JP7113626B2 - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP7113626B2
JP7113626B2 JP2018003472A JP2018003472A JP7113626B2 JP 7113626 B2 JP7113626 B2 JP 7113626B2 JP 2018003472 A JP2018003472 A JP 2018003472A JP 2018003472 A JP2018003472 A JP 2018003472A JP 7113626 B2 JP7113626 B2 JP 7113626B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polished
polishing pad
contact portion
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018003472A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019123031A (ja
Inventor
晃 尾関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitta DuPont Inc
Original Assignee
Nitta DuPont Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2018003472A priority Critical patent/JP7113626B2/ja
Application filed by Nitta DuPont Inc filed Critical Nitta DuPont Inc
Priority to CN201980007751.7A priority patent/CN111601681B/zh
Priority to DE112019000396.8T priority patent/DE112019000396T5/de
Priority to PCT/JP2019/000668 priority patent/WO2019139117A1/ja
Priority to KR1020207018741A priority patent/KR20200104867A/ko
Priority to US16/960,333 priority patent/US20210053181A1/en
Priority to TW108101172A priority patent/TWI800589B/zh
Publication of JP2019123031A publication Critical patent/JP2019123031A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7113626B2 publication Critical patent/JP7113626B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する研磨パッドに関する。
半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する方法としては、研磨パッドを用いた方法が知られている(特許文献1)。例えば、図13に示すように、キャリア103に保持された被研磨物102に対して、定盤104の表面に装着された研磨パッド101を、押圧して、キャリア103及び定盤104を回転させると共に、研磨パッド101の中央部に研磨スラリーを供給しながら被研磨物102の表面を研磨する方法が記載されている。
被研磨物の中央部では、この中央部を囲む周縁部と比べて熱が逃げにくい。そのため、かかる研磨方法では、被研磨物を研磨する際に被研磨物の中央部の温度が高くなりやすい。また、被研磨物の温度が高い領域では被研磨物と研磨スラリーとの化学反応が進みやすいため、被研磨物の中央部の研磨量は大きくなる。従って、かかる研磨方法では、被研磨物の研磨された面が平坦にならないおそれがある。
特開平11-347935号公報
そこで、本発明は、上記のような従来の問題を鑑みて、被研磨物の研磨に用いられると共に、研磨された面の平坦性を向上できる研磨パッドを提供することを目的とする。
本発明に係る研磨パッドは、研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、前記被研磨物を研磨可能な研磨面を有する研磨層を備え、前記研磨面は、前記被研磨物を研磨する際に回転するときの回転中心を中心とし且つ所望の長さの半径を有する同心円上に配置される凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方を有する非接触部を有する。
かかる構成によれば、非接触部の配置された同心円が被研磨物の中央部を通過するように研磨パッドを使用する場合に、研磨面の全体が被研磨物に接触可能である構成と比べて、研磨面と被研磨物の中央部との摺動距離が減少する。そのため、被研磨物において中央部の温度が他の領域の温度より高くても、被研磨物の中央部における研磨面との摺動距離が減少することで、この中央部における研磨面との摺動に起因する摩擦熱と摺動距離に起因する研磨量とが減少するため、被研磨物の研磨された面の平坦性を向上できる。
前記研磨パッドでは、前記凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方は、互いに離間した状態で前記同心円上に複数配置されてもよい。
かかる構成によれば、非接触部位の配置された同心円が被研磨物の中央部を通過するように研磨パッドを使用する場合に、一つの非接触部位のみ設けられた構成と比べて、研磨面が被研磨物に摺動する期間と摺動しない期間とがより短い期間で入れ替わるため、研磨パッドを使用する際の研磨面における研磨スラリーの分散状態や被研磨物の温度分布等の研磨に関する条件のむらを抑制でき、これにより、研磨を安定的に行うことができる。
前記研磨パッドでは、前記研磨面は、円形状或いは略円形状であり、前記凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方は、前記所望の長さをR1とすると共に、前記研磨パッドの半径の長さをrとしたとき、以下の数式を満たすR1を半径とする同心円上に配置された凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方である第一非接触部位を含んでもよい。
0<R1≦r/2
かかる構成によれば、略円板状であり且つ直径が研磨パッドの半径より大きく且つ研磨パッドの直径以下である被研磨物を研磨する際に、第一非接触部位の配置された同心円が被研磨物の中心を通過するように研磨パッドを使用する場合に、被研磨物の研磨される面の全体が研磨面に接すると共に、被研磨物の中心において研磨面と被研磨物との摺動距離が減少する。そのため、被研磨物において中心の温度が他の領域の温度より高くても、被研磨物の中心において摺動距離が減少することにより研磨量が減少することで、研磨された面の平坦性の向上を実現できる。
前記研磨パッドでは、前記凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方は、前記所望の長さをR2としたとき、以下の数式を満たすR2を半径とする同心円上に配置された凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方である第二非接触部位を含んでもよい。
R1<R2≦3*r/4
略円板状であり且つ直径が研磨パッドの半径より大きく且つ研磨パッドの直径以下である被研磨物を研磨する際に、第一非接触部位のみが配置された構成では、第一非接触部位の配置された同心円が被研磨物の中心を通過するように研磨パッドを使用したとしても、被研磨物の中心において研磨面との摺動距離が減少するものの、被研磨物の中心よりも外側において研磨面との摺動距離が減少しないため、被研磨物の中心よりも外側におけるこの摺動距離による研磨量が大きいままとなる。これに対して、かかる構成によれば、第一非接触部位の配置された同心円が被研磨物の中心を通過し、且つ、第二非接触部位の配置された同心円が被研磨物の中心よりも外側を通過するように研磨パッドを使用する場合に、被研磨物の中心よりも外側においても研磨面との摺動距離が減少するため、被研磨物の中心よりも外側において研磨面に対する摺動距離の減少により研磨量が減少することで、研磨された面の平坦性をさらに向上できる。
以上のように、本発明によれば、被研磨物の研磨に用いられると共に、研磨された面の平坦性を向上できる研磨パッドを提供できる。
図1は、本発明の一実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図2は、同実施形態に係る研磨パッドと被研磨物とを重ねた状態の模式図である。 図3は、同実施形態に係る研磨パッド及び被研磨物の模式図である。 図4は、同実施形態に係る研磨パッドによる効果を説明するためのグラフである。 図5は、同実施形態に係る研磨パッドによる効果を説明するためのグラフである。 図6は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図7は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図8は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図9は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図10は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図11は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図12は、本発明の別の実施形態に係る研磨パッドの上面図である。 図13は、従来の研磨パッドと被研磨物とを重ねた状態の模式断面図である。
以下、本発明に係る研磨パッドの一実施形態について、図1、図2を参照しつつ説明する。本実施形態に係る研磨パッドは、表面に高い平坦性が求められる被研磨物(例えば、半導体ウエハ等)を研磨するために用いられる。この研磨パッドでは、研磨面に被研磨物と凹部及び貫通孔(研磨面を有する研磨層を貫通した貫通孔)の少なくとも一方である非接触部が設けられているため、非接触部が被研磨物の中央部を通過するように研磨パッドを使用すると、被研磨物の中央部に熱がこもり高温になったとしても、被研磨物の中央部における研磨面に対する摺動による研磨量が減少することで、被研磨物の研磨された面の平坦性が確保される。
例えば、研磨パッド1は、図1に示すように、円板状である。また、研磨パッド1は、被研磨物を研磨可能な研磨面10を有する研磨層を備える。
研磨面10は、例えば、円形状或いは略円形状である。本実施形態の研磨面10には、スラリーが供給される貫通孔であるスラリー孔11と、研磨層を貫通した貫通孔120である非接触部12とを有する。研磨面10における非接触部12を除く領域は、平坦である。
スラリー孔11は、研磨面10の広がる方向において正方形状をしている。スラリー孔11の一辺は、例えば、20mmである。
非接触部12は、研磨面10の中心100を中心とし且つ所望の長さの半径を有する同心円上に配置される。本実施形態の非接触部12は、複数(例えば、12個)の貫通孔120により構成される。貫通孔120は、互いに離間した状態で前述の同心円上に並んでいる。また、貫通孔120は、いずれも一定の径を有し、且つ、研磨層を貫通する貫通孔(貫通方向においていずれの部位においても一定の径を有する貫通孔)である。具体的に、貫通孔120は、いずれも研磨面10が広がる方向において円形状を有する貫通孔である。この貫通孔120の直径は、いずれも5mm以上であり、例えば、50mm程度である。
具体的に、貫通孔120は、研磨面10の中心100を中心とする半径の異なる二つの同心円上に配置された貫通孔である第一非接触部位121や第二非接触部位122を含む。より具体的に、貫通孔120は、R1を半径とする同心円C1上に配置された6個の貫通孔である第一非接触部位121と、R1よりも大きいR2を半径とする同心円C2上に配置された6個の貫通孔である第二非接触部位122とを含む。第一非接触部位121及び第二非接触部位122は、互いに離間している。
第一非接触部位121は、互いに離間した状態で同心円C1上に配置されている。また、第一非接触部位121は、等間隔をあけて配置されている。具体的に、第一非接触部位121の中心は、等間隔をあけた状態で同心円C1上に配置されている。より具体的に、第一非接触部位121の中心は、研磨面10の中心100と一つの第二非接触部位122の中心とを結ぶ仮想線L21と、研磨面10の中心100とこの第二非接触部位122に隣り合う第二非接触部位122の中心とを結ぶ仮想線L22との間(例えば、これら仮想線L21、L22の中央)に位置している。「第一非接触部位121の面積(研磨面10に設けられた各第一非接触部位121の面積の総和)」の「同心円C1を中心線とし第一非接触部位121の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、4.4%以上70%以下である。尚、本実施形態の第一非接触部位121のように、複数の第一非接触部位121が同心円C1上に配置される場合、「第一非接触部位121の面積(研磨面10に設けられた各第一非接触部位121の面積の総和)」の「同心円C1を中心線とし第一非接触部位121の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、8.8%以上70%以下である。
第二非接触部位122は、互いに離間した状態で同心円C2上に配置されている。また、第二非接触部位122は、等間隔をあけて配置されている。具体的に、第二非接触部位122の中心は、等間隔をあけた状態で同心円C2上に配置されている。より具体的に、第二非接触部位122の中心は、研磨面10の中心100と一つの第一非接触部位121の中心とを結ぶ仮想線L11と、研磨面10の中心100とこの第一非接触部位121に隣り合う第一非接触部位121の中心とを結ぶ仮想線L12との間(例えば、これら仮想線L11、L12の中央)に位置している。「第二非接触部位122の面積(研磨面10に設けられた各第二非接触部位122の面積の総和)」の「同心円C2を中心線とし第二非接触部位122の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率も、2.9%以上70%以下である。尚、本実施形態の第二非接触部位122のように、複数の第二非接触部位122が同心円C2上に配置される場合、「第二非接触部位122の面積(研磨面10に設けられた各第二非接触部位122の面積の総和)」の「同心円C2を中心線とし第二非接触部位122の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、5.9%以上70%以下である。
尚、「第一非接触部位121の面積」の「同心円C1に配置される第一非接触部位121のうち最も内側に位置する第一非接触部位121(最も研磨パッド1の中心に近い第一非接触部位121)の全体と最も外側に位置する第一非接触部位121(最も研磨パッド1の中心から遠い第一非接触部位121)の全体とを含み且つ均一な幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、「同心円C1よりも内側や外側に位置する同一の同心円上に配置された貫通孔120の面積(この同一の同心円に配置される貫通孔120の面積の総和)」の「この同一の同心円に配置される貫通孔120のうち最も内側に位置する貫通孔120の全体と最も外側に位置する貫通孔120の全体とを含み且つ均一な幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率よりも大きい。本実施形態の研磨パッド1では、第一非接触部位121の全体が同心円C1を中心線とし第一非接触部位121の直径と同一の幅を有する帯状の円周と重なり、第二非接触部位122の全体が同心円C2を中心線とし第二非接触部位122の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積と重なるため、「第一非接触部位121の面積」の「同心円C1を中心線とし第一非接触部位121の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、「第二非接触部位122の面積」の「同心円C2を中心線とし第二非接触部位122の直径と同一の幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率よりも大きい。
また、第一非接触部位121や第二非接触部位122の面積が、これらの直径幅を有する帯状の円周の面積に対して70%以下となることで、同一の同心円C1、C2上で隣り合う貫通孔120の間の距離を各貫通孔120の半径の半分以上に広げることができる。その結果、研磨パッド1の耐久性や研磨パッド1の加工性を確保することができる。
本実施形態の研磨パッド1は、図2に示すように、その一部が被研磨物2と重なった状態で、円板状の被研磨物2を研磨する。具体的に、研磨パッド1は、その外周縁の一部が被研磨物2の外周縁の一部と重なった状態で、被研磨物2を研磨する。
本実施形態の研磨パッド1は、研磨の際に、研磨スラリー(以下、スラリー)が供給され回転する。例えば、本実施形態の研磨パッド1は、一点を回転中心として回転する定盤に直接または間接的に貼り付けられているため回転可能である。具体的には、スラリー孔11の中心110(図1参照)が、研磨パッド1の回転するときの定盤の回転中心と一致するように、研磨パッド1と定盤とが配置されているため、スラリー孔11の中心110は、被研磨物2を研磨する際に回転するときの研磨面10の回転中心と一致している。また、本実施形態のスラリー孔11の中心110は、研磨面10の中心100とも一致している。これにより、研磨面10は、被研磨物2を研磨する際に、中心100を回転中心として回転する。尚、研磨パッド1による研磨の際に、研磨パッド1及び被研磨物2は、同じ方向に(例えば、反時計回りに)回転する。
尚、本実施形態の研磨パッド1は、その半径をR0とし被研磨物2の半径をrとすると、研磨パッド1の半径R0が被研磨物2の半径rよりも大きくなるような被研磨物2を研磨対象としている(図2参照)。具体的に、研磨パッド1は、研磨パッド1の半径R0が被研磨物2の半径rよりも大きく被研磨物2の直径よりも小さくなるような被研磨物2を研磨対象としている。
このとき(研磨パッド1の半径がR0であるとき(図参照))、同心円C1の半径R1(図2参照)は、以下の数式を満たしている。
0<R1≦R0/2
第一非接触部位121が同心円C1上に配置されるため、上述のように、研磨パッド1の半径R0が被研磨物2の半径rよりも大きく被研磨物の直径以下であり、且つ、研磨パッド1はその外周縁の一部が被研磨物2の外周縁の一部と重なった状態で、被研磨物2を研磨するとき、第一非接触部位121が被研磨物2を通過することになる。
また、このとき(研磨パッド1の半径がR0であるとき(図参照))、同心円C2の半径R2(図2参照)は、以下の数式を満たしている。
R1<R2≦3*R0/4
第二非接触部位122が同心円C2上に配置されるため、上述のように、研磨パッド1の
半径R0が被研磨物2の半径rよりも大きく被研磨物2の直径以下であり、且つ、研磨パッド1はその外周縁の一部が被研磨物2の外周縁の一部と重なった状態で、被研磨物2を研磨するとき、被研磨物2の内側(例えば、被研磨物2における半径rの1/2以内に広がる領域)における研磨パッド1との摺動距離を低減することができる。
以上の研磨パッド1によれば、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中央部(例えば、被研磨物2における中心と、この中心の外側に位置する部分とで構成される中央部(被研磨物2における周縁部を除く中央部))を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、研磨面10の全体が被研磨物2に接触可能である構成と比べて、研磨面10と被研磨物2の中央部との摺動距離が減少する。そのため、被研磨物2において中央部の温度が他の領域の温度より高くても、被研磨物2の中央部において研磨面10に対する摺動による摩擦熱が減少すると共に、被研磨物2の中央部において研磨面10に対する摺動距離が減少することにより研磨量が減少することで、被研磨物2の研磨された面の平坦性を向上できる。尚被研磨物2の研磨された面の平坦性は、研磨パッド1による被研磨物2の研磨を一定時間行った際に、被研磨物2の任意の位置(点P)において被研磨物2の研磨された量(以下、研磨量)を演算することにより評価できる。以下、この演算方法について説明する。例えば、研磨パッド1及び被研磨物2が、図3に示すように、円板状であり、研磨パッド1の半径R0は、被研磨物2の半径rよりも大きく、被研磨物2の直径以下であるものとする。また、スラリー孔11や貫通孔120は、研磨面10が広がる方向においての正方形状をした貫通孔であるものとする。この貫通孔120は、二つ設けられ、同心円上において互いに等間隔をあけて配置されているものとする。尚、研磨パッド1及び被研磨物2は同じ方向に(例えば、反時計回りに)回転しているものとする。
この場合、被研磨物2の点Pにおける研磨量を演算する方法として、プレストンの式(Preston’s equation)が採用されている。プレストンの式では、被研磨物2の研磨量をp、プレストン係数をk、研磨パッド1の被研磨物2に対する圧力をρ(P)、被研磨物2上の点Pにおける摺動速度をV(P)、研磨パッド1による被研磨物2の研磨時間をtとしたとき、下記式が成立する。
p=k*ρ(P)*V(P)*t
プレストンの式によれば、研磨パッド1の被研磨物2に対する圧力ρ(P)が一定である場合(研磨中に圧力ρ(P)が経時的に変化しない場合)、被研磨物2の研磨量pは、摺動速度V(P)に研磨時間tを乗じた値(摺動速度V(P)の一定時間における積算、以下、摺動距離SDとする)に比例する。以上のように、本実施形態の研磨パッド1において、被研磨物2の研磨された面の平坦性は、摺動距離SDや被研磨物2の研磨量pを用いて評価できる。
尚、研磨パッド1の角速度をω、被研磨物2の角速度をω、点Pの座標を(R,θ)、研磨パッド1の中心(研磨面10の中心100(スラリー孔11の中心110))と点Pとの距離をLとするとき、点Pの摺動速度V(R,θ)は下記式で求められる。
(R,θ)={ω +2(ω-ω)ω*L*R*cosθ+(ω-ω*R1/2
また、本実施形態の研磨パッド1によれば、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中央部を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、第一非接触部位121が一つのみ設けられた構成と比べて、研磨面10が被研磨物2に摺動する期間と摺動しない期間とがより短い期間で入れ替わるため、研磨パッド1を用いた研磨の際の研磨面10におけるスラリーの分散状態や被研磨物2の温度分布等の研磨に関する条件のむらを抑制でき、これにより、研磨を安定的に行うことができる。
さらに、本実施形態の研磨パッド1によれば、略円板状であり且つ直径が研磨パッド1の半径より大きく且つ研磨パッドの直径以下である被研磨物2を研磨する際に、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物の中心を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、被研磨物2の研磨される面の全体が研磨パッド1に接触すると共に、被研磨物2の中心において研磨面10と被研磨物との摺動距離が減少する。そのため、被研磨物2において中心の温度が他の領域の温度より高くても、被研磨物2の中心において研磨面10に対する摺動距離が減少することにより、例えば、図4の二点鎖線で示すように、研磨量pが減少することで、被研磨物2の研磨された面の平坦性の向上を実現できる。尚、図4の一点鎖線は、研磨面10に非接触部12を設けなかった場合の研磨量pを示す。
一方、略円板状であり且つ直径が研磨パッド1の半径より大きく且つ研磨パッド1の直径以下である被研磨物2を研磨する際に、第一非接触部位121のみが配置された構成では、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中心を通過するように研磨パッド1を使用したとしても、被研磨物2の中心において研磨面10との摺動距離が減少するものの、被研磨物2の中心よりも外側において研磨面10との摺動距離が減少しないため、例えば、図5の一点鎖線で示すように、被研磨物2の中心よりも外側における研磨量pが大きいままとなる。これに対して、本実施形態の研磨パッド1によれば、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中心を通過し、且つ、第二非接触部位122の配置された同心円C2が被研磨物2の中心よりも外側を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、被研磨物2の中心よりも外側においても研磨面10との摺動距離が減少するため、被研磨物2の中心よりも外側において研磨面との摺動距離が減少することにより、例えば、図5の二点鎖線に示すように、研磨量pが減少することで、被研磨物2の研磨された面の平坦性をさらに向上できる。
しかも、本実施形態の研磨パッド1によれば、第一非接触部位121及び第二非接触部位122が、互いに離間しているため、第一非接触部位121及び第二非接触部位122が連続する構成と比べて、研磨をさらに安定的に行うことができる。
尚、本発明の研磨パッドは、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を追加することができ、また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることができる。さらに、ある実施形態の構成の一部を削除することができる。
例えば、第一非接触部位121や第二非接触部位122の個数は、6個ずつに限定されない。例えば、研磨パッド1には、図6に示すように、第一非接触部位121及び第二非接触部位122が3個ずつ設けられていてもよい。第一非接触部位121は、同心円C1上に等間隔をあけて配置されており、第二非接触部位122は、同心円C2上に等間隔をあけて配置されている。第一非接触部位121や第二非接触部位122は、いずれも、円形状の貫通孔120である。この貫通孔120の直径は、例えば、研磨パッド1の直径の9%以下である。具体的に、研磨パッド1の直径が450mmである場合、例えば、貫通孔120の直径は40mmである。
また、図7に示すように、第一非接触部位121及び第二非接触部位122が2個ずつ設けられていてもよい。第一非接触部位121は、同心円C1上に等間隔をあけて配置されており、第二非接触部位122は、同心円C2上に等間隔をあけて配置されている。第一非接触部位121や第二非接触部位122は、いずれも、円形状の貫通孔120である。この貫通孔120の直径は、例えば、研磨パッド1の直径の13%以下である。具体的に、研磨パッド1の直径が450mmである場合、例えば、貫通孔120の直径は60mmである。
本実施形態の非接触部12は、第一非接触部位121及び第二非接触部位122の両方で構成されていたが、第一非接触部位121及び第二非接触部位122のうちいずれか一方のみで構成されていてもよい。例えば、図8に示すように、非接触部12は、6個の貫通孔120(第一非接触部位121)のみで構成されていてもよい。第一非接触部位121は、等間隔をあけて同心円C1上に配置されている。
この構成の研磨パッド1を用いた場合においても、研磨面10に非接触部12を設けることで、非接触部12により被研磨物2の研磨された面の平坦性を向上できる。
また、上記実施形態の研磨パッド1は、円板状であったが、回転しながら被研磨物を研磨可能であれば形状を問わず、例えば、矩形板状等の別の形状であってもよい。また、研磨面10も、円形状或いは略円形状以外に、矩形状等の別の形状であってもよい。上記実施形態の非接触部12は、研磨面10が広がる方向において円形状や十字形状をした貫通孔120であったが、例えば、この方向において三角形状、矩形状、円弧状といった他の形状をした貫通孔120であってもよい。また、この貫通孔120の径は一定であったが、貫通孔120の径は、研磨面10側に位置する部位ほど大きくてもよく、研磨面10側に位置する部位ほど小さくてもよい。尚、非接触部12は、研磨面10に設けられた凹部であってもよい。また、研磨面10には、凹部及び貫通孔の両方が配置されていてもよく、例えば、一つの同心円上に凹部及び貫通孔の両方が配置されていてもよい。
上記実施形態の研磨パッド1では、非接触部12が配置される同心円の数は、一つや二つであったが、三つ以上であってもよい。同心円の数を三つ以上とすることで、さらに研磨量を制御することができる。
上記実施形態の研磨面10には、非接触部12が複数設けられていたが、非接触部12が一つのみ設けられていてもよい。
また、上記実施形態の研磨面10には、複数の非接触部12が同心円C1、C2上において等間隔をあけて配置されていたが、同心円C1や同心円C2に配置される非接触部12の間隔は異なっていてもよい。例えば、図9に示すように、同心円C1に配置される隣り合う第一非接触部位121の間隔は、異なっていてもよい。このような構成であっても、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中央部を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、研磨面10の全体が被研磨物2に接触可能である構成と比べて、被研磨物2の中央部において研磨パッド1との接触の頻度が減少することで、研磨パッド1と被研磨物2の中央部との摺動距離が減少するため、被研磨物2の研磨された面の平坦性を向上できる。
さらに、上記実施形態の研磨面10には、第一非接触部位121や第二非接触部位122の中心が同心円C1上や同心円C2上に配置されていたが、例えば、図10に示すように、第一非接触部位121の少なくとも一部が同心円C1上に配置されていれば、第一非接触部位121の中心が同心円C1上からずれた位置(同心円C1よりも内側や外側)に配置されていてもよい。このような構成では、第一非接触部位121の中心が同心円C1上からずれた位置に配置されることで、被研磨物2における研磨パッド1との摺動距離が減少する範囲を調整することができる。
また、研磨面10には、第一非接触部位122や第二非接触部位122に加えて、同心円C1上や同心円C2上に配置されない貫通孔120や凹部が設けられてもよい。具体的に、図11に示すように、貫通孔120(例えば、第一非接触部位121や第二非接触部位122を含む貫通孔120)が、一つの螺旋上(例えば、研磨パッド1の中心から延びる螺旋上)に配置されてもよい。尚、図12に示すように、貫通孔120(例えば、第一非接触部位121や第二非接触部位122を含む貫通孔120)が、複数の螺旋上(例えば、二つの螺旋上)に配置されてもよい。このような構成においても、「第一非接触部位121の面積」の「同心円C1に配置される第一非接触部位121のうち最も内側に位置する第一非接触部位121(最も研磨パッド1の中心に近い第一非接触部位121)の全体と最も外側に位置する第一非接触部位121(最も研磨パッド1の中心から遠い第一非接触部位121)の全体とを含み且つ均一な幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率は、「同心円C1よりも内側や外側に位置する同一の同心円上に配置された貫通孔120の面積」の「この同一の同心円に配置される貫通孔120のうち最も内側に位置する貫通孔120の全体と最も外側に位置する貫通孔120の全体とを含み且つ均一な幅を有する帯状の円周の面積」に対する比率よりも大きい。
また、このような構成であっても、同心円C1が被研磨物2の中央部を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、研磨面10の全体が被研磨物2に接触可能である構成と比べて、被研磨物2の中央部において研磨パッド1との接触の頻度が減少することで、研磨パッド1と被研磨物2の中央部との摺動距離が減少するため、被研磨物2の研磨された面の平坦性を向上できる。さらに、第一非接触部位121の配置された同心円C1が被研磨物2の中心を通過し、且つ、第二非接触部位122の配置された同心円C2が被研磨物2の中心よりも外側を通過するように研磨パッド1を使用する場合に、被研磨物2の中心よりも外側においても研磨面10との摺動距離が減少するため、被研磨物2の中心よりも外側において研磨面10との摺動距離が減少することにより研磨量が減少することで、被研磨物2の研磨された面の平坦性をさらに向上できる。しかも、第一非接触部位121や第二非接触部位122が螺旋上に配置されることにより、第一非接触部位121や第二非接触部位122が被研磨物2の中心部周辺を通過しやすくなるため、被研磨物2における研磨パッド1との摺動距離が減少する範囲を調整することができる。
また、研磨面10の全体に、格子状の溝や、研磨面10の中心100から放射状に広がる溝が形成されていてもよい。これにより、スラリーが研磨面10の全体に対してより均一に広がることになる。
上記実施形態の研磨面10にはスラリー孔11が形成され、スラリー孔11を介して研磨面10にスラリーが供給されていたが、スラリー孔11が形成されず、スラリーが研磨面10に直接供給されてもよい。
1、101…研磨パッド、10…研磨面、100…中心、11…スラリー孔、110…中心、12…非接触部、120…貫通孔、121…第一非接触部位、122…第二非接触部位、102…被研磨物、103…キャリア、104…定盤、C1、C2…同心円、R0、R1、R2、r…半径

Claims (2)

  1. 研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、
    前記被研磨物を研磨可能な研磨面を有する研磨層を備え、
    前記研磨面は、前記被研磨物を研磨する際に回転するときの回転中心を中心とし且つ所望の長さの半径を有する同心円上に配置される凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方を有する非接触部を有し、
    前記研磨パッドは、円形状或いは略円形状であり、
    前記非接触部は、径が5mm以上研磨パッドの直径の13%以下であり、
    前記研磨パッドの半径の長さをR0としたとき、前記同心円の半径R1は以下の数式を満たし、
    前記非接触部の中心は、R0/2を半径とする仮想円よりも径外側に配置されず、
    少なくとも一つの前記非接触部は、R0/2を半径とする仮想円上に配置されている、ことを特徴とする研磨パッド。
    0<R1≦R0/2
  2. 前記凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方は、互いに離間した状態で前記同心円上に複数配置される、請求項1に記載の研磨パッド。
JP2018003472A 2018-01-12 2018-01-12 研磨パッド Active JP7113626B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018003472A JP7113626B2 (ja) 2018-01-12 2018-01-12 研磨パッド
DE112019000396.8T DE112019000396T5 (de) 2018-01-12 2019-01-11 Polierkissen
PCT/JP2019/000668 WO2019139117A1 (ja) 2018-01-12 2019-01-11 研磨パッド
KR1020207018741A KR20200104867A (ko) 2018-01-12 2019-01-11 연마 패드
CN201980007751.7A CN111601681B (zh) 2018-01-12 2019-01-11 研磨垫
US16/960,333 US20210053181A1 (en) 2018-01-12 2019-01-11 Polishing pad
TW108101172A TWI800589B (zh) 2018-01-12 2019-01-11 研磨墊

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018003472A JP7113626B2 (ja) 2018-01-12 2018-01-12 研磨パッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019123031A JP2019123031A (ja) 2019-07-25
JP7113626B2 true JP7113626B2 (ja) 2022-08-05

Family

ID=67219738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018003472A Active JP7113626B2 (ja) 2018-01-12 2018-01-12 研磨パッド

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210053181A1 (ja)
JP (1) JP7113626B2 (ja)
KR (1) KR20200104867A (ja)
CN (1) CN111601681B (ja)
DE (1) DE112019000396T5 (ja)
TW (1) TWI800589B (ja)
WO (1) WO2019139117A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1012657S1 (en) * 2021-09-13 2024-01-30 Mirka Ltd Sanding disk
CN114178003B (zh) * 2021-11-08 2023-04-07 北京天地融创科技股份有限公司 卧式细磨机

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324769A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Jsr Corp 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法
JP2003260657A (ja) 2002-03-04 2003-09-16 Rodel Nitta Co 研磨布
JP2003300149A (ja) 2002-02-07 2003-10-21 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JP2004082270A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Fujitsu Ltd 研磨パッド及びこの研磨パッドを用いた研磨装置、研磨方法
JP2005500174A (ja) 2001-08-16 2005-01-06 エスケーシー カンパニー,リミテッド 孔および/またはグルーブを有する化学的機械的研磨パッド
JP2006289539A (ja) 2005-04-08 2006-10-26 Mitsubishi Materials Techno Corp 研磨機及び被研磨体の研磨方法
JP2006527483A (ja) 2003-06-06 2006-11-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電気化学機械的研磨用の導電性研磨機器
JP2007290114A (ja) 2006-03-27 2007-11-08 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置
US20080125019A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Semiconductor Manufacturing Polishing Pad and a Chemical-Mechanical Polishing Method
JP2008221389A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
JP2012151501A (ja) 2000-08-31 2012-08-09 Ebara Corp 化学的機械研磨(cmp)ヘッド、装置及び方法
JP2013151058A (ja) 2013-02-25 2013-08-08 Nitta Haas Inc 研磨パッド

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1158218A (ja) * 1997-08-12 1999-03-02 Nikon Corp 研磨パッド及び研磨装置
JPH11347935A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Ebara Corp 研磨装置
TWI221105B (en) * 2002-05-13 2004-09-21 Jsr Corp Polishing pad for semiconductor wafer, polishing laminate comprising the same for semiconductor wafer, and method for polishing semiconductor wafer
US7442116B2 (en) * 2003-11-04 2008-10-28 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad
TW200736001A (en) * 2006-03-27 2007-10-01 Toshiba Kk Polishing pad, method of polishing and polishing apparatus
JP2008258574A (ja) * 2007-03-14 2008-10-23 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
CN101497182B (zh) * 2008-01-31 2013-05-08 智胜科技股份有限公司 研磨垫及其制造方法
WO2013002744A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Hoya Glass Disk (Thailand) Ltd. Device and method for removing substrates for information recording medium
JP5936921B2 (ja) * 2012-05-31 2016-06-22 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
KR102232039B1 (ko) * 2012-07-23 2021-03-26 제이에이치 로드스 컴퍼니, 인크 비평면 유리 연마 패드 및 상기 연마 패드 제작 방법
CN203282330U (zh) * 2013-05-14 2013-11-13 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 化学机械研磨装置
US8980749B1 (en) * 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
CN204295485U (zh) * 2014-12-04 2015-04-29 朱晓飞 化学机械研磨垫

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151501A (ja) 2000-08-31 2012-08-09 Ebara Corp 化学的機械研磨(cmp)ヘッド、装置及び方法
JP2002324769A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Jsr Corp 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法
JP2005500174A (ja) 2001-08-16 2005-01-06 エスケーシー カンパニー,リミテッド 孔および/またはグルーブを有する化学的機械的研磨パッド
JP2003300149A (ja) 2002-02-07 2003-10-21 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JP2003260657A (ja) 2002-03-04 2003-09-16 Rodel Nitta Co 研磨布
JP2004082270A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Fujitsu Ltd 研磨パッド及びこの研磨パッドを用いた研磨装置、研磨方法
JP2006527483A (ja) 2003-06-06 2006-11-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電気化学機械的研磨用の導電性研磨機器
JP2006289539A (ja) 2005-04-08 2006-10-26 Mitsubishi Materials Techno Corp 研磨機及び被研磨体の研磨方法
JP2007290114A (ja) 2006-03-27 2007-11-08 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置
US20080125019A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Semiconductor Manufacturing Polishing Pad and a Chemical-Mechanical Polishing Method
JP2008221389A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
JP2013151058A (ja) 2013-02-25 2013-08-08 Nitta Haas Inc 研磨パッド

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019000396T5 (de) 2020-09-24
TW201940285A (zh) 2019-10-16
WO2019139117A1 (ja) 2019-07-18
JP2019123031A (ja) 2019-07-25
US20210053181A1 (en) 2021-02-25
TWI800589B (zh) 2023-05-01
CN111601681B (zh) 2023-05-12
KR20200104867A (ko) 2020-09-04
CN111601681A (zh) 2020-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5124212B2 (ja) 重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド
JP5208467B2 (ja) 不均等に離間した溝を有するcmpパッド
JP7113626B2 (ja) 研磨パッド
TWI426979B (zh) 具有使漿液保留於研磨墊紋路之溝槽之研磨墊及其製造方法
KR101200424B1 (ko) 중첩 단차를 형성하는 그루브 배열을 구비한 씨엠피 패드
JP2006167907A (ja) 研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有するcmp研磨パッド
US7156721B2 (en) Polishing pad with flow modifying groove network
JP5924596B2 (ja) 研磨システム用研磨パッド
US20060154574A1 (en) CMP pad having a radially alternating groove segment configuration
JP2012076220A (ja) 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
TW201930012A (zh) 具有具刻面的內表面的固定環
JP4689241B2 (ja) スラリー利用度を高める溝を有する研磨パッド
JP2019022931A5 (ja)
JP2008188762A5 (ja)
US20080182493A1 (en) Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption
JP2004327567A (ja) 研磨パッド
JP2018039080A (ja) 研磨パッド
JP6806499B2 (ja) 研磨パッド
TWI679083B (zh) 研磨墊
JP2018039079A (ja) 研磨パッド
TWM612568U (zh) 研磨墊
KR20230169685A (ko) 개선된 연마속도를 갖는 연마패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마장치
KR20070032020A (ko) 유동 조절 홈 그물구조를 갖는 연마 패드
KR20230169683A (ko) 개선된 연마속도를 갖는 연마패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마장치
JP2014195840A (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220701

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7113626

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150