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Claims (10)
- 磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための、研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドであって、前記研磨層が、
多官能イソシアネートと、
少なくとも５重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する）；
２５〜９５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均５〜７個のヒドロキシル基を有する）；及び
０〜７０重量％の二官能硬化剤
を含む硬化剤パッケージと
を含む原料成分の反応生成物を含み、
ここで、前記研磨層が、０．６g/cm3よりも高い密度；５〜４０のショアＤ硬さ；１００〜４５０％の破断点伸び；及び２５〜１５０μm/hrの切削速度を示し、前記研磨層が、前記基材を研磨するように適合された研磨面を有するケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．８５〜１．１５である、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記多官能イソシアネートが、脂肪族多官能イソシアネート、芳香族多官能イソシアネート及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記二官能硬化剤が、ジオール硬化剤及びジアミン硬化剤からなる群より選択される、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記多官能イソシアネートが、２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーである、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記硬化剤パッケージが、
５〜２０重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり２個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均４個のヒドロキシル基を有し、アミン開始ポリオール硬化剤は、２００〜４００の数平均分子量ＭNを有する）；
５０〜７５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均６個のヒドロキシル基を有する）；及び
１０〜３０重量％の二官能硬化剤（ここで、二官能硬化剤は、４，４′−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）、４，４′−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である）
を含み、
前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．９５〜１．０５であり、
ここで、前記研磨層が、０．７５〜１．０g/cm3の密度；５〜２０のショアＤ硬さ；１５０〜３００％の破断点伸び；及び３０〜６０μm/hrの切削速度を示す、請求項５記載のケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、５〜７重量％の未反応ＮＣＯ基を有し、前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、４００〜２，５００の数平均分子量ＭNを示す、請求項６記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記研磨面が、その中に形成されたらせん溝パターンを有する、請求項７記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
多官能イソシアネートを提供すること、
（ｉ）少なくとも５重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する）；
（ii）２５〜９５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均５〜７個のヒドロキシル基を有する）；及び
（iii）０〜７０重量％の二官能硬化剤
を含む硬化剤パッケージを提供すること、
前記多官能イソシアネートと前記硬化剤パッケージとを混合して組み合わせを形成すること、及び
前記組み合わせを反応させて研磨層を形成すること
を含む方法。 - 磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供すること、
請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、
研磨層の研磨面と前記基材との間に動的接触を生じさせて前記基材の表面を研磨すること、及び
砥粒コンディショナによって前記研磨面をコンディショニングすること
を含む、基材を研磨する方法。
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