JP6968651B2 - 研磨パッド及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 167
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 14
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 67
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 67
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- -1 isocyanate compound Chemical class 0.000 description 69
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 42
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 241001112258 Moca Species 0.000 description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 21
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 19
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 17
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 15
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPBDXSGPUHCETR-JFUDTMANSA-N 8883yp2r6d Chemical compound O1[C@@H](C)[C@H](O)[C@@H](OC)C[C@@H]1O[C@@H]1[C@@H](OC)C[C@H](O[C@@H]2C(=C/C[C@@H]3C[C@@H](C[C@@]4(O[C@@H]([C@@H](C)CC4)C(C)C)O3)OC(=O)[C@@H]3C=C(C)[C@@H](O)[C@H]4OC\C([C@@]34O)=C/C=C/[C@@H]2C)/C)O[C@H]1C.C1C[C@H](C)[C@@H]([C@@H](C)CC)O[C@@]21O[C@H](C\C=C(C)\[C@@H](O[C@@H]1O[C@@H](C)[C@H](O[C@@H]3O[C@@H](C)[C@H](O)[C@@H](OC)C3)[C@@H](OC)C1)[C@@H](C)\C=C\C=C/1[C@]3([C@H](C(=O)O4)C=C(C)[C@@H](O)[C@H]3OC\1)O)C[C@H]4C2 SPBDXSGPUHCETR-JFUDTMANSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOEYXMAFNDNNED-UHFFFAOYSA-N metolcarb Chemical compound CNC(=O)OC1=CC=CC(C)=C1 VOEYXMAFNDNNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC(N=C=O)=C1 VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatopropane Chemical compound O=C=NCCCN=C=O IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIZPGZFVROGOIR-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatonaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=C(N=C=O)C2=C1 SIZPGZFVROGOIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)propan-2-ol Chemical compound CC(O)CNCCN CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTZHXCBUWSTOPO-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-4-[(4-isocyanato-3-methylphenyl)methyl]-2-methylbenzene Chemical compound C1=C(N=C=O)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N=C=O)=CC=2)=C1 DTZHXCBUWSTOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLSQYTKEUVPIJA-UHFFFAOYSA-N 2-(1-aminopropan-2-ylamino)ethanol Chemical compound NCC(C)NCCO QLSQYTKEUVPIJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNKSAALXGVBEIG-UHFFFAOYSA-N 2-n-ethylpropane-1,2-diamine Chemical compound CCNC(C)CN BNKSAALXGVBEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000103 Expandable microsphere Polymers 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- SPTUBPSDCZNVSI-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.COC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1OC Chemical compound N=C=O.N=C=O.COC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1OC SPTUBPSDCZNVSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KRGNPJFAKZHQPS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethene Chemical group C=C.ClC=C KRGNPJFAKZHQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000004872 foam stabilizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- C08G18/4854—Polyethers containing oxyalkylene groups having four carbon atoms in the alkylene group
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- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
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Description
特許文献1には、半導体デバイスのディッシングを減少させるために、DMAで測定される貯蔵弾性率(E’)やその30℃/90℃の比、エネルギー損失因子(KEL)などを特定の範囲とする研磨パッドが開示されている。特許文献2には、特許文献1とは異なる周波数(特許文献1:10ラジアン/秒、特許文献2:1ラジアン/秒)のKEL及びE’を特定の範囲とすることでプラナリゼーション性能と低い欠陥性能を実現した研磨パッドが開示されている。また、これらの指標を満たす研磨パッドとして、例えば、IC1000(登録商標、ニッタ・ハース社製)などの研磨パッドが知られている。
〔1〕 略球状の気泡を含むポリウレタンシートを有する研磨層を備える研磨パッドであって、
温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(90%)とし、
温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(30%)とするとき、
E’(90%)/E’(30%)が、0.4〜0.7の範囲内である、前記研磨パッド。
〔2〕 温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(90%)とし、
温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(30%)とするとき、
KEL(90%)/KEL(30%)が、2〜4の範囲内である、〔1〕に記載の研磨パッド。
〔3〕 前記ポリウレタンシートのE’(30%)が、280〜600MPaである、〔1〕又は〔2〕に記載の研磨パッド。
〔4〕 前記ポリウレタンシートのKEL(90%)が、450〜1500(1/Pa)である、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の研磨パッド。
〔5〕 前記ポリウレタンシートが、平均粒径10〜150μmの中空体を含む、〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の研磨パッド。
<<研磨パッド>>
本発明の研磨パッドは、略球状の気泡を含むポリウレタンシートを有する研磨層を備える研磨パッドであって、温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(90%)とし、温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(30%)とするとき、E’(90%)/E’(30%)が、0.4〜0.7の範囲内である研磨パッドである。
また、略球状とは、乾式法で成形される成形体に存在する通常の気泡形状(等方性があり、球状、楕円状、あるいはこれらに近い形状である)を意味する概念であり、湿式法で成形される成形体に含まれる気泡形状(異方性があり、研磨パッドの研磨層表面から底部に向けて径が大きい構造を有する)と区別するために用いられる。従って、略球状の気泡を含むポリウレタンシートは、乾式法で成形されるポリウレタンシートと言い換えることができる。
本明細書及び特許請求の範囲において、貯蔵弾性率(E’)及び損失弾性率(E’’)は、それぞれ、JIS K7244−4で準じ、23℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける、貯蔵弾性率及び損失弾性率である。
また、本明細書及び特許請求の範囲において、tanδは、貯蔵弾性率に対する損失弾性率の割合であり、以下のよう定義される。
tanδ=E’’/E’
また、本明細書及び特許請求の範囲において、エネルギー損失因子(KEL、単位:1/Pa)は、tanδ及び貯蔵弾性率(E’)を用いて、次式により定義される。
KEL=tanδ×1012/(E’×(1+tanδ2))
式中、E’は、パスカル単位である。
本明細書及び特許請求の範囲において、「23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた」ポリウレタンシートとは、23℃、相対湿度90%の恒温恒湿槽中に40時間以上置かれたポリウレタンシートを意味する。当該ポリウレタンシートは、貯蔵弾性率やKELの測定直前(好ましくは測定前1分以内)に恒温恒湿槽から取り出される。
同様に、「23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた」ポリウレタンシートは、23℃、相対湿度30%の恒温恒湿槽中に40時間以上置かれたポリウレタンシートを意味する。当該ポリウレタンシートは、貯蔵弾性率やKELの測定直前(好ましくは測定前1分以内)に恒温恒湿槽から取り出される。
本発明の研磨パッドは、温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(90%)とし、温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、相対湿度30%、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(30%)とするとき、E’(90%)/E’(30%)が、0.4〜0.7の範囲内である。E’(90%)/E’(30%)は、0.45〜0.65の範囲内であることが好ましく、0.5〜0.62の範囲内であることがより好ましい。
E’(90%)/E’(30%)が上記範囲内であると、高い研磨レートを維持しつつスクラッチの発生を低減することができる。
本発明の研磨パッドは、ポリウレタンシートの貯蔵弾性率E’(90%)が、100〜400MPaであることが好ましく、120〜350MPaであることがより好ましく、150〜300MPaであることがさらにより好ましい。
本発明の研磨パッドは、温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(90%)とし、温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(30%)とするとき、KEL(90%)/KEL(30%)が、2〜4の範囲内であることが好ましい。KEL(90%)/KEL(30%)は、2.5〜4.0の範囲内であることがより好ましく、2.8〜3.8の範囲内であることがさらにより好ましい。
KEL(90%)/KEL(30%)が上記範囲内であると、高い研磨レートを維持しつつスクラッチの発生を低減することができる。
本発明の研磨パッドは、ポリウレタンシートのKEL(30%)が、100〜450(1/Pa)であることが好ましく、120〜400(1/Pa)であることがより好ましく、150〜360(1/Pa)であることがさらにより好ましい。
本明細書及び特許請求の範囲において、中空体とは、空隙を有する略球状の微小球体を意味する。略球状の微小球体には、球状、楕円状、及びこれらに近い形状のものが含まれる。中空体の例としては、熱可塑性樹脂からなる外殻(ポリマー殻)と、外殻に内包される低沸点炭化水素とからなる未発泡の加熱膨張性微小球状体を、加熱膨張させたものが挙げられる。
前記ポリマー殻としては、特開昭57−137323号公報等に開示されているように、例えば、アクリロニトリル−塩化ビニリデン共重合体、アクリロニトリル−メチルメタクリレート共重合体、塩化ビニル−エチレン共重合体などの熱可塑性樹脂を用いることができる。同様に、ポリマー殻に内包される低沸点炭化水素としては、例えば、イソブタン、ペンタン、イソペンタン、石油エーテル等を用いることができる。
中空体を含むことにより、研磨時に研磨スラリーを保持し、被研磨物の研磨に寄与することが可能となる。
なお、平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(例えばスペクトリス(株)製、マスターサイザー2000)により測定することができる。
本発明の研磨パッドにおけるポリウレタンシートの厚みに特に制限はないが、例えば、0.5〜3.0mm、好ましくは0.5〜2.0mm、より好ましくは1.0〜1.5mmの範囲で用いることができる。
本明細書及び特許請求の範囲において、ポリウレタン樹脂の構成成分とは、その後の重合反応によりポリウレタン樹脂を構成する鎖の一部として組み込まれるポリウレタン樹脂の原料成分を意味する。
本発明の研磨パッドのポリウレタンシートを構成するポリウレタン樹脂の構成成分としては、ポリウレタン樹脂の原料成分、すなわち、ポリイソシアネート成分、ポリオール成分、及び、任意成分としてのポリアミン成分が挙げられる。ポリイソシアネート成分としては、後述する(B)ポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリオール化合物としては、(C)ポリオール化合物及び(D−2)プレポリマ合成後に用いられてもよいポリオール化合物が挙げられる。ポリアミン成分としては、(D−1)ポリアミン化合物が挙げられる。
本発明の研磨パッドにおけるポリウレタンシートは、ポリウレタン樹脂を構成するポリオール成分として、数平均分子量500〜1500のポリ(オキシテトラメチレン)グリコールを含むことが好ましい。ポリ(オキシテトラメチレン)グリコールは、数平均分子量が600〜1300であることがより好ましく、650〜1000であることがさらにより好ましい。
本発明の研磨パッドは、例えば、下記の製造方法により得ることができる。
本発明の製造方法は、少なくとも、プレポリマとしてのポリウレタン結合含有イソシアネート化合物(A)と、硬化剤(D)とを混合して成形体成形用混合液を得る工程(混合工程);及び、前記成形体成形用混合液からポリウレタン樹脂成形体を成形してポリウレタンシートを得る工程(成形体成形工程)、を含む。
以下、各工程について説明する。
混合工程では、ポリウレタンシートの原料として、少なくとも、ポリウレタン結合含有イソシアネート化合物(A)、硬化剤(D)を混合する。また、本発明の効果を損なわない範囲で、上記以外の成分を併せて用いてもよい。
以下、各成分について説明する。
プレポリマとしてのポリウレタン結合含有イソシアネート化合物(A)(以下、(A)成分と呼ぶことがある。)は、下記ポリイソシアネート化合物(B)とポリオール化合物(C)とを、通常用いられる条件で反応させることにより得られる化合物であり、ポリウレタン結合とイソシアネート基を分子内に含むものである。また、本発明の効果を損なわない範囲内で、他の成分がポリウレタン結合含有イソシアネート化合物に含まれていてもよい。
本明細書及び特許請求の範囲において、ポリイソシアネート化合物とは、分子内に2つ以上のイソシアネート基を有する化合物を意味する。
ポリイソシアネート化合物(B)(以下、(B)成分と呼ぶことがある。)としては、分子内に2つ以上のイソシアネート基を有していれば特に制限されるものではない。例えば、分子内に2つのイソシアネート基を有するジイソシアネート化合物としては、m−フェニレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート(2,6−TDI)、2,4−トリレンジイソシアネート(2,4−TDI)、ナフタレン−1,4−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、4,4’−メチレン−ビス(シクロヘキシルイソシアネート)(水添MDI)、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ビフェニルジイソシアネート、3,3’−ジメチルジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、キシリレン−1,4−ジイソシアネート、4,4’−ジフェニルプロパンジイソシアネート、トリメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、プロピレン−1,2−ジイソシアネート、ブチレン−1,2−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−1,2−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−1,4−ジイソシアネート、p−フェニレンジイソチオシアネート、キシリレン−1,4−ジイソチオシアネート、エチリジンジイソチオシアネート等を挙げることができる。
ポリイソシアネート化合物としては、ジイソシアネート化合物が好ましく、中でも2,4−TDI、2,6−TDI、MDIがより好ましく、2,4−TDI、2,6−TDIが特に好ましい。
これらのポリイソシアネート化合物は、単独で用いてもよく、複数のポリイソシアネート化合物を組み合わせて用いてもよい。
本明細書及び特許請求の範囲において、ポリオール化合物とは、分子内に2つ以上のアルコール性水酸基(OH)を有する化合物を意味する。
プレポリマとしてのポリウレタン結合含有イソシアネート化合物の合成に用いられるポリオール化合物(C)(以下、(C)成分と呼ぶことがある。)としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、ブチレングリコール等のジオール化合物、トリオール化合物等;ポリプロピレングリコール(PPG)、ポリ(オキシテトラメチレン)グリコール(PTMG)等のポリエーテルポリオール化合物;エチレングリコールとアジピン酸との反応物やブチレングリコールとアジピン酸との反応物等のポリエステルポリオール化合物;ポリカーボネートポリオール化合物、ポリカプロラクトンポリオール化合物等を挙げることができる。また、エチレンオキサイドを付加した3官能性プロピレングリコールを用いることもできる。これらの中でも、PTMGが好ましく、PTMGとDEGを組み合わせて用いることも好ましい。PTMGの数平均分子量(Mn)は、500〜2000であることが好ましく、600〜1300であることがより好ましく、650〜1000であることがさらにより好ましい。数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(Gel Permeation Chromatography:GPC)により測定することができる。なお、ポリウレタン樹脂からポリオール化合物の数平均分子量を測定する場合は、アミン分解等の常法により各成分を分解した後、GPCによって推定することもできる。
上記第1のポリオール化合物(C)は単独で用いてもよく、複数のポリオール化合物を組み合わせて用いてもよい。
また、“(ポリイソシアネート化合物(B)の質量部+ポリオール化合物(C)の質量部)/[(ポリイソシアネート化合物(B)1分子当たりの官能基数×ポリイソシアネート化合物(B)の質量部/ポリイソシアネート化合物(B)の分子量)−(ポリオール化合物(C)1分子当たりの官能基数×ポリオール化合物(C)の質量部/ポリオール化合物(C)の分子量)]”で求められるプレポリマのNCO当量は、NCO基1個当たりのPP(プレポリマ)の分子量を示す数値である。該NCO当量は、200〜800であることが好ましく、300〜700であることがより好ましく、350〜600であることがさらにより好ましく、400〜500であることが特に好ましい。
本発明の製造方法では、混合工程において硬化剤(鎖伸長剤ともいう)をポリウレタン結合含有イソシアネート化合物などと混合させる。硬化剤を加えることにより、その後の成形体成形工程において、プレポリマとしてのポリウレタン結合含有イソシアネート化合物の主鎖末端が硬化剤と結合してポリマー鎖を形成し、硬化する。
硬化剤としては、例えば、ポリアミン化合物及び/又はポリオール化合物を用いることが出来る。
硬化剤は、プレポリマ100質量部に対して、10〜60質量部添加されることが好ましく、20〜50質量部添加されることがより好ましく、20〜40質量部添加されることがさらにより好ましく、30〜40質量部添加されることがさらにより好ましい。
本明細書及び特許請求の範囲において、ポリアミン化合物とは、分子内に2つ以上のアミノ基を有する化合物を意味する。
ポリアミン化合物(D−1)(以下、(D−1)成分と呼ぶことがある。)としては、脂肪族や芳香族のポリアミン化合物、特にはジアミン化合物を使用することができ、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、イソホロンジアミン、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジアミン、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(メチレンビス−o−クロロアニリン)(以下、MOCAと略記する。)、MOCAと同様の構造を有するポリアミン化合物等を挙げることができる。また、ポリアミン化合物が水酸基を有していてもよく、このようなアミン系化合物として、例えば、2−ヒドロキシエチルエチレンジアミン、2−ヒドロキシエチルプロピレンジアミン、ジ−2−ヒドロキシエチルエチレンジアミン、ジ−2−ヒドロキシエチルプロピレンジアミン、2−ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、ジ−2−ヒドロキシプロピルエチレンジアミン等を挙げることができる。
ポリアミン化合物としては、ジアミン化合物が好ましく、MOCA、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンがより好ましく、MOCAが特に好ましい。
本明細書及び特許請求の範囲において、「固形MOCA」及び「粗製MOCA」を用いた場合には、上記の固形MOCA及び粗製MOCAをそれぞれ意味するものする。
ポリアミン化合物(D−1)は、単独で用いてもよく、複数のポリアミン化合物(D−1)を組み合わせて用いてもよい。
硬化剤(鎖伸長剤)として固体の化合物を用いる場合は、加熱により溶融させつつ、減圧下脱泡することができる。
ポリアミン化合物(D−1)は、プレポリマ100質量部に対して、10〜50質量部添加されることが好ましく、15〜40質量部添加されることがより好ましく、20〜30質量部添加されることがさらにより好ましい。
また、本発明においては、前記プレポリマとしてのイソシアネート基含有化合物を形成するために用いられるポリオール化合物(C)とは別に、硬化剤としてポリオール化合物(D−2)を用いてもよい。
該ポリオール化合物(D−2)としては、ジオール化合物やトリオール化合物等の化合物であれば特に制限なく用いることができる。また、プレポリマを形成するのに用いられるポリオール化合物(C)と同一であっても異なっていてもよい。
具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオールなどの低分子量ジオール、ポリ(オキシテトラメチレン)グリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの高分子量のポリオール化合物などが挙げられる。これらの中でも、ポリプロピレングリコールが好ましく、数平均分子量が1000〜3000のポリプロピレングリコールがより好ましく、数平均分子量が1500〜2500のポリプロピレングリコールがさらにより好ましい。
上記ポリオール化合物(D−2)は単独で用いてもよく、複数のポリオール化合物(D−2)を組み合わせて用いてもよい。
ポリオール化合物(D−2)は、プレポリマ100質量部に対して、0〜15質量部添加されることが好ましく、5〜15質量部添加されることがより好ましく、5〜10質量部添加されることがさらにより好ましい。
本発明の研磨パッドの製造方法では、プレポリマとしてのポリウレタン結合含有イソシアネート化合物(A)の末端に存在するイソシアネート基に対する、硬化剤(D)に存在する活性水素基(アミノ基及び水酸基)の当量比であるr値が、0.70〜1.30となるように各成分を混合することが好ましく、0.75〜1.20がより好ましく、0.80〜1.10がさらにより好ましく、0.80〜1.00がさらにより0.85〜0.95がさらにより好ましい。
r値が上記範囲内であると、研磨傷の発生を低減することができ、且つ研磨レートにも優れる研磨パッドが得られやすい。
本発明の研磨パッド製造方法においては、中空体を用いて、ポリウレタン樹脂成形体内部に略球状の気泡を内包させることが好ましい。
中空体としては、平均粒径10〜150μmの中空体を用いることが好ましい。中空体の平均粒径は、15〜130μmであることがより好ましく、20〜100μmであることがさらにより好ましく、20〜60μmであることがさらにより好ましく、30〜50μmであることが特に好ましい。
なお、平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(例えばスペクトリス(株)製、マスターサイザー2000)により測定することができる。
また、前記各成分に加えて、公知の整泡剤、難燃剤、着色剤、可塑剤等を添加してもよい。
例えば、前記中空体を含む30℃〜90℃に加温したプレポリマ(ポリウレタン結合含有イソシアネート)溶液に、硬化剤を温調可能なジャケット付き混合機に投入し、30℃〜130℃で攪拌することが出来る。必要に応じ攪拌機付きジャケット付きのタンクに混合液を受けて熟成させても良い。攪拌時間は混合機の歯数や回転数、クリアランス等によって適宜調整するが、例えば1〜60秒である。
成形体成形工程では、前記混合工程で調製された成形体成形用混合液を30〜100℃に予熱した型枠内に流し込み、100〜150℃程度で10分〜5時間程度加熱して硬化させることによりポリウレタン樹脂を成形する。このとき、プレポリマ、硬化剤が反応してポリウレタン樹脂を形成することにより、ウレタン重合時に発生する二酸化炭素の気泡や中空体が前記樹脂中に分散された状態で該混合液は硬化する。これにより、略球状の気泡を多数含むポリウレタン樹脂成形体が形成される。
研削処理の方法に特に制限はなく、公知の方法により研削することができる。具体的には、サンドペーパーによる研削が挙げられる。
溝加工及びエンボス加工の形状に特に制限はなく、例えば、格子型、同心円型、放射型などの形状が挙げられる。
本発明の研磨パッドは、高い研磨レートを維持しつつ、スクラッチの発生を低減することができる。その理由は明らかではないが、以下のように推測される。
本発明の研磨パッドは、相対湿度が低い場合に比べて相対湿度が高い場合の貯蔵弾性率が小さくなる。研磨パッドを用いて被研磨物を研磨加工すると、供給される研磨スラリーにより特に研磨パッド研磨表面において相対湿度が非常に高くなり、研磨パッドの研磨表面が研磨パッド内部よりも相対湿度が高い状態になるものと考えられる。本発明の研磨パッドは、相対湿度が非常に高い研磨表面の貯蔵弾性率を、相対湿度がそれほど高くない研磨パッド内部の貯蔵弾性率よりも小さくすることができるため、研磨表面が軟質化し、研磨傷の発生を抑制することが出来ると考えられる。その一方で、研磨パッド内部は研磨表面に比べると硬質のままであるため、適度な研磨レートが維持できると考えられる。
r値とは、上述したように、プレポリマ中の末端イソシアネート基に対する、硬化剤に存在する活性水素基(アミノ基及び水酸基)の当量比を示す数値である。
2,4−トリレンジイソシアネート(TDI)、ポリ(オキシテトラメチレン)グリコール(PTMG)及びジエチレングリコール(DEG)を反応させてなるNCO当量460のイソシアネート基末端ウレタンプレポリマ100部に、殻部分がアクリロニトリル−塩化ビニリデン共重合体からなり、殻内にイソブタンガスが内包された粒子の大きさが30〜50μmの膨脹させた微小中空球状体(商品名:EXPANCEL 551 DE40d42(エクスパンセル社製))1.7部を添加混合し、混合液を得た。得られた混合液を第1液タンクに仕込み、80℃で保温した。次に、第1液とは別途に、硬化剤として固形MOCA17部、粗製MOCA8.5部及びポリプロピレングリコール(PPG)8.5部を添加混合し、第2液タンク内で120℃で保温した。第1液タンク,第2液タンクの夫々の液体を、注入口を2つ具備した混合機に夫々の注入口からプレポリマ中の末端イソシアネート基に対する硬化剤に存在するアミノ基及び水酸基の当量比を表わすr値が0.90となるように注入した。注入した2液を混合攪拌しながら100℃に予熱した成形機の金型へ注入した後、型締めをし、30分間、110℃で加熱し一次硬化させた。一次硬化させた成形物を脱型後、オーブンにて130℃で2時間二次硬化し、ウレタン成形物を得た。得られたウレタン成形物を25℃まで放冷した後に、再度オーブンにて120℃で5時間加熱してから1.3mmの厚みにスライスし、研磨パッドを得た。
第1液にさらに4,4’−メチレン−ビス(シクロヘキシルイソシアネート)(水添MDI)2部を混合し、第2液を固形MOCA19.6部及び粗製MOCA8.4部の混合液として用いた実施例1と同様の方法で作製し、研磨パッドを得た。
微小中空球状体の粒子の大きさを90〜130μm(商品名:マツモトマイクロスフェアF−80DE(松本油脂製薬(株)製))に変更した以外は、実施例2と同様の方法で作製し、研磨パッドを得た。
比較例1では、ニッタ・ハース社製の商品名IC1000の研磨パッドを用いた。
上記の各実施例及び比較例について、23℃、相対湿度90%又は30%の環境下に曝しておいた研磨パッド(ポリウレタンシート)を取り出し、40℃における貯蔵弾性率E’(90%)又はE’(30%)を求めた。また、23℃、相対湿度90%又は30%の環境下に曝しておいた研磨パッド(ポリウレタンシート)を取り出し、40℃におけるKEL(90%)又はKEL(30%)を求めた。具体的な測定方法は、以下のとおりである。
貯蔵弾性率(MPa)及びtanδは、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン RSAIIIにより、JIS K7244−4に準じ、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、40℃、相対湿度が90%又は30%での試験片4×0.5×0.125mmにて測定した。
測定装置:ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン RSAIII
試験モード:引っ張り 温度分散
試験片:4×0.5×0.125cm
周波数:1.6Hz
初荷重:148g
温度:40℃
歪範囲:0.1%
また、湿度変化については、試験片を測定前に40時間以上恒温恒湿槽中に保管した後に測定することで行った。恒温恒湿槽中では、温度を23℃(±2℃)で一定にし、相対湿度を30%(±5%)又は90%(±5%)に固定したそれぞれの試験片について測定を行った。
KELは、上記測定により得られた貯蔵弾性率E’及びtanδの値を基に、
KEL=tanδ×1012/(E’×(1+tanδ2))
上式により算出した。
その結果を、表1に示す。
各実施例及び比較例の研磨パッドについて、以下の研磨条件で研磨加工を行い、研磨レート、研磨傷発生個数を測定した。被研磨物としては、12インチのシリコンウエハ上にテトラエトキシシランをプラズマCVD(PE−CVD)で絶縁膜1μmの厚さになるように形成した基板(以下、TEOS膜基板)、又はCuメッキ基板(以下、Cu膜基板)を用いた。
研磨レートは、1分間あたりの研磨量を厚さ(Å)で表したものである。研磨加工後のウエハ上のTEOS膜又はCu膜について121箇所で厚みを測定し、研磨された厚さの平均値を求めた。研磨された厚さの平均値を研磨時間で除することにより研磨レート(Å/分)を求めた。TEOS膜基板及びCu膜基板のそれぞれについて50枚の基板を研磨加工し、所定の枚数における研磨レートを調べた。なお、厚さ測定は、光学式膜厚膜質測定器(KLAテンコール社製、型番「ASET−F5x」)のDBSモードにて測定した。
実施例1〜3及び比較例1の研磨パッドを用いてTEOS膜及びCu膜を研磨したときの研磨レートを、それぞれ図1、2に示す。
また、立ち上がりを考慮し、TEOS膜基板・Cu膜基板ともに、10枚目以降50枚目までの研磨レートの平均値を表1に示す。
研磨傷の発生個数は、TEOS膜基板については50枚の基板を研磨加工し、Cu膜基板については31枚研磨加工し、各基板について、Surfscan SP−1DLS(KLAテンコール社製)WIDE Modeにて基板表面における研磨傷の発生個数を求めた。なお、TEOS膜基板については90nmより大きい研磨傷を、Cu膜基板では115nmより大きい研磨傷(スクラッチ及びマイクロスクラッチ)の個数をディフェクト数として計測した。
なお、上記試験で用いた研磨条件は以下の通りである。
・使用研磨機:荏原製作所社製、F−REX300
・Disk:旭ダイヤモンド工業社製、C100
・回転数:(定盤)70rpm、(トップリング)71rpm
・研磨圧力:3.5psi
・研磨剤温度:20℃
・研磨剤吐出量:200ml/min
なお、被研磨物及び使用した研磨剤は、下記のとおりである。
<TEOS膜研磨>
・使用ワーク(被研磨物):12インチφシリコンウエハ上にテトラエトキシシランをプラズマCVD(PE−CVD)で絶縁膜1μmの厚さになるように形成した基板
・研磨スラリー:キャボット社製、品番:SS25(原液:純水=1:1の混合液を使用)
<Cu膜研磨>
・使用ワーク(被研磨物):Cuメッキ基板
・研磨剤:キャボット社製Cu用スラリー
実施例1〜3及び比較例1の研磨パッドを用いてTEOS膜及びCu膜を研磨したときのディフェクト数を、それぞれ図3、4に示す。
また、立ち上がりを考慮し、TEOS膜基板・Cu膜基板ともに、10枚目以降50枚目までのディフェクト数の平均値を表1に示す。
Claims (4)
- 略球状の気泡を含むポリウレタンシートを有する研磨層を備える研磨パッドであって、
温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(90%)とし、
温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率をE’(30%)とするとき、
E’(90%)/E’(30%)が、0.4〜0.7の範囲内であり、且つ
温度23℃、相対湿度90%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(90%)とし、
温度23℃、相対湿度30%の環境下に曝しておいた前記ポリウレタンシートの、40℃、初期荷重148g、歪範囲0.1%、測定周波数1.6Hz、引っ張りモードにおけるKELをKEL(30%)とするとき、
KEL(90%)/KEL(30%)が、2〜4の範囲内である、前記研磨パッド。 - 前記ポリウレタンシートのE’(30%)が、280〜600MPaである、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記ポリウレタンシートのKEL(90%)が、450〜1500(1/Pa)である、請求項1又は2に記載の研磨パッド。
- 前記ポリウレタンシートが、平均粒径10〜150μmの中空体を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッド。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017198435A JP6968651B2 (ja) | 2017-10-12 | 2017-10-12 | 研磨パッド及びその製造方法 |
TW107135733A TWI768134B (zh) | 2017-10-12 | 2018-10-11 | 研磨墊及其製造方法 |
CN201880066479.5A CN111212705B (zh) | 2017-10-12 | 2018-10-12 | 研磨垫及其制造方法 |
US16/650,597 US11654526B2 (en) | 2017-10-12 | 2018-10-12 | Polishing pad and method for manufacturing same |
PCT/JP2018/038099 WO2019074098A1 (ja) | 2017-10-12 | 2018-10-12 | 研磨パッド及びその製造方法 |
KR1020207011140A KR102587715B1 (ko) | 2017-10-12 | 2018-10-12 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
EP18867218.2A EP3695936A4 (en) | 2017-10-12 | 2018-10-12 | POLISHING PAD AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017198435A JP6968651B2 (ja) | 2017-10-12 | 2017-10-12 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019072777A JP2019072777A (ja) | 2019-05-16 |
JP6968651B2 true JP6968651B2 (ja) | 2021-11-17 |
Family
ID=66101411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017198435A Active JP6968651B2 (ja) | 2017-10-12 | 2017-10-12 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11654526B2 (ja) |
EP (1) | EP3695936A4 (ja) |
JP (1) | JP6968651B2 (ja) |
KR (1) | KR102587715B1 (ja) |
CN (1) | CN111212705B (ja) |
TW (1) | TWI768134B (ja) |
WO (1) | WO2019074098A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI824280B (zh) * | 2020-08-24 | 2023-12-01 | 南韓商Sk恩普士股份有限公司 | 研磨墊及使用該研磨墊之用於製備半導體裝置的方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE439599B (sv) | 1981-01-14 | 1985-06-24 | Kema Nord Ab | Sett att torka och expandera i vetska dispergerade, termoplastiska mikrosferer innehallande, flyktiga, flytande jesmedel |
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DE60114183T2 (de) | 2000-05-27 | 2006-07-13 | Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc., Newark | Polierkissen zum chemisch-mechanischen planarisieren |
US6749485B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-06-15 | Rodel Holdings, Inc. | Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6736709B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
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US20150375361A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
JP6382659B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-08-29 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
US10875153B2 (en) * | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
-
2017
- 2017-10-12 JP JP2017198435A patent/JP6968651B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-11 TW TW107135733A patent/TWI768134B/zh active
- 2018-10-12 CN CN201880066479.5A patent/CN111212705B/zh active Active
- 2018-10-12 WO PCT/JP2018/038099 patent/WO2019074098A1/ja unknown
- 2018-10-12 EP EP18867218.2A patent/EP3695936A4/en active Pending
- 2018-10-12 US US16/650,597 patent/US11654526B2/en active Active
- 2018-10-12 KR KR1020207011140A patent/KR102587715B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111212705A (zh) | 2020-05-29 |
KR102587715B1 (ko) | 2023-10-12 |
TWI768134B (zh) | 2022-06-21 |
EP3695936A4 (en) | 2021-07-14 |
US11654526B2 (en) | 2023-05-23 |
EP3695936A1 (en) | 2020-08-19 |
KR20200066316A (ko) | 2020-06-09 |
TW201923875A (zh) | 2019-06-16 |
CN111212705B (zh) | 2022-03-01 |
JP2019072777A (ja) | 2019-05-16 |
US20200230780A1 (en) | 2020-07-23 |
WO2019074098A1 (ja) | 2019-04-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200903 |
|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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