JP5084553B2 - セグメント型熱電素子、熱電モジュール、発電装置および温度調節装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019064 Mg-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019406 Mg—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018643 Mn—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/857—Thermoelectric active materials comprising compositions changing continuously or discontinuously inside the material
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
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Description
熱電モジュールは、一対の支持基板の間に複数の熱電素子が電極により直列に接続されて構成されている。熱電素子に通電することにより一方の支持基板側が発熱し、他方の支持基板側が冷却されるので、熱電モジュールは冷却用素子又は発熱用素子として利用される。また、熱電モジュールは、熱電素子の両端に温度差をつけると電位差が発生することから、廃熱や排熱を利用した発電への応用が注目されている。
は、熱電材料を主成分とする第1部位33と、第1部位33の熱電材料とは異なる組成の熱電材料を主成分とする第2部位35とを有している。第1部位33の主面33aと第2部位35の主面35a同士は電気的に接続されている。第1部位33の主面33aは、第2部位35の主面35aと対向し電気的に接続された対向領域37と、対向領域37以外の非対向領域39とを備えている。第2部位35の主面35aは、第1部位33の主面33aと対向し電気的に接続された対向領域41と、対向領域41以外の非対向領域43とを備えている。このように本実施形態では、第1部位33だけでなく第2部位35にも非対向領域43が設けられているので、第2部位35の熱も効率的に発散させることができる。
13a、13b 支持基板
15 電極
17a、17b 端子電極
19a、19b リード線
21、31、47、49、51 セグメント型熱電素子
23、33、53 第1部位
25、35、55 第2部位
27、37、41 対向領域
29、39、43 非対向領域
45 中間層
53d、55d 端面
Claims (10)
- 熱電材料を主成分とする第1部位と、前記第1部位の熱電材料とは異なる組成の熱電材料を主成分とする第2部位とを有し、前記第1部位の主面と前記第2部位の主面同士が電気的に接続されたセグメント型熱電素子であって、前記第1部位の前記主面は、前記第2部位の前記主面と対向し電気的に接続された対向領域と、前記対向領域以外の非対向領域とを備え、前記第1部位の前記対向領域および前記第2部位の前記対向領域の少なくとも一方には溝が形成されていることを特徴とするセグメント型熱電素子。
- 熱電材料を主成分とする第1部位と、前記第1部位の熱電材料とは異なる組成の熱電材料を主成分とする第2部位とを有し、前記第1部位の主面と前記第2部位の主面同士が電気的に接続されたセグメント型熱電素子であって、前記第1部位の前記主面は、前記第2部位の前記主面と対向し電気的に接続された対向領域と、前記対向領域以外の非対向領域とを備え、前記非対向領域は凸部を備えていることを特徴とするセグメント型熱電素子。
- 前記第1部位の前記主面の面積が前記第2部位の前記主面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセグメント型熱電素子。
- 前記第2部位の前記主面は、前記第1部位の前記主面と対向し電気的に接続された対向領域と、前記対向領域以外の非対向領域とを備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のセグメント型熱電素子。
- 互いに平行な一対の端面を有し、前記対向領域は、前記端面に対して傾斜していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のセグメント型熱電素子。
- 前記第1部位の前記対向領域と前記第2部位の前記対向領域は接合されていないことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のセグメント型熱電素子。
- 基板と、
前記基板の一方の主面に縦横に配列された複数のセグメント型熱電素子と、
隣り合う前記セグメント型熱電素子間を電気的に接続する電極と、を備えた熱電モジュールであって、
前記セグメント型熱電素子は、熱電材料を主成分とする第1部位と、前記第1部位の熱電材料とは異なる組成の熱電材料を主成分とする第2部位とを有し、前記第1部位の主面と前記第2部位の主面同士が電気的に接続されてなるものであって、前記第1部位の前記
主面は、前記第2部位の前記主面と対向し電気的に接続された対向領域と、前記対向領域以外の非対向領域とを備えてなり、
前記基板の主面に配列された前記複数のセグメント型熱電素子のうち、前記主面の外周側に配置されたセグメント型熱電素子は、これらのセグメント型熱電素子よりも前記主面の中央側に配置されたセグメント型熱電素子と比較して、前記非対向領域の面積が大きいことを特徴とする熱電モジュール。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の複数のセグメント型熱電素子を用いたことを特徴とする請求項7に記載の熱電モジュール。
- 請求項7または請求項8に記載の熱電モジュールを発電手段として搭載した発電装置。
- 請求項7または請求項8に記載の熱電モジュールを温度調節手段として搭載した温度調節装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008045090A JP5084553B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | セグメント型熱電素子、熱電モジュール、発電装置および温度調節装置 |
US12/392,543 US20090211618A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-02-25 | Thermoelectric Device and Thermoelectric Module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008045090A JP5084553B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | セグメント型熱電素子、熱電モジュール、発電装置および温度調節装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009206201A JP2009206201A (ja) | 2009-09-10 |
JP5084553B2 true JP5084553B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=40997125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008045090A Expired - Fee Related JP5084553B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | セグメント型熱電素子、熱電モジュール、発電装置および温度調節装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090211618A1 (ja) |
JP (1) | JP5084553B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212579A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Atsumi Tec:Kk | 熱電変換素子の製造方法 |
US8841540B2 (en) * | 2011-08-03 | 2014-09-23 | Marlow Industries, Inc. | High temperature thermoelectrics |
JP5810419B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2015-11-11 | 北川工業株式会社 | 熱電変換モジュール |
TWI446982B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-08-01 | Ind Tech Res Inst | 熱電模組之固液擴散接合結構及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3880674A (en) * | 1970-01-20 | 1975-04-29 | Rockwell International Corp | Thermoelectric elements and devices and process therefor |
US4647959A (en) * | 1985-05-20 | 1987-03-03 | Tektronix, Inc. | Integrated circuit package, and method of forming an integrated circuit package |
JPH0864875A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Sharp Corp | 熱電変換装置の製造方法 |
JPH08148725A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子ならびに熱電材料の製造方法 |
US20090007952A1 (en) * | 2004-10-18 | 2009-01-08 | Yoshiomi Kondoh | Structure of Peltier Element or Seebeck Element and Its Manufacturing Method |
JP2007095897A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008045090A patent/JP5084553B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-25 US US12/392,543 patent/US20090211618A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009206201A (ja) | 2009-09-10 |
US20090211618A1 (en) | 2009-08-27 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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