KR102458170B1 - 화학 기계적 연마 패드 - Google Patents

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Abstract

연마 표면을 갖는 연마 층을 함유하는 화학 기계적 연마 패드가 제공되고, 여기서 연마 층은 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 고분자량 폴리올 경화제 및 이관능성 경화제를 함유하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다.

Description

화학 기계적 연마 패드 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD}
본 발명은 화학 기계적 연마 패드, 및 상기를 제조 및 사용하는 방법에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드에 관한 것이고, 여기서 연마 층은 0.6 g/cm3 초과의 밀도; 40 내지 60의 쇼어(Shore) D 경도; 125 내지 300%의 파단 신율; 1.5 내지 4의 G' 30/90 비; 100 내지 300 (MPa)의 인장 탄성률; 4 내지 10 μm/분의 습윤 절삭 속도; ≥ 28의, 쇼어 D 경도에 대한 300 mm TEOS 제거율 비 (TEOS300-RR/쇼어 D 경도)를 나타내고; 연마 층은 기판을 연마하도록 구성된 연마 표면을 갖는다.
집적 회로 및 다른 전자 장치의 제작 시, 도체, 반도체 및 유전 물질의 여러 층들을 반도체 웨이퍼의 표면 상에 피착시키고 그로부터 제거한다. 도체, 반도체 및 유전 물질의 박층은 다수의 피착 기술을 사용하여 피착될 수 있다. 현대 웨이퍼 가공에서의 통상의 피착 기술은 특히, 스퍼터링으로서도 또한 공지되어 있는 물리 증착 (PVD), 화학 증착 (CVD), 플라즈마-강화 화학 증착 (PECVD) 및 전기화학 도금을 포함한다. 통상의 제거 기술은 특히 습식 및 건식의 등방성 및 이방성 에칭을 포함한다.
물질의 층이 순차적으로 피착되고 제거될 때, 웨이퍼의 최상위 표면은 비평면이 된다. 후속 반도체 가공 (예를 들어, 금속화)이 웨이퍼의 편평한 표면을 요구하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 원치 않는 표면 지형 및 표면 결함, 예컨대 거친 표면, 응집된 물질, 결정 격자 손상, 스크래치, 및 오염된 층 또는 물질을 제거하는데 유용하다.
화학 기계적 평탄화 또는 화학 기계적 연마 (CMP)는 가공물, 예컨대 반도체 웨이퍼를 평탄화 또는 연마하는데 사용되는 통상의 기술이다. 통상적인 CMP에서는, 웨이퍼 캐리어 또는 연마 헤드를 캐리어 조립체 상에 장착한다. 연마 헤드는 웨이퍼를 유지시키고, 웨이퍼를 CMP 장치 내 테이블 또는 압반 상에 장착된 연마 패드의 연마 층과 접촉하도록 위치시킨다. 캐리어 조립체는 웨이퍼와 연마 패드 사이에 제어가능한 압력을 제공한다. 동시에, 연마 매질 (예를 들어, 슬러리)이 연마 패드 상에 분배되고, 웨이퍼와 연마 패드 사이의 간극으로 인도된다. 연마를 실시하기 위해, 연마 패드 및 웨이퍼는 전형적으로 서로에 대하여 회전한다. 연마 패드가 웨이퍼 아래에서 회전할 때, 웨이퍼는 전형적으로 환상 연마 트랙 또는 연마 영역을 스위핑하고, 여기서 웨이퍼의 표면은 직접적으로 연마층과 대면한다. 웨이퍼 표면은 연마 층 및 표면 상의 연마 매질의 화학적 및 기계적 작용에 의해 연마되고 평면이 된다.
패드 표면 "컨디셔닝" 또는 "드레싱"은 안정한 연마 성능을 위해 일정한 연마 표면을 유지하는데 중요하다. 시간이 경과함에 따라 연마 패드의 연마 표면이 마모되면서, 연마 표면의 마이크로텍스쳐 상의 평활화가 일어나는데, 이러한 현상을 "글레이징(glazing)"이라 한다. 연마 패드 컨디셔닝은 전형적으로 연마 표면을 컨디셔닝 디스크로 기계적으로 연삭시킴으로써 달성된다. 컨디셔닝 디스크는, 전형적으로 내장된 다이아몬드 포인트로 구성된 거친 컨디셔닝 표면을 갖는다. 컨디셔닝 디스크는 연마가 정지된 CMP 공정에서의 간헐적인 중단 동안에 ("현장외") 또는 CMP 공정이 진행 중인 동안에 ("현장") 연마 표면과 접촉하게 된다. 전형적으로, 컨디셔닝 디스크는 연마 패드의 회전 축에 대하여 고정된 위치에서 회전하고, 연마 패드가 회전할 때 환상 컨디셔닝 영역을 스위핑한다. 기재된 바와 같은 컨디셔닝 공정은 패드 물질을 연삭시키고 갈고 연마 텍스쳐를 재생시키면서, 미시적 퍼로우(furrow)를 패드 표면 내로 절삭시킨다.
반도체 장치는 피쳐(feature)가 보다 미세해지고 금속화 층이 보다 많아짐에 따라 점점 더 복잡해지고 있다. 이러한 경향은 평면성을 유지하고 연마 결함을 제한하기 위해 연마 소모품의 개선된 성능을 요구한다. 연마 결함은 전도성 배선의 전기 절연 또는 단락을 생성시킬 수 있고, 이는 반도체 장치를 기능하지 않게 할 것이다. 일반적으로, 연마 결함, 예컨대 미세-스크래치 또는 채터 마크(chatter mark)를 감소시키기 위한 하나의 접근법은 보다 연질의 연마 패드를 사용하는 것임이 공지되어 있다.
연질 폴리우레탄 연마 층의 패밀리가 미국 특허 번호 7,074,115 (James, et al.)에 개시되어 있다. 제임스(James) 등은 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체와 방향족 디아민 또는 폴리아민 경화제와의 반응 생성물을 포함하는 연마 패드를 개시하며, 여기서 반응 생성물은 적어도 0.1 부피 퍼센트의 기공률, 385 내지 750 l/Pa의, 40℃ 및 1 rad/sec에서의 KEL 에너지 손실 인자, 및 100 내지 400 MPa의, 40℃ 및 1 rad/sec에서의 탄성률 E'를 나타낸다.
상기 기재된 바와 같이, 최적의 연마 성능을 위해서는 화학 기계적 연마 패드의 표면을 다이아몬드 컨디셔닝하여 유리한 마이크로텍스쳐를 생성시키는 것이 필요하다. 그러나, 이러한 텍스쳐를 제임스 등에 의해 기재된 것과 같은 통상의 연마 층 물질에는 생성시키기가 어려운데, 이는 이러한 물질이 인장 파단 신율 값에 의해 측정된 바와 같은 높은 연성을 나타내기 때문이다. 결과적으로, 이들 물질이 다이아몬드 컨디셔닝 디스크에 의한 컨디셔닝에 적용되는 경우에, 컨디셔닝 디스크의 다이아몬드가 퍼로우를 패드 표면 내로 절삭시키기 보다는, 패드 물질을 절삭시키지 않고 단순히 밀어내기만 한다. 따라서, 다이아몬드 컨디셔닝 디스크에 의한 컨디셔닝의 결과, 이러한 통상의 물질의 표면에 텍스쳐가 거의 생성되지 않는다.
이러한 통상의 화학 기계적 연마 패드 물질과 관련된 또다른 문제가 패드 표면에 거대 홈 패턴을 형성하기 위한 기계 가공 동안 발생한다. 통상의 화학 기계적 연마 패드는 전형적으로 슬러리 유동을 촉진하고 패드-웨이퍼 계면으로부터 연마 파편을 제거하기 위해 그의 연마 표면에 홈 패턴 절삭부가 제공된다. 보통 이러한 홈은 선반 작업 또는 CNC 밀링 기계에 의해 연마 패드의 연마 표면 내에 절삭된다. 그러나, 연질의 패드 물질을 사용하는 경우에는, 다이아몬드 컨디셔닝의 문제와 유사한 문제가 발생하여, 절삭 비트가 지나간 후에, 패드 물질은 간단히 다시 복귀되고, 형성된 홈은 자체적으로 좁혀지게 된다. 따라서, 홈 품질이 불량하고, 이러한 연질 물질을 사용하여 상업적으로 허용되는 패드를 성공적으로 제조하기가 더욱 어려워진다. 이러한 문제는 패드 물질의 경도가 감소함에 따라 악화된다.
따라서, 낮은 결함 제제와 연관된 특성과 밀접한 상관성이 있는 물리적 특성 프로파일을 제공할 뿐만 아니라, 연마 층에 증진된 컨디셔닝 능력을 부여하는 (즉, 25 내지 150 μm/hr의 절삭 속도를 나타내는) 화학 기계적 연마 패드에 대한 지속적인 필요성이 있다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고; 연마 표면은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 기판을 연마하도록 구성된다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고; 여기서 경화제 시스템은 복수의 반응성 수소 기를 갖고, 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체는 복수의 미반응 NCO 기를 갖고; 여기서 미반응 NCO 기에 대한 반응성 수소 기의 화학량론적 비는 0.85 내지 1.15이다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고; 연마 층은 0.6 g/cm3 초과의 밀도; 40 내지 60의 쇼어 D 경도; 125 내지 300%의 파단 신율; 1.5 내지 4의 G' 30/90 비; 100 내지 300 (MPa)의 인장 탄성률; 4 내지 10 μm/분의 습윤 절삭 속도; 및 ≥ 28의, 쇼어 D 경도에 대한 300 mm TEOS 제거율 비 (TEOS300-RR/쇼어 D 경도)를 나타낸다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.95 내지 9.25 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고; 연마 층은 0.6 g/cm3 초과의 밀도; 40 내지 60의 쇼어 D 경도; 125 내지 300%의 파단 신율; 1.5 내지 4의 G' 30/90 비; 100 내지 300 (MPa)의 인장 탄성률; 4 내지 10 μm/분의 습윤 절삭 속도; 및 ≥ 28의, 쇼어 D 경도에 대한 300 mm TEOS 제거율 비 (TEOS300-RR/쇼어 D 경도)를 나타낸다.
본 발명은 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하는 화학 기계적 연마 패드를 제공하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고; 연마 표면은 그에 형성된 나선형 홈 패턴을 갖고; 연마 표면은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 기판을 연마하도록 구성된다.
본 발명은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체를 제공하고; 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 제공하고; 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체와 경화제 시스템을 배합하여 배합물을 형성하고; 배합물을 반응하도록 하여 생성물을 형성하고; 생성물로부터 연마 층을 형성하고; 연마 층을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 형성하는 것을 포함하는, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 8.5 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체를 제공하고; 복수의 미세요소를 제공하고; 10 내지 60 중량%의, 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 제공하고; 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체, 복수의 미세요소 및 경화제 시스템을 배합하여 배합물을 형성하고; 배합물을 반응하도록 하여 생성물을 형성하고; 생성물로부터 연마 층을 형성하고; 연마 층을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 형성하는 것을 포함하는, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 압반을 갖는 화학 기계적 연마 장치를 제공하고; 적어도 하나의 기판을 제공하고; 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 패드를 제공하고; 압반 상에 화학 기계적 연마 패드를 설치하고; 임의로, 연마 매질을 연마 표면과 기판 사이의 계면에 제공하고; 연마 표면과 기판 사이의 동적 접촉을 생성시키고, 여기서 기판으로부터 적어도 일부 물질이 제거되는 것을 포함하는, 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
본 발명은 압반을 갖는 화학 기계적 연마 장치를 제공하고; 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기판을 제공하고; 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 패드를 제공하고; 압반 상에 화학 기계적 연마 패드를 설치하고; 임의로, 연마 매질을 연마 표면과 기판 사이의 계면에 제공하고; 연마 표면과 기판 사이의 동적 접촉을 생성시키고, 여기서 기판으로부터 적어도 일부 물질이 제거되는 것을 포함하는, 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드는, 낮은 결함 연마 성능과 밀접한 상관성이 있는 물리적 특성들의 바람직한 균형, 및 높은 연마 속도를 유지하면서 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 사용한 마이크로텍스쳐의 형성을 용이하게 하는 컨디셔닝 능력 둘 모두를 나타내는 연마 층을 갖는다. 따라서, 본 발명의 연마 층에 의해 가능해진 특성들의 균형은, 예를 들어 반도체 장치의 전기적 완전성을 손상시킬 수 있는 미세-스크래치 결함의 생성에 의한 웨이퍼 표면의 손상 없이 효율적인 속도로 반도체 웨이퍼를 연마하는 능력을 제공한다.
본원 및 청구범위에 사용된 용어 "연마 매질"은 입자 함유 연마 용액 및 비 입자 함유 연마 용액, 예컨대 연마제 무함유 및 반응성 액체 연마 용액을 포괄한다.
본원 및 청구범위에 사용된 용어 "TEOS300-RR/쇼어 D 경도"는 하기와 같이 정의된, 주어진 연마 층에 대한 쇼어 D 경도에 대한 TEOS 제거율의 비이다:
Figure 112022063569423-pat00001
상기 식에서, TEOS300-RR은 본원 하기 및 연마 실시예에 제시된 절차에 따라 측정된, 연마 층에 대한 TEOS 제거율 (Å/분)이고; 쇼어 D 경도는 ASTM D2240에 따라 측정된, 연마 층의 경도이다.
본원 및 청구범위에 사용된 용어 "G' 30/90 비"는 하기와 같이 정의된, 주어진 연마 층에 대한 전단 탄성률 (90℃) G'90에 대한 전단 탄성률 (30℃) G'30의 비이다:
Figure 112022063569423-pat00002
상기 식에서, 연마 층에 대한 G'30 및 G'90은 각각 30℃ 및 90℃에서 ASTM D5279-13에 따라 측정된다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드는, 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하고, 여기서 연마 층은 8.5 내지 9.5 중량% (바람직하게는, 8.75 내지 9.5 중량%; 보다 바람직하게는, 8.75 내지 9.25; 가장 바람직하게는, 8.95 내지 9.25 중량%)의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 10 내지 60 중량% (바람직하게는, 15 내지 50 중량%; 보다 바람직하게는, 20 내지 40 중량%; 가장 바람직하게는, 20 내지 30 중량%)의, 2,500 내지 100,000 (바람직하게는 5,000 내지 50,000; 보다 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는, 10,000 내지 12,000)의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개 (바람직하게는, 4 내지 8개; 보다 바람직하게는, 5 내지 7개; 가장 바람직하게는, 6개)의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량% (바람직하게는, 50 내지 85 중량%; 보다 바람직하게는, 60 내지 80 중량%; 가장 바람직하게는, 70 내지 80 중량%)의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 연마 표면은 기판을 연마하도록 구성된다. 바람직하게는, 연마 표면은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로부터 선택된 기판을 연마하도록 구성된다. 보다 바람직하게는, 연마 표면은 반도체 기판을 연마하도록 구성된다. 가장 바람직하게는, 연마 표면은 반도체 기판의 TEOS 산화물 표면을 연마하도록 구성된다.
바람직하게는, 연마 표면은 천공 및 홈 중 적어도 하나로부터 선택된 마크로텍스쳐를 갖는다. 천공은 연마 표면으로부터 연마 층의 두께를 통해 일부분 또는 끝까지 연장될 수 있다. 바람직하게는, 홈은 연마 동안 화학 기계적 연마 패드의 회전 시 적어도 하나의 홈이 연마되는 기판의 표면 위를 스위핑하도록 연마 표면 상에 배열된다. 바람직하게는, 연마 표면은 곡선형 홈, 선형 홈 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 홈을 포함하는 마크로텍스쳐를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은, 그에 형성된 홈 패턴을 포함하는 마크로텍스쳐를 갖는 연마 표면을 갖는다. 바람직하게는, 홈 패턴은 복수의 홈을 포함한다. 보다 바람직하게는, 홈 패턴은 홈 디자인으로부터 선택된다. 바람직하게는, 홈 디자인은 동심형 홈 (이는 원형 또는 나선형일 수 있음), 곡선형 홈, 크로스 해치(cross hatch) 홈 (예를 들어, 패드 표면을 가로질러 X-Y 격자로서 배열됨), 다른 규칙적 디자인 (예를 들어, 육각형, 삼각형), 타이어 트레드(tire tread) 유형 패턴, 불규칙적 디자인 (예를 들어, 프랙탈 패턴) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 홈 디자인은 무작위 홈, 동심형 홈, 나선형 홈, 크로스-해치 홈, X-Y 격자 홈, 육각형 홈, 삼각형 홈, 프랙탈 홈 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 연마 표면은 그에 형성된 나선형 홈 패턴을 갖는다. 홈 프로파일은 바람직하게는 직립형 측벽을 갖는 직사각형으로부터 선택되거나, 또는 홈 단면이 "V"자 형, "U"자 형, 톱니 모양 및 이들의 조합일 수 있다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 형성에 사용되는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체는 바람직하게는 다관능성 이소시아네이트 및 예비중합체 폴리올을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다.
바람직하게는, 다관능성 이소시아네이트는 지방족 다관능성 이소시아네이트, 방향족 다관능성 이소시아네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 다관능성 이소시아네이트는 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트; 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트; 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트; 톨리딘 디이소시아네이트; 파라-페닐렌 디이소시아네이트; 크실릴렌 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트; 헥사메틸렌 디이소시아네이트; 4,4'-디시클로헥실메탄 디이소시아네이트; 시클로헥산디이소시아네이트; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 디이소시아네이트이다.
바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 이들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 폴리에테르 폴리올 (예를 들어, 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리(옥시프로필렌)글리콜, 폴리(옥시에틸렌)글리콜); 폴리카르보네이트 폴리올; 폴리에스테르 폴리올; 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 혼합물; 및, 이들과 에틸렌 글리콜; 1,2-프로필렌 글리콜; 1,3-프로필렌 글리콜; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2-메틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 네오펜틸 글리콜; 1,5-펜탄디올; 3-메틸-1,5-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 및 트리프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 저분자량 폴리올과의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 더 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은, 에틸렌 글리콜; 1,2-프로필렌 글리콜; 1,3-프로필렌 글리콜; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2-메틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 네오펜틸 글리콜; 1,5-펜탄디올; 3-메틸-1,5-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 및 트리프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 저분자량 폴리올과 임의로 혼합된, 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜 (PTMEG); 폴리프로필렌 에테르 글리콜 (PPG); 및 폴리에틸렌 에테르 글리콜 (PEG) 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 주로 (즉, ≥ 90 중량%) PTMEG이다.
바람직하게는, 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체는 8.5 내지 9.5 중량% (보다 바람직하게는, 8.75 내지 9.5 중량%; 보다 더 바람직하게는, 8.75 내지 9.25; 가장 바람직하게는, 8.95 내지 9.25 중량%)의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 농도를 갖는다. 상업적으로 입수가능한 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체의 예는 이뮤탄(Imuthane)® 예비중합체 (코임 유에스에이, 인크.(COIM USA, Inc.)로부터 입수가능함, 예컨대 PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); 아디프렌(Adiprene)® 예비중합체 (켐투라(Chemtura)로부터 입수가능함, 예컨대 LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D 및 L325); 안두르(Andur)® 예비중합체 (앤더슨 디벨롭먼트 캄파니(Anderson Development Company)로부터 입수가능함, 예컨대 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF)를 포함한다.
바람직하게는, 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체는 0.1 중량% 미만의 유리 톨루엔 디이소시아네이트 (TDI) 단량체 함량을 갖는 저 유리 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체이다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 형성에 사용되는 경화제 시스템은 바람직하게는 10 내지 60 중량% (바람직하게는 15 내지 50 중량%; 보다 바람직하게는 20 내지 40 중량%; 가장 바람직하게는 20 내지 30 중량%)의 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 90 중량% (바람직하게는 50 내지 85 중량%; 보다 바람직하게는 60 내지 80 중량%; 가장 바람직하게는 70 내지 80 중량%)의 이관능성 경화제를 함유한다.
바람직하게는, 고분자량 폴리올 경화제는 2,500 내지 100,000의 수 평균 분자량 MN을 갖는다. 보다 바람직하게는, 사용되는 고분자량 폴리올 경화제는 5,000 내지 50,000 (보다 더 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는 10,000 내지 12,000)의 수 평균 분자량 MN을 갖는다.
바람직하게는, 고분자량 폴리올 경화제는 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실 기를 갖는다. 보다 바람직하게는, 사용되는 분자량 폴리올 경화제는 분자당 평균 4 내지 8개 (보다 더 바람직하게는 5 내지 7개; 가장 바람직하게는 6개)의 히드록실 기를 갖는다.
상업적으로 입수가능한 고분자량 폴리올 경화제의 예는 스펙플렉스(Specflex)® 폴리올, 보라놀(Voranol)® 폴리올 및 보랄룩스(Voralux)® 폴리올 (더 다우 케미칼 캄파니(The Dow Chemical Company)로부터 입수가능함); 멀트라놀(Multranol)® 특수 폴리올 및 울트라셀(Ultracel)® 가요성 폴리올 (바이엘 머티리얼사이언스 엘엘씨(Bayer MaterialScience LLC)로부터 입수가능함); 및 플러라콜(Pluracol)® 폴리올 (바스프(BASF)로부터 입수가능함)을 포함한다. 다수의 바람직한 고분자량 폴리올 경화제는 표 1에 열거되어 있다.
<표 1>
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바람직하게는, 이관능성 경화제는 디올 및 디아민으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 사용되는 이관능성 경화제는 1급 아민 및 2급 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 디아민이다. 보다 더 바람직하게는, 사용되는 이관능성 경화제는 디에틸톨루엔디아민 (DETDA); 3,5-디메틸티오-2,4-톨루엔디아민 및 그의 이성질체; 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민 및 그의 이성질체 (예를 들어, 3,5-디에틸톨루엔-2,6-디아민); 4,4'-비스-(sec-부틸아미노)-디페닐메탄; 1,4-비스-(sec-부틸아미노)-벤젠; 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린) (MCDEA); 폴리테트라메틸렌옥시드-디-p-아미노벤조에이트; N,N'-디알킬디아미노 디페닐 메탄; p,p'-메틸렌 디아닐린 (MDA); m-페닐렌디아민 (MPDA); 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린) (MBOCA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,6-디에틸아닐린) (MDEA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,3-디클로로아닐린) (MDCA); 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸 디페닐메탄, 2,2',3,3'-테트라클로로 디아미노 디페닐메탄; 트리메틸렌 글리콜 디-p-아미노벤조에이트; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 사용되는 디아민 경화제는 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린) (MBOCA); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린) (MCDEA); 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 형성에 사용되는, 경화제 시스템의 성분 (즉, 고분자량 폴리올 경화제 및 이관능성 경화제)에 함유된 반응성 수소 기의 총합 (즉, 아민 (NH2) 기 및 히드록실 (OH) 기의 총합)을 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체 내 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기로 나눈 값 (즉, 화학량론적 비)은 바람직하게는 0.85 내지 1.15 (보다 바람직하게는 0.85 내지 1.05; 가장 바람직하게는 0.85 내지 1.0)이다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 임의로 복수의 미세요소를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 연마 층 전체에 걸쳐 균일하게 분산된다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 포획된 기포, 중공 코어 중합체성 물질, 액체 충전된 중공 코어 중합체성 물질, 수용성 물질 및 불용성 상 물질 (예를 들어, 미네랄 오일)로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 복수의 미세요소는 연마 층 전체에 걸쳐 균일하게 분포된 포획된 기포 및 중공 코어 중합체성 물질로부터 선택된다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 150 μm 미만 (보다 바람직하게는 50 μm 미만; 가장 바람직하게는 10 내지 50 μm)의 중량 평균 직경을 갖는다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 폴리아크릴로니트릴 또는 폴리아크릴로니트릴 공중합체의 쉘 벽을 갖는 중합체성 마이크로벌룬 (예를 들어, 악조 노벨(Akzo Nobel)로부터의 엑스판셀(Expancel)® 마이크로구체)을 포함한다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 0 내지 35 부피% 기공률 (보다 바람직하게는 10 내지 25 부피% 기공률)로 연마 층 내에 혼입된다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 다공성 및 비다공성 (즉, 비충전) 형태 둘 다로 제공될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D1622에 따라 측정 시 ≥ 0.6 g/cm3의 밀도를 나타낸다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D1622에 따라 측정 시 0.7 내지 1.1 g/cm3 (보다 바람직하게는, 0.75 내지 1.0; 가장 바람직하게는, 0.75 내지 0.95)의 밀도를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D2240에 따라 측정 시 40 내지 60의 쇼어 D 경도를 나타낸다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D2240에 따라 측정 시 45 내지 55 (가장 바람직하게는 50 내지 55)의 쇼어 D 경도를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D412에 따라 측정 시 125 내지 300% (보다 바람직하게는, 140 내지 300%; 가장 바람직하게는, 150 내지 200%)의 파단 신율을 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 본원 실시예에 기재된 방법을 사용하여 측정 시 4 내지 10 μm/분의 습윤 절삭 속도를 나타낸다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 본원 실시예에 기재된 방법을 사용하여 측정 시 4.5 내지 7 μm/분 (보다 더 바람직하게는, 4.5 내지 6 μm/분; 가장 바람직하게는, 4.5 내지 5.5 μm/분)의 습윤 절삭 속도를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D5279-13에 따라 측정 시 50 내지 250 MPa (보다 바람직하게는, 50 내지 200 MPa; 가장 바람직하게는, 100 내지 200 MPa)의 전단 탄성률 (30℃) G'30을 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D5279-13에 따라 측정 시 45 내지 200 MPa의 전단 탄성률 (40℃) G'40을 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D5279-13에 따라 측정 시 3 내지 20 MPa의 전단 손실 탄성률 (40℃) G"40을 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D5279-13에 따라 측정 시 1.5 내지 4 (보다 바람직하게는, 2 내지 4)의 G' 30/90 비를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D1708-10에 따라 측정 시 20 내지 70 MPa (보다 바람직하게는, 20 내지 50 MPa; 가장 바람직하게는, 25 내지 40 MPa)의 인성을 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D1708-10에 따라 측정 시 10 내지 35 MPa (보다 바람직하게는, 15 내지 30 MPa; 가장 바람직하게는, 15 내지 25 MPa)의 인장 강도를 나타낸다.
높은 파단 신율 값을 나타내는 연마 층 물질은 기계가공 조작에 적용되는 경우에 가역적으로 변형되는 경향이 있으며, 이는 허용불가능하게 불량한 홈 형성 및 다이아몬드 컨디셔닝 동안의 불충분한 텍스쳐 생성을 초래한다. 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 형성에 사용되는 특유의 경화제 시스템은 ASTM D412에 따라 측정 시 40 내지 60의 쇼어 D 경도 및 또한 125 내지 300%의 파단 신율 둘 다를 제공한다. 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층은 ASTM D412에 따라 측정 시 40 내지 60 (바람직하게는, 45 내지 55; 보다 바람직하게는, 50 내지 55)의 쇼어 D 경도 및 140 내지 300% (바람직하게는 150 내지 300%; 보다 바람직하게는 150 내지 200%)의 파단 신율 둘 다를 나타낸다.
보다 연질의 연마 층 물질은 보다 경질의 연마 층 물질보다 낮은 속도로 기판을 연마하는 경향이 있다. 그럼에도 불구하고, 보다 연질의 연마 층 물질은 보다 경질의 연마 층 물질보다 더 적은 연마 결함을 생성하는 경향이 있다. 본 발명의 화학 기계적 연마 패드의 연마 층의 형성에 사용되는 특유의 경화제 시스템은 ≥ 28 (바람직하게는, 28 내지 100; 보다 바람직하게는, 30 내지 60; 가장 바람직하게는, 30 내지 50)의 개선된 TEOS300-RR/쇼어 D 경도를 제공하고, 여기서 TEOS300-RR/쇼어 D 경도는 본원 실시예에 제시된 조건 하에 측정된다.
바람직하게는, 연마 층은 20 내지 150 mil의 평균 두께를 갖는다. 보다 바람직하게는, 연마 층은 30 내지 125 mil (보다 더 바람직하게는 40 내지 120 mil; 가장 바람직하게는 50 내지 100 mil)의 평균 두께를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드는 연마 기계의 압반과 상호연결되도록 구성된다. 바람직하게는, 화학 기계적 연마 패드는 연마 기계의 압반에 부착되도록 구성된다. 바람직하게는, 화학 기계적 연마 패드는 감압성 접착제 및 진공 중 적어도 하나를 사용하여 압반에 부착될 수 있다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드는 임의로, 연마 층과 상호연결되는 적어도 1개의 추가의 층을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 화학 기계적 연마 패드는 임의로, 연마 층에 부착된 압축성 베이스 층을 추가로 포함한다. 압축성 베이스 층은 바람직하게는 연마되는 기판의 표면에 대한 연마 층의 순응성을 개선한다.
기판 연마 작업에서 중요한 단계는 공정에 대한 종점을 결정하는 것이다. 종점 검출을 위한 하나의 일반적인 현장 방법은 특정 광 파장에 대해 투과성인 윈도우를 연마 패드에 제공하는 것을 포함한다. 연마 동안, 광선이 윈도우를 관통해 기판 표면으로 인도되고, 여기서 광선이 반사되어 다시 윈도우를 통해 검출기 (예를 들어, 분광광도계)로 통과한다. 복귀 신호에 기초하여, 종점 검출을 위한 기판 표면의 특성 (예를 들어, 그 상의 필름 두께)이 결정될 수 있다. 이러한 광 기반 종점 방법을 용이하게 하기 위해, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드는 임의로 종점 검출 윈도우를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 종점 검출 윈도우는 연마 층 내로 혼입되는 일체형 윈도우; 및 화학 기계적 연마 패드 내에 혼입되는 플러그 인 플레이스(plug in place) 종점 검출 윈도우 블록으로부터 선택된다. 통상의 기술자는 의도하는 연마 공정에 사용하기에 적절한 종점 검출 윈도우 구성 물질을 선택하는 방법을 알 것이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법은 8.5 내지 9.5 중량% (바람직하게는, 8.75 내지 9.5 중량%; 보다 바람직하게는, 8.75 내지 9.25; 가장 바람직하게는, 8.95 내지 9.25 중량%)의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체를 제공하고; (i) 10 내지 60 중량% (바람직하게는, 15 내지 50 중량%; 보다 바람직하게는, 20 내지 40 중량%; 가장 바람직하게는, 20 내지 30 중량%)의, 2,500 내지 100,000 (바람직하게는 5,000 내지 50,000; 보다 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는, 10,000 내지 12,000)의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 3 내지 10개 (바람직하게는, 4 내지 8개; 보다 바람직하게는, 5 내지 7개; 가장 바람직하게는, 6개)의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 (ii) 40 내지 90 중량% (바람직하게는, 50 내지 85 중량%; 보다 바람직하게는, 60 내지 80 중량%; 가장 바람직하게는, 70 내지 80 중량%)의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 제공하고; 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체와 경화제 시스템을 배합하여 배합물을 형성하고; 배합물을 반응하도록 하여 생성물을 형성하고; 생성물로부터 연마 층을 형성하고; 연마 층을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 방법은 임의로, 복수의 미세요소를 제공하는 것을 추가로 포함하고; 여기서 복수의 미세요소를 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체 및 경화제 시스템과 배합하여 배합물을 형성한다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법은 임의로, 몰드를 제공하고; 배합물을 몰드에 붓고; 배합물을 몰드 내에서 반응하도록 하여 경화된 케이크를 형성하고; 여기서 경화된 케이크로부터 연마 층이 유도되는 것을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 경화된 케이크를 스카이빙하여 단일의 경화된 케이크로부터 다수의 연마 층을 유도한다. 임의로, 상기 방법은 스카이빙 작업을 용이하게 하기 위해 경화된 케이크를 가열하는 것을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 경화된 케이크는 경화된 케이크를 복수의 연마 층으로 스카이빙하는 스카이빙 작업 동안 적외선 가열 램프를 사용하여 가열된다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법은 임의로, 적어도 1개의 추가의 층을 제공하고; 적어도 1개의 추가의 층을 연마 층과 상호연결시켜 화학 기계적 연마 패드를 형성하는 것을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 적어도 1개의 추가의 층은 공지된 기술에 의해, 예컨대 접착제 (예를 들어, 감압성 접착제, 핫 멜트 접착제, 접촉 접착제)를 사용하여 연마 층과 상호연결된다.
본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제조하는 방법은 임의로, 종점 검출 윈도우를 제공하고; 종점 검출 윈도우를 화학 기계적 연마 패드 내에 혼입시키는 것을 추가로 포함한다.
기판을 화학 기계적으로 연마하는 본 발명의 방법은 바람직하게는, 압반을 갖는 화학 기계적 연마 장치를 제공하고; 연마할 적어도 하나의 기판 (바람직하게는, 여기서 기판은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택되고; 보다 바람직하게는 기판은 반도체 기판이고; 가장 바람직하게는, 기판은 노출된 TEOS 표면을 갖는 반도체 웨이퍼임)을 제공하고; 본 발명의 화학 기계적 연마 패드를 제공하고; 압반 상에 화학 기계적 연마 패드를 설치하고; 임의로, 연마 매질 (바람직하게는, 여기서 연마 매질은 연마 슬러리 및 비-연마제 함유 반응성 액체 제제로 이루어진 군으로부터 선택됨)을 화학 기계적 연마 패드의 연마 표면과 기판 사이의 계면에 제공하고; 연마 표면과 기판 사이의 동적 접촉을 생성시키고, 여기서 기판으로부터 적어도 일부 물질이 제거되고; 임의로, 연마 표면을 연삭 컨디셔너로 컨디셔닝하는 것을 포함한다. 바람직하게는, 본 발명의 방법에서, 제공된 화학 기계적 연마 장치는 광원 및 광센서 (바람직하게는 다중센서 분광사진기)를 추가로 포함하고; 제공된 화학 기계적 연마 패드는 종점 검출 윈도우를 추가로 포함하고; 상기 방법은 광원으로부터의 광을 종점 검출 윈도우를 통과해 투과시키고, 기판의 표면으로부터 반사되어 다시 종점 검출 윈도우를 통과해 광센서 상에 입사하는 광을 분석함으로써 연마 종점을 결정하는 것을 추가로 포함한다.
이제, 본 발명의 일부 실시양태는 하기 실시예에 상세히 설명될 것이다.
비교 실시예 C1-C9 및 실시예 1-14
연마 층을 표 2에 제공된 제제 상세사항에 따라 제조하였다. 구체적으로, 51℃에서의 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체와 경화제 시스템의 성분과의 제어 혼합에 의해 폴리우레탄 케이크를 제조하였다. MBOCA를 제외한 원료 모두를 51℃의 예비혼합 온도에서 유지하였다. MBOCA는 116℃의 예비혼합 온도에서 유지하였다. 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체 및 경화제 시스템의 비는, 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체 내 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기에 대한 경화제 시스템의 경화제 내 활성 수소 기 (즉, -OH 기 및 -NH2 기의 총합)의 비로 정의된 바와 같은 화학량론이 표 2에 언급된 바와 같도록 설정하였다.
목적하는 기공률 및 패드 밀도를 달성하기 위해, 경화제 시스템과 배합하기 전에 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체에 엑스판셀® 마이크로구체를 첨가함으로써 연마 층에 기공성을 도입하였다. 각각의 비교 실시예 C1-C9 및 실시예 1-14에 첨가된 엑스판셀® 마이크로구체의 등급은 중량%로 첨가된 기공 형성제의 양과 함께 표 2에 언급되어 있다. 엑스판셀® 마이크로구체는 악조 노벨로부터 입수가능하다.
엑스판셀® 마이크로구체가 혼입된 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체 및 경화제 시스템을 고전단 믹스 헤드를 사용하여 함께 혼합하였다. 믹스 헤드를 배출시킨 후에, 배합물을 2 내지 5분의 기간에 걸쳐 86.4 cm (34 인치) 직경의 원형 몰드 내에 분배하여, 7 내지 10 cm의 전체 주입물 두께를 제공하였다. 분배된 배합물을 15분 동안 겔화되도록 한 후에, 몰드를 경화 오븐에 넣었다. 이어서, 몰드를 경화 오븐에서 하기 사이클을 사용하여 경화시켰다: 주위 온도에서 104℃의 설정점으로의 30분 승온, 이어서 104℃에서 15.5시간 동안 유지, 이어서 104℃에서 21℃로의 2시간 강온.
이어서, 경화된 폴리우레탄 케이크를 몰드로부터 제거하고, 30 내지 80℃의 온도에서 대략 40개의 분리된 2.0 mm (80 mil) 두께의 시트로 스카이빙 (이동 블레이드를 사용한 절삭)하였다. 스카이빙은 각 케이크의 상부로부터 개시하였다. 임의의 불완전한 시트는 폐기하였다.
<표 2>
Figure 112022063569423-pat00004
Figure 112022063569423-pat00005
각각의 비교 실시예 C1-C9 및 실시예 1-14로부터의, 홈을 갖지 않는 연마 층 물질을 분석하여 표 3에 보고된 바와 같은 그들의 물리적 특성을 결정하였다. 보고된 밀도 데이터는 ASTM D1622에 따라 결정하고; 보고된 쇼어 D 경도 데이터는 ASTM D2240에 따라 결정하고; 보고된 파단 신율 데이터는 ASTM D412에 따라 결정하였음에 주목한다.
연마 층의 전단 탄성률 G' 및 전단 손실 탄성률 G"는 ASTM D5279-13에 따라 비틀림 고정구를 갖는 TA 인스트루먼츠(TA Instruments) ARES 레오미터(Rheometer)를 사용하여 측정하였다. 준-주위 온도 제어를 위해 기기에 연결된 액체 질소를 사용하였다. 샘플의 선형 점탄성 반응을 1 Hz의 시험 빈도로 -100℃부터 200℃까지 3℃/분의 온도 구배로 측정하였다. 시험 샘플을 인더스코(Indusco) 유압식 스윙 암 절단기 상에서 47.5 mm x 7 mm 다이를 사용하여 생성된 연마 층으로부터 찍어낸 다음, 가위를 사용하여 대략 35 mm의 길이로 절단하였다.
표 3에 보고된 절삭 속도 데이터는 오토메트(Automet)® 2 파워 헤드가 외부장착된 뷔러(Buehler) 에코메트(Ecomet)® 4 연마기를 사용하여 측정하였다. 연마 도구는 22.86 cm (9 인치)의 공칭 직경을 갖는 원형 화학 기계적 연마 패드를 수용하도록 설계된다. 원형 단면을 갖는 연마 층을 본원 실시예에 기재된 바와 같이 제조하였다. 연마 층을 양면 감압성 접착제 필름을 사용하여 연마기의 연마 압반에 장착하였다.
LPX-AR3B66 (LPX-W) 다이아몬드 컨디셔닝 디스크 (새솔 다이아몬드 인더스트리얼 캄파니, 리미티드(Saesol Diamond Ind. Co., Ltd.)로부터 상업적으로 입수가능함) 및 AM02BSL8031C1-PM (AK45) 다이아몬드 컨디셔닝 디스크 (새솔 다이아몬드 인더스트리얼 캄파니, 리미티드로부터 또한 상업적으로 입수가능함)를 사용하여 표 3에 보고된 바와 같은 연마 층의 연마 표면을 하기 공정 조건을 사용하여 연삭시켰다: 연마 층의 연마 표면을 다이아몬드 컨디셔닝 디스크로부터 99분의 기간 동안 180 rpm의 압반 속도, 280 mL/분의 탈이온수 유량 및 55.16 kPa (8 psi)의 컨디셔닝 디스크 하강력으로 연속적으로 연삭시킴. 절삭 속도는 시간 경과에 따른 연마 층 두께의 변화를 측정함으로써 결정하였다. 연마 층 두께는 제이버 테크놀로지스(Zaber Technologies)의 전동 슬라이드 상에 장착된 엠티아이 인스트루먼츠(MTI Instruments)의 마이크로트랙 II 레이저 삼각측량 센서를 사용하여 각 연마 층의 연마 표면을 중심부터 외연부까지 프로파일링함으로써 측정하였다 (μm/분). 슬라이드 상의 센서의 스위핑 속도는 0.732 mm/s였고, 센서에 대한 샘플링 속도 (측정 횟수/스위핑 mm)는 6.34 포인트/mm였다. 표 3에 보고된 절삭 속도는 연마 층의 연마 표면을 가로질러 > 2,000 포인트로서 취한 수집된 두께 측정치에 기초한, 시간 경과에 따른 연마 층 두께의 산술 평균 감소이다.
<표 3>
Figure 112022063569423-pat00006
연마 실험
표 4에 언급된 바와 같은 실시예에 따라 제조된 연마 층을 사용하여 화학 기계적 연마 패드를 구성하였다. 이어서, 이들 연마 층에 대해 기계가공으로 홈을 파서, 70 mil (1.78 mm) 피치, 20 mil (0.51 mm) 폭 및 30 mil (0.76 mm) 깊이의 치수를 갖는 복수의 동심 원형 홈을 포함하는 홈 패턴을 연마 표면에 제공하였다. 이어서, 연마 층을 폼 서브-패드 층 (롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 인크.(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)로부터 입수가능한 FSP 350)에 적층하였다.
어플라이드 머티리얼스(Applied Materials) 레플렉시콘(Reflexion) LK® CMP 연마 플랫폼을 언급된 화학 기계적 연마 패드와 함께 사용하여 노벨루스 시스템즈, 인크.(Novellus Systems, Inc.)로부터 입수가능한 300 mm 3S20KTEN TEOS (산화물) 블랭킷 웨이퍼를 연마하였다. 연마 실험에 사용된 연마 매질은 CES333F 연마 슬러리 (탈이온수와 1:2 희석 비) (아사히 글래스 캄파니(Asahi Glass Company)로부터 상업적으로 입수가능함)였다. 모든 연마 실험에 사용된 연마 조건은 92 rpm의 압반 속도; 93 rpm의 캐리어 속도와 함께; 250 ml/분의 연마 매질 유량 및 20.7 kPa의 하강력을 포함하였다. I-PDA31G-3N 다이아몬드 컨디셔닝 디스크 (키니크 캄파니(Kinik Company)로부터 상업적으로 입수가능함)를 사용하여 화학 기계적 연마 패드를 컨디셔닝하였다. 화학 기계적 연마 패드를 각각 40분 동안 7.5 lbs (3.40 kg)의 하강력을 사용하여 현장외 컨디셔너로 파쇄하였다. 연마 패드를 연마 전에 18초 동안 7.5 lbs (3.40 kg)의 하강력을 사용하여 추가로 현장외 컨디셔닝하였다. 3 mm 모서리를 제외하고 49개 포인트 나선형 스캔을 사용하는 KLA-텐코(KLA-Tencor) FX200 계측학 도구를 사용하여 연마 전후의 필름 두께를 측정함으로써 제거율을 결정하였다. 제거율 실험의 결과는 표 4에 제공된다.
<표 4>
Figure 112022063569423-pat00007

Claims (5)

  1. 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 기판을 연마하도록 구성되는 화학 기계적 연마 패드이며,
    자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 기판을 연마하도록 구성되고 연마 표면을 갖는 연마 층을 포함하고,
    여기서 연마 층은
    8.75 내지 9.25 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및,
    20 내지 60 중량%의, 10,000 내지 12,000의 수 평균 분자량 MN 및 분자당 평균 6개의 히드록실 기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 40 내지 80 중량%의 이관능성 경화제를 포함하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함하고,
    연마층은 0.6 g/cm3 초과의 밀도를 갖는,
    화학 기계적 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경화제 시스템은 복수의 반응성 수소 기를 갖고, 상기 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체가 복수의 미반응 NCO 기를 갖고; 여기서 미반응 NCO 기에 대한 반응성 수소 기의 화학량론적 비는 0.85 내지 1.15인, 화학 기계적 연마 패드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체가 8.95 내지 9.25 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 것인, 화학 기계적 연마 패드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 연마 표면이 그에 형성된 홈 패턴을 갖는 것인, 화학 기계적 연마 패드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고분자량 폴리올 경화제의 MN이 11,400인, 화학 기계적 연마 패드.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9421666B2 (en) * 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9484212B1 (en) * 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US10086494B2 (en) * 2016-09-13 2018-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making
US10037889B1 (en) * 2017-03-29 2018-07-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cationic particle containing slurries and methods of using them for CMP of spin-on carbon films
US20180281149A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US20180345449A1 (en) * 2017-06-06 2018-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pads for improved removal rate and planarization
US10465097B2 (en) * 2017-11-16 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aliphatic UV cured polyurethane optical endpoint detection windows with high UV transparency for CMP polishing pads
US10464187B2 (en) * 2017-12-01 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives
TWI735101B (zh) * 2018-12-26 2021-08-01 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 用於研磨墊之組成物、研磨墊及用於製備其之方法
CN109824854B (zh) * 2018-12-27 2021-09-28 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫
CN110528287B (zh) * 2019-08-08 2022-03-08 安徽安利材料科技股份有限公司 一种毛刷式高耐用化学机械抛光聚氨酯材料及其制备方法
US20210122007A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Skc Co., Ltd. Composition for polishing pad and polishing pad
KR102287235B1 (ko) * 2019-10-30 2021-08-06 에스케이씨솔믹스 주식회사 가교도가 조절된 연마패드 및 이의 제조방법
KR102561824B1 (ko) * 2021-06-02 2023-07-31 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060276109A1 (en) 2003-03-24 2006-12-07 Roy Pradip K Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20140256225A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window and Method of Polishing Therewith
US20150065013A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Dow Global Technologies Llc Chemical mechanical polishing pad

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577257A (en) * 1968-10-30 1971-05-04 Textron Inc Method for forming decorative polyurethane coatings
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
JP3826702B2 (ja) 2000-10-24 2006-09-27 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
KR100877389B1 (ko) 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP4039214B2 (ja) 2002-11-05 2008-01-30 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド
US20040224622A1 (en) 2003-04-15 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
JP4475404B2 (ja) 2004-10-14 2010-06-09 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド
CN101223016B (zh) 2005-07-15 2012-02-29 东洋橡胶工业株式会社 层叠片及其制造方法
US7445847B2 (en) * 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7169030B1 (en) * 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
WO2008029538A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Tampon à polir
US8551204B2 (en) 2006-11-06 2013-10-08 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Dust collector
US7371160B1 (en) * 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
US7438636B2 (en) * 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
WO2008087797A1 (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及びその製造方法
JP4261586B2 (ja) * 2007-01-15 2009-04-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
US7569268B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US20090062414A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
US8052507B2 (en) 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4897082B2 (ja) 2008-04-25 2012-03-14 トーヨーポリマー株式会社 ポリウレタン発泡体及び研磨パッド
US20100035529A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US8257544B2 (en) * 2009-06-10 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
US8697239B2 (en) * 2009-07-24 2014-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-functional polishing pad
US8551201B2 (en) 2009-08-07 2013-10-08 Praxair S.T. Technology, Inc. Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same
JP2011235426A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US8257545B2 (en) * 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8357446B2 (en) * 2010-11-12 2013-01-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Hollow polymeric-silicate composite
US8202334B2 (en) * 2010-11-12 2012-06-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming silicate polishing pad
US8257152B2 (en) * 2010-11-12 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Silicate composite polishing pad
US8444727B2 (en) * 2011-08-16 2013-05-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US8512427B2 (en) * 2011-09-29 2013-08-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Acrylate polyurethane chemical mechanical polishing layer
JP2013086217A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Dic Corp 研磨パッド用ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド及びポリウレタン研磨パッドの製造方法
US9144880B2 (en) * 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad
US8980749B1 (en) * 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060276109A1 (en) 2003-03-24 2006-12-07 Roy Pradip K Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20140256225A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window and Method of Polishing Therewith
US20150065013A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Dow Global Technologies Llc Chemical mechanical polishing pad

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