方であり、その為の微細加工技術が、種々、研究・開発されている。そして、デザインルールは、既に、サブハーフミクロンのオーダになっている。このような厳しい微細化の要求を満足する為に開発されている技術の一つとして、CMP(ケミカルメカニカルポリッシング:化学的機械的研磨)技術が有る。そして、このCMP技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留まりを安定させることが出来る為、例えば層間絶縁膜、BPSG膜、Cu配線膜の平坦化、シャロートレンチ分離等を行う際には必須の技術である。
さて、半導体装置の製造工程においては、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法や低圧CVD法などで形成される酸化珪素と言った絶縁膜等の無機絶縁膜、或いは湿式メッキ法により形成されるCu配線膜を平坦化する為の研磨方法として、研磨される膜が設けられた基板をCMP用研磨パッドに押し当て加圧し、研磨剤を被研磨膜とCMP用研磨パッドとの間に供給しながら、基板もしくはCMP用研磨パッドを動かして行っている。
この際、研磨剤としてシリカ系やアルミナ系の研磨剤が用いられ、又、CMP用研磨パッドとして発泡ウレタン系の研磨布が用いられているのが一般的である。
ところで、このような研磨法は、無機絶縁膜や金属膜の研磨速度が十分な速度をもたず、研磨速度が低いことから実用性の面で問題が残されていた。
更に、発泡ウレタン系の研磨布を用いて研磨する場合、ドレッシングと呼ばれる前処理を定期的に行う必要がある。これは、研磨中に発生した研磨屑が発泡ウレタンの気孔に詰まったのを取り除いたり、研磨布の表面を一定以上の粗さにする為である。
しかしながら、従来のドレッシング処理では、CMP用研磨パッドの表面状態を適切に制御しているとは言い難く、結果として、研磨特性の不安定を招いている。
又、層間膜やCu配線膜を平坦化するCMP技術では、適切な平坦性を維持する必要が有り、研磨量の制御を研磨時間で行うプロセス管理が一般的に行われている。
しかしながら、パターン段差形状の変化だけではなく、CMP用研磨パッドの状態等でも、研磨速度が顕著に変化してしまう為、プロセス管理が難しいという問題があった。
更に、安定した研磨速度を得る為には、如何にすれば良いかが判っていない。
又、今日、高速研磨の研磨剤としてシリカ系やアルミナ系の研磨剤が注目されているものの、このシリカ系やアルミナ系の研磨剤に好適なCMP方法の開発も待たれている。
又、近年、半導体素子の演算速度の高速化の観点から、配線材料としてCuが、又、絶縁膜材料として低い誘電率の材料、所謂、Low−k材と言った機械的強度が比較的脆弱な多孔質性材料が検討されている。このLow−k材は、多孔質性のものであることから、従来の密実な絶縁膜材料に比べて、CMP圧力耐性に弱い脆弱な材料である。従って、CMP時の研磨圧力を低くせざるを得なくなっている。
しかしながら、研磨圧力を低くすると、研磨速度が低下してしまい、効率の点で新たな問題が起きている。
このような問題を解決する為、研磨剤の開発が進められているものの、未だ、満足できるものは得られていない。すなわち、大きな研磨速度が得られても、研磨のバランスが崩れ、平坦性や、欠陥など他の性能が低下していたのが現状である。
従って、本発明が解決しようとする課題は上記問題点を解決することである。特に、従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なLow−k膜を有する基板に対してCMPが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いCMP技術を提供することである。
前記の課題は、基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってCMPするCMP方法であって、
表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、
前記中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程
とを具備することを特徴とするCMP方法によって解決される。
表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、
前記中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程
とを具備することを特徴とするCMP方法によって解決される。
又、基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってCMPするCMP方法であって、
番手#30〜#50のコンディショナを用いて研磨パッドの研磨面をドレッシング処理して表面の中心線平均粗さRaを7〜11μmにする工程と、
表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、
前記中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程
とを具備することを特徴とするCMP方法によって解決される。
番手#30〜#50のコンディショナを用いて研磨パッドの研磨面をドレッシング処理して表面の中心線平均粗さRaを7〜11μmにする工程と、
表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、
前記中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程
とを具備することを特徴とするCMP方法によって解決される。
又、上記発明であって、多孔質性材料の膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法であることを特徴とするCMP方法によって解決される。
又、上記発明であって、Cu膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法であることを特徴とするCMP方法によって解決される。
又、上記発明であって、基板が半導体基板であることを特徴とするCMP方法によって解決される。
研磨時の当接圧力が3kPa〜7kPaの低い圧力であることから、被研磨膜やその下に在る膜が多孔質膜の如きの比較的脆弱な膜であっても、該膜を損傷させること無く研磨できる。
そして、従来、研磨圧力を低くすると、一般的には、研磨速度が遅くなっていたのであるが、中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを用いて研磨することから、研磨速度が高速になり、短時間でのCMPが可能になる。そして、高いスループットが期待できる。
又、3kPa〜7kPaの低圧研磨プロセスにおいて、常に安定した研磨速度を得ることで研磨パッド交換直後の研磨速度の初期流動を抑制でき、研磨装置の稼働率の向上が期待できる。
本発明はCMP方法である。特に、半導体基板をCMPするCMP方法である。中でも、所謂、Low−k膜と言った多孔質性材料の膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法である。又、Cu膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法である。又、研磨パッドによってCMPするCMP方法である。そして、表面の中心線平均粗さRaが7〜11μm(好ましくは、特に、8μm以上。10μm以下。)の研磨パッドを膜表面に当接させる工程を具備する。かつ、前記研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPa(好ましくは、特に、4kPa以上。6kPa以下。)に制御する工程を具備する。又、必要に応じて、番手#30〜#50(好ましくは、特に、番手#30以上。番手#40以下。)のコンディショナを用いて研磨パッドの研磨面をドレッシング処理する工程を具備する。
以下、本発明について更に具体的に説明する。勿論、本発明は具体的実施例によって限定されるものでないことは当業者ならば自明のことである。
[CMP用研磨パッドの表面処理工程]
#20〜#200番手のパッドコンディショナを用いて、荷重7.0lbfで回転数60rpmで30分間のドレッシング処理をCMP用研磨パッドに施した。このドレッシング処理により、表面の中心線平均表面粗さが1〜13μmのCMP用研磨パッドが得られた。
#20〜#200番手のパッドコンディショナを用いて、荷重7.0lbfで回転数60rpmで30分間のドレッシング処理をCMP用研磨パッドに施した。このドレッシング処理により、表面の中心線平均表面粗さが1〜13μmのCMP用研磨パッドが得られた。
尚、ドレッシング処理に用いたコンディショナ番手(#)と得られた研磨パッドの表面粗さRaとの関係を図1に示す。
この図1から、番手#30〜#50(好ましくは、特に、番手#30以上。番手#40以下。)のコンディショナを用いてドレッシング処理すると、表面の中心線平均粗さRaが7〜11μm(好ましくは、特に、8μm以上。10μm以下。)の研磨パッドが得られることが判る。
この図1から、番手#30〜#50(好ましくは、特に、番手#30以上。番手#40以下。)のコンディショナを用いてドレッシング処理すると、表面の中心線平均粗さRaが7〜11μm(好ましくは、特に、8μm以上。10μm以下。)の研磨パッドが得られることが判る。
[CMP工程]
次に、上記ドレッシング処理工程(表面処理工程)で得られた研磨パッドを用いてCMPを行う。
次に、上記ドレッシング処理工程(表面処理工程)で得られた研磨パッドを用いてCMPを行う。
すなわち、多孔質性で比誘電率が2.9のLow−k膜およびCu膜が基板上に順に積層された半導体基板を作製し、この半導体基板上のCu膜に対して上記研磨パッドを用いてCMPを行った。
つまり、上記CMP用研磨パッドを貼り付けた定盤上にCu膜面を下にしてキャリアを載せ、更に加工圧力を3kPa〜20kPaにした。そして、定盤上にシリカ系スラリを150cc/minの速度で滴下しながら、定盤および半導体基板の付いたキャリアを60rpmで3分間回転させ、Cu膜を研磨した。研磨後の基板を純水で十分に洗浄した後、乾燥した。
つまり、上記CMP用研磨パッドを貼り付けた定盤上にCu膜面を下にしてキャリアを載せ、更に加工圧力を3kPa〜20kPaにした。そして、定盤上にシリカ系スラリを150cc/minの速度で滴下しながら、定盤および半導体基板の付いたキャリアを60rpmで3分間回転させ、Cu膜を研磨した。研磨後の基板を純水で十分に洗浄した後、乾燥した。
この後、比抵抗膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚差を測定し、研磨速度を求めた。そして、研磨パッド表面の中心線平均表面粗さRaと研磨速度との関係を調べたので、その結果を図2に示す。
この図2によれば、研磨圧力を3〜7kPaに制御した場合、研磨パッドは、その表面の中心線平均表面粗さRaを7〜11μmのものとしておくと、研磨速度が大きいことが判る。尚、研磨圧力を10〜14kPaに制御した場合、研磨パッドは、その表面の中心線平均表面粗さRaを2〜4μmのものとしておくと、研磨速度が大きいことが判る。
そして、研磨圧力を3〜7kPaの低い圧力とすると、被研磨膜やその下に在る膜が多孔質膜の如きの比較的脆弱な膜であっても、この膜が損傷すること無く研磨できた。しかも、従来では研磨速度が遅いと思われて来た表面粗さRaが7〜11μmであるにも拘らず、高速研磨が可能となり、かつ、研磨圧力が小さいことから、研磨対象物を損傷させずに綺麗に研磨できることが判った。
次に、上記研磨パッドおよび研磨条件で20枚の半導体基板についてCu膜の研磨(CMP)を行い、Cu研磨速度の安定性を調べたので、その結果を図3に示す。すなわち、横軸に研磨パッド表面の中心線平均粗さRaを、縦軸にCu研磨速度の標準偏差をプロットしたのが図3である。
これによれば、研磨パッド表面の中心線平均表面粗さRaが7〜11μmの場合、研磨速度のバラツキ(1σ/平均研磨速度×100)の相対値は良好であることが判る。すなわち、研磨パッド表面の中心線平均表面粗さRaを7〜11μmとすることで、安定した研磨速度を得ることが出来、研磨パッド交換直後の研磨速度の初期流動を抑制でき、研磨装置の稼働率の向上が期待できる。
Claims (4)
- 基板に設けられた膜の表面を研磨パッドによってCMPするCMP方法であって、
表面の中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドを膜表面に当接させる工程と、
前記中心線平均粗さRaが7〜11μmの研磨パッドによる前記膜に対する研磨圧力を3〜7kPaに制御する工程
とを具備することを特徴とするCMP方法。 - 番手#30〜#50のコンディショナを用いて研磨パッドの研磨面をドレッシングする工程
を更に具備することを特徴とする請求項1のCMP方法。 - 多孔質性材料の膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法である
ことを特徴とする請求項1又は請求項2のCMP方法。 - Cu膜が設けられた基板の表面の膜をCMPするCMP方法である
ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかのCMP方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007085794A JP2008244337A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | Cmp方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007085794A JP2008244337A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | Cmp方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244337A true JP2008244337A (ja) | 2008-10-09 |
Family
ID=39915267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007085794A Pending JP2008244337A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | Cmp方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008244337A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514971A (ja) * | 2011-05-17 | 2014-06-26 | イファ ダイヤモンド インダストリアル カンパニー,リミテッド | Cmpパッドコンディショナーおよび前記cmpパッドコンディショナーの製造方法 |
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007085794A patent/JP2008244337A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514971A (ja) * | 2011-05-17 | 2014-06-26 | イファ ダイヤモンド インダストリアル カンパニー,リミテッド | Cmpパッドコンディショナーおよび前記cmpパッドコンディショナーの製造方法 |
US9314901B2 (en) | 2011-05-17 | 2016-04-19 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | CMP pad conditioner, and method for producing the CMP pad conditioner |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100259936B1 (ko) | 연마제 | |
JP2000301454A5 (ja) | ||
KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
JPH10286756A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI294456B (ja) | ||
KR20100105823A (ko) | 화학적 기계적 연마방법 | |
KR102640690B1 (ko) | 높은 탄성률 비를 갖는 폴리우레탄 화학 기계적 연마 패드 | |
KR101917314B1 (ko) | 가변형 폴리싱 제제를 이용하는 폴리싱 방법 | |
JP2008021704A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008244337A (ja) | Cmp方法 | |
CN114701105A (zh) | 一种化学机械抛光垫及其制备方法 | |
JP2011091198A (ja) | 半導体基板の研磨装置及びこの研磨装置を用いた、半導体基板の研磨方法 | |
JP2009094450A (ja) | アルミニウム膜研磨用研磨液及び基板の研磨方法 | |
JP2003311539A (ja) | 研磨方法および研磨装置、並びに半導体装置の製造方法 | |
KR100914605B1 (ko) | 나노토포그라피가 개선된 웨이퍼 제조 방법 | |
US7109117B2 (en) | Method for chemical mechanical polishing of a shallow trench isolation structure | |
JP3496585B2 (ja) | 基板の研磨方法 | |
JP2001057352A (ja) | 基板の研磨方法 | |
JPH0957587A (ja) | 軟質材の平坦化方法及び装置 | |
JP2001219364A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法及び研磨パッドを用いた加工物の製造方法 | |
KR20230092807A (ko) | 반도체 기판을 폴리싱하기 위한 방법 | |
TWI337112B (en) | Method of supplying polishing liquid | |
JP2012094582A (ja) | 半導体基板の研磨方法 | |
JP2012235045A (ja) | シリコン膜用cmpスラリー | |
JP3496586B2 (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 |