JP2015189003A - 軟質かつコンディショニング可能なウィンドウ付きケミカルメカニカル研磨パッド - Google Patents
軟質かつコンディショニング可能なウィンドウ付きケミカルメカニカル研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015189003A JP2015189003A JP2015066482A JP2015066482A JP2015189003A JP 2015189003 A JP2015189003 A JP 2015189003A JP 2015066482 A JP2015066482 A JP 2015066482A JP 2015066482 A JP2015066482 A JP 2015066482A JP 2015189003 A JP2015189003 A JP 2015189003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- window
- layer
- curing agent
- chemical mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 365
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 title description 31
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 78
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims abstract description 77
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims abstract description 74
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 25
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- -1 isocyanate modified urethane Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 claims description 16
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 16
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2-chloro-3,5-diethylphenyl)methyl]-3-chloro-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C(=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)Cl)=C1Cl VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxy-3,4-dihydro-1h-quinolin-2-one Chemical group N1C(=O)CCC2=CC(O)=CC=C21 HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 25
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 198
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 12
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 12
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical group CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical group CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(C)CCO SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920013701 VORANOL™ Polymers 0.000 description 3
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 3
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920002176 Pluracol® Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXVWWANJIWJOO-UHFFFAOYSA-N 1-(1,3-benzodioxol-5-yl)-N-ethylpropan-2-amine Chemical compound CCNC(C)CC1=CC=C2OCOC2=C1 PVXVWWANJIWJOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)propan-2-ol Chemical compound CC(O)CNCCN CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPUHQXZSLCCTAN-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2,3-dichlorophenyl)methyl]-2,3-dichloroaniline Chemical compound ClC1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1Cl PPUHQXZSLCCTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3,5-diethylphenyl)methyl]-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)=C1 NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-ethyl-5-methylphenyl)methyl]-2-ethyl-6-methylaniline Chemical compound CC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(C)C=2)=C1 QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2,6-bis(methylsulfanyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CSC1=CC(C)=C(N)C(SC)=C1N AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- QMMZSJPSPRTHGB-UHFFFAOYSA-N MDEA Natural products CC(C)CCCCC=CCC=CC(O)=O QMMZSJPSPRTHGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N n,n'-di-2-butyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-yl-4-[[4-(butan-2-ylamino)phenyl]methyl]aniline Chemical compound C1=CC(NC(C)CC)=CC=C1CC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical compound CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
Abstract
Description
本発明のケミカルメカニカル研磨パッドは、低欠陥研磨性能を提供するための低い硬さ(すなわちショアーD≦40)と、研磨層中の溝の形成を容易にするための機械加工性及びダイアモンドコンディショニングディスクを使用するミクロテキスチャの形成を容易にするためのコンディショニング性の両方を提供する低い引張り伸び(すなわち破断点伸び≦450%)との他に類のない組み合わせを示す研磨層を有する。加えて、本発明の研磨層によって可能になる性質のバランスは、たとえば、半導体装置の電気的完全性を損ないかねないマイクロスクラッチ欠陥を創成することによってウェーハ表面を損傷することなく、半導体ウェーハを研磨する能力を提供する。
DPT=(IWSi−IWD)÷(IASi−IAD)
式中、IWSi、IWD、IASi及びIADは、SD1024F分光器、キセノン閃光ランプ及び3mm光ファイバケーブルを含むVerity SP2006スペクトル干渉計を使用して、3mm光ファイバケーブルの発光面を原点で終点検出ウィンドウの第一の面に対して(垂直に)配置し、光をウィンドウの厚さTWに通して送り(図5及び6を参照)、第一の面に対して実質的に平行な終点検出ウィンドウの第二の面に対して配置された面から反射してウィンドウの厚さTWを反対に通過する光の強さを原点で計測することによって計測され、IWSiは、原点からウィンドウを通過し、ウィンドウの第二の面に対して配置されたシリコンブランケットウェーハの表面から反射してウィンドウを反対に通過して原点に戻る光の強さの計測値であり、IWDは、原点からウィンドウを通過し、黒体の表面から反射してウィンドウを反対に通過して原点に戻る光の強さの計測値であり、IASiは、原点から終点検出ウィンドウの厚さTwに等しい空気の厚さを通過し、3mm光ファイバケーブルの発光面に対して垂直に配置されたシリコンブランケットウェーハの表面から反射して空気の厚さを反対に通過して原点に戻る光の強さの計測値であり、IADは、3mm光ファイバケーブルの発光面で黒体から反射する光の強さの計測値である。
(TP-avg−1ミル)≦TW-avg≦(TP-avg+1ミル)
より好ましくは、終点検出ウィンドウ(30)は、以下の式を満たす平均厚さTW-avgを示す。
(TP-avg−0.5ミル)≦TW-avg≦(TP-avg+0.5ミル)
もっとも好ましくは、終点検出ウィンドウ(30)は、研磨層の平均厚さTP-avgに等しい平均厚さTW-avgを示す。
表3に提供された組成詳細にしたがって研磨層を作製した。具体的には、51℃で、研磨層プレポリマー(すなわち、比較例A及び実施例1〜9の場合にはAdiprene(登録商標)LF667ならびに比較例B及び実施例10〜19の場合にはAdiprene(登録商標)LFG963A、いずれもChemtura Corporationから市販)と研磨層硬化剤系の成分との制御された混合によってポリウレタンケーキを調製した。アミン開始ポリオール硬化剤(すなわち、The Dow Chemical Companyから市販されているVoranol(登録商標)800)及び高分子量ポリオール硬化剤(すなわち、The Dow Chemical Companyから市販されているVoralux(登録商標)HF505)を予備混合したのち、他の原料に配合した。MBOCAを除くすべての原料を51℃の予備混合温度に維持した。MBOCAは、116℃の予備混合温度に維持した。研磨層硬化剤系と研磨層プレポリマーとの比は、研磨層プレポリマー中の未反応イソシアネート(NCO)基に対する硬化剤中の反応性水素基(すなわち、−OH基と−NH2基との合計)の比によって決まる化学量論比が表3に記される比になるように設定した。
表5に提供する組成詳細にしたがって終点検出ウィンドウを作製した。具体的には、ボルテックスミキサを1,000rpmで30秒間使用して、ウィンドウプレポリマーをウィンドウ硬化剤系の成分と混合した。二官能芳香族硬化剤(すなわちMBOCA及びMCDEA)を除くすべての原料は60℃の予備混合温度に維持した。MBOCA及びMCDEAは、使用時、120℃の予備混合温度に維持した。
DPT=(IWSi−IWD)÷(IASi−IAD)
式中、IWSi、IWD、IASi及びIADは、SD1024F分光器、キセノン閃光ランプ及び3mm光ファイバケーブルを含むVerity SP2006スペクトル干渉計を使用して、3mm光ファイバケーブルの発光面を原点で終点検出ウィンドウの第一の面に対して(垂直に)配置し、所与の波長(すなわち、それぞれ400nm及び800nm)の光をウィンドウの厚さTWに通して送り、第一の面に対して実質的に平行な終点検出ウィンドウの第二の面に対して配置された面から反射してウィンドウの厚さTWを反対に通過する所与の波長の光の強さを原点で計測することによって計測され、IWSiは、原点からウィンドウを通過し、ウィンドウの第二の面に対して配置されたシリコンブランケットウェーハの表面から反射してウィンドウを反対に通過して原点に戻る所与の波長の光の強さの計測値であり、IWDは、原点からウィンドウを通過し、黒体の表面から反射してウィンドウを反対に通過して原点に戻る所与の波長の光の強さの計測値であり、IASiは、原点から終点検出ウィンドウの厚さTwに等しい空気の厚さを通過し、3mm光ファイバケーブルの発光面に対して垂直に配置されたシリコンブランケットウェーハの表面から反射して空気の厚さを反対に通過して原点に戻る所与の波長の光の強さの計測値であり、IADは、3mm光ファイバケーブルの発光面で黒体から反射する所与の波長の光の強さの計測値である。
ポケット金型の代わりに5.7cm×1.9cm×10.2cmの寸法のキャビティを有するウィンドウブロック金型を用いたことを除き比較例C24及び実施例8〜11ぞれぞれに関して記載した組成及び方法にしたがってウィンドウブロックを作製した。得られたウィンドウブロックを従来の手段によって同一組成の研磨パッドケーキに組み込み、得られたパッドケーキから一体型終点検出ウィンドウ及び80ミルのTP-avgを有する研磨層をスカイビングして、従来のウィンドウ組成を有する対照研磨層(比較例24)及び本発明のウィンドウ組成を有する研磨層(実施例8〜11)を提供した。すべての研磨層は厚さ80ミルであり、深さ30ミル、幅20ミル及びピッチ120ミルの円形の溝を有していた。すべての研磨層をSuba IV(商標)サブパッド材料に貼り合わせた。すべての研磨層を、Applied MaterialsのMirra 200mm研磨機を使用して、フルコンディショニングの(すなわちコンディショニングのみの)4時間のシミュレーション基材研磨に付した。具体的には、パッドを研磨機の中に設置し、Saesol AK45 CMPコンディショニングディスク(Saesol Diamond Ind. Co. Ltd.から市販)を用いて48.3kPaのコンディショニングダウンフォース、>300ml/minの脱イオン水流量、99rpmのテーブル回転速度、90rpmのコンディショナ速度でコンディショニングした。上記条件下で4時間のシミュレーション基材研磨ののち、研磨面における一体型ウィンドウのプロフィールを計測して、研磨面から外へのウィンドウの膨らみ又は研磨面から離れるウィンドウの凹みの程度を測定した。各ウィンドウに関して認められた最大膨らみ又は凹みを表7に報告する。
Claims (11)
- 研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さTP-avgを有する研磨層と、
前記研磨層に組み込まれた終点検出ウィンドウと
を含み、前記研磨層が、
2〜12重量%の未反応NCO基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択される研磨層プレポリマーと、
1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を有し、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、
2,500〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均3〜10個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤25〜95重量%、及び
研磨層二官能硬化剤0〜70重量%
を含む研磨層硬化剤系と
を含む成分の反応生成物を含み、
前記終点検出ウィンドウが、
2〜6.5重量%の未反応NCO基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択されるウィンドウプレポリマーと、
ウィンドウ二官能硬化剤少なくとも5重量%、
1分子あたり少なくとも1個の窒素原子を有し、1分子あたり平均少なくとも3個のヒドロキシル基を有するウィンドウアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも5重量%、及び
2,000〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均3〜10個のヒドロキシル基を有するウィンドウ高分子量ポリオール硬化剤25〜90重量%
を含むウィンドウ硬化剤系と
を含む成分の反応生成物を含み、
前記研磨層が、≧0.6g/cm3の密度、5〜40のショアーD硬さ、100〜450%の破断点伸び及び25〜150μm/hrの切削速度を示す、ケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記研磨面が、磁性基材、光学基材及び半導体基材から選択される基材を研磨するように適合されている、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 更に、上面及び下面を有する硬質層と、
前記研磨層の前記ベース面と前記硬質層の前記上面との間に挿入されたホットメルト接着剤と
を含み、前記ホットメルト接着剤が前記研磨層を前記硬質層に接着する、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。 - 更に、前記硬質層の前記下面に配置される感圧プラテン接着剤と、
剥離ライナと
を含み、前記感圧プラテン接着剤が前記硬質層の前記下面と前記剥離ライナとの間に挿入される、請求項3記載のケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記ウィンドウ硬化剤系が反応性水素部分濃度を有し、前記ウィンドウプレポリマーが未反応NCO部分濃度を有し、前記反応性水素部分濃度を前記未反応NCO部分濃度で割った比が0.7〜1.2である、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記終点検出ウィンドウが、≧1g/cm3の密度、0.1容量%未満の気孔率、10〜50のショアーD硬さ、≦400%の破断点伸び及び800nmでのダブルパス透過率DPT80030〜100%を示す、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記終点検出ウィンドウがさらに、400nmでのダブルパス透過率DPT40025〜100%を示す、請求項6記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記研磨層硬化剤系が、
1分子あたり2個の窒素原子を有し、1分子あたり平均4個のヒドロキシル基を有し、200〜400の数平均分子量MNを有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤5〜20重量%、
10,000〜12,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均6個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤50〜75重量%、及び
4,4′−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(MBOCA)、4,4′−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(MCDEA)及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である研磨層二官能硬化剤10〜30重量%
を含有し、
前記研磨層硬化剤系が複数の反応性水素部分を有し、前記研磨層プレポリマーが複数の未反応NCO部分を有し、
前記研磨層プレポリマー中の未反応イソシアネート部分に対する前記研磨層硬化剤系中の前記反応性水素部分のモル比が0.95〜1.05であり、
前記研磨層が、0.75〜1.0g/cm3の密度、5〜20のショアーD硬さ、150〜300%の破断点伸び及び30〜60μm/hrの切削速度を示す、請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記研磨層プレポリマーが、5〜7重量%の未反応NCO基を有し、400〜2,500の数平均分子量MNを示す末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択される、請求項7記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
- 基材を研磨する方法であって、
プラテン、光源及びフォトセンサを有するケミカルメカニカル研磨装置を提供する工程、
少なくとも一つの基材を提供する工程、
請求項1記載のケミカルメカニカル研磨パッドを提供する工程、
前記ケミカルメカニカル研磨パッドを前記プラテンの上に設置する工程、
場合によっては、前記研磨面と前記基材との間の界面に研磨媒を提供する工程、
前記研磨面と前記基材との間に動的接触を生じさせて、少なくともいくらかの材料を前記基材から除去する工程、及び
前記光源からの光を前記終点検出ウィンドウに通して伝送し、前記基材の表面から反射して前記終点検出ウィンドウを反対に通過して前記フォトセンサに入射する光を分析することによって研磨終点を決定する工程
を含む方法。 - 前記少なくとも一つの基材が、磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つからなる群より選択される、請求項9記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/228,744 US9064806B1 (en) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window |
US14/228,744 | 2014-03-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015189003A true JP2015189003A (ja) | 2015-11-02 |
JP2015189003A5 JP2015189003A5 (ja) | 2018-04-26 |
JP6538397B2 JP6538397B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=53397220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015066482A Active JP6538397B2 (ja) | 2014-03-28 | 2015-03-27 | 軟質かつコンディショニング可能なウィンドウ付きケミカルメカニカル研磨パッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9064806B1 (ja) |
JP (1) | JP6538397B2 (ja) |
KR (1) | KR102411323B1 (ja) |
CN (1) | CN104942700B (ja) |
DE (1) | DE102015003200A1 (ja) |
FR (1) | FR3019077B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017139443A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-08-10 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリッシング方法 |
JP2018171702A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカル研磨パッド |
KR101945878B1 (ko) | 2017-07-11 | 2019-02-11 | 에스케이씨 주식회사 | 연마층과 유사 경도를 갖는 윈도우를 포함하는 연마패드 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9259820B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
US9216489B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
USD785339S1 (en) * | 2014-10-23 | 2017-05-02 | Griot's Garage, Inc. | Hand applicator buffing pad |
US20160144477A1 (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Diane Scott | Coated compressive subpad for chemical mechanical polishing |
TWI793073B (zh) | 2016-05-10 | 2023-02-21 | 美商陶氏全球科技有限責任公司 | 包括胺引發的多元醇的雙組分無溶劑黏著劑組合物 |
CN112720282B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-08 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 一种抛光垫 |
CN115194641B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-08-11 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259728A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Toray Ind Inc | 研磨パッド |
JP2008047849A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Toray Ind Inc | 研磨方法、研磨パッド、研磨パッドの製造方法 |
US20100317261A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Mary Jo Kulp | Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window |
JP2012004335A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 低欠陥の一体型窓を有する化学機械研磨パッド |
JP2012071416A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 光安定性ポリマー終点検出窓を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドおよびそれを用いた研磨方法 |
JP2013078839A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | アクリレートポリウレタンケミカルメカニカル研磨層 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5433651A (en) | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
US6106662A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6171181B1 (en) | 1999-08-17 | 2001-01-09 | Rodel Holdings, Inc. | Molded polishing pad having integral window |
JP2002001647A (ja) | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
US8864859B2 (en) * | 2003-03-25 | 2014-10-21 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US7195539B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Coporation | Polishing pad with recessed window |
US7101275B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-09-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing |
US7074115B2 (en) | 2003-10-09 | 2006-07-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad |
US7258602B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-08-21 | Iv Technologies Co., Ltd. | Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same |
US6984163B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
US7204742B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port |
US7018581B2 (en) | 2004-06-10 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a polishing pad with reduced stress window |
US8075372B2 (en) * | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
CN102554766B (zh) * | 2004-12-10 | 2014-11-05 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫及研磨垫的制造方法 |
JP5110677B2 (ja) | 2006-05-17 | 2012-12-26 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP2007307639A (ja) | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
US8118641B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature |
US8083570B2 (en) * | 2008-10-17 | 2011-12-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having sealed window |
-
2014
- 2014-03-28 US US14/228,744 patent/US9064806B1/en active Active
-
2015
- 2015-03-12 DE DE102015003200.3A patent/DE102015003200A1/de active Pending
- 2015-03-25 KR KR1020150041554A patent/KR102411323B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-26 FR FR1552552A patent/FR3019077B1/fr active Active
- 2015-03-27 JP JP2015066482A patent/JP6538397B2/ja active Active
- 2015-03-30 CN CN201510144406.1A patent/CN104942700B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259728A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Toray Ind Inc | 研磨パッド |
JP2008047849A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Toray Ind Inc | 研磨方法、研磨パッド、研磨パッドの製造方法 |
US20100317261A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Mary Jo Kulp | Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window |
JP2012004335A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 低欠陥の一体型窓を有する化学機械研磨パッド |
JP2012071416A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 光安定性ポリマー終点検出窓を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドおよびそれを用いた研磨方法 |
JP2013078839A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | アクリレートポリウレタンケミカルメカニカル研磨層 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017139443A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-08-10 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリッシング方法 |
JP2018171702A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2022126751A (ja) * | 2017-03-31 | 2022-08-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP7260698B2 (ja) | 2017-03-31 | 2023-04-18 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカル研磨パッド |
KR101945878B1 (ko) | 2017-07-11 | 2019-02-11 | 에스케이씨 주식회사 | 연마층과 유사 경도를 갖는 윈도우를 포함하는 연마패드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104942700B (zh) | 2017-09-12 |
US9064806B1 (en) | 2015-06-23 |
CN104942700A (zh) | 2015-09-30 |
DE102015003200A1 (de) | 2015-10-01 |
JP6538397B2 (ja) | 2019-07-03 |
FR3019077A1 (fr) | 2015-10-02 |
KR20150112853A (ko) | 2015-10-07 |
FR3019077B1 (fr) | 2018-08-17 |
KR102411323B1 (ko) | 2022-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6487249B2 (ja) | 研磨層及びウィンドウを有するケミカルメカニカル研磨パッド | |
KR102458170B1 (ko) | 화학 기계적 연마 패드 | |
JP6290004B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能な化学機械ウィンドウ研磨パッド | |
JP6538397B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能なウィンドウ付きケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP6177665B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能なケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP6367611B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能な研磨層を有する多層化学機械研磨パッドスタック | |
TWI590919B (zh) | 見窗之軟且可調質化學機械硏磨墊及研磨基板之方法 | |
JP6334266B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能な化学機械研磨パッドスタック | |
KR20150124898A (ko) | 종점 검출 윈도우를 갖는 화학 기계적 연마 패드 | |
JP6487248B2 (ja) | 終点検出ウィンドウを有する化学機械研磨パッド | |
JP2017035773A (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド複合研磨層調合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180313 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6538397 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |