JP2005136400A5 - - Google Patents

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本発明のさらなる態様は、半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも0.1容量%の気孔率を有するポリウレタンポリマー材料を含み、ポリウレタンポリマー材料が、トルエンジイソシアネートとポリテトラメチレンエーテルグリコールとのプレポリマー反応生成物と、4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリンとから形成され、プレポリマー反応生成物が、5.5〜8.6重量%のNCOを有し、NH 2 とNCOとの化学量論比80〜110%を有するものである研磨パッドを提供する。
NCO重量%を制御することに加えて、プレポリマー反応生成物は、好ましくは、NH 2 とNCOとの化学量論比80〜110%を有し、もっとも好ましくは、NH 2 とNCOとの化学量論比80〜100%を有する。

Claims (5)

  1. 半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも0.1容量%の気孔率、40℃及び1rad/secで385〜750 l/PaのKELエネルギー損失係数ならびに40℃及び1rad/secで100〜400MPaの弾性率E′を有するポリマー材料を含む研磨パッド。
  2. 半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも0.1容量%の気孔率、40℃及び1rad/secで405〜600 l/PaのKELエネルギー損失係数、40℃及び1rad/secで140〜300MPaの弾性率E′ならびに20〜60のショアD硬さを有するポリマー材料を含む研磨パッド。
  3. 半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも0.1容量%の気孔率を有するポリウレタンポリマー材料を含み、前記ポリウレタンポリマー材料が、トルエンジイソシアネートとポリテトラメチレンエーテルグリコールとのプレポリマー反応生成物と、4,4′−メチレン−ビス−o−クロロアニリンとから形成され、前記プレポリマー反応生成物が、5.5〜8.6重量%のNCOを有し、NH2対NCOの化学量論比80対110%を有するものである研磨パッド。
  4. 少なくとも0.1容量%の気孔率、40℃及び1rad/secで405〜600 l/PaのKELエネルギー損失係数、40℃及び1rad/secで140〜300MPaの弾性率E′ならびに20〜60のショアD硬さを有するポリマー材料を含む、請求項記載の研磨パッド。
  5. 半導体基材を研磨する方法であって、少なくとも0.1容量%の気孔率、40℃及び1rad/secで385〜750 l/PaのKELエネルギー損失係数ならびに40℃及び1rad/secで100〜400MPaの弾性率E′を有するポリマー材料を含む、半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドを用いて半導体基材を研磨する工程を含む方法。
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