JP5124212B2 - 重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド - Google Patents
重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP5124212B2 JP5124212B2 JP2007223527A JP2007223527A JP5124212B2 JP 5124212 B2 JP5124212 B2 JP 5124212B2 JP 2007223527 A JP2007223527 A JP 2007223527A JP 2007223527 A JP2007223527 A JP 2007223527A JP 5124212 B2 JP5124212 B2 JP 5124212B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- polishing
- grooves
- pad
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 178
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
本発明は一般にケミカルメカニカルポリッシング(CMP)の分野に関する。特に、本発明は、重複する面積一定のらせん溝を有するCMPパッドを導出することに関する。
本発明の一つの特徴では、研磨パッドは、研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、同心円中心および外周を有する円形の研磨面を含む研磨層と;円形の研磨面に形成される少なくとも一つの第一溝と;円形の研磨面に形成され、少なくとも一つの第一溝と少なくとも二回にわたって交差し、四つの湾曲した辺を有する少なくとも一つの四辺区域を定義する、少なくとも一つの第二溝とを含み、;少なくとも一つの第一溝および少なくとも一つの第二溝のおのおのが、それぞれ円形の研磨面に対し、同心円中心に隣接する第一位置から外周に隣接する第二位置までの各円周溝部割合を伴う円形の研磨面を備え、各円周溝部割合が平均を有するとともに平均から約25%以内に維持される。
図面を参照すると、図1〜3は、本発明に従って作製され、後に詳述するようにCMP研磨装置に使用することができる研磨パッド100を示す。図2に示すように、研磨パッド100は、研磨面108を有する研磨層104を含む。研磨層104は、研磨層と一体で形成することができる、または研磨層と別個に形成することができるバッキング層112で支持することができる。研磨層104は、被研磨物品、たとえば、とりわけ半導体ウェーハ(図1の輪郭114で指示する)、コンピュータハードドライブのディスクなどの磁気媒体物品または屈折レンズ、反射レンズ、平面反射板もしくは透明平面物品などの光学部品の研磨に好適なあらゆる材料から作製することができる。研磨層104の材料の例としては、説明のためであってこれらに限定されるものではないが、さまざまなポリマープラスチック、たとえば、とりわけポリウレタン、ポリブタジエン、ポリカーボネートおよびポリメチルアクリレートを含む。
ここで、Rはパッド中心からの距離、φはパッド中心に固定された極座標上の角度であり、
であり、Rsはらせんの開始半径である。本明細書および添付の請求項では、式{1}〜{3}を「一定の円周溝部割合に関する一連の式」または単純に「CF式」とする。
Claims (6)
- 研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、同心円中心および外周を有する円形の研磨面を含む研磨層と;
円形の研磨面に形成される第一溝セットであって、第一開始半径の関数として一定の円周溝部割合に関する一連の式によって定義される第一溝セットと;
円形の研磨面に形成され、少なくとも一つの第一溝と少なくとも二回にわたって交差し、四つの湾曲した辺を有する少なくとも一つの四辺区域を定義する第二溝セットであって、第二開始半径の関数として一定の円周溝部割合に関する一連の式によって定義されるらせん形状を有する第二溝セットとを含み、;
第一溝セットおよび第二溝セットのおのおのが、同心円中心に隣接する第一位置から外周に隣接する第二位置までの各円周溝部割合を伴う円形の研磨面を備え、各円周溝部割合が平均を有するとともに平均から約25%以内に維持されており、
少なくとも一つの第一溝が円形の研磨面の同心円中心を中心に第一方向に巻き、少なくとも一つの第二溝が同心円中心を中心に第一方向と反対の第二方向に巻く、
研磨パッド。 - 研磨のために研磨パッドを使用する際に、研磨面が環状のウェーハトラックを有し、第一開始半径が研磨面の同心円中心とウェーハトラックとの間に位置し、第二開始半径がウェーハトラック内にある、請求項1記載の研磨パッド。
- 少なくとも一つの第一溝および少なくとも一つの第二溝のそれぞれの円周溝部割合が、平均を有し、平均の約10%以内に維持される、請求項1記載の研磨パッド。
- 少なくとも完全に二ターンする第一溝セットの各らせん溝を備えるために、第一溝セットが、パッド外側半径の約1/12未満である第一開始半径を有する、請求項1記載の研磨パッド。
- 完全な一ターン以下である第二溝セットの各らせん溝を備えるために、第二溝セットが、パッド外側半径の約1/3より大きい第二開始半径を有する、請求項4記載の研磨パッド。
- 少なくとも完全に二ターンする第二溝セットの各らせん溝を備えるために、第二溝セットが、パッド外側半径の約1/12未満である第二開始半径を有する、請求項4記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/512,699 | 2006-08-30 | ||
US11/512,699 US7300340B1 (en) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | CMP pad having overlaid constant area spiral grooves |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008068394A JP2008068394A (ja) | 2008-03-27 |
JP5124212B2 true JP5124212B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=38721882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007223527A Active JP5124212B2 (ja) | 2006-08-30 | 2007-08-30 | 重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7300340B1 (ja) |
JP (1) | JP5124212B2 (ja) |
KR (1) | KR101327626B1 (ja) |
CN (1) | CN101134292B (ja) |
DE (1) | DE102007040540A1 (ja) |
FR (1) | FR2907700A1 (ja) |
TW (1) | TWI380853B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US8221196B2 (en) * | 2007-08-15 | 2012-07-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
TWI473685B (zh) * | 2008-01-15 | 2015-02-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
US20090209181A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Burnett Michael Gearald | Polishing tool |
US9180570B2 (en) * | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
US8062103B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-11-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate groove pattern |
US8057282B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate polishing method |
CN101972995B (zh) * | 2010-06-08 | 2013-05-01 | 沈阳理工大学 | 一种仿生表面结构抛光垫及制造方法 |
JP5635957B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2014-12-03 | 日本碍子株式会社 | 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド |
US9211628B2 (en) * | 2011-01-26 | 2015-12-15 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern |
JP5936921B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-06-22 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
US9034063B2 (en) * | 2012-09-27 | 2015-05-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing grooved chemical mechanical polishing layers |
TWI599447B (zh) | 2013-10-18 | 2017-09-21 | 卡博特微電子公司 | 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
SG10202002601QA (en) | 2014-10-17 | 2020-05-28 | Applied Materials Inc | Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US9293339B1 (en) * | 2015-09-24 | 2016-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of polishing semiconductor substrate |
KR20230169424A (ko) | 2015-10-30 | 2023-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법 |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US10777418B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-09-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I | Biased pulse CMP groove pattern |
US10857647B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | High-rate CMP polishing method |
US10857648B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Trapezoidal CMP groove pattern |
US10586708B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-03-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Uniform CMP polishing method |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
CN108212319B (zh) * | 2017-12-15 | 2024-04-19 | 山西省平遥县五阳实业有限公司 | 一种环形分带磨盘 |
JP7299970B2 (ja) | 2018-09-04 | 2023-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良型研磨パッドのための配合物 |
TWI679083B (zh) * | 2019-01-02 | 2019-12-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 研磨墊 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
CN114770371B (zh) * | 2022-03-10 | 2023-08-25 | 宁波赢伟泰科新材料有限公司 | 一种高抛光液使用效率的抛光垫 |
CN114770372B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-08-22 | 南京航空航天大学 | 一种具有均匀材料去除功能的复合表面图案抛光垫 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63287865A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Ricoh Co Ltd | 静電記録装置 |
US5650039A (en) | 1994-03-02 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution |
JPH11156699A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨用パッド |
JPH11216663A (ja) | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
GB2345255B (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-27 | United Microelectronics Corp | Chemical-Mechanical Polishing Pad |
US6749714B1 (en) * | 1999-03-30 | 2004-06-15 | Nikon Corporation | Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device |
JP2001071256A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Shinozaki Seisakusho:Kk | 研磨パッドの溝形成方法及び装置並びに研磨パッド |
JP2001138212A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Toshiro Doi | 精密研磨装置 |
JP2002200555A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Ebara Corp | 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置 |
US7121938B2 (en) * | 2002-04-03 | 2006-10-17 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Polishing pad and method of fabricating semiconductor substrate using the pad |
US6783436B1 (en) | 2003-04-29 | 2004-08-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with optimized grooves and method of forming same |
US7125318B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-10-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption |
US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
-
2006
- 2006-08-30 US US11/512,699 patent/US7300340B1/en active Active
-
2007
- 2007-07-30 TW TW096127701A patent/TWI380853B/zh active
- 2007-08-28 DE DE102007040540A patent/DE102007040540A1/de not_active Ceased
- 2007-08-29 CN CN2007101472194A patent/CN101134292B/zh active Active
- 2007-08-29 KR KR1020070086971A patent/KR101327626B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-30 JP JP2007223527A patent/JP5124212B2/ja active Active
- 2007-08-30 FR FR0757265A patent/FR2907700A1/fr active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008068394A (ja) | 2008-03-27 |
US7300340B1 (en) | 2007-11-27 |
FR2907700A1 (fr) | 2008-05-02 |
KR101327626B1 (ko) | 2013-11-12 |
TW200815103A (en) | 2008-04-01 |
CN101134292B (zh) | 2011-09-07 |
DE102007040540A1 (de) | 2008-03-06 |
TWI380853B (zh) | 2013-01-01 |
CN101134292A (zh) | 2008-03-05 |
KR20080020537A (ko) | 2008-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5124212B2 (ja) | 重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド | |
JP5208467B2 (ja) | 不均等に離間した溝を有するcmpパッド | |
TWI426979B (zh) | 具有使漿液保留於研磨墊紋路之溝槽之研磨墊及其製造方法 | |
TWI337565B (en) | Grooved polishing pad and method | |
JP4568015B2 (ja) | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 | |
US7520798B2 (en) | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption | |
KR101680376B1 (ko) | 고속 홈 패턴 | |
KR101601281B1 (ko) | 고속 연마 방법 | |
US7108597B2 (en) | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing | |
KR101200426B1 (ko) | 방사상 교호의 그루브 세그먼트 배열을 갖는 씨엠피 패드 | |
JP2005191565A (ja) | プロセスに依存した溝構造を有するケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP5208530B2 (ja) | スラリー消費を低減するための溝を有する研磨パッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5124212 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |