JP2014233834A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014233834A5
JP2014233834A5 JP2014112281A JP2014112281A JP2014233834A5 JP 2014233834 A5 JP2014233834 A5 JP 2014233834A5 JP 2014112281 A JP2014112281 A JP 2014112281A JP 2014112281 A JP2014112281 A JP 2014112281A JP 2014233834 A5 JP2014233834 A5 JP 2014233834A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
curing agent
layer
hard layer
chemical mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014112281A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6290004B2 (ja
JP2014233834A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/906,765 external-priority patent/US9238295B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2014233834A publication Critical patent/JP2014233834A/ja
Publication of JP2014233834A5 publication Critical patent/JP2014233834A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6290004B2 publication Critical patent/JP6290004B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (12)

  1. 研磨面及びベース面、カウンタボア開口、貫通孔、前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層、
    前記研磨面の平面に対して垂直な軸に沿って平均厚さTW-avgを有するプラグ配置終点検出ウィンドウブロック、
    上面及び下面を有する硬質層、
    前記研磨層の前記ベース面と前記硬質層の前記上面との間に挿入されたホットメルト接着剤であって、前記研磨層を前記硬質層に接着するホットメルト接着剤
    を含み;
    前記研磨層が、
    多官能イソシアネートと、
    1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を含み、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有するアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、
    2,500〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均5〜7個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤25〜95重量%、及び
    二官能硬化剤0〜70重量%
    を含む硬化剤パッケージと
    を含む成分の反応生成物を含み;、
    前記研磨層が、0.6g/cm3よりも高い密度、5〜40のショアD硬さ、100〜450%の破断点伸び及び25〜150μm/hrの切削速度を示し;
    前記貫通孔が前記研磨層を前記研磨面から前記ベース面まで貫通し;
    前記カウンタボア開口が、前記研磨面上に開口し、前記貫通孔を拡大させ、棚状部を形成し;
    前記カウンタボア開口が、前記研磨面の平面に対して垂直な方向に前記研磨面の平面から前記棚状部までで計測される平均深さDO-avgを有し;
    前記平均深さDO-avgが前記平均厚さTP-avgよりも小さく;
    前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックが前記カウンタボア開口内に配置され;
    前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックが前記研磨層に接着されている、化学機械研磨パッド。
  2. 前記硬質層の前記上面が溝を有さず、前記硬質層の前記下面が溝を有しない、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  3. 前記硬質層の前記上面及び前記下面が1〜500nmの粗さRaを有する、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  4. 前記硬質層が二軸延伸ポリエチレンテレフタレート製であり、前記硬質層が6〜10ミルの平均厚さを有し、前記硬質層が3,000〜7,000MPaのヤング率を示す、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  5. 前記多官能イソシアネートが、2〜12重量%の未反応NCO基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーであり、
    前記硬化剤パッケージが、
    1分子あたり2個の窒素原子を含み、1分子あたり平均4個のヒドロキシル基を有し、200〜400の数平均分子量MNを有するアミン開始ポリオール硬化剤5〜20重量%、
    10,000〜12,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均6個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤50〜75重量%、及び
    4,4’−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA)、4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である二官能硬化剤10〜30重量%
    からなり、
    前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が0.95〜1.05であり、
    前記研磨層が、0.75〜1.0g/cm3の密度、5〜20のショアD硬さ、150〜300%の破断点伸び及び30〜60μm/hrの切削速度を示す、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  6. 前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、5〜7重量%の未反応NCO基を有し、400〜2,500の数平均分子量MNを示す、請求項5記載の化学機械研磨パッド。
  7. 前記化学機械研磨パッドが、前記研磨層、前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロック、前記硬質層、前記研磨層と前記硬質層との間に挿入されたホットメルト接着剤、前記硬質層の前記下面と前記剥離ライナとの間に配置された感圧プラテン接着剤からなり、
    前記多官能イソシアネートが、2〜12重量%の未反応NCO基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーであり、
    前記硬化剤パッケージが、
    1分子あたり2個の窒素原子を含み、1分子あたり平均4個のヒドロキシル基を有し、200〜400の数平均分子量MNを有するアミン開始ポリオール硬化剤5〜20重量%、
    10,000〜12,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均6個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤50〜75重量%、
    4,4’−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA)、4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である二官能硬化剤10〜30重量%
    からなり、
    前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が0.95〜1.05であり、
    前記研磨層が、0.75〜1.0g/cm3の密度、5〜20のショアD硬さ、150〜300%の破断点伸び及び30〜60μm/hrの切削速度を示す、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  8. 前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、5〜7重量%の未反応NCO基を有し、400〜2,500の数平均分子量MNを示す、請求項7記載の化学機械研磨パッド。
  9. 研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層を提供する工程、
    前記研磨面の平面に対して垂直な軸に沿って平均厚さTW-avgを有するプラグ配置終点検出ウィンドウブロックを提供する工程、
    上面及び下面を有する硬質層を提供する工程、
    ホットメルト接着剤を非硬化状態で提供する工程、
    前記研磨層を前記研磨面から前記ベース面まで貫通する貫通孔を設ける工程、
    前記研磨面上に開口し、前記貫通孔を拡大させ、棚状部を形成するカウンタボア開口であって、前記研磨面の平面に対して垂直な方向に前記研磨面の平面から前記棚状部までで計測される平均深さDO-avg(前記平均深さDO-avgは前記平均厚さTP-avgよりも小さい)を有するカウンタボア開口を設ける工程、
    前記ホットメルト接着剤をその非硬化状態で前記研磨層の前記ベース面と前記硬質層の前記上面との間に挿入する工程、
    前記ホットメルト接着剤を硬化させて前記研磨層と前記硬質層とを互いに接着させる工程、及び
    前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックを前記カウンタボア開口内に配置し、前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックを前記研磨層に接着する工程
    を含み;
    前記研磨層が、
    多官能イソシアネートと、
    1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を含み、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有するアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、
    2,500〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均5〜7個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤25〜95重量%、及び
    二官能硬化剤0〜70重量%
    を含む硬化剤パッケージと
    を含む成分の反応生成物を含み;
    前記研磨層が、0.6g/cm3よりも高い密度、5〜40のショアD硬さ、100〜450%の破断点伸び及び25〜150μm/hrの切削速度を示す、化学機械研磨パッドを製造する方法。
  10. 感圧プラテン接着剤を提供する工程、
    剥離ライナを提供する工程、
    前記感圧プラテン接着剤を前記硬質層の前記下面に適用する工程、及び
    前記剥離ライナを前記感圧プラテン接着剤の上に適用する工程
    をさらに含み、前記感圧プラテン接着剤が前記硬質層の前記下面と前記剥離ライナとの間に挿入される、請求項9記載の方法。
  11. さらに、前記硬質層の前記下面に配置される感圧プラテン接着剤を含む、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
  12. さらに、剥離ライナ(前記感圧プラテン接着剤が前記硬質層の前記下面とこの剥離ライナとの間に挿入される)を含む、請求項11記載の化学機械研磨パッド。
JP2014112281A 2013-05-31 2014-05-30 軟質かつコンディショニング可能な化学機械ウィンドウ研磨パッド Active JP6290004B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/906,765 US9238295B2 (en) 2013-05-31 2013-05-31 Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US13/906,765 2013-05-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014233834A JP2014233834A (ja) 2014-12-15
JP2014233834A5 true JP2014233834A5 (ja) 2017-06-29
JP6290004B2 JP6290004B2 (ja) 2018-03-07

Family

ID=51168261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014112281A Active JP6290004B2 (ja) 2013-05-31 2014-05-30 軟質かつコンディショニング可能な化学機械ウィンドウ研磨パッド

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9238295B2 (ja)
JP (1) JP6290004B2 (ja)
KR (1) KR102195526B1 (ja)
CN (1) CN104209853B (ja)
DE (1) DE102014007027A1 (ja)
FR (1) FR3006219B1 (ja)
TW (1) TWI574784B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9259820B2 (en) * 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9259821B2 (en) * 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
TW201629467A (zh) * 2014-12-29 2016-08-16 陶氏全球科技責任有限公司 化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法
US9630293B2 (en) * 2015-06-26 2017-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad composite polishing layer formulation
US10144115B2 (en) * 2015-06-26 2018-12-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing pad
JP2017064887A (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US9484212B1 (en) * 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
TWI593511B (zh) * 2016-06-08 2017-08-01 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
US20180281149A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
KR101945874B1 (ko) * 2017-08-07 2019-02-11 에스케이씨 주식회사 표면 처리된 연마패드용 윈도우 및 이를 포함하는 연마패드
WO2019042428A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种聚氨酯抛光层、含抛光层的抛光垫、抛光层的制备方法及平坦化材料的方法
CN107553313B (zh) * 2017-08-31 2019-12-31 湖北鼎龙控股股份有限公司 一种抛光垫、聚氨酯抛光层及其制备方法
US10465097B2 (en) * 2017-11-16 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aliphatic UV cured polyurethane optical endpoint detection windows with high UV transparency for CMP polishing pads
WO2023126854A1 (en) * 2021-12-31 2023-07-06 3M Innovative Properties Company Microreplicated polishing pad including fluorinated polymer window
KR20230112387A (ko) * 2022-01-20 2023-07-27 케이피엑스케미칼 주식회사 연마패드용 윈도우의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 연마패드용 윈도우
US20230390970A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making low specific gravity polishing pads
CN117020936B (zh) * 2023-10-10 2023-12-29 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JPH08216033A (ja) * 1995-02-16 1996-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨テープ
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
EP0779655A3 (en) 1995-12-14 1997-07-16 International Business Machines Corporation A method of chemically-mechanically polishing an electronic component
US5692950A (en) 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
IT1302496B1 (it) * 1998-09-14 2000-09-05 Sixton Holding Sa Schiuma poliuretanica rigida.
US6524164B1 (en) 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
JP3826702B2 (ja) 2000-10-24 2006-09-27 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
KR100877389B1 (ko) 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
EP1475827A4 (en) * 2002-08-30 2006-05-24 Toray Industries POLISHING PIECE, POLISHING PLATE HOLE COVER, POLISHING DEVICE, POLISHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT
JP4039214B2 (ja) 2002-11-05 2008-01-30 Jsr株式会社 研磨パッド
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20040192178A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Barak Yardeni Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads
US20040224622A1 (en) 2003-04-15 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
US7101275B2 (en) * 2003-09-26 2006-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
US8066552B2 (en) 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
US6984163B2 (en) * 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
JP4475404B2 (ja) 2004-10-14 2010-06-09 Jsr株式会社 研磨パッド
SG162797A1 (en) 2005-07-15 2010-07-29 Toyo Tire & Rubber Co Layered sheets and processes for producing the same
KR100709392B1 (ko) * 2005-07-20 2007-04-20 에스케이씨 주식회사 액상의 비닐계 모노머가 상호침투 가교된 형태를 갖는폴리우레탄 연마 패드
JP2007260827A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法
WO2008029538A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Tampon à polir
JP4261586B2 (ja) * 2007-01-15 2009-04-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP4986129B2 (ja) * 2007-01-15 2012-07-25 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
MY157714A (en) * 2007-01-15 2016-07-15 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad and a method for manufacturing the same
US20090062414A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
US8052507B2 (en) 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4897082B2 (ja) 2008-04-25 2012-03-14 トーヨーポリマー株式会社 ポリウレタン発泡体及び研磨パッド
DE602009001168D1 (de) * 2008-10-16 2011-06-09 Rohm & Haas Elect Mat Chemisch-mechanisches Polierpad mit Fenster mit integrierter Identifizierungsfunktion
US8083570B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having sealed window
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
TWM367052U (en) 2009-04-24 2009-10-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
US8157614B2 (en) 2009-04-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Method of making and apparatus having windowless polishing pad and protected fiber
US8662957B2 (en) 2009-06-30 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Leak proof pad for CMP endpoint detection
US8697239B2 (en) * 2009-07-24 2014-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-functional polishing pad
US8551201B2 (en) 2009-08-07 2013-10-08 Praxair S.T. Technology, Inc. Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5893479B2 (ja) * 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
US8512427B2 (en) * 2011-09-29 2013-08-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Acrylate polyurethane chemical mechanical polishing layer
US9144880B2 (en) * 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014233834A5 (ja)
JP2014233835A5 (ja)
JP2014233833A5 (ja)
US8685528B2 (en) Shape memory polymer and adhesive combination and methods of making and using the same
US8628838B2 (en) Multilayer thermo-reversible dry adhesives
TWI362407B (en) Pressure-sensitive adhesive tape
JP2015047692A5 (ja)
JP2010526910A5 (ja)
JP2015047691A5 (ja)
TWI312305B (en) Pad constructions for chemical mechanical planarization applications
TWI329065B (ja)
JP5061308B2 (ja) 密着シート
JP2017514704A5 (ja)
TWI540192B (zh) A heat-fusing agent sheet for a laminated polishing pad, and a support layer for a bonding layer
JP5959390B2 (ja) 研磨パッド用シート、研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨方法
JP2014097567A5 (ja)
JP2011518063A (ja) 接着物品
JP2017002292A5 (ja)
US9227296B2 (en) Polishing pad
TW200914573A (en) Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip
JP2012516365A (ja) 支持体補強された熱活性可能な接着剤
TW200920548A (en) Cushion for polishing pad and polishing pad using the same
TW200416107A (en) Method of using a soft subpad for chemical mechanical polishing
US9457452B2 (en) Method for producing laminated polishing pad
JP5985287B2 (ja) 積層研磨パッド及びその製造方法