JP2015189003A5 - - Google Patents

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  1. 研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層と、
    前記研磨層に組み込まれた終点検出ウィンドウと
    を含み、前記研磨層が、
    2〜12重量%の未反応NCO基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択される研磨層プレポリマーと、
    1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を有し、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、
    2,500〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均3〜10個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤25〜95重量%、及び
    研磨層二官能硬化剤0〜70重量%
    を含む研磨層硬化剤系と
    を含む成分の反応生成物を含み、
    前記終点検出ウィンドウが、
    2〜6.5重量%の未反応NCO基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択されるウィンドウプレポリマーと、
    ウィンドウ二官能硬化剤少なくとも5重量%、
    1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を有し、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有するウィンドウアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、及び
    2,000〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均3〜10個のヒドロキシル基を有するウィンドウ高分子量ポリオール硬化剤25〜90重量%
    を含むウィンドウ硬化剤系と
    を含む成分の反応生成物を含み、
    前記研磨層が、≧0.6g/cm3の密度、5〜40のショアーD硬さ、100〜450%の破断点伸び及び25〜150μm/hrの切削速度を示す、ケミカルメカニカル研磨パッド。
  2. 前記ウィンドウ硬化剤系が反応性水素部分濃度を有し、前記ウィンドウプレポリマーが未反応NCO部分濃度を有し、前記反応性水素部分濃度を前記未反応NCO部分濃度で割った比が0.7〜1.2である、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
  3. 前記終点検出ウィンドウが、≧1g/cm3の密度、0.1容量%未満の気孔率、10〜50のショアーD硬さ、≦400%の破断点伸び及び800nmでのダブルパス透過率DPT80030〜100%を示す、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
  4. 前記研磨層硬化剤系が、
    1分子あたり2個の窒素原子を有し、1分子あたり平均4個のヒドロキシル基を有し、200〜400の数平均分子量MNを有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤5〜20重量%、
    10,000〜12,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均6個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤50〜75重量%、及び
    4,4′−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA)、4,4′−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である研磨層二官能硬化剤10〜30重量%
    を含有し、
    前記研磨層硬化剤系が複数の反応性水素部分を有し、前記研磨層プレポリマーが複数の未反応NCO部分を有し、
    前記研磨層プレポリマー中の未反応イソシアネート部分に対する前記研磨層硬化剤系中の前記反応性水素部分のモル比が0.95〜1.05であり、
    前記研磨層が、0.75〜1.0g/cm3の密度、5〜20のショアーD硬さ、150〜300%の破断点伸び及び30〜60μm/hrの切削速度を示す、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9259820B2 (en) * 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
USD785339S1 (en) * 2014-10-23 2017-05-02 Griot's Garage, Inc. Hand applicator buffing pad
US20160144477A1 (en) * 2014-11-21 2016-05-26 Diane Scott Coated compressive subpad for chemical mechanical polishing
US9484212B1 (en) * 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
TWI793073B (zh) 2016-05-10 2023-02-21 美商陶氏全球科技有限責任公司 包括胺引發的多元醇的雙組分無溶劑黏著劑組合物
US20180281149A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
KR101945878B1 (ko) 2017-07-11 2019-02-11 에스케이씨 주식회사 연마층과 유사 경도를 갖는 윈도우를 포함하는 연마패드
CN112720282B (zh) * 2020-12-31 2022-04-08 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫
CN115194641B (zh) * 2022-07-29 2023-08-11 安徽禾臣新材料有限公司 一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
US6106662A (en) 1998-06-08 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
US6171181B1 (en) 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
JP2002001647A (ja) 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
JP2004259728A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Toray Ind Inc 研磨パッド
US8864859B2 (en) * 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7195539B2 (en) 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US7101275B2 (en) * 2003-09-26 2006-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
US7258602B2 (en) 2003-10-22 2007-08-21 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same
US6984163B2 (en) 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US7018581B2 (en) 2004-06-10 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a polishing pad with reduced stress window
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
CN102554766B (zh) * 2004-12-10 2014-11-05 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及研磨垫的制造方法
JP5110677B2 (ja) 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2007307639A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP5145683B2 (ja) * 2006-07-20 2013-02-20 東レ株式会社 研磨方法、研磨パッド、研磨パッドの製造方法
US8118641B2 (en) * 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
US8083570B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having sealed window
US8257544B2 (en) 2009-06-10 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
JP5715770B2 (ja) * 2010-06-17 2015-05-13 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 低欠陥の一体型窓を有する化学機械研磨パッド及び当該化学機械研磨パッドを用いて基体を化学機械研磨する方法
US8257545B2 (en) * 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8512427B2 (en) * 2011-09-29 2013-08-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Acrylate polyurethane chemical mechanical polishing layer

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