JP7047244B2 - 熱電変換モジュールの製造方法 - Google Patents
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この場合、前記第一接合工程の接合温度が605℃~780℃であり、前記第二接合工程の接合温度が、前記はんだ材を用いる場合に139℃~150℃、前記銀ペーストを用いる場合に150℃~300℃であるとよい。
また、本発明の熱電変換モジュールの製造方法において、前記第一接合工程の接合をろう付けとし、前記第二接合工程の接合をはんだ付け又は銀(Ag)ペーストを用いた接合とすることができる。
本実施形態の熱電変換モジュールの製造方法により製造される熱電変換モジュール1は、図2~図4に示すように、一組の対向配置した配線基板2A,2Bの間に、P型熱電変換素子3及びN型熱電変換素子4を線状(一次元状)に配列した構成である。簡便にするため、図2~図4には、P型熱電変換素子3及びN型熱電変換素子4が二対で配列された例を示しており、合計4個の熱電変換素子3,4が一列に並んで設けられる。また、図中、P型熱電変換素子3には「P」、N型熱電変換素子4には「N」と表記する。
この図2に示すように、熱電変換モジュール1の上側に配置された一方の配線基板2Aが高温側流路6に隣接配置され、熱電変換モジュール1の下側に配置された他方の配線基板2Bが低温側流路7に隣接配置され、熱電変換装置81の使用時には、一方の配線基板2Aが高温に加熱され、他方の配線基板2Bが低温に冷却される。そして、熱電変換装置81では、各熱電変換素子3,4に両配線基板2A,2Bの温度差に応じた起電力が発生することにより、配列の両端の外部配線部14A,14B間に、各熱電変換素子3,4に生じる起電力の総和の電位差が得られる。なお、高温側流路6内には、棒状の吸熱フィン8aを有するヒートシンク8が設けられ、この吸熱フィン8aを一方の配線基板2Aに向けて押圧するバネ等の弾性部材9が設けられている。
P型熱電変換素子3とN型熱電変換素子4の材料としては、シリサイド系材料、酸化物系材料、スクッテルダイト(遷移金属とプニクトゲンの金属間化合物)、ハーフホイッスラー等を用いることができ、例えば、表1に示す組み合わせのものが用いられる。
本実施形態では、環境への影響が少なく、資源埋蔵量も豊富なシリサイド系材料からなるマンガンシリサイド(MnSi1.73)、及びマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の熱電変換素子3,4の組み合わせを用いて、熱電変換モジュールの製造方法を説明する。熱電変換モジュール1は、第一接合工程と第二接合工程の2回の接合工程を経て製造される。
まず、一方の配線基板2Aの電極部11に、P型熱電変換素子3の一方の電極面とN型熱電変換素子4の一方の電極面とを接合する。なお、一方の配線基板2Aの電極部11と各熱電変換素子3,4との接合は、一方の配線基板2Aの使用温度以上の接合温度で行う。具体的には、図1(a)に示すように、一方の配線基板2Aの電極部11上に、ろう材(銀(Ag)ろう)21を介して各熱電変換素子3,4の一方の電極面を重ね合わせるようにして配置し、積層方向に加圧力(押圧荷重):0.05MPa~1.5MPaで加圧した状態で、接合温度:605℃~780℃、接合時間:1分~10分で加熱することにより、一方の配線基板2Aの電極部11と熱電変換素子3,4の一方の電極面とを接合し、図1(b)に示すように、これら一方の配線基板2Aと熱電変換素子3,4とが一体化された接合体10を形成する。なお、ろう材21には、銀ろう以外に、熱電素子の材料の耐熱性や熱電変換モジュールの最大使用温度により、Al系、Cu系、Au系、Ni系やTi系等を用いることができる。
このように、第一接合工程では、ろう材21によって、電極部11と各熱電変換素子3,4とがろう付けされ、電極部11と各熱電変換素子3,4の間にろう付け部41が形成される。
第一接合工程後、他方の配線基板2Bの電極部12に、P型熱電変換素子3の他方の電極面とN型熱電変換素子4の他方の電極面とを接合し、両配線基板2A,2Bの間に、P型熱電変換素子3とN型熱電変換素子4とが電気的に直列に接続された熱電変換モジュール1を製造する。
また、図示は省略するが、第二接合工程では、はんだ材22の代わりに銀(Ag)ペーストを用いることができる。銀ペーストは、粒径0.05μm~100μmの銀粉末と、樹脂と、溶剤とを含有している。銀ペーストの組成としては、銀粉末の含有量が銀ペースト全体の60質量%以上92質量%以下とし、樹脂の含有量が銀ペースト全体の1質量%以上10質量%以下とし、残部が溶剤とするとよい。この銀ペーストを、配線基板2Bの電極部12又は熱電変換素子3,4の他方の電極面にスクリーン印刷等で塗布し、100℃~150℃で乾燥した後、積層方向に加圧力(押圧荷重):0.01MPa~5MPaで加圧した状態で、接合(焼結)温度:150℃~300℃とすることで、配線基板2Bの電極部12と熱電変換素子3,4の他方の電極面とを銀接合層を介して接合することができる。
このように、第二接合工程では、はんだ材22又は銀ペーストによって、電極部12と各熱電変換素子3,4とが接合され、電極部12と各熱電変換素子3,4との間にはんだ付け部42又は銀接合層(図示略)が形成される。
各実施例の配線基板のセラミックス基板としては厚さ0.6mmの窒化アルミニウム、電極部としては厚さ0.05mmの銅を用いた。
また、他方の配線基板と各熱電変換素子との接合(第二接合工程)は、第一接合工程後に、25℃まで冷却した後、他方の配線基板の電極部の上に、表2記載の低温側接合材を介して各熱電変換素子の他方の電極面を配置し、積層方向に加圧力(押圧荷重):0.1MPaで加圧した状態で、表2記載の接合温度で加熱することにより接合した(第二接合工程)。
なお、低温側接合材が銀(Ag)ペーストの場合、粒径5μmの銀(Ag)粉末と、エチルセルロースと、α-テルピネオールと、からなる銀ペーストを用いた。そして、銀ペーストの塗布後に120℃で乾燥を行った。
また、実験例42~47においては、第一接合工程と第二接合工程とを同時に行った。
2A,2B 配線基板
3 P型熱電変換素子(高強度側熱電変換素子)
4 N型熱電変換素子(低強度側熱電変換素子)
5 ケース
6 高温側流路
7 低温側流路
8 ヒートシンク
8a 吸熱フィン
9 弾性部材
10 接合体
11,12 電極部
13 内部配線部
14A,14B 外部配線部
21 ろう材
22 はんだ材
30 セラミックス基板
41 ろう付け部
42 はんだ付け部
81 熱電変換装置
Claims (2)
- 一組の対向配置した配線基板の間に、強度が小さくて熱膨張係数が大きい低強度側熱電変換素子と、前記低強度側熱電変換素子よりも強度が大きくて熱膨張係数が小さい高強度側熱電変換素子とが、前記配線基板を介して設けられた熱電変換モジュールの製造方法であって、
前記配線基板のうちの一方の配線基板の電極部に、前記高強度側熱電変換素子の一方の電極面と前記低強度側熱電変換素子の一方の電極面とを第一接合材を介して重ね合わせて接合する第一接合工程と、
前記第一接合工程後に、前記配線基板のうちの他方の配線基板の電極部に、前記高強度熱電変換素子の他方の電極面と前記低強度側熱電変換素子の他方の電極面とを、第二接合材を介して重ね合わせて、前記第一接合工程の接合温度よりも低い接合温度で接合する第二接合工程とを有し、
前記第一接合材は銀ろうであり、前記第二接合材ははんだ材又は銀ペーストであり、
前記第一接合工程の接合温度と前記第二接合工程の接合温度との温度差が255℃以上600℃以下であることを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記第一接合工程の接合温度が605℃~780℃であり、前記第二接合工程の接合温度が、前記はんだ材を用いる場合に139℃~150℃、前記銀ペーストを用いる場合に150℃~300℃であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
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