JP2014080570A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014080570A5 JP2014080570A5 JP2013097784A JP2013097784A JP2014080570A5 JP 2014080570 A5 JP2014080570 A5 JP 2014080570A5 JP 2013097784 A JP2013097784 A JP 2013097784A JP 2013097784 A JP2013097784 A JP 2013097784A JP 2014080570 A5 JP2014080570 A5 JP 2014080570A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- temporary adhesive
- manufacturing
- processed
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
〔1〕
(A)熱分解開始温度が250℃以上の高分子化合物、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔2〕
前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体、又は、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔1〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔3〕
前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体である、上記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔4〕
前記高分子化合物(A)が、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔5〕
(A’)スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔6〕
(A”)セルロース若しくはセルロース類誘導体、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔7〕
セルロース若しくはセルロース類誘導体が、下記一般式(1)で表される、上記〔2〕、〔3〕又は〔6〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(一般式(1)中、R1〜R6は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の有機基を表す。nは2以上の整数を表す。)
〔8〕
前記高分子化合物(A),(A’)が、スチレン系単量体と(メタ)アクリル系単量体とを共重合してなる高分子化合物である、上記〔4〕又は〔5〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔9〕
更に、(C)熱ラジカル重合開始剤を含む、上記〔1〕〜〔4〕、〔6〕及び〔7〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔10〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)の熱分解温度が95℃〜270℃である、上記〔5〕又は〔9〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔11〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、上記〔5〕、〔9〕及び〔10〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔12〕
更に、(D)光ラジカル重合開始剤を含む、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔13〕
前記光ラジカル重合開始剤(D)が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、上記〔12〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔14〕
前記高分子化合物(A),(A’),(A”)が、ラジカル重合性基を有する、上記〔1〕〜〔13〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔15〕
前記高分子化合物(A),(A’),(A”)が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式(1)で表される基、下記一般式(2)で表される基、及び下記一般式(3)で表される基からなる群より選ばれる1種以上の基を有する、上記〔14〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(式中、X及びYはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−N(R12)−を表す。Zは酸素原子、硫黄原子、−N(R12)−又はフェニレン基を表す。R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基を表す。)
〔16〕
基板と、前記基板上に、上記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔17〕
被処理部材の第1の面と基板とを、上記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔18〕
前記被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第1の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔17〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔19〕
被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を50℃〜300℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔17〕又は〔18〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔20〕
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、上記〔17〕〜〔19〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
〔21〕
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第1の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第1の面とし、
前記被処理基材の前記第1の面とは異なる第2の面を、前記被処理部材の前記第2の面とする、上記〔17〕〜〔20〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(A)熱分解開始温度が250℃以上の高分子化合物、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔2〕
前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体、又は、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔1〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔3〕
前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体である、上記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔4〕
前記高分子化合物(A)が、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔5〕
(A’)スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔6〕
(A”)セルロース若しくはセルロース類誘導体、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔7〕
セルロース若しくはセルロース類誘導体が、下記一般式(1)で表される、上記〔2〕、〔3〕又は〔6〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(一般式(1)中、R1〜R6は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の有機基を表す。nは2以上の整数を表す。)
〔8〕
前記高分子化合物(A),(A’)が、スチレン系単量体と(メタ)アクリル系単量体とを共重合してなる高分子化合物である、上記〔4〕又は〔5〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔9〕
更に、(C)熱ラジカル重合開始剤を含む、上記〔1〕〜〔4〕、〔6〕及び〔7〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔10〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)の熱分解温度が95℃〜270℃である、上記〔5〕又は〔9〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔11〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、上記〔5〕、〔9〕及び〔10〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔12〕
更に、(D)光ラジカル重合開始剤を含む、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔13〕
前記光ラジカル重合開始剤(D)が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、上記〔12〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔14〕
前記高分子化合物(A),(A’),(A”)が、ラジカル重合性基を有する、上記〔1〕〜〔13〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔15〕
前記高分子化合物(A),(A’),(A”)が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式(1)で表される基、下記一般式(2)で表される基、及び下記一般式(3)で表される基からなる群より選ばれる1種以上の基を有する、上記〔14〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(式中、X及びYはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−N(R12)−を表す。Zは酸素原子、硫黄原子、−N(R12)−又はフェニレン基を表す。R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基を表す。)
〔16〕
基板と、前記基板上に、上記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔17〕
被処理部材の第1の面と基板とを、上記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔18〕
前記被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第1の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔17〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔19〕
被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を50℃〜300℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔17〕又は〔18〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔20〕
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、上記〔17〕〜〔19〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
〔21〕
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第1の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第1の面とし、
前記被処理基材の前記第1の面とは異なる第2の面を、前記被処理部材の前記第2の面とする、上記〔17〕〜〔20〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Claims (21)
- (A)熱分解開始温度が250℃以上の高分子化合物、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体、又は、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、請求項1に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A)が、セルロース若しくはセルロース誘導体である、請求項1又は2に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A)が、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、請求項1又は2に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- (A’)スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
- (A”)セルロース若しくはセルロース類誘導体、及び、(B)ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A),(A’)が、スチレン系単量体と(メタ)アクリル系単量体とを共重合してなる高分子化合物である、請求項4又は5に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 更に、(C)熱ラジカル重合開始剤を含む、請求項1〜4、6及び7のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記熱ラジカル重合開始剤(C)の熱分解温度が95℃〜270℃である、請求項5又は9に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記熱ラジカル重合開始剤(C)が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、請求項5、9及び10のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 更に、(D)光ラジカル重合開始剤を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記光ラジカル重合開始剤(D)が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、請求項12に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A),(A’),(A”)が、ラジカル重合性基を有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 基板と、前記基板上に、請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
- 被処理部材の第1の面と基板とを、請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。 - 前記被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第1の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を50℃〜300℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項17又は18に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、請求項17〜19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第1の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第1の面とし、
前記被処理基材の前記第1の面とは異なる第2の面を、前記被処理部材の前記第2の面とする、請求項17〜20のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097784A JP5909460B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-05-07 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
PCT/JP2013/073669 WO2014050455A1 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-03 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法 |
KR1020157007079A KR101678873B1 (ko) | 2012-09-28 | 2013-09-03 | 반도체 장치 제조용 가접착제와 그것을 사용한 접착성 지지체, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW102134654A TWI588225B (zh) | 2012-09-28 | 2013-09-26 | 半導體裝置製造用暫時接著劑、以及使用其的接著性支持體及半導體裝置的製造方法 |
US14/641,656 US20150184032A1 (en) | 2012-09-28 | 2015-03-09 | Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012218585 | 2012-09-28 | ||
JP2012218585 | 2012-09-28 | ||
JP2013097784A JP5909460B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-05-07 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014080570A JP2014080570A (ja) | 2014-05-08 |
JP2014080570A5 true JP2014080570A5 (ja) | 2014-12-11 |
JP5909460B2 JP5909460B2 (ja) | 2016-04-26 |
Family
ID=50387864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013097784A Expired - Fee Related JP5909460B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-05-07 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150184032A1 (ja) |
JP (1) | JP5909460B2 (ja) |
KR (1) | KR101678873B1 (ja) |
TW (1) | TWI588225B (ja) |
WO (1) | WO2014050455A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6687523B2 (ja) * | 2014-01-07 | 2020-04-22 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | ウェーハの一時接着処理に使用する環状オレフィンポリマー組成物およびポリシロキサン離型層 |
US9865490B2 (en) * | 2014-01-07 | 2018-01-09 | Brewer Science Inc. | Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes |
JP6330346B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-05-30 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた電子部材、及び半導体装置の製造方法 |
JP5678228B1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-02-25 | 積水化学工業株式会社 | 回路基板の処理方法及び硬化型接着剤組成物 |
JP2016044222A (ja) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及び接続構造体 |
CN104559852B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-02-27 | 深圳市化讯半导体材料有限公司 | 一种用于薄晶圆加工的临时键合胶及其制备方法 |
WO2016180456A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Imec Vzw | Method for manufacturing device substrate and semiconductor device |
MX2018006900A (es) * | 2015-12-07 | 2018-09-06 | Acetate Int Llc | Composiciones de relleno de madera de acetato de celulosa. |
TWI627251B (zh) * | 2017-04-10 | 2018-06-21 | 台虹科技股份有限公司 | 暫時性接著用組成物、暫時性接著用溶液以及暫時性接著用膜材 |
WO2019106846A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム |
KR102470448B1 (ko) | 2017-12-15 | 2022-11-24 | 주식회사 엘지화학 | 의류용 수성 아크릴계 점착제 및 이의 제조 방법 |
JP2019026851A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-02-21 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及び接続構造体 |
JP2020111760A (ja) * | 2020-04-07 | 2020-07-27 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及び接続構造体 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3483161B2 (ja) | 1994-08-11 | 2004-01-06 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP3146888B2 (ja) | 1994-10-31 | 2001-03-19 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の仮止め用ボンド |
JP4072927B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2008-04-09 | リンテック株式会社 | エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法 |
TWI299353B (en) * | 2001-08-03 | 2008-08-01 | Sekisui Chemical Co Ltd | Pressure sensitive adhesive double coated tape and method for producing ic chip using it |
JP4485165B2 (ja) | 2002-10-22 | 2010-06-16 | 株式会社クラレ | 粘・接着剤組成物 |
US6920159B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-07-19 | Optitune Plc | Tunable optical source |
JP2007291394A (ja) * | 2004-05-31 | 2007-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス |
US8187411B2 (en) * | 2005-03-18 | 2012-05-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Adherent composition and method of temporarily fixing member therewith |
JP4643360B2 (ja) | 2005-05-24 | 2011-03-02 | 株式会社イーテック | 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法 |
SG163531A1 (en) * | 2005-07-04 | 2010-08-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Curable composition and temporary fixation method of member using it |
JP2007045939A (ja) | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Jsr Corp | 粘着フィルムの粘着力低減方法 |
KR101458143B1 (ko) | 2006-03-01 | 2014-11-05 | 씬 머티리얼즈 아게 | 처리방법, 특히, 웨이퍼의 얇은 배면 처리방법, 웨이퍼-캐리어 배열 및 상기 타입의 웨이퍼-캐리어 배열의 제조방법 |
JP5057697B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-10-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート |
KR101073153B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2011-10-12 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 접착성 조성물 및 그것을 이용한 부재의 가고정 방법 |
JP2008063464A (ja) | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び当該接着剤組成物の製造方法 |
JP2008063463A (ja) | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び当該接着剤組成物の製造方法 |
US20080200011A1 (en) | 2006-10-06 | 2008-08-21 | Pillalamarri Sunil K | High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach |
KR100773634B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-11-05 | 제일모직주식회사 | 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프 |
JP5016296B2 (ja) | 2006-11-22 | 2012-09-05 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、及び接着フィルム |
JP4976829B2 (ja) | 2006-11-29 | 2012-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、及び接着フィルム |
JP2009185197A (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物及びその利用、並びに接着剤組成物の製造方法 |
JP5499454B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-05-21 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP5497276B2 (ja) * | 2008-07-08 | 2014-05-21 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物の製造方法 |
JP4920097B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2012-04-18 | アイカ工業株式会社 | 接着剤組成物 |
KR20100134491A (ko) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2011052142A (ja) | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Jsr Corp | 接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および半導体素子 |
JP5010668B2 (ja) | 2009-12-03 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | 積層型半導体集積装置の製造方法 |
JP5691538B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-04-01 | Jsr株式会社 | 仮固定用組成物、仮固定材、基材の処理方法、および半導体素子 |
JP5674332B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2015-02-25 | 電気化学工業株式会社 | 接着剤組成物及びそれを用いた部材の仮固定方法 |
JP5624908B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物 |
JP5545239B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2014-07-09 | Jnc株式会社 | 接着した部材からの光硬化性接着剤の除去方法、及び二部材の接着方法 |
-
2013
- 2013-05-07 JP JP2013097784A patent/JP5909460B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-03 WO PCT/JP2013/073669 patent/WO2014050455A1/ja active Application Filing
- 2013-09-03 KR KR1020157007079A patent/KR101678873B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-26 TW TW102134654A patent/TWI588225B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-03-09 US US14/641,656 patent/US20150184032A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014080570A5 (ja) | ||
JP2014130853A5 (ja) | ||
JP2014129431A5 (ja) | ||
JP2014070191A5 (ja) | ||
JP2015501356A5 (ja) | ||
CN102592964B (zh) | 一种石墨烯薄膜的衬底转移方法 | |
JP2011137123A5 (ja) | ||
JP2016033215A5 (ja) | ||
JP2014513868A5 (ja) | ||
JP2014510807A5 (ja) | ||
TWI539535B (zh) | Wafer processing method | |
JP2013256610A5 (ja) | ||
KR101553962B1 (ko) | 접착성 조성물 및 그 접착 방법, 및 접착 후의 박리 방법 | |
JP2010534346A5 (ja) | ||
JP2016516657A5 (ja) | ||
TWI720004B (zh) | 支撐體分離方法 | |
JP2017040791A5 (ja) | ||
JP6213127B2 (ja) | 接着性組成物およびその接着方法、並びに接着後の剥離方法 | |
JP2015518270A5 (ja) | ||
JP2019119858A5 (ja) | ||
JP2016117885A5 (ja) | ||
JP2016058273A5 (ja) | ||
JP2013156381A5 (ja) | ||
TW202235576A (zh) | 電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶 | |
JP2013191687A5 (ja) |