JP2014233835A5 - - Google Patents

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  1. 研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層であって、
    前記研磨層が、
    2〜12重量%の未反応NCO基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーである多官能イソシアネートと、
    1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を含み、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有するアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、
    2,500〜100,000の数平均分子量M N を有し、1分子あたり平均5〜7個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤25〜95重量%、及び
    二官能硬化剤0〜70重量%を含む硬化剤パッケージ
    との反応生成物を含み、
    0.6g/cm3よりも高い密度、5〜40のショアD硬さ、100〜450%の破断点伸び及び25〜150μm/hrの切削速度を示し、基材を研磨するように適合された研磨面を有する研磨層;
    上面及び下面を有する硬質層;
    前記研磨層と前記硬質層の前記上面との間に挿入されたホットメルト接着剤であって、前記研磨層を前記硬質層に接着するホットメルト接着剤;
    スタック側及びプラテン側を有する感圧プラテン接着剤層であって、前記スタック側が前記硬質層の前記下面に隣接している感圧プラテン接着剤層;ならびに
    場合によっては、前記感圧プラテン接着剤層の前記プラテン側に配置される任意の剥離ライナ;
    を含む多層化学機械研磨パッドスタック。
  2. 前記硬質層の前記上面が溝を有さず、前記硬質層の前記下面が溝を有しない、請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  3. 前記硬質層の前記上面及び前記下面がそれぞれ1〜500nmの粗さRaを有する、請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  4. 前記硬質層が2,500〜7,500MPaのヤング率を有する、請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  5. 前記硬質層が二軸延伸ポリエチレンテレフタレート製であり、前記硬質層が6〜10ミルの平均厚さを有し、前記硬質層が3,000〜7,000MPaのヤング率を示す、請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  6. 高分子量ポリオール硬化剤が7,500〜25,000の数平均分子量M N を有する、請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  7. スタック面及びプラテン面を有するサブパッド、
    前記硬質層の前記下面と前記サブパッドの前記スタック面との間に挿入されたスタック接着剤であって、前記硬質層を前記サブパッドに接着するスタック接着剤(前記感圧プラテン接着剤層の前記スタック側が前記サブパッドの前記プラテン面上に配置される)、ならびに
    場合によっては、前記多層化学機械研磨パッドスタックに組み込まれたウィンドウを
    さらに含む、請求項6記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  8. 記硬化剤パッケージが、
    1分子あたり2個の窒素原子を含み、1分子あたり平均4個のヒドロキシル基を有し、
    200〜400の数平均分子量MNを有するアミン開始ポリオール硬化剤5〜20重量%、
    10,000〜12,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均6個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤50〜75重量%、
    4,4’−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA)、4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である二官能硬化剤10〜30重量%
    からなり、
    前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が0.95〜1.05であり、
    前記研磨層が、0.75〜1.0g/cm3の密度、5〜20のショアD硬さ、150〜300%の破断点伸び及び30〜60μm/hrの切削速度を示す、請求項6記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  9. スタック面及びプラテン面を有するサブパッド、
    前記硬質層の前記下面と前記サブパッドの前記スタック面との間に挿入されたスタック接着剤であって、前記硬質層を前記サブパッドに接着するスタック接着剤(前記感圧プラテン接着剤層の前記スタック側が前記サブパッドの前記プラテン面上に配置される)、ならびに
    場合によっては、前記多層化学機械研磨パッドスタックに組み込まれたウィンドウをさらに含む、請求項8記載の多層化学機械研磨パッドスタック。
  10. 磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供する工程、
    請求項1記載の多層化学機械研磨パッドスタックを提供する工程、
    前記研磨層の研磨面と前記基材との間に動的接触を生じさせて前記基材の表面を研磨する工程、及び
    砥粒コンディショナによって前記研磨面をコンディショニングする工程を含む、基材を研磨する方法。
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