JP2007258571A - 熱電変換モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1絶縁基板と、第1絶縁基板上に交互に配置された柱状をなす複数のp型、n型の半導体熱電変換部材と、各半導体熱電変換部材を挟んで前記第1絶縁基板と対向して配置された第2絶縁基板と、第1絶縁基板と各半導体熱電変換部材の間、および第2絶縁基板と各半導体熱電変換部材の間にそれぞれ配置され、p型、n型の半導体熱電変換部材を直列接続する第1電極および第2電極と、第1絶縁基板側の第1電極の露出面に被覆されると共に、この第1電極から第2電極に向かうp型、n型の半導体熱電変換部材の露出面の一部に被覆されるガラス膜とを具備した熱電変換モジュール。
【選択図】 図2
Description
従来、高い熱電変換効率を達成するために、多くの半導体熱電変換材料について研究がなされ、例えばビスマス(Bi)−テルル(Te)系(第3元素としてSb、セレン(Se)を含む)は高効率の素子として実用に供されている。しかしながら、この材料は熱電変換効率が高いものの、250℃を超える温度において熱電性能が低いため、効率的にエネルギーを回収することが困難である。すなわち、高温での熱電性能が低いと前記式(1)のΔTを大きく取ることができない。前記式(1)から、たとえ変換効率が50%低くてもΔTが3倍取れる材料の方がはるかに有利であることは明らかである。
前記第1絶縁基板上に交互に配置された柱状をなす複数のp型、n型の半導体熱電変換部材と、
前記各半導体熱電変換部材を挟んで前記第1絶縁基板と対向して配置された第2絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と前記各半導体熱電変換部材の間、および前記第2絶縁基板と前記各半導体熱電変換部材の間にそれぞれ配置され、前記p型、n型の半導体熱電変換部材を直列接続する第1電極および第2電極と、
前記第1絶縁基板側の第1電極の露出面に被覆されると共に、この第1電極から前記第2電極に向かう前記p型、n型の半導体熱電変換部材の露出面の一部に被覆されるガラス膜と
を具備したことを特徴とする熱電変換モジュールが提供される。
片面に複数の第1電極が配列固定された第1絶縁基板および片面に複数の第2電極が配列固定された第2絶縁基板を準備する工程と、
前記枠体の貫通穴に柱状をなす複数のp型半導体熱電変換部材および柱状をなす複数のn型半導体熱電変換部材を交互に挿入、配置する工程と、
前記枠体の貫通穴に挿入された複数のp型、n型の半導体熱電変換部材のうち、隣接するp型、n型の半導体熱電変換部材の一方の端面に前記第1絶縁基板の複数の第1電極を、他方の端面に前記第2絶縁基板の複数の第2電極を前記第1電極とともに前記p型、n型の半導体熱電変換部材を電気的に直列接続されるようにろう材を介してそれぞれ重ねる工程と、
加熱して前記第1、第2の電極を前記各半導体熱電変換部材の両端面にろう材を介して接合すると共に、前記枠体を溶融させてガラス質とすることにより前記第1絶縁基板側の第1電極の露出面を被覆すると共に、この第1電極から前記第2電極に向かう前記p型、n型の半導体熱電変換部材の露出面の一部に被覆する工程と
を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法が提供される。
前記有機バインダーとしては、例えばPVA(ポリビニルアルコール)、パラフィン等を用いることができる。
PVA(ポリビニルアルコール)をDMSO(ジメチルスルフォキシド)に5重量%溶解した溶液に無鉛ガラス粉末(松浪硝子工業社製商品名:JV−35)を混合してペーストを調製した。つづいて、このペーストを金型を用いて押し出し成形し、乾燥することにより正方角柱の貫通穴が縦横10列有するハニカム枠を得た。ひきつづき、このハニカム枠の各貫通穴に正方角柱をなすp型、n型のハーフホイスラー系熱電変換部材各50個計100個をp型、n型が市松状並ぶように挿入、配列した。前記p型の熱電変換部材としては(Ti0.3Zr0.35Hf0.35)CoSb0.85Sn0.15を用い、n型熱電変換部材としては(Ti0.3Zr0.35Hf0.35)NiSn0.994Sb0.006を用いた。
ハニカム枠を使用せずに正方角柱をなすp型、n型のハーフホイスラー系熱電変換部材各50個計100個をp型、n型が市松状並ぶように所定の直列回路形成用の第1電極を有する窒化珪素からなる第1絶縁基板に配置し、これら熱電変換部材の上端に所定の直列回路形成用の第2電極を有する窒化珪素からなる第2絶縁基板を配置した。なお、第1、第2の電極にはTi入り銀ロウペーストが予め塗布されている。つづいて、アルゴン雰囲気にて830℃に加熱して第1、第2の電極を各熱電変換部材の端面にTi入り銀ロウを介して接合することによりハーフホイスラー系熱電変換モジュールを製造した。
Claims (7)
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に交互に配置された柱状をなす複数のp型、n型の半導体熱電変換部材と、
前記各半導体熱電変換部材を挟んで前記第1絶縁基板と対向して配置された第2絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と前記各半導体熱電変換部材の間、および前記第2絶縁基板と前記各半導体熱電変換部材の間にそれぞれ配置され、前記p型、n型の半導体熱電変換部材を直列接続する第1電極および第2電極と、
前記第1絶縁基板側の第1電極の露出面に被覆されると共に、この第1電極から前記第2電極に向かう前記p型、n型の半導体熱電変換部材の露出面の一部に被覆されるガラス膜と
を具備したことを特徴とする熱電変換モジュール。 - 前記ガラスは、無鉛ガラスであることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュール。
- 前記ガラス膜の熱膨脹係数は、前記半導体熱電変換部材の熱膨脹係数との差異が±15%以内であることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュール。
- 前記p型、n型の半導体熱電変換部材のうちの少なくとも一方は、フィルドスクッテルダイト系材料からなることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュール。
- 前記p型、n型の半導体熱電変換部材のうちの少なくとも一方は、ハーフホイスラー系材料からなることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュール。
- 前記p型、n型の半導体熱電変換部材のうちの少なくとも一方は、鉄シリコン系材料からなることを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュール。
- ガラス粉末および有機バインダーを含み、複数の貫通穴を有する枠体を準備する工程と、
片面に複数の第1電極が配列固定された第1絶縁基板および片面に複数の第2電極が配列固定された第2絶縁基板を準備する工程と、
前記枠体の貫通穴に柱状をなす複数のp型半導体熱電変換部材および柱状をなす複数のn型半導体熱電変換部材を交互に挿入、配置する工程と、
前記枠体の貫通穴に挿入された複数のp型、n型の半導体熱電変換部材のうち、隣接するp型、n型の半導体熱電変換部材の一方の端面に前記第1絶縁基板の複数の第1電極を、他方の端面に前記第2絶縁基板の複数の第2電極を前記第1電極とともに前記p型、n型の半導体熱電変換部材を電気的に直列接続されるようにろう材を介してそれぞれ重ねる工程と、
加熱して前記第1、第2の電極を前記各半導体熱電変換部材の両端面にろう材を介して接合すると共に、前記枠体を溶融させてガラス質とすることにより前記第1絶縁基板側の第1電極の露出面を被覆すると共に、この第1電極から前記第2電極に向かう前記p型、n型の半導体熱電変換部材の露出面の途中まで被覆する工程と
を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
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