JP2015109437A5 - - Google Patents

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  1. シリコンウェーハの研磨方法であって、
    表面を有するシリコンウェーハを提供すること;
    化学機械研磨パッドであって、原材料成分{
    多官能イソシアナート;及び
    硬化剤パッケージ[
    少なくとも5重量%のアミン開始ポリオール硬化剤(ここで、このアミン開始ポリオール硬化剤は、1分子当たり少なくとも1個の窒素原子を含有し;このアミン開始ポリオール硬化剤は、1分子当たり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有する);
    25〜95重量%の高分子量ポリオール硬化剤(ここで、この高分子量ポリオール硬化剤は、7,500〜25,000の数平均分子量Mを有しており;そしてこの高分子量ポリオール硬化剤は、1分子当たり平均3〜10個のヒドロキシル基を有する);及び
    0〜70重量%の二官能硬化剤(ここで、この二官能硬化剤は、ジオール硬化剤及びジアミン硬化剤よりなる群より選択される)を含む]を含む}
    の反応生成物である研磨層(ここで、
    この研磨層は、0.4g/cmを超える密度;5〜40のショアD硬度;100〜450%の破断点伸び;及び25〜150μm/時のカットレートを示し、そしてこの研磨層は、シリコンウェーハの研磨用に適した研磨表面を有する)
    を含む化学機械研磨パッドを提供すること;及び
    研磨層の研磨表面と、シリコンウェーハの表面との間に動的接触(ここで、シリコンウェーハの表面が研磨される)を作り出すことを含む方法。
  2. シリコンウェーハの表面が、前表面であり;そしてシリコンウェーハの前表面が、<0.075ppmのヘイズまでヘイズフリー研磨される、請求項1に記載の方法。
  3. 硬化剤パッケージ中の反応性水素基と、多官能イソシアナート中の未反応イソシアナート基との化学量論比が、0.85〜1.15である、請求項2に記載の方法。
  4. 多官能イソシアナートが、脂肪族多官能イソシアナート、芳香族多官能イソシアナート及びこれらの混合物よりなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
  5. 多官能イソシアナートが、2〜12重量%の未反応NCO基を有するイソシアナート末端ウレタンプレポリマーである、請求項4に記載の方法。
  6. 硬化剤パッケージが、
    5〜20重量%のアミン開始ポリオール硬化剤(ここで、このアミン開始ポリオール硬化剤は、1分子当たり2個の窒素原子を含有し;このアミン開始ポリオール硬化剤は、1分子当たり平均4個のヒドロキシル基を有しており;そしてこのアミン開始ポリオール硬化剤は、200〜400の数平均分子量Mを有する);
    50〜75重量%の高分子量ポリオール硬化剤(ここで、この高分子量ポリオール硬化剤は、10,000〜12,000の数平均分子量Mを有しており;そしてこの高分子量ポリオール硬化剤は、1分子当たり平均6個のヒドロキシル基を有する);
    10〜30重量%の二官能硬化剤(ここで、この二官能硬化剤は、4,4’−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA);4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)、及びこれらの異性体よりなる群から選択されるジアミン硬化剤である)を含む[ここで、
    この硬化剤パッケージ中の反応性水素基と、多官能イソシアナート中の未反応イソシアナート基との化学量論比は、0.95〜1.05であり;
    この研磨層は、0.65〜0.85g/cmの密度;10〜40のショアD硬度;150〜350%の破断点伸び;及び30〜60μm/時のカットレートを示す]、請求項に記載の方法。
  7. イソシアナート末端ウレタンプレポリマーが、5〜7重量%の未反応NCO基を有しており;そしてイソシアナート末端ウレタンプレポリマーが、400〜2,500の数平均分子量Mを示す、請求項に記載の方法。
  8. 研磨層が、そこに形成された螺旋溝パターンを有する、請求項に記載の方法。
  9. 円周有溝率が、研磨表面の外周から研磨表面の中心までの大部分の距離に及ぶ区域において、研磨層の半径の関数としてその平均値の10%以内にとどまる、請求項に記載の方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US20150306731A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9259821B2 (en) * 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
CN107078048B (zh) 2014-10-17 2021-08-13 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9484212B1 (en) * 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
JP6697931B2 (ja) * 2016-04-01 2020-05-27 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド、研磨パッドの製造方法及び研磨方法
US20180281149A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7113626B2 (ja) * 2018-01-12 2022-08-05 ニッタ・デュポン株式会社 研磨パッド
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
CN110528287B (zh) * 2019-08-08 2022-03-08 安徽安利材料科技股份有限公司 一种毛刷式高耐用化学机械抛光聚氨酯材料及其制备方法
CN110977756B (zh) * 2019-12-27 2021-09-07 万华化学集团电子材料有限公司 一种化学机械抛光垫的抛光层及其应用
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN113214741B (zh) * 2021-04-24 2022-03-11 深圳市撒比斯科技有限公司 一种高稳定的cmp抛光液

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283515A (ja) 1992-03-31 1993-10-29 Nec Kansai Ltd 半導体装置製造方法
JP3055471B2 (ja) 1996-10-03 2000-06-26 日本電気株式会社 半導体基板の製造方法及びその製造装置
JPH11277408A (ja) 1998-01-29 1999-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
GB2334205B (en) 1998-02-12 2001-11-28 Shinetsu Handotai Kk Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein
KR100685010B1 (ko) 1999-08-31 2007-02-20 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼용 연마포 및 연마방법
US6189546B1 (en) 1999-12-29 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Polishing process for manufacturing dopant-striation-free polished silicon wafers
JP2002292556A (ja) 2001-03-29 2002-10-08 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd シリコンウエハ鏡面研磨用スラリー、砥石、パッド及び研磨液、並びにこれらを用いたシリコンウエハの鏡面研磨方法
JP2003037089A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
KR100709392B1 (ko) * 2005-07-20 2007-04-20 에스케이씨 주식회사 액상의 비닐계 모노머가 상호침투 가교된 형태를 갖는폴리우레탄 연마 패드
JP5019417B2 (ja) * 2006-06-22 2012-09-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド
US7371160B1 (en) * 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
SG177963A1 (en) * 2007-01-15 2012-02-28 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and method for producing the same
JP4986129B2 (ja) * 2007-01-15 2012-07-25 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5297096B2 (ja) 2007-10-03 2013-09-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
JP5484145B2 (ja) * 2010-03-24 2014-05-07 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5534907B2 (ja) * 2010-03-31 2014-07-02 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
CN102310366B (zh) * 2010-07-08 2014-03-05 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫
US20120264303A1 (en) 2011-04-15 2012-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry, system and method
JPWO2013011921A1 (ja) * 2011-07-15 2015-02-23 東レ株式会社 研磨パッド
US9144880B2 (en) * 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad

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