JP2014123596A - 熱電モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明の熱電モジュール10は、支持基板1と、該支持基板1の上面に設けられた第1電極2と、第1電極2の上面に接合された複数の熱電素子3と、複数の熱電素子3の上面に接合された第2電極4とを備え、第2電極4の上面および複数の熱電素子3の側面にセラミックスから成る絶縁層5が設けられていることを特徴とする。絶縁層5がセラミックスから成ることによって、熱電モジュール10の信頼性を向上させつつ熱電変換効率を維持することができる。
【選択図】 図1
Description
。これにより、絶縁層を厚くする必要性を低下させることができるので、絶縁層を薄くすることができる。このため、絶縁層を通じて熱電素子の一端側から他端側に熱が伝わることを抑制できる。この結果、熱電モジュールの信頼性を向上させつつ熱電変換効率を維持することができる。
支持基板1は、熱電素子3を支持するための部材である。支持基板1は、上面に第1電極2が設けられることから、少なくとも上面側は絶縁材料からなる。支持基板1としては、例えば、アルミナフィラーを添加してなるエポキシ樹脂板または酸化アルミニウム質焼結体あるいは窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック板の下面側の主面に、外部への伝熱または放熱用の銅板を貼り合わせた基板を用いることができる。また、支持基板1の他の例としては、銅板、銀板または銀−パラジウム板の上面にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アルミナセラミックスまたは窒化アルミニウムセラミックス等からなる絶縁性の層を設けた基板を用いることができる。支持基板1は、平面視したときの形状が、例えば四角形状または多角形状等である。支持基板1の形状が四角形状である場合には、寸法は、例えば縦40〜70mm、横40〜70mm、厚さ0.05〜3mmに設定することができる。
第1電極2は、熱電素子3に電力を伝えるため、または熱電素子3で生じた電力を取り出すための部材である。第1電極2は、支持基板1の上面に設けられている。第1電極2は、第2電極4と共に、複数の熱電素子3を電気的に接続するように設けられている。具体的には、隣接するp型熱電素子32およびn型熱電素子31を直列に電気的に接続している。第1電極2は、例えば、銅、銀または銀−パラジウム等によって形成される。第1電極2は、例えば、支持基板1の上面に銅板を貼り付けておき、これをエッチングすることによって形成される。また、打ち抜き加工によって成形した銅板を支持基板1に貼り付けてもよい。
熱電素子3は、ペルチェ効果によって温度調節を行なうため、またはゼーベック効果に
よって発電を行なうための部材である。熱電素子3は、p型熱電素子32とn型熱電素子31とに分類される。熱電素子3(p型熱電素子32およびn型熱電素子31)は、A2B3型結晶(AはBiおよび/またはSb、BはTeおよび/またはSe)からなる熱電材料、好ましくはBi(ビスマス)またはTe(テルル)系の熱電材料で本体部が形成されている。具体的には、p型熱電素子32は、例えば、Bi2Te3(テルル化ビスマス)とSb2Te3(テルル化アンチモン)との固溶体からなる熱電材料で形成される。また、n型熱電素子31は、例えば、Bi2Te3(テルル化ビスマス)とSb2Se3(セレン化ビスマス)との固溶体からなる熱電材料で形成される。
第2電極4は、第1電極2と同様に、熱電素子3に電力を伝えるため、または熱電素子3で生じた電力を取り出すための部材である。第2電極4は、熱電素子3の上面に設けられて、熱電素子3の上面に接合されている。熱電素子3と第2電極4との接合には、例えば半田7が用いられる。第2電極4は、第1電極2と共に、複数の熱電素子3を電気的に接続するように設けられている。具体的には、隣接するp型熱電素子32およびn型熱電素子31を直列に電気的に接続している。第2電極4は、例えば、銅、銀または銀−パラジウム等によって形成される。第2電極4としては、例えば銅板が用いられる。第2電極4の成形方法としては、例えば打ち抜き加工またはエッチング等を用いることができる。
絶縁層5は、第2電極4の上面および熱電素子3の側面に設けられている。ここで、第2電極4の上面に設けられた絶縁層5を第1絶縁層51とし、熱電素子3の側面に設けられた絶縁層5を第2絶縁層52として、それぞれ説明する。
または窒化アルミニウム質焼結体等を用いることができる。特に、第1絶縁層51が窒化アルミニウムセラミックスからなることが好ましい。これにより、温度調節の対象物6と熱電素子3との間の熱伝導を良好に行なうことができる。その結果、熱電モジュール10の熱電変換効率を向上させることができる。さらに、窒化アルミニウムは六方晶系の結晶構造を有することから、力が加わったときにc軸を収縮させることができる。その結果、温度調節の対象物6からかかる力の大きさに応じて、第1絶縁層51の歪み量を変化させることができる。そのため、温度調節の対象物6との間の密着性を良好に保つことができる。その結果、熱電モジュール10と温度調節の対象物6との間の熱伝導を良好に行なうことができる。
熱電モジュール10の変形例1について説明する。なお、本例の各構成において、上述
の熱電モジュール10と同様の構成および機能を有する部材については、同じ参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
熱電モジュール10の変形例2について説明する。なお、本例の各構成において、上述の熱電モジュール10と同様の構成および機能を有する部材については、同じ参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
密度を2.5〜3.2g/cm3に設定することが好ましい。
熱電モジュール10の変形例3について説明する。なお、本例の各構成において、上述の熱電モジュール10と同様の構成および機能を有する部材については、同じ参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
熱電変換効率を保ちつつ、信頼性を向上させることができる。絶縁層5cの上下方向の長さとしては、例えば、熱電素子3の上下方向の長さが1mmの場合には、支持基板1の外周側に面する部位の長さを0.4〜0.9mmに設定することが好ましく、支持基板1の外周側に面する部位以外の部位の長さを0.1〜0.5mmに設定することが好ましい。
熱電モジュール10の変形例4について説明する。なお、本例の各構成において、上述の熱電モジュール10と同様の構成および機能を有する部材については、同じ参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
熱電モジュール10の変形例5について説明する。なお、本例の各構成において、上述の熱電モジュール10と同様の構成および機能を有する部材については、同じ参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
持基板1を6rpmで回転させることで、第2電極4上に絶縁層5として膜厚0.5μmの窒化アルミニウム薄膜を成膜した。次に、高周波マグネトロンスパッタリング法にて、支持基板1の中心をターゲット中心から水平方向に20mm離し、ターゲット直上から垂直方向に50mm離れた位置にセットし、支持基板1を6rpmで回転させることで、第2電極4上に絶縁層5として膜厚0.5μmの窒化アルミニウム薄膜を成膜した。絶縁層5は、支持基板1の外周近くにある熱電素子3を被覆した部位が、支持基板1の中央部に近い熱電素子3を被覆した部位よりも上下方向に長く熱電素子3の側面を被覆していた。同様の評価を行なったところ、消費電力は平均13.0W、抵抗変化率は0.7%であった。
抗変化率2.5%であった。つまり、比較例の熱電モジュールは消費電力および抵抗変化率が上述した複数の実施例の熱電モジュール10よりも大きい結果となった。
2:第1電極
3:熱電素子
31:n型熱電素子
32:p型熱電素子
4:第2電極
5、5a〜5e:絶縁層
51:第1絶縁層
52:第2絶縁層
6:対象物
7:半田
10、10a〜10e:熱電モジュール
Claims (7)
- 支持基板と、該支持基板の上面に設けられた第1電極と、該第1電極の上面に接合された複数の熱電素子と、該複数の熱電素子の上面に接合された第2電極とを備え、該第2電極の上面および前記複数の熱電素子の側面にセラミックスから成る絶縁層が設けられていることを特徴とする熱電モジュール。
- 前記絶縁層は、前記第2電極の上面に設けられた部位と前記熱電素子の側面に設けられた部位とが繋がっていることを特徴とする請求項1に記載の熱電モジュール。
- 前記絶縁層が窒化アルミニウムから成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電モジュール。
- 前記絶縁層は、前記熱電素子の側面に設けられた部位の密度が前記第2電極の上面に設けられた部位の密度よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の熱電モジュール。
- 前記支持基板の外周に近接する位置に配置された前記熱電素子の側面に設けられた前記絶縁層は、前記支持基板の外周側に配置されているとともに前記支持基板の外周側に面する部位がそれ以外の部位よりも上下方向に長いことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の熱電モジュール。
- 前記支持基板の外周に近接する位置に配置された前記熱電素子の側面に設けられた前記絶縁層は、前記支持基板の中央部に近接する位置に配置された前記熱電素子の側面に設けられた前記絶縁層よりも上下方向に長いことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の熱電モジュール。
- 前記支持基板の外周に近接する位置に配置された前記熱電素子の側面に設けられた前記絶縁層は、前記支持基板の中央部に近接する位置に配置された前記熱電素子に設けられた前記絶縁層よりも厚いことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の熱電モジュール。
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