JP5124212B2 - 重複する面積一定のらせん溝を有するcmpパッド - Google Patents
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Description
本発明は一般にケミカルメカニカルポリッシング(CMP)の分野に関する。特に、本発明は、重複する面積一定のらせん溝を有するCMPパッドを導出することに関する。
本発明の一つの特徴では、研磨パッドは、研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、同心円中心および外周を有する円形の研磨面を含む研磨層と;円形の研磨面に形成される少なくとも一つの第一溝と;円形の研磨面に形成され、少なくとも一つの第一溝と少なくとも二回にわたって交差し、四つの湾曲した辺を有する少なくとも一つの四辺区域を定義する、少なくとも一つの第二溝とを含み、;少なくとも一つの第一溝および少なくとも一つの第二溝のおのおのが、それぞれ円形の研磨面に対し、同心円中心に隣接する第一位置から外周に隣接する第二位置までの各円周溝部割合を伴う円形の研磨面を備え、各円周溝部割合が平均を有するとともに平均から約25%以内に維持される。
図面を参照すると、図1〜3は、本発明に従って作製され、後に詳述するようにCMP研磨装置に使用することができる研磨パッド100を示す。図2に示すように、研磨パッド100は、研磨面108を有する研磨層104を含む。研磨層104は、研磨層と一体で形成することができる、または研磨層と別個に形成することができるバッキング層112で支持することができる。研磨層104は、被研磨物品、たとえば、とりわけ半導体ウェーハ(図1の輪郭114で指示する)、コンピュータハードドライブのディスクなどの磁気媒体物品または屈折レンズ、反射レンズ、平面反射板もしくは透明平面物品などの光学部品の研磨に好適なあらゆる材料から作製することができる。研磨層104の材料の例としては、説明のためであってこれらに限定されるものではないが、さまざまなポリマープラスチック、たとえば、とりわけポリウレタン、ポリブタジエン、ポリカーボネートおよびポリメチルアクリレートを含む。
ここで、Rはパッド中心からの距離、φはパッド中心に固定された極座標上の角度であり、
であり、Rsはらせんの開始半径である。本明細書および添付の請求項では、式{1}〜{3}を「一定の円周溝部割合に関する一連の式」または単純に「CF式」とする。
Claims (6)
- 研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、同心円中心および外周を有する円形の研磨面を含む研磨層と;
円形の研磨面に形成される第一溝セットであって、第一開始半径の関数として一定の円周溝部割合に関する一連の式によって定義される第一溝セットと;
円形の研磨面に形成され、少なくとも一つの第一溝と少なくとも二回にわたって交差し、四つの湾曲した辺を有する少なくとも一つの四辺区域を定義する第二溝セットであって、第二開始半径の関数として一定の円周溝部割合に関する一連の式によって定義されるらせん形状を有する第二溝セットとを含み、;
第一溝セットおよび第二溝セットのおのおのが、同心円中心に隣接する第一位置から外周に隣接する第二位置までの各円周溝部割合を伴う円形の研磨面を備え、各円周溝部割合が平均を有するとともに平均から約25%以内に維持されており、
少なくとも一つの第一溝が円形の研磨面の同心円中心を中心に第一方向に巻き、少なくとも一つの第二溝が同心円中心を中心に第一方向と反対の第二方向に巻く、
研磨パッド。 - 研磨のために研磨パッドを使用する際に、研磨面が環状のウェーハトラックを有し、第一開始半径が研磨面の同心円中心とウェーハトラックとの間に位置し、第二開始半径がウェーハトラック内にある、請求項1記載の研磨パッド。
- 少なくとも一つの第一溝および少なくとも一つの第二溝のそれぞれの円周溝部割合が、平均を有し、平均の約10%以内に維持される、請求項1記載の研磨パッド。
- 少なくとも完全に二ターンする第一溝セットの各らせん溝を備えるために、第一溝セットが、パッド外側半径の約1/12未満である第一開始半径を有する、請求項1記載の研磨パッド。
- 完全な一ターン以下である第二溝セットの各らせん溝を備えるために、第二溝セットが、パッド外側半径の約1/3より大きい第二開始半径を有する、請求項4記載の研磨パッド。
- 少なくとも完全に二ターンする第二溝セットの各らせん溝を備えるために、第二溝セットが、パッド外側半径の約1/12未満である第二開始半径を有する、請求項4記載の研磨パッド。
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