JP2018152499A - 熱電変換モジュール及びその製造方法 - Google Patents
熱電変換モジュール及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018152499A JP2018152499A JP2017048679A JP2017048679A JP2018152499A JP 2018152499 A JP2018152499 A JP 2018152499A JP 2017048679 A JP2017048679 A JP 2017048679A JP 2017048679 A JP2017048679 A JP 2017048679A JP 2018152499 A JP2018152499 A JP 2018152499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- thermoelectric conversion
- layer
- interface
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
この特許文献1では、熱電変換材料としてマグネシウムシリサイドやマンガンシリサイド等、シリコン(Si)を含有する材料が用いられ、この熱電変換材料とニッケル製電極との界面にアルミニウムを挿入し、アルミニウムと熱電変換材料に含まれるシリコン(Si)との共晶点以上の温度で、アルミニウム層を溶融させることにより接合している。
一方で、ニッケルとアルミニウムとは比較的低温で金属間化合物を生成するので、接合温度も低温でよい。
また、熱電変換素子の端面にニッケル層が形成されているので、熱電変換素子と接合部との間の拡散現象の発生を防止することができる。したがって、接合部からアルミニウムが熱電変換素子中に拡散してくることはなく、熱電変換素子の性能の劣化を生じることはない。また、熱電変換素子中の成分が接合部に拡散することもないので、高さばらつきの発生を抑制することができる。
この場合、Al−Ni金属間化合物層は、接合部とニッケル層との界面及び接合部とニッケル表面部との界面からAl3Ni2化合物層、Al3Ni化合物層の順に積層構造とされているが、Al3Ni2化合物層に対してAl3Ni化合物層の被覆率がニッケル層側及びニッケル表面部側の両方の平均値で90%未満では、被覆されていない部分から剥離が生じるなど、接合不良の原因となる。
<熱電変換モジュールの全体構造>
この実施形態の熱電変換モジュール1は、図1〜図3に示すように、一組の対向配置した配線基板(配線部)2A,2Bの間に、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を線状(一次元状)又は面状(二次元状)に配列した構成である。簡便にするため、図1〜図3には、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4が二対で配列された例を示しており、合計4個の熱電変換素子3,4が一列に並んで設けられる。また、図中、p型熱電変換素子3には「p」、n型熱電変換素子4には「n」と表記する。
配線基板2A,2Bは、図示例では、セラミックス板等の絶縁基板11の一方の面に電極層12A,12Bが形成され、他方の面に熱伝達金属層14が形成されている。
電極層12A,12Bは、一方の配線基板である図1の上側の第1配線基板2Aには、図2に示すように、隣合うp型熱電変換素子3とn型熱電変換素子4との対ごとにそれぞれ接続する平面視長方形状の2個の電極13からなる電極層12Aが形成されている。他方の配線基板である図1の下側の第2配線基板2Bには、図3に示すように、第1配線基板2Aの電極層12Aにより接続状態となる各対の両熱電変換素子3,4のうち、一方の対のn型熱電変換素子4と他方の対のp型熱電変換素子3とを接続状態とする電極13が熱電変換素子3,4の列の中央部に形成され、両端部に、一方の対のp型熱電変換素子3及び他方の対のn型熱電変換素子4に接続された電極13がそれぞれ形成され、これら3個の電極13により電極層12Bが構成されている。そして、両端部の電極13にそれぞれ外部配線部15が一体に又は別部材を溶接するなどにより、形成されている。
そして、各電極13の表面には、ニッケル層(ニッケル表面部)21がめっき等により形成されており、このニッケル層21に熱電変換素子3,4の端面が接合されている。
p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、その材料として、シリサイド系材料、酸化物系材料、スクッテルダイト(遷移金属とプニクトゲンの金属間化合物)、ハーフホイッスラー等を用いることができる。その中でも特に、環境への影響が少なく、資源埋蔵量も豊富なシリサイド系材料が注目されており、マンガンシリサイド(MnSi1.73)がp型熱電変換素子3、マグネシウムシリサイド(Mg2Si)がn型熱電変換素子4となる。これら熱電変換素子3,4は、それぞれマンガンシリサイド(MnSi1.73)又はマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の母合金を作製して、ボールミルにて例えば粒径75μm以下に粉砕後、プラズマ放電焼結、ホットプレス、熱間等方圧加圧法により例えば円盤状、角板状のバルク材を作製して、これを切断することにより、例えば横断面が正方形の角柱状に形成される。
また、各熱電変換素子3,4の両端面にはメタライズ層としてニッケル層22が形成されている。
配線基板2A,2Bの電極13と熱電変換素子3,4とは、後述するようにアルミニウム箔又はAl−Si箔からなる接合材23を介在させて加熱接合されており、そのアルミニウムと電極13のニッケル層21あるいは熱電変換素子3,4のニッケル層22との間にAl−Ni金属間化合物層24を有する接合部20が形成され、接合材23の残存層25が形成される場合がある。また、Al−Ni金属間化合物層24は、さらに、Al3Ni2化合物層26と、Al2Ni化合物層27との二層構造とされ、ニッケル層21,22との界面側にAl3Ni2化合物層26が形成され、このAl3Ni2化合物層26をAl2Ni化合物層27が覆っている。接合材の残存層25は、用いられる接合材23の厚みによっては、接合部20に残存していない場合もある。
この接合構造において、Al3Ni2化合物層26に対するAl3Ni化合物層27の被覆率は両ニッケル層21,22側の両方の平均値で90%以上必要である。この平均被覆率が90%未満では、被覆されていない部分から剥離が生じるなど、接合不良の原因となる。なお、Al3Ni2化合物層26は、接合界面の全面に形成されるが、少なくとも接合界面の95%以上の面積で形成されているとよい。 図4は接合部20に接合材23の残存層25を有する例であり、図5は残存層25がない接合部20の例を示す。
また、いずれの場合も、Al−Ni金属間化合物層24は、接合界面の全面にわたって層状に形成されており、さらに、Al3Ni2化合物層26と、Al2Ni化合物層27との二層構造とされ、ニッケル層との界面側にAl3Ni2化合物層26が形成される。特に、このAl3Ni2化合物層26が界面の全面に均一にできていると、Al−Ni金属間化合物層24の全体が均一に形成される。このため、Al3Ni2化合物層26は1μm以上形成されているとよく、Al−Ni金属間化合物層24としては、5μm以上100μm以下の厚みを有しているとよい。
<ニッケル層形成工程>
配線基板2A,2B及び熱電変換素子3,4をそれぞれ用意し、配線基板2A,2Bの電極13表面及び熱電変換素子3,4の両端面にニッケル層21,22をそれぞれ6μm以上5000μm以下の厚みで形成する。6μm未満では、接合時に、ニッケル層21,22がすべてAl−Ni金属間化合物層24となるおそれがある。ニッケル層の厚みが5000μmを超えた場合、熱電変換材料の高さが減少することにより、発電量が低下するおそれがある。
これらニッケル層21,22はめっき、スパッタリング等によって形成することができる。
図6に示すように、配線基板2A,2Bの電極13のニッケル層21に、アルミニウム箔又はAl−Si箔からなる接合材23を介材させて熱電変換素子3,4の端面のニッケル層22を重ね合わせるようにして、両配線基板2A,2Bの間にp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を並べて配置し、積み重ね方向に所定の加圧力を作用させた状態で加熱炉内で加熱することにより、電極13のニッケル層21と接合材23、及び接合材23と熱電変換素子3,4のニッケル層22とが、これらの間にそれぞれAl−Ni金属間化合物層24を形成して接合される。
接合材23としてAl−Si箔を用いる場合、シリコン(Si)濃度として7.5質量%以上10.5質量%以下の箔を用いるとよく、接合は、加圧力が0.1MPa以上3MPa以下、温度が585℃以上540℃以下で、10分以上30分以下保持するとよい。このAl−Si箔を用いる場合も、表面の一部で溶融する場合もあるが、ニッケル層21,22との間でAl−Ni金属間化合物層24を形成する。
接合材23の全部が溶融してしまうと、ニッケル層21,22の間からはみ出すなどにより、接合後の熱電変換素子3,4の高さ方向の寸法ばらつきが生じるおそれがあるが、これらの箔が固相のまま残っていることにより、高さばらつきの発生を抑制し、高さを均一に揃えることができる。
この実施形態の熱電変換モジュール1は、電極13表面のニッケル層21と熱電変換素子3,4の端面のニッケル層22との間の接合部20に、その界面の全面にわたってAl−Ni金属間化合物層24が形成されており、このAl−Ni金属間化合物層24の融点が非常に高いので、高温での強度が高く、強固な接合強度を維持することができる。
特に、中高温型として有望なマグネシウムシリサイドを用いる場合、その耐熱性は600℃以下であるといわれるため、電極との接合温度が600℃以下とできるAl−Si箔を用いて接合するのが好ましい。
例えば、電極をアルミニウムによって形成し、その表面にニッケル層を形成したが、電極をニッケルにより形成してもよい。このため、本発明では、電極の表面が少なくともニッケルからなるものとし、これをニッケル表面部と称している。
また、絶縁基板の一方の面に電極層、他方の面に熱伝達金属層を形成したが、電極層のみを形成する構成としてもよい。
また、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを1個ずつ直列に接続しているが、一対の配線基板の間にp型又はn型の一方の熱電変換素子のみを直列接続状態に配置して、p型又はn型ごとにユニット化し、そのp型熱電変換素子のユニットとn型熱電変換素子のユニットとを接続して熱電変換モジュールとすることも可能である。
また、各電極の平面形状、各熱電変換素子の横断面形状も、正方形に限らず、長方形、円形等に形成してもよい。
得られた試料について、接合部の断面を光学顕微鏡で観察するとともに、電子線マイクロアナライザ(EPMA)で成分分析した。
接合部の断面において、EPMAによりアルミニウム及びニッケルのマッピング像を取得し、アルミニウムに対するニッケルの量が、20%以上50%未満の部分をAl3Ni層、50%以上80%未満の部分をAl3Ni2層とした。Al3Ni2層に対するAl3Ni層の被覆率は、接合部の断面を倍率:1000倍、視野:幅1200μm×高さ900μm、の条件で測定し、
((Al3Ni2層とAl3Ni層が接している長さ/Al3Ni2層の長さ)×100)
を被覆率とし、各ニッケル板との界面側で5視野ずつ測定し、その平均値を平均被覆率とした。また、接合後に剥離してしまったものは『−』で示した。
初期接合性は、接合界面の超音波探査像(SAT像)を観察し、接合率が90%以上のものを「○」、90%未満のものを「×」とした。
冷熱サイクル信頼性は、−40℃⇔150℃の温度サイクルを2000サイクルしたものについて、接合界面の超音波探査像(SAT像)を観察し、接合率が90%以上のものを「○」、90%未満のものを「×」とした。
これらの結果を表1に示す。
図7は、接合材がAl−Si箔で接合温度が600℃の場合の接合部(ニッケルとアルミニウムとの界面付近)の断面の光学顕微鏡写真である。Al−Ni金属間化合物層が界面の全面に形成されており、Al3Ni層とその上のAl3Ni2化合物層とのいずれもがほぼ一様な厚みで形成されている。
これに対して、図8は、接合材がアルミニウム箔で接合温度が600℃の場合の接合部の断面の光学顕微鏡写真であるが、Al−Ni金属間化合物層のうち、Al3Ni層が界面の一部に形成されていない部分が生じていることがわかる。このようにAl3Ni層が途切れた状態であると、その部分が剥離の起点になるおそれがある。
また、接合材としてアルミニウム箔を用いた場合は585℃以下、Al−Si箔を用いた場合は550℃において、接合後に容易に剥離してしまった。
2A,2B 配線基板(配線部)
3 p型熱電変換素子
4 n型熱電変換素子
11 絶縁基板
12A,12B 電極層
13 電極
14 熱伝達金属層
15 外部配線部
20 接合部
21 ニッケル層(ニッケル表面部)
22 ニッケル層
23 接合材
24 Al−Ni金属間化合物層
25 残存層
26 Al3Ni2化合物層
27 Al2Ni化合物層
Claims (2)
- 複数の熱電変換素子と、これら熱電変換素子を接続する電極を有する配線部とを備え、前記熱電変換素子の端面にニッケル層が形成されるとともに、前記配線部の前記電極は、少なくとも表面がニッケルからなるニッケル表面部を有し、このニッケル表面部と前記熱電変換素子の端面のニッケル層とが接合されてなり、その接合部には、該接合部と前記ニッケル層との界面側及び前記接合部と前記ニッケル表面部との界面側にAl−Ni金属間化合物層がそれぞれ形成されており、
前記Al−Ni金属間化合物層は、前記接合部と前記ニッケル層との界面及び前記接合部と前記ニッケル表面部との界面からAl3Ni2化合物層、Al3Ni化合物層の順にAl−Ni金属間化合物が積層されており、
前記Al3Ni2化合物層に対する前記Al3Ni化合物層の被覆率が前記ニッケル層側及び前記ニッケル表面部側の両方の平均値で90%以上であることを特徴とする熱電変換モジュール。 - 複数の熱電変換素子の端面にニッケル層を形成するとともに、これら熱電変換素子を接続するための電極を有する配線部における前記電極の少なくとも表面にニッケルからなるニッケル表面部を形成しておき、前記熱電変換素子の前記ニッケル層と前記電極の前記ニッケル表面部との間にアルミニウム箔又はAl−Si箔からなる接合材を介在させ、前記接合材の融点又は液相線温度よりも低い温度で加熱することにより前記ニッケル層と前記ニッケル表面部とを接合することを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017048679A JP6850988B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 熱電変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017048679A JP6850988B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 熱電変換モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018152499A true JP2018152499A (ja) | 2018-09-27 |
JP6850988B2 JP6850988B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=63680553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017048679A Active JP6850988B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 熱電変換モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6850988B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019062118A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社日立製作所 | 接続材料および熱電変換モジュールならびに電子装置 |
WO2021079644A1 (ja) | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 株式会社ミツバ | 熱電変換素子とその製造方法、および熱電変換デバイス |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001271128A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | NiAl金属間化合物板の製造方法 |
JP2013070044A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Hitachi Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
WO2016056278A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 日立化成株式会社 | 熱電変換素子、その製造方法および熱電変換モジュール |
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017048679A patent/JP6850988B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001271128A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | NiAl金属間化合物板の製造方法 |
JP2013070044A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Hitachi Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
WO2016056278A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 日立化成株式会社 | 熱電変換素子、その製造方法および熱電変換モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019062118A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社日立製作所 | 接続材料および熱電変換モジュールならびに電子装置 |
WO2021079644A1 (ja) | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 株式会社ミツバ | 熱電変換素子とその製造方法、および熱電変換デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6850988B2 (ja) | 2021-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6750404B2 (ja) | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置並びに熱電変換モジュールの製造方法 | |
KR102422607B1 (ko) | 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 및 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크의 제조 방법 | |
KR102049011B1 (ko) | 열전 모듈 및 그 제조 방법 | |
US10147859B2 (en) | Thermoelectric power module | |
US10224472B2 (en) | Thermoelectric power module | |
JP2010109132A (ja) | 熱電モジュールを備えたパッケージおよびその製造方法 | |
JP2009099686A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2008305986A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2007109942A (ja) | 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法 | |
JP6404983B2 (ja) | 熱電発電モジュール | |
US10868230B2 (en) | Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof | |
JP6850988B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2020510990A (ja) | 熱電モジュール | |
JPH09293906A (ja) | 熱電変換素子 | |
JP7315377B2 (ja) | 熱電モジュール | |
CN108028306B (zh) | 热电转换模块及热电转换装置 | |
JP4810652B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2018160560A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
WO2021019891A1 (ja) | 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法 | |
JP2004342879A (ja) | 熱電変換モジュールの組立方法および当該モジュールの組立てに用いられるろう材 | |
JP6413230B2 (ja) | 抵抗器及び抵抗器の製造方法 | |
WO2020100717A1 (ja) | スタナイド系熱電変換素子及びスタナイド系熱電変換モジュール | |
JP2014147966A (ja) | 接合材料、接合方法、接合構造、および半導体装置 | |
WO2020071529A1 (ja) | 熱電モジュール | |
WO2021079644A1 (ja) | 熱電変換素子とその製造方法、および熱電変換デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6850988 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |