JP2014133833A - 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子 - Google Patents

付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2014133833A
JP2014133833A JP2013002950A JP2013002950A JP2014133833A JP 2014133833 A JP2014133833 A JP 2014133833A JP 2013002950 A JP2013002950 A JP 2013002950A JP 2013002950 A JP2013002950 A JP 2013002950A JP 2014133833 A JP2014133833 A JP 2014133833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sio
group
component
addition
silicone composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013002950A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5819866B2 (ja
Inventor
Shinji Kimura
真司 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2013002950A priority Critical patent/JP5819866B2/ja
Priority to US14/654,974 priority patent/US9464192B2/en
Priority to CN201380069866.1A priority patent/CN104903403B/zh
Priority to KR1020157018328A priority patent/KR101705036B1/ko
Priority to PCT/JP2013/006996 priority patent/WO2014108954A1/ja
Priority to TW103100807A priority patent/TWI506095B/zh
Publication of JP2014133833A publication Critical patent/JP2014133833A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5819866B2 publication Critical patent/JP5819866B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296Organo-silicon compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00Properties
    • C08L2201/02Flame or fire retardant/resistant
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00Properties
    • C08L2201/10Transparent films; Clear coatings; Transparent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材、および該光学素子封止材で封止した光学素子を提供する。
【解決手段】A.一分子中に少なくとも1個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有し、下記一般式:RSiO、およびSiO(式中、Rは有機基である。)で表わされるシロキサン単位を有し、RSiO3/2で表わされる単位を有さない三次元網状のオルガノポリシロキサンと、B.一分子中に少なくとも2個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンと、C.1分子あたり少なくとも2つの珪素に結合した水素原子を有し、かつアルケニル基を有さない、有機ケイ素化合物と、D.白金族金属を含むヒドロシリル化触媒とを含むものであることを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物。
【選択図】図1

Description

本発明は、付加硬化型シリコーン組成物、およびこれを用いた光学素子封止材と光学素子に関する。
付加硬化性シリコーン組成物は、アルケニル基等の脂肪族不飽和基を含有するオルガノポリシロキサンを含み、ヒドロシリル化反応によって硬化して硬化物を与える。このようにして得られる硬化物は、耐熱性、耐寒性、電気絶縁性に優れ、また、透明であるため、各種の光学用途に用いられている。
光学用途に使用するシリコーン硬化物は、高い透明性および高屈折率が要求され、これを達成するために主骨格にフェニル基等のアリール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンを使用する方法が一般に行われている(特許文献1、2)。
あるいは、高硬度化のため、RSiO3/2(Rは有機基)で表される単位を有する分岐状オルガノポリシロキサンを併用した組成物が使用される(特許文献3〜5)。
しかし、これらの硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、硬化して得られる硬化物の温度サイクル耐性が不十分で、基材からの剥離や、クラックが発生しやすいという問題があった。
特開2004−292807号公報 特開2010−132795号公報 特開2005−076003号公報 特開2004−143361号公報 特開2005−105217号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、該組成物からなる光学素子封止材、および該光学素子封止材で封止した光学素子を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、
A.一分子中に少なくとも1個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有し、下記一般式:
SiO、およびSiO
(式中、Rは有機基である。)
で表わされるシロキサン単位を有し、RSiO3/2で表わされる単位を有さない三次元網状のオルガノポリシロキサンと、
B.一分子中に少なくとも2個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンと、
C.1分子あたり少なくとも2つの珪素に結合した水素原子を有し、かつアルケニル基を有さない、下記ヒドロシリル化触媒の存在下に本組成物を硬化させるに十分な量の有機ケイ素化合物と、
D.白金族金属を含むヒドロシリル化触媒と、
を含むものであることを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物を提供する。
このように、A成分が、D単位(RSiO)およびQ単位(SiO)からなり、T単位(RSiO3/2)を有しないシロキサン単位を有する三次元網状のオルガノポリシロキサンであれば、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物を得ることができる。
また、本発明では、前記A成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)(SiO…(1)
(式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、aは0または正数であり、bおよびcは正数であり、0.1≦b/(a+b+c)≦0.8、ならびに0.2≦c/(a+b+c)≦0.8を満たす数である。)
からなる三次元網状オルガノポリシロキサンであることが好ましい。
また、前記B成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)…(2)
(式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも0.1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、dおよびeは正数であり、0.001≦d/(d+e)≦0.7を満たす数である。)
で表される直鎖状オルガノポリシロキサンであることが好ましい。
また、前記C成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)(RSiO3/2…(3)
(式中、Rは同種又は異種のアルケニル基を除く有機基あるいは水素原子であり、全Rの0.1〜50モル%は水素原子であり、全Rの10モル%以上はアリール基であり、fは正数であり、gおよびhは0または正数であり、0.01≦f/g≦2(gが正数のとき)、0.1≦f/h≦3(hが正数のとき)、ならびに0.01≦f/(f+g+h)≦0.75を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
このように、本発明の各成分を上記A成分、B成分、C成分とした組成物であれば、さらに高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物を得ることができる。
また、前記B成分が、前記A成分に対し質量比0.01〜100となる量、および前記C成分が前記A成分と前記B成分の合計に対し、質量比0.01〜100となる量であることが好ましい。
このような質量比の付加硬化型シリコーン組成物であれば、硬化させて得られる硬化物が、確実に高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有するので、光学素子封止材としてさらに好適に用いることができる。
また本発明は、前記組成物からなるものであることを特徴とする光学素子封止材を提供する。
前記組成物を硬化させて得られる硬化物は、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有するので、光学素子封止材として好適に用いることができる。
また本発明は、前記封止材の硬化物で封止されたものであることを特徴とする光学素子を提供する。
このように、前記本発明の付加硬化型シリコーン組成物からなる光学素子封止材を用いて硬化物を得ることによって、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する光学素子封止材により封止された光学素子を得ることができる。
本発明の付加硬化型シリコーン組成物であれば、この組成物を硬化させて得られる硬化物は、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有するので、光学素子封止材として好適に用いることができる。
本発明の付加硬化型シリコーン組成物が好適に用いられる発光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、RSiOおよびSiO(Rは有機基)からなる単位を有する分岐状オルガノポリシロキサン、即ち、D単位およびQ単位からなり、T単位(RSiO3/2)を有しないシロキサン単位を有する分岐状オルガノポリシロキサンを用いることにより、高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物が得られることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、下記の付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子を提供する。
以下、本発明について詳細に説明する。
<付加硬化型シリコーン組成物>
本発明は第一に、
A.一分子中に少なくとも1個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有し、下記一般式:
SiO、およびSiO
(式中、Rは有機基である。)
で表わされるシロキサン単位を有し、RSiO3/2で表わされる単位を有さない三次元網状のオルガノポリシロキサンと、
B.一分子中に少なくとも2個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンと、
C.1分子あたり少なくとも2つの珪素に結合した水素原子を有し、かつアルケニル基を有さない、下記ヒドロシリル化触媒の存在下に本組成物を硬化させるに十分な量の有機ケイ素化合物と、
D.白金族金属を含むヒドロシリル化触媒と、
を含むものであることを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物を提供する。
[A成分]
A成分は本組成物を硬化して得られる硬化物に強度を付与するための成分であり、一分子中に少なくとも1個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも1個のケイ素原子結合アリール基を有し、一般式:
SiO、およびSiO
(式中、Rは有機基である。)
で表わされるシロキサン単位を有し、RSiO3/2で表わされる単位を有さない三次元網状のオルガノポリシロキサンである。
A成分は、D単位およびQ単位からなり、かつT単位を有しないシロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンである。
この場合、前記A成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)(SiO…(1)
(式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、aは0または正数であり、bおよびcは正数であり、0.1≦b/(a+b+c)≦0.8、ならびに0.2≦c/(a+b+c)≦0.8を満たす数である。)
からなる三次元網状オルガノポリシロキサンであることが好ましい。
前記式(1)のR中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。R中のアルケニル基の含有率は、1モル%以上であり、1モル%を超えて50モル%以下であることが好ましく、さらに好ましくは3〜40モル%であり、特に好ましくは5〜30モル%である。1モル%以上であれば、組成物の硬化性が十分となり、50モル%以下であれば、硬化物が脆くなるおそれがない。
中のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。R中のアリール基の含有率は、10モル%以上であり、好ましくは30モル%以上、より好ましくは40〜99.9モル%、特に好ましくは45〜95モル%である。10モル%以上であると、硬化物の屈折率が高くなるため好ましい。また、30モル%以上であれば、屈折率、光透過性に優れると共に、耐クラック性もより優れたものとなる。
中のアルケニル基およびアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換又は非置換の一価炭化水素基等が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。
A成分の分子量は限定されないが、THF溶媒を用いたGPC測定(標準ポリスチレン換算)による重量平均分子量(Mw)が500〜20,000であることが好ましく、より好ましくは700〜15,000、特に好ましくは、1,000〜12,000である。
A成分は、上述のようにT単位を含有するものではないが、これを満たせば一種単独で用いてもよく、分子量、ケイ素原子に結合した有機基の種類等が相違する二種以上を併用してもよい。
[B成分]
B成分は本組成物を硬化して得られる硬化物に柔軟性を付与するための成分であり、一分子中に少なくとも2個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンである。
B成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)…(2)
(式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも0.1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、dおよびeは正数であり、0.001≦d/(d+e)≦0.7を満たす数である。)
で表される直鎖状オルガノポリシロキサンであることが好ましい。
前記式(2)のR中のアルケニル基は、Rと同じ官能基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。R中のアルケニル基の含有率は、0.1モル%以上であり、0.1を超えて40モル%以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.5〜30モル%であり、特に好ましくは1〜20モル%である。0.1モル%以上であれば、組成物の硬化性が十分となり、40モル%以下であれば硬化物が脆くなるおそれがないため好ましい。
中のアリール基は、Rと同じ官能基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。R中のアリール基の含有率は、10モル%以上が好ましく、より好ましくは30モル%以上であり、特に好ましくは45〜99モル%である。10モル%以上であると、硬化物の屈折率が高くなるため好ましい。また、30モル%以上であれば、高屈折率となり、A成分との相溶性に優れる。
中のアルケニル基およびアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、Rと同じ官能基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。
B成分の分子量は限定されないが、THF溶媒を用いたGPC測定(標準ポリスチレン換算)による重量平均分子量(Mw)が500〜30,000であることが好ましく、より好ましくは700〜20,000、特に好ましくは、1,000〜10,000である。
B成分は、一種単独で用いてもよく、分子量、ケイ素原子に結合した有機基の種類等が相違する二種以上を併用してもよい。
B成分の配合量は、A成分に対し重量比0.01〜100となる量が好ましく、0.1〜10となる量がより好ましく、0.2〜5となる量が最も好ましい。
[C成分]
C成分は、1分子当たり少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)を有し、そして脂肪族不飽和基を有さない有機ケイ素化合物(SiH基含有有機化合物)であり、A成分およびB成分とヒドロシリル化反応し、架橋剤として作用する。
前記C成分が、下記平均組成式:
(R SiO1/2(R SiO)(RSiO3/2…(3)
(式中、Rは同種又は異種のアルケニル基を除く有機基あるいは水素原子であり、全Rの0.1〜50モル%は水素原子であり、全Rの10モル%以上はアリール基であり、fは正数であり、gおよびhは0または正数であり、0.01≦f/g≦2(gが正数のとき)、0.1≦f/h≦3(hが正数のとき)、ならびに0.01≦f/(f+g+h)≦0.75を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
中の水素原子の含有率は、0.1〜50モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは10〜30モル%である。0.1モル%以上であれば、組成物の硬化性が十分となり、50モル%以下であれば、硬化物が脆くなるおそれがない。
中のアリール基は、Rと同じ官能基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。R中のアリール基の含有率は、10モル%以上が好ましく、より好ましくは30モル%以上であり、特に好ましくは45〜99モル%である。10モル%以上であれば、硬化物の屈折率が高くなるため好ましい。また、30モル%以上であれば、高屈折率となり、A成分およびB成分との相溶性に優れる。
中の水素原子およびアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、Rと同じ官能基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。
C成分の分子量は限定されないが、THF溶媒を用いたGPC測定(標準ポリスチレン換算)による重量平均分子量(Mw)が100〜5,000であることが好ましく、より好ましくは200〜3,000、特に好ましくは、300〜1,000である。
C成分は、一種単独で用いてもよく、分子量、ケイ素原子に結合した有機基の種類等が相違する二種以上を併用してもよい。
C成分の配合量は、D成分のヒドロシリル化触媒の存在下に本組成物を硬化させるに十分な量であるが、通常、A成分およびB成分中の脂肪族不飽和基に対するC成分中のSiH基のモル比が0.2〜5、好ましくは0.5〜2となる量である。質量比で言えば、C成分がA成分とB成分の合計に対し、質量比0.01〜100となる量である。
[D成分]
D成分の白金族金属系ヒドロシリル化触媒としては、A成分およびB成分中のケイ素原子結合脂肪族不飽和基とC成分中のSiH基とのヒドロシリル化付加反応を促進するものであればいかなる触媒を使用してもよい。D成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。D成分としては、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等の白金族金属や、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィン類、ビニルシロキサン又はアセチレン化合物との配位化合物、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム等の白金族金属化合物が挙げられるが、特に好ましくは白金化合物である。
D成分の配合量は、ヒドロシリル化触媒としての有効量でよく、好ましくはA成分、B成分およびC成分の合計質量に対して白金族金属元素の質量換算で0.1〜1000ppmの範囲であり、より好ましくは1〜500ppmの範囲である。
[その他の成分]
本発明の組成物は、上記A〜D成分以外にも、以下に例示するその他の成分を配合してもよい。
その他の成分としては、例えば、結晶性シリカ等の光散乱剤あるいは補強材;蛍光体;石油系溶剤、反応性官能基を有しない非反応性シリコーンオイル等の粘度調整剤;カーボンファクンショナルシラン、エポキシ基、アルコキシ基、ケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)およびケイ素原子に結合したビニル基等のアルケニル基の少なくとも一種を有するA、BおよびC成分以外のシリコーン化合物等の接着性向上剤;1−エチニルシクロヘキサノール等の反応抑制剤等が挙げられる。
これらのその他の成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
[硬化物]
本発明のシリコーン組成物は、公知の硬化条件下で公知の硬化方法により硬化させることができる。具体的には、通常、80〜200℃、好ましくは100〜160℃で加熱することにより、該組成物を硬化させることができる。加熱時間は、0.5分〜5時間程度、特に1分〜3時間程度でよいが、LED封止用等精度が要求される場合は、硬化時間を長めにすることが好ましい。得られる硬化物の形態は特に制限されず、例えば、ゲル硬化物、エラストマー硬化物および樹脂硬化物のいずれであってもよい。該硬化物は、通常、無色透明かつ高屈折率である。
本発明は第二に、前記組成物からなるものであることを特徴とする光学素子封止材を提供する。
<光学素子封止材>
本発明の組成物の硬化物は、通常の付加硬化性シリコーン組成物の硬化物と同様に耐熱性、耐寒性、電気絶縁性に優れ、さらに高い屈折率、透明性、および温度サイクル耐性を有するので、光学素子封止材として好適に使用される。
本発明は第三に、前記封止材の硬化物で封止されたものであることを特徴とする光学素子を提供する。
<光学素子>
本発明の組成物からなる封止材によって封止される光学素子としては、例えば、LED、半導体レーザー、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、CCD等が挙げられる。このような光学素子は、該光学素子に本発明の組成物から成る封止材を塗布し、塗布された封止剤を公知の硬化条件下で公知の硬化方法により、具体的には上記したとおりに硬化させることによって封止することができる。
以下、調製例、実施例および比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例等に制限されるものではない。
下記の例で、粘度は回転粘度計を用いて25℃で測定した値である。
下記の例で、硬さはデュロメータータイプD硬度計を用いて25℃で測定した値である。
下記の例で、光透過率は分光光度計を用いて25℃で、450nm波長の透過率を測定した値である。
下記の例において、シリコーンオイルまたはシリコーンレジンの組成を示す記号を以下に示す。又、各シリコーンオイルまたは各シリコーンレジンのモル数は、各成分中に含有されるビニル基又はケイ素原子結合水素原子のモル数を示すものである。
:(CHHSiO1/2
Vi:(CH=CH)(CHSiO1/2
ViΦ:(CH=CH)(C)(CH)SiO1/2
:(CH)HSiO2/2
Vi:(CH=CH)(CH)SiO2/2
Φ:(C)(CH)SiO2/2
2Φ:(CSiO2/2
Φ:(C)SiO3/2
Q:SiO4/2
[調製例1]白金触媒の調製
本実施例に使用した白金触媒は、六塩化白金酸とsym−テトラメチルジビニルジシロキサンとの反応生成物であり、この反応生成物を白金含量が0.5質量%となるようにトルエンで希釈したもの(触媒a)である。
[実施例1]
Vi/D2Φ/Q=20/40/40の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン31.0g(51.4ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル46.5g(103ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル22.5g(135ミリモル)、および接着性向上剤として下記構造式(4):
Figure 2014133833
で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、不可反応制御剤としての1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[実施例2]
Vi/D2Φ/Q=25/32.5/32.5の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.25(C0.75(CH0.5SiO1.25
のシリコ−ンレジン53.0g(110ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル23.0g(50.8ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル24.0g(144ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[実施例3]
Vi/D2Φ/Q=20/40/40の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン15.5g(25.7ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル61.5g(136ミリモル)、M 2Φ の構造を有するシリコーンオイル23.0g(141ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[実施例4]
Vi/D2Φ/Q=20/40/40の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン43.0g(71.3ミリモル)と、MVi Φ 23の構造を有するシリコーンオイル43.0g(25.9ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル14.0g(84.2ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[比較例1]
Vi/D2Φ/Q=20/40/40の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン80.5g(134ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル19.5g(117ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[比較例2]
ViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル76.0g(168ミリモル)と、M 2Φ の構造を有するシリコーンオイル24.0g(147ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[比較例3]
Vi/TΦ=20/80の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン31.0g(51.4ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル46.5g(103ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル22.5g(135ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
上記実施例および比較例で調製したシリコーン組成物の評価方法を、下記の要領にて行った。
[組成物の物性の評価方法]
各組成物の粘度、および150℃4時間硬化させたときの硬さ、屈折率、1mm厚みの光透過率を測定した。その結果を表1に示す。
[温度サイクル耐性の試験方法]
発光半導体パッケージ
発光素子として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが470nmのLEDチップを搭載した、図1に示すような発光半導体装置を使用した。発光素子2を一対のリード電極3、4を有する筐体1にダイボンド材5を用いて固定した。発光素子2とリード電極3、4を金線6にて接続させた後、封止樹脂7をポッティングし、150℃で4時間硬化し、発光半導体装置8を作製した。
作製した発光半導体装置10個を、赤外線リフロー装置(260℃)を3回通し、その後、−40℃⇔125℃、各15分の温度サイクルを100回行った。外観の変化を観察し、樹脂のクラックやLEDパッケージからの剥離が確認されたものをNGとしてカウントした。その結果を表1に示す。
Figure 2014133833
表1に示されるように、本発明の条件を満たすことによって、高屈折率、高透明で温度サイクル試験に強い組成物となることがわかる。これに対し、A成分あるいはB成分がない比較例1、2は温度サイクル試験でNGが出やすかった。また、比較例3のように、A成分の替わりに、従来用いられていたT単位を使用したシリコーンレジンを使用した場合にも、温度サイクル耐性が悪化することが確認された。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…筐体、 2…発光素子、 3、4…リード電極、 5…ダイボンド材、
6…金線、 7…封止樹脂、 8…発光半導体装置。
その他の成分としては、例えば、結晶性シリカ等の光散乱剤あるいは補強材;蛍光体;石油系溶剤、反応性官能基を有しない非反応性シリコーンオイル等の粘度調整剤;カーボンファンクショナルシラン、エポキシ基、アルコキシ基、ケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)およびケイ素原子に結合したビニル基等のアルケニル基の少なくとも一種を有するA、BおよびC成分以外のシリコーン化合物等の接着性向上剤;1−エチニルシクロヘキサノール等の反応抑制剤等が挙げられる。
これらのその他の成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
[実施例1]
Vi/D2Φ/Q=20/40/40の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.2(C0.8(CH0.2SiO1.4
のシリコ−ンレジン31.0g(51.4ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル46.5g(103ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル22.5g(135ミリモル)、および接着性向上剤として下記構造式(4):
Figure 2014133833
で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、付加反応制御剤としての1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。
[実施例2]
Vi/D2Φ/Q=25/3.5/3.5の割合で構成されるシリコーンレジン、すなわち平均単位式:
(CH=CH)0.25(C0.75(CH0.5SiO1.25
のシリコ−ンレジン53.0g(110ミリモル)と、MViΦ 2Φ の構造を有するシリコーンオイル23.0g(50.8ミリモル)、M 2Φの構造を有するシリコーンオイル24.0g(144ミリモル)、および構造式(4)で示されるエポキシ基含有シロキサン化合物0.50g(4.2ミリモル)、1−エチニルシクロヘキサノール0.20g、触媒aを0.40g混合してシリコーン組成物を得た。

Claims (7)

  1. A.一分子中に少なくとも1個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有し、下記一般式:
    SiO、およびSiO
    (式中、Rは有機基である。)
    で表わされるシロキサン単位を有し、RSiO3/2で表わされる単位を有さない三次元網状のオルガノポリシロキサンと、
    B.一分子中に少なくとも2個のアルケニル基と少なくとも1個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンと、
    C.1分子あたり少なくとも2つの珪素に結合した水素原子を有し、かつアルケニル基を有さない、下記ヒドロシリル化触媒の存在下に本組成物を硬化させるに十分な量の有機ケイ素化合物と、
    D.白金族金属を含むヒドロシリル化触媒と、
    を含むものであることを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物。
  2. 前記A成分が、下記平均組成式:
    (R SiO1/2(R SiO)(SiO…(1)
    (式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、aは0または正数であり、bおよびcは正数であり、0.1≦b/(a+b+c)≦0.8、ならびに0.2≦c/(a+b+c)≦0.8を満たす数である。)
    からなる三次元網状オルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項1に記載の付加硬化型シリコーン組成物。
  3. 前記B成分が、下記平均組成式:
    (R SiO1/2(R SiO)…(2)
    (式中、Rは独立に有機基を表し、全Rの少なくとも0.1モル%はアルケニル基であり、全Rの少なくとも10モル%はアリール基であり、dおよびeは正数であり、0.001≦d/(d+e)≦0.7を満たす数である。)
    で表される直鎖状オルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の付加硬化型シリコーン組成物。
  4. 前記C成分が、下記平均組成式:
    (R SiO1/2(R SiO)(RSiO3/2…(3)
    (式中、Rは同種又は異種のアルケニル基を除く有機基あるいは水素原子であり、全Rの0.1〜50モル%は水素原子であり、全Rの10モル%以上はアリール基であり、fは正数であり、gおよびhは0または正数であり、0.01≦f/g≦2(gが正数のとき)、0.1≦f/h≦3(hが正数のとき)、ならびに0.01≦f/(f+g+h)≦0.75を満たす数である。)
    で表されるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の付加硬化型シリコーン組成物。
  5. 前記B成分が、前記A成分に対し質量比0.01〜100となる量、および前記C成分が前記A成分と前記B成分の合計に対し、質量比0.01〜100となる量であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の付加硬化型シリコーン組成物。
  6. 請求項1〜5いずれか1項に記載の組成物からなるものであることを特徴とする光学素子封止材。
  7. 請求項6に記載の封止材の硬化物で封止されたものであることを特徴とする光学素子。
JP2013002950A 2013-01-10 2013-01-10 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子 Active JP5819866B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013002950A JP5819866B2 (ja) 2013-01-10 2013-01-10 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子
US14/654,974 US9464192B2 (en) 2013-01-10 2013-11-28 Addition-curable silicone composition, optical device encapsulating material and optical device
CN201380069866.1A CN104903403B (zh) 2013-01-10 2013-11-28 加成固化型硅酮组合物、光学元件密封材料及光学元件
KR1020157018328A KR101705036B1 (ko) 2013-01-10 2013-11-28 부가 경화형 실리콘 조성물, 광학소자 봉지재 및 광학소자
PCT/JP2013/006996 WO2014108954A1 (ja) 2013-01-10 2013-11-28 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子
TW103100807A TWI506095B (zh) 2013-01-10 2014-01-09 Additional hardened siloxane composition, optical element sealing material, and optical element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013002950A JP5819866B2 (ja) 2013-01-10 2013-01-10 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014133833A true JP2014133833A (ja) 2014-07-24
JP5819866B2 JP5819866B2 (ja) 2015-11-24

Family

ID=51166634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013002950A Active JP5819866B2 (ja) 2013-01-10 2013-01-10 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9464192B2 (ja)
JP (1) JP5819866B2 (ja)
KR (1) KR101705036B1 (ja)
CN (1) CN104903403B (ja)
TW (1) TWI506095B (ja)
WO (1) WO2014108954A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016146434A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 住友化学株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP2018197351A (ja) * 2018-08-21 2018-12-13 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP2021021038A (ja) * 2019-07-30 2021-02-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3029205B1 (fr) * 2014-11-27 2018-05-25 Institut Vedecom Encapsulation de composants electroniques dans des materiaux polymeres
CN107841141A (zh) * 2016-09-21 2018-03-27 王志明 硬化性混合硅氧烷树脂组合物、其硬化物及其应用
MY187866A (en) * 2017-02-27 2021-10-26 Dow Corning Toray Co Ltd Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device
EP3467006B1 (de) * 2017-10-09 2022-11-30 Evonik Operations GmbH Mischungen zyklischer-verzweigter siloxane vom d/t-typ und deren folgeprodukte
JP6905486B2 (ja) * 2018-03-13 2021-07-21 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び半導体装置
JP7003075B2 (ja) * 2019-02-15 2022-01-20 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004033524A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Harasawa Pharmaceutical Co Ltd シリコーンシート及びこれを用いた外科用包帯
JP4409160B2 (ja) 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4766222B2 (ja) 2003-03-12 2011-09-07 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
JP4180474B2 (ja) 2003-09-03 2008-11-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4908736B2 (ja) 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4862032B2 (ja) 2008-12-05 2012-01-25 信越化学工業株式会社 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材
JP5505991B2 (ja) 2010-04-30 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP2012052035A (ja) 2010-09-01 2012-03-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物からなる光学素子封止材、及び該光学素子封止材の硬化物により光学素子が封止された半導体装置
JP5170471B2 (ja) 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP5553018B2 (ja) * 2010-12-16 2014-07-16 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光学素子封止材及び光学素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016146434A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 住友化学株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP2018197351A (ja) * 2018-08-21 2018-12-13 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP2021021038A (ja) * 2019-07-30 2021-02-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI506095B (zh) 2015-11-01
JP5819866B2 (ja) 2015-11-24
US20150344691A1 (en) 2015-12-03
CN104903403B (zh) 2017-05-31
WO2014108954A1 (ja) 2014-07-17
TW201439216A (zh) 2014-10-16
KR101705036B1 (ko) 2017-02-09
US9464192B2 (en) 2016-10-11
CN104903403A (zh) 2015-09-09
KR20150104110A (ko) 2015-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5819866B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子
CN100378172C (zh) 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件
JP4933179B2 (ja) 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
KR101466398B1 (ko) 경화성 유기 규소 조성물 및 그의 경화물
KR101868167B1 (ko) 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 광학 소자 밀봉재 및 광학 소자
JP5524017B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
CN108795053B (zh) 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、硅酮固化物、以及光学元件
JP2009256603A (ja) 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2007002234A (ja) 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2012052035A (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物からなる光学素子封止材、及び該光学素子封止材の硬化物により光学素子が封止された半導体装置
JP4680274B2 (ja) 高硬度シリコーンゴムを与える組成物およびそれを封止材として用いた半導体装置
KR20140017447A (ko) 부가 경화형 실리콘 조성물, 및 상기 조성물의 경화물에 의해 반도체 소자가 피복된 반도체 장치
JP2019085467A (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、硬化物、光学素子
CN108795049B (zh) 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、以及光学半导体装置
TW202039691A (zh) 加成硬化型矽氧樹脂組成物及光學元件
JP2019087588A (ja) ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び発光ダイオード素子
JP6998905B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、硬化物及び光半導体素子
JP5886773B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光学素子用封止材および光学素子
KR20200024719A (ko) 부가 경화형 실리콘 조성물 및 반도체 장치
JP6006554B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物からなる光学素子封止材、該光学素子封止材で封止した光学素子、及び付加硬化型シリコーン組成物の製造方法
JP2019156968A (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材、及び光学素子
JP7270574B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び、光学素子
CN110272626B (zh) 加成固化型硅酮组合物、硅酮固化物及半导体装置
KR20160049539A (ko) 1액형 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치
TW202115188A (zh) 加成硬化型聚矽氧組成物及光學元件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150915

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5819866

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150