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  1. 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記研磨パッドが、前記上研磨面の摩耗又はコンディショニングによって前記ポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、少なくとも45重量%の硬質セグメント及び少なくとも6,500psi(44.8MPa)のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、前記ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、前記二相構造が、1.6未満の前記軟質相の平均面積に対する前記硬質相の平均面積の比を有する研磨パッド。
  2. 前記ポリマーマトリックスが硬質セグメント50〜80重量%を有する、請求項1記載の研磨パッド。
  3. 前記ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、前記ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含む、請求項1記載の研磨パッド。
  4. 前記ポリマーマトリックスが、硬化剤とイソシアネート終端化ポリマーとの反応生成物からのものであり、前記硬化剤が、前記イソシアネート終端化反応生成物を硬化させる硬化剤アミンを含み、前記イソシアネート終端化反応生成物が、100超〜125%のNCOに対するNH2の化学量論比を有する、請求項3記載の研磨パッド。
  5. 前記軟質相が、断面で計測して少なくとも40nmの平均長さを有する、請求項1記載の研磨パッド。
  6. 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記研磨パッドが、前記上研磨面の摩耗又はコンディショニングによって前記ポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、前記ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、前記ポリマー研磨アスペリティが、50〜80重量%の硬質セグメント及び6,500〜14,000psi(44.8〜96.5MPa)のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、前記ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、前記二相構造が、1.6未満の前記軟質相の平均面積に対する前記硬質相の平均面積の比を有する研磨パッド。
  7. 前記融解熱が25〜50J/gである、請求項6記載の研磨パッド。
  8. 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記ポリマーマトリックスが、少なくとも45重量%の硬質セグメント及びポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及び混合物から選択される少なくとも一つを含むポリマーを含み、ポリマーマトリックスが二相構造を有し、ポリマーが、二官能性又は多官能性イソシアネートと未反応NCO8.75〜12重量%を有し、97〜125%の未反応NCOに対するOH又はNH の化学量論比を有するPTMEG又はPTMEG/PPGブレンドとから誘導されるポリマーである研磨パッド。
  9. 前記ポリマーマトリックスが少なくとも25J/gのDSC融解熱を有する、請求項記載の研磨パッド。
  10. 前記ポリマーマトリックス内で25〜65容量%の気孔率及び2〜50μmの平均孔径を含む、請求項記載の研磨パッド。
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