JP2015047691A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 研磨面、ベース面、及び、前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層であって、
前記研磨層がキャストポリウレタンであり、前記キャストポリウレタンが、
(a)(i)多官能イソシアネート(ここで、多官能イソシアネートは、トルエンジイソシアネートである)、及び
(ii)ポリエーテル系ポリオール(ここで、ポリエーテル系ポリオールは、ポリプロピレングリコール系ポリオールである)
の反応によって得られる、イソシアネート末端プレポリマー(ここで、イソシアネート末端プレポリマーは、>8.7〜9重量%の未反応NCOを有する)、
(b)硬化剤(ここで、硬化剤は、第一級アミン及び第二級アミンからなる群より選択される二官能硬化剤である)、ならびに
場合によっては、(c)複数の微小エレメント
を含む成分の反応生成物であり、
イソシアネート末端プレポリマー中の未反応イソシアネート(NCO)基に対する硬化剤中のアミン(NH 2 )基とヒドロキシル(OH)基との合計の化学量論比が、80〜<95%であり、
前記研磨層が、0.6よりも高い比重、60〜90のショアD硬さ及び100〜300%の破断点伸びを示し、
前記研磨層が、前記研磨層の試料の長さ寸法が25℃の脱イオン水中24時間の浸漬ののち<1%変化する初期加水分解安定性を示し、
前記研磨層が、前記研磨層の前記試料の前記長さ寸法が25℃の脱イオン水中7日間の浸漬ののち≧1.75%変化する持続的加水分解不安定性を示す研磨層と、
上面及び下面を有する硬質層(ここで、硬質層は、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートであり、6〜15ミルの平均厚さT R-avg を有し、<0.01容量%のボイド率を示し、2,500〜7,500MPaのヤング率を示す)と、
前記研磨層の前記ベース面と前記硬質層の前記上面との間に挿入され、前記研磨層を前記硬質層に接着するホットメルト接着剤と、
スタック側及びプラテン側を有する感圧プラテン接着剤層であって、前記スタック側が前記硬質層の前記下面に隣接する感圧プラテン接着剤層と、
場合によっては、前記感圧プラテン接着剤層の前記プラテン側に配置される任意選択の剥離ライナとを含む、化学機械研磨パッド。 - 前記硬質層の前記上面及び前記下面が溝を有しない、請求項1記載の化学機械研磨パッド。
- 前記硬質層が3,000〜7,000MPaのヤング率を有する、請求項1又は2記載の化学機械研磨パッド。
- 前記研磨層が、0.6よりも高い比重、61〜75のショアD硬さ及び100〜200%の破断点伸びを示す、請求項1〜3のいずれかに記載の化学機械研磨パッド。
- 終点検出ウィンドウをさらに含む、請求項1〜4のいずれかに記載の化学機械研磨パッド。
- 前記終点検出ウィンドウが一体型ウィンドウである、請求項5記載の化学機械研磨パッド。
- 前記終点検出ウィンドウがプラグ配置ウィンドウである、請求項5又は6記載の化学機械研磨パッド。
- 磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供する工程、
請求項1〜7のいずれかに記載の化学機械研磨パッドを提供する工程、
前記研磨層の研磨面と前記基材との間に動的接触を生じさせて前記基材の表面を研磨する工程、及び
砥粒コンディショナによって前記研磨面をコンディショニングする工程を含む、
基材を研磨する方法。
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