JP2013256610A5 - - Google Patents

Description

〔１〕 （Ａ）酸基を有する高分子化合物、（Ｂ）希釈剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔２〕 前記高分子化合物（Ａ）が、カルボン酸基を有するポリウレタン樹脂、（メタ）アクリル系重合体、又は、ノボラック樹脂である、上記〔１〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔３〕 更に、（Ｄ）活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔４〕 更に、（Ｅ）熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔５〕 前記化合物（Ｅ）が、有機過酸化物である、上記〔４〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔６〕 前記希釈剤（Ｂ）が、ラジカル又は酸の作用により架橋することが可能な反応性
化合物である、上記〔３〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔７〕 シリコン貫通電極形成用である、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔８〕 基板と、前記基板上に、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔９〕 披処理部材の第１の面と基板とを、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔１０〕 前記披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記披処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔９〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１１〕 披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔９〕又は〔１０〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１２〕 前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層にアルカリ水溶液又は剥離溶剤を接触させる工程を含む、上記〔９〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
〔１３〕 前記アルカリ水溶液が、界面活性剤を、前記アルカリ水溶液の総質量に対して０．１〜２０質量％の割合で含有する、上記〔１２〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１４〕 前記剥離溶剤が、アセトン、アニソール、シクロヘキサノン、エタノールアミン、ヘキサン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又は、フッ素系溶剤である、上記〔１２〕に記載の半導体装置の製造方法。

Claims (14)

1. （Ａ）酸基を有する高分子化合物、（Ｂ）希釈剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
2. 前記高分子化合物（Ａ）が、カルボン酸基を有するポリウレタン樹脂、（メタ）アクリル系重合体、又は、ノボラック樹脂である、請求項１に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
3. 更に、（Ｄ）活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
4. 更に、（Ｅ）熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
5. 前記化合物（Ｅ）が、有機過酸化物である、請求項４に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
6. 前記希釈剤（Ｂ）が、ラジカル又は酸の作用により架橋することが可能な反応性化合物である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
7. シリコン貫通電極形成用である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
8. 基板と、前記基板上に、請求項１〜７のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
9. 披処理部材の第１の面と基板とを、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
   前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
   前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
   を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
10. 前記披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記披処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層にアルカリ水溶液又は剥離溶剤を接触させる工程を含む、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記アルカリ水溶液が、界面活性剤を、前記アルカリ水溶液の総質量に対して０．１〜２０質量％の割合で含有する、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記剥離溶剤が、アセトン、アニソール、シクロヘキサノン、エタノールアミン、ヘキサン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又は、フッ素系溶剤である、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。